DE19619437C2 - Schaltgerät - Google Patents

Description

TECHNISCHES GEBIET

Bei der Erfindung wird ausgegangen von einem Schaltgerät nach dem Oberbegriff von Patentanspruch 1. Ein derartiges Schaltgerät wird mit Vorteil als Leitungsschutzschalter verwendet und schützt die Leitungen eines Niederspannungsnetzes vor unzulässiger, durch Kurzschluss oder Überlast hervorgerufener Erwärmung. Das Schalt­ gerät weist daher im allgemeinen einen magnetisch wirkenden Kurz­ schlussstromauslöser und einen thermisch wirkenden Überstromaus­ löser auf sowie eine ein strombegrenzendes Verhalten bewirkende Lichtbogenlöscheinrichtung.

STAND DER TECHNIK

Die Erfindung nimmt auf einen Stand der Technik Bezug, wie er etwa in DE 36 22 100 A1 angegeben ist. Ein in diesem Stand der Technik beschriebenes Schaltgerät weist in einem Hauptstrompfad angeordnet eine Schaltstelle 13 auf, welche über einen den Strom abtastenden Stromsensor betätigbar ist. Parallel zu dieser Schaltstelle verläuft ein Nebenstrompfad, in dem zueinander parallel geschaltet ein GTO-Thyristor 20 und ein Varistor 25 angeordnet sind. Bei geschlossener Schaltstelle 13 ist bei diesem Schaltgerät der GTO-Thyristor 20 im Sperrzustand. Beim Öffnen der Schaltstelle 13 wird der GTO-Thyristor 20 durchgeschaltet und der Strom von der Schaltstelle 13 weggeleitet. Danach wird der GTO- Thyristor wieder gesperrt und die hierbei auftretende Überspan­ nung durch den Varistor begrenzt. Ein derartiges Schaltgerät schaltet praktisch lichtbogenfrei. Es benötigt jedoch zum Steuern des GTO-Thyristors relativ aufwendige Schaltungselemente, wie etwa eine Kapazität C und einen Stromtransformator 21 mit einem sättigbaren Kern 22.

Ein Schaltgerät mit einem elektromechanischen Schalter 1 und mit einer parallel dazu angeordneten Reihenschaltung eines elektro­ mechanischen Schalters 4 mit einem zwei antiparallel geschaltete Thyristoren Th1 und Th2 enthaltendem Halbleiterschalter ist aus EP 0 674 329 A1 bekannt. Beim Abschalten wird der elektromechani­ sche Schalter 1 geöffnet und kommutiert der abzuschaltende Strom in den die Reihenschaltung enthaltenden Stromkreis. In diesem Stromkreis wird nun zunächst der elektromechanische Schalter 4 geöffnet. Der Halbleiterschalter unterbricht danach bei einem Nulldurchgang den Strom. Der elektromechanische Schalter 4 muss daher so bemessen sein, dass er zumindest kurzzeitig hohen Strom führen kann.

Ein weiteres Schaltgerät mit Strombegrenzungseigenschaften ist in DE 38 24 116 A1 beschrieben. Dieses Schaltgerät enthält miteinan­ der in Reihe geschaltet einen elektromechanischen Schalter 4 und einen elektronischen Schalter 3. Der elektronische Schalter weist zwei antiparallel geschaltete Halbleiterbauelemente vom Typ IGBT auf. Parallel zum elektronischen Schalter ist ein Metalloxidvari­ stor 8 geschaltet. Beim Ausschalten wird zunächst der elektroni­ sche Schalter geöffnet und erst danach der elektromechanische Schalter. Hierbei entstehende Überspannungen werden durch den Varistor begrenzt. Da der elektronische Schalter Nennstrom führt, muss er relativ gross bemessen sein oder intensiv gekühlt werden.

KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG

Der Erfindung, wie sie in Patentanspruch 1 angegeben ist, liegt die Aufgabe zugrunde, ein Schaltgerät der eingangs genannten Art zu schaffen, welches sich bei gutem Kurzschlussschaltvermögen durch einen einfachen Aufbau und eine grosse Betriebssicherheit auszeichnet.

Das Schaltgerät nach der Erfindung nutzt die zeitliche Abhängig­ keit des Spannungssignals über seiner Hauptschaltstelle aus, um eine besonders rasche und sichere Ansteuerung seines Halbleiter­ schalters zu erreichen. Dieses Signal kann in einfacher Weise erfasst, ausgewertet und zur Ansteuerung aufbereitet werden. Dadurch vereinfacht sich der Aufbau des Schaltgerätes ganz wesentlich und wird dessen Betriebssicherheit verbessert. Eine zusätzliche Verbesserung der Betriebssicherheit des Schaltgerätes wird durch eine im Nebenstrompfad in Reihe mit dem Halbleiter­ schalter angeordnete Hilfsschaltstelle erreicht.

Da der Halbleiterschalter im allgemeinen mindestens einen abschaltbaren MOS-gesteuerten Halbleiter, insbesondere einen Halbleiter vom Typ MCT oder IGBT, aufweist, ist die Ansteuer­ leistung für den Halbleiterschalter äusserst gering und, um Grössenordnungen geringer als die Ansteuerleistung für Halblei­ terschalter auf der Basis von GTO-Thyristoren. Daher kann eine den Halbleiterschalter ansteuernde Vorrichtung äusserst kosten­ günstig hergestellt und praktisch wartungsfrei betrieben werden.

Ein weiterer Vorteil des Schaltgerätes nach der Erfindung ist darin zu sehen, dass nicht nur die Hauptschältstelle S₁ sondern auch die Auslöseelemente M und T einfach und kostengünstig ausgelegt werden können, da ein Kurzschlussstrom praktisch schon während des Entstehens abgeschaltet wird.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung und die damit erzielbaren weiteren Vorteile werden nachfolgend anhand von Zeichnungen näher erläutert. Hierbei zeigt:

Fig. 1 ein Prinzipschaltbild einer Ausführungsform des Schaltgerätes nach der Erfindung,

Fig. 2 ein Blockschaltbild einer Steuervorrichtung des Schaltgerätes gemäss Fig. 1,

Fig. 3 ein Diagramm, in dem die Schaltpositionen einer Hilfsschaltstelle S₂, einer Hauptschaltstelle S₁, eines Halbleiterschalters HL sowie die Spannung U_B über der Hauptschaltstelle und der Strom I, welcher sich aus dem Strom I₁ durch die Hauptschaltstelle und dem Strom I₂ in einem den Halbleiterschalter enthaltendem Nebenweg zusammensetzt, des Schaltgerätes gemäss Fig. 1 in Abhängigkeit von der Zeit t angegeben sind, und die

Fig. 4 bis 8 Prinzipschaltbilder weiterer Ausführungsformen des Schaltgerätes nach der Erfindung.

WEGE ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG

In allen Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleichwirkende Teile. Das in Fig. 1 dargestellte Schaltgerät enthält einen zwischen zwei Stromanschlüssen 1, 2 angeordneten Niederspannungs­ schalter 3. Der Niederspannungsschalter 3 enthält in Reihe zwischen die Stromanschlüsse 1, 2 geschaltet ein vorzugsweise als Bimetall ausgebildetes thermisches Auslöseelement T und ein vor­ zugsweise als Spule ausgebildetes elektromagnetisches Auslöseele­ ment M sowie eine Nennstromkontakte aufweisende Hauptschaltstelle S₁, welche über einen vorzugsweise als Schaltschloss ausgebilde­ ten und von den Auslöseelementen M, T aktivierbaren Auslösemecha­ nismus A betätigbar ist. Die Hauptschaltstelle kann mindestens zwei zueinander parallel oder in Serie geschaltete Paare von Schaltkontakten aufweisen. Sind die Schaltkontakte parallel ge­ schaltet, so werden der Kontaktwiderstand der Hauptschaltstelle und damit die Nennstromverluste reduziert. Sind die Schaltkontakte in Reihe geschaltet, so wird beim Ausschalten die Kommutationsspannung erhöht und damit die Lichtbogenlöschung verbessert.

Parallel zur Hauptschaltstelle S₁ ist ein Nebenstrompfad geschaltet. Dieser Nebenstrompfad enthält zueinander parallel geschaltet einen steuerbarer Halbleiterschalter HL sowie ein Entlastungselement E. Der Halbleiterschalter weist mindestens einen abschaltbaren MOS-gesteuerten, uni- oder bidirektional leitenden Halbleiter, insbesondere einen Halbleiter vom Typ MCT oder IGBT, auf. In Reihe geschaltet mit der Parallelschaltung von Halbleiterschalter HL und Entlastungselement E ist ferner eine Hilfsschaltstelle S₂ vorgesehen, welche mittels eines Auslösemechanismus Z beim Ausschalten zeitverzögert nach dem Öffnen des Halbleiterschalters HL geöffnet werden kann.

Parallel zur Hauptschaltstelle S₁ ist ferner eine Steuervorrich­ tung ST des Halbleiterschalters HL geschaltet. Diese Steuervor­ richtung bildet in Abhängigkeit von der zeitlichen Änderung der Bogenspannung eines beim Ausschalten von der Hauptschaltstelle S₁ geführten Schaltlichtbogens Steuersignale für eine Steuerelektro­ de mindestens eines im Halbleiterschalter HL vorgesehenen Halb­ leiters vom Typ IGBT. Gemäss Fig. 2 weist die Steuervorrichtung eine die Höhe U_B bzw. einen den Anstieg dU_B/dt der Lichtbogen­ spannung erfassenden Komparator K₂ bzw. K₁ auf sowie eine den Komparatoren nachgeschaltete und zumindest ein UND-Glied aufweisende Auswertevorrichtung AW. SE bezeichnet einen parallel zur Hauptschaltstelle S₁ liegenden Spannungs- und/oder Strom­ sensor. Ein der Spannung U_B über der Hauptschaltstelle S₁ proportionales Ausgangssignal des Sensors SE wird einem Integrator IR zugeführt, in dem die zeitliche Änderung dU_B/dt des Spannungssignals U_B erfasst wird. Der Integrator IR gibt ein dem Flankenanstieg oder dem Flankenabfall der Spannung U_B proportionales Signal an den Komparator K₁ weiter.

Die Wirkungsweise dieses Schaltgerätes wird nun anhand des Diagramms gemäss Fig. 3 erläutert:
Unter Nennbedingungen sind die Hauptschaltstelle S₁ und die Hilfsschaltstelle S₂ geschlossen. Der Spannungsabfall über der Hauptschaltstelle S₁ beträgt höchstens einige Zehntel mV. Der Halbleiterschalter HL befindet sich im Sperrzustand.

Zum Zeitpunkt t₀ tritt in dem durch den Niederspannungsschalter 3 geführten Stromkreis ein aus Fig. 3 ersichtlicher Überstrom I auf. Je nach Art des Überstroms spricht das thermische Auslöseelement T (Überlast) oder das elektromagnetische Auslöseelement M (Kurzschluss) an.

Zum Zeitpunkt t₁ bewirkt der Auslösemechanismus A ein Öffnen der Hauptschaltstelle S₁ und es wird ein zwischen den sich öffnenden Schaltkontakten dieser Schaltstelle brennender Schaltlichtbogen gezogen. Dieser Schaltlichtbogen bildet im Stromkreis einen Spannungsabfall von ca. 20 V. Daher steigt ab dem Zeitpunkt t₁ die Spannung U_B über der Hauptschaltstelle S₁ sprunghaft an. Der Integrator IR liefert an den Komparator K₁ ein den sprunghaften Flankenanstieg erkennendes Signal, welches mit einem Schwellwert­ signal SW₁ verglichen wird (Fig. 2). Überschreitet das vom Integrator I gelieferte Signal das Schwellwertsignal SW₁, so gibt der Komparator K₁ ein Signal an die Auswertevorrichtung AW ab. Zur gleichen Zeit wird im Komparator K₂ ein die Amplitude der Spannung U_B wiedergebendes Signal mit einem Schwellwertsignal SW₂ verglichen. Überschreitet das die Amplitude von U_B anzeigende Signal das Schwellwertsignal SW₂, so gibt auch der Komparator K₂ ein Signal ab. Das in der Auswertevorrichtung AW vorgesehene UND- Glied erkennt, dass sowohl der Schwellwert SW₁ für die Spannungs­ steilheit als auch SW₂ für die Amplitude der Spannung U_B über der Hauptschaltstelle S₁ überschritten sind und bildet nun ein auf die Steuerelektrode des Halbleiterschalters HL wirkendes Steuersignal.

Dieses Steuersignal bewirkt, dass der Halbleiterschalter HL zum Zeitpunkt t₂ leitend wird. Die Zeitdifferenz t₂ - t₁ ist äusserst gering, da die Schaltungselemente der Steuervorrichtung ST alle sehr schnell sind, und da der vorzugsweise ein IGBT oder ein ähnlich wirkendes Halbleiterbauelement aufweisende Halbleiter­ schalter nur wenig Energie aufnimmt. Eine typische Zeitdifferenz liegt im Bereich von µs. Unter der treibenden Wirkung des Schalt­ lichtbogens beginnt der Strom I nun in den den Halbleiterschalter HL und die Hilfsschaltstelle S₂ enthaltenden Nebenstrompfad zu kommutieren. In Fig. 3 bezeichnet I₁ den Teil des Stroms I der noch über den Schaltlichtbogen geführt ist und I₂ denjenigen Teil, welcher bereits in den Nebenstrompfad kommutiert ist.

Zum Zeitpunkt t₃ ist die Kommutation des Stroms von der Haupt­ schaltstelle S₁ zum Halbleiterschalter HL abgeschlossen (I₁ = 0; I₂ = I). Der gesamte Strom I fliesst nun durch den Halbleiterschal­ ter HL. Der Schaltlichtbogen erlischt schlagartig. Der Spannungs­ abfall über den Halbleiterschalter HL wird auf den Eigenspan­ nungsabfall von einigen wenigen Volt reduziert. Die Auswertevor­ richtung AW erkennt dies aus der grossen Steilheit und der kleinen Amplitude der Spannung U_B und bildet ein auf die Steuerelektrode des Halbleiterschalter HL wirkendes Steuersignal.

Zum Zeitpunkt t₄ bewirkt dieses Steuersignal, dass der Halblei­ terschalter HL wieder sperrt und den Strom I₂ unterbricht. Die Spannung U_B über der Hauptschaltstelle S₁ stellt sich dann entsprechend dem Momentanwert der Netzspannung ein. Der Zeitpunkt t₄ kann über den Abschluss der Stromkommutation hinaus gegebenen­ falls noch zusätzlich verschoben werden, um ganz sicher zu gehen, dass auch eine ausreichende Isolationsfestigkeit über der Haupt­ schaltstelle S₁ erreicht ist. Ab dem Zeitpunkt t₄ dissipