DE19623799A1 - Beheizte Kristallvorrichtung und Verfahren zur Herstellung - Google Patents
Beheizte Kristallvorrichtung und Verfahren zur HerstellungInfo
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Description
Diese Erfindung bezieht sich auf eine beheizte Kristallvor
richtung für einen Oszillator. Sie ist insbesondere aber
nicht ausschließlich anwendbar in einem Oszillator für ein
Einseitenbandradio (SSB) Die Erfindung bezieht sich auch auf
ein Verfahren zur Herstellung einer Kristallvorrichtung.
Ein beheizter kompensierter Kristalloszillator (OCXO) umfaßt
einen Kristall, der in einem Gehäuse mit einer internen Hei
zung eingeschlossen ist, die den Kristall und andere Oszilla
torbauteile auf einer einheitlichen und konstant hohen Tempe
ratur stabilisiert. Durch Halten des Kristalls auf einer
künstlich erhöhten Temperatur wird die Frequenz der Schwin
gung des Kristalls stabilisiert und ist nicht externen Tempe
raturschwankungen unterworfen. Solche Oszillatoren sind nütz
lich in SSB-Empfängern, in welchen eine hohe Stabilität der
Schwingung des Referenzoszillators gefordert wird.
Es ist ein OCXO für ein SSB-Radio bekannt, der einen Kristall
umfaßt, der an eine Metallklammer angeklammert ist, auf wel
che ein Leistungstransistor geschraubt ist. Der Kristall und
der Leistungstransistor sind auf einer gedruckten Leiter
platte (PCB) montiert, wobei ihre Anschlüsse durch Durch
gangslöcher in der PCB geführt sind. Die Metallklammer ragt
nach oben und nach außen weg von der PCB. Die Metallklammer
mit ihrem Kristall und dem Leistungstransistor ist in einem
geschlossenen Gehäuse eingeschlossen. Die gesamte Konstruk
tion ist massig und eignet sich nicht für moderne Oberflä
chenmontagetechniken.
Es besteht ein Bedürfnis nach einer kleineren, billigeren Os
zillatorvorrichtung.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine beheizte Kristall
vorrichtung für einen Oszillator bereitgestellt, die folgen
des umfaßt: einen Kristall, der ein metallisches Gehäuse hat,
ein wärmeleitendes Substrat, das eine erste Oberfläche hat,
auf der das Gehäuse des Kristalls in thermischem Kontakt mit
dem Substrat montiert ist und ein Widerstandsherzelement, das
auf einer zweiten Oberfläche des Substrats gegenüber der er
sten Oberfläche angebracht ist.
Indem das Heizelement und der Kristall auf entgegengesetzten
Oberflächen des Substrats angeordnet werden, ist die gesamte
Vorrichtung sehr kompakt. Der Kristall kann auf dem Substrat
mit einer Oberflächenmontagetechnik montiert werden.
Durch das bevorzugte Merkmal der Anbringung des Heizelements
über dem größten Gebiet der zweiten Oberfläche des Substrats
wird eine wirksame und gleichmäßige Wärmeübertragung auf den
Kristall erzielt.
Fig. 1 ist eine räumliche Darstellung einer Oszillatorvor
richtung gemäß der Erfindung, ohne das sie umgebende Gehäuse.
Fig. 2 ist eine räumliche Ansicht der Vorrichtung der Fig. 1
von unten.
Bezieht man sich auf Fig. 1 so ist dort eine PCB 10 gezeigt,
auf welcher ein Kristall, der in einem metallischen Gehäuse
eingeschlossen ist (nachfolgend als "Kristall 11" bezeichnet)
montiert ist, mit Anschlüssen 12 und 13, die mit Leiterbahnen
auf der oberen Oberfläche des PCB 10 verlötet sind. Andere
Oszillatorbauteile 14 sind auf der PCB 10 mittels Oberflä
chenmontage (SMD) Herstellungstechniken montiert. Der Kri
stall 11 ist mittels ähnlicher Techniken montiert, das heißt,
indem zuerst der Kristall 11 auf der PCB 10 festgeklebt wird,
wobei die Anschlüsse 12 und 13 in Kontakt mit den jeweiligen
Leiterbahnen gebracht werden und dann die gesamte Vorrichtung
schwallgelötet wird, so daß die Anschlüsse 12 und 13 und die
Bauteile 13 an ihrem Ort verlötet werden. Die PCB ist aus
Aluminium hergestellt und dient als wärmeleitendes Substrat.
Die Vorrichtung umfaßt Anschlußdrähte 15, die mit den Kanten
der PCB 10 verbunden sind, um die gesamte Vorrichtung auf ei
ner anderen PCB zu montieren.
Ein Temperaturmeßelement 16 (beispielsweise ein Thermistor)
ist auf der PCB 10 zwischen den Anschlüssen 12 und 13 mon
tiert.
Bezieht man sich auf Fig. 2, so ist dort ein Widerstandsheiz
element 20 über der unteren Oberfläche der PCB 10 durch eine
Kohlenstoffablagerungstechnik, das ist eine Drucktechnik, die
bei PCB und Mehrfachchipmodulherstellung als ein gedruckter
Widerstand bekannt ist, ausgebildet. Das Widerstandsheizele
ment 20 bedeckt ein wesentliches Gebiet der Unterseite der
PCB 10, das heißt eine Heizung, die mindestens oder ungefähr
so groß ist wie das Gebiet, das durch den Kristall 11 auf der
oberen Oberfläche eingenommen wird. Das Widerstandsheizele
ment 20 ist zwischen Verbindungsschienen 21 und 22 einge
schlossen, die Anschlüsse aufweisen, die sie mit der oberen
Oberfläche der PCB 10 verbinden.
Im Betrieb wird ein Strom an die Anschlüsse 21 und 22 ange
legt, der bewirkt, daß sich das Widerstandselement aufheizt.
Die Wärme wird leicht durch die Dicke der PCB 10 geführt und
heizt den Kristall 11 als auch die anderen zugehörigen Ele
mente 14 und 16 auf. Die gesamte Vorrichtung ist in einem
(nicht gezeigten) Gehäuse eingeschlossen, das passende Wär
meisolationseigenschaften aufweist, so daß die Temperatur
stabil ist und nicht durch äußere Einflüsse beeinflußt wird.
Die gesamte Vorrichtung ist billig herzustellen und sie ist
kompakt. Das Wärmemeßelement 16 steuert durch andere Bauteile
14 der den Schienen 21 und 22 zugeführten Strom und hält die
Temperatur konstant.
Die Frequenz des Kristalls 11 reagiert am empfindlichsten auf
Temperaturschwankungen in der Umgebung der Anschlüsse 12 und
13. Indem das Wärmemeßelement 16 zwischen diesen Anschlüssen
montiert wird, befindet sich das Wärmemeßelement 16 an einer
Position, an der es die größte Steuermöglichkeit über fre
quenzbeeinflussende Temperaturschwankungen der Oszillatorvor
richtung hat.
Die PCB 10 ist vorzugsweise aus Aluminium mit einer Reinheit
von 96% und einer Dicke von 0,6 mm oder weniger und einem
Wärmeleitwert von mindestens 0,07 cal/sec·cm°C, das heißt
29,3 j/s·m·°C.
Claims (6)
1. Beheizte Kristallvorrichtung für einen Oszillator mit:
einem Kristall, der ein metallisches Gehäuse aufweist,
einem wärmeleitenden Substrat, das eine erste Oberfläche aufweist, auf dem das Gehäuse des Kristalls in thermischem Kontakt mit dem Substrat montiert ist, und
einem Widerstandsheizelement, das auf einer zweiten Oberfläche des Substrats gegenüber der ersten Oberfläche an geordnet ist.
einem Kristall, der ein metallisches Gehäuse aufweist,
einem wärmeleitenden Substrat, das eine erste Oberfläche aufweist, auf dem das Gehäuse des Kristalls in thermischem Kontakt mit dem Substrat montiert ist, und
einem Widerstandsheizelement, das auf einer zweiten Oberfläche des Substrats gegenüber der ersten Oberfläche an geordnet ist.
2. Kristallvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Wider
standsheizelement auf der zweiten Oberfläche durch eine
Drucktechnik ausgebildet ist.
3. Kristallvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Kristall
Anschlüsse hat, die vom Gehäuse ausgehen und die mit dem
Substrat verbunden sind, wobei ein Temperaturmeßelement auf
dem Substrat zwischen den Anschlüssen angeordnet ist.
4. Kristallvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Wider
standselement auf der zweiten Oberfläche durch eine Druck
technik aufgebracht ist.
5. Kristallvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Substrat
aus Aluminiumoxyd besteht.
6. Verfahren zur Herstellung einer Kristallvorrichtung, wobei
das Verfahren die Schritte des Druckens eines
Widerstandsheizelements auf eine erste Oberfläche eines
Substrats und die Oberflächenmontage eines metallischen Ge
häuses, das einen Kristall enthält, auf eine zweite Oberflä
che des Substrats, entgegengesetzt zur ersten Oberfläche, um
faßt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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GB9512387A GB2302446B (en) | 1995-06-17 | 1995-06-17 | Ovenized crystal assembly. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=10776267
Family Applications (1)
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DE19623799A Withdrawn DE19623799A1 (de) | 1995-06-17 | 1996-06-14 | Beheizte Kristallvorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
Country Status (4)
Country | Link |
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CN (1) | CN1150718A (de) |
DE (1) | DE19623799A1 (de) |
GB (1) | GB2302446B (de) |
IL (1) | IL118522A0 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19983298B4 (de) * | 1998-06-11 | 2007-12-13 | Delaware Capital Formation, Inc., Wilmington | Ofengesteuerte Quarzresonatoranordnung und Oszillatoranordnung |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE534191T1 (de) * | 2009-03-09 | 2011-12-15 | Micro Crystal Ag | Oszillatorvorrichtung, die einen wärmegesteuerten piezoeletrischen quarz umfasst |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2668876B1 (fr) * | 1990-11-07 | 1992-12-24 | Alcatel Espace | Circuit electronique controle en temperature. |
US5180942A (en) * | 1992-02-14 | 1993-01-19 | Motorola, Inc. | Thermally isolated ovenized crystal oscillator |
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1995
- 1995-06-17 GB GB9512387A patent/GB2302446B/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-05-31 IL IL11852296A patent/IL118522A0/xx unknown
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- 1996-06-14 CN CN96102279.5A patent/CN1150718A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19983298B4 (de) * | 1998-06-11 | 2007-12-13 | Delaware Capital Formation, Inc., Wilmington | Ofengesteuerte Quarzresonatoranordnung und Oszillatoranordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9512387D0 (en) | 1995-08-16 |
GB2302446A (en) | 1997-01-15 |
CN1150718A (zh) | 1997-05-28 |
GB2302446B (en) | 1999-04-21 |
IL118522A0 (en) | 1996-09-12 |
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Legal Events
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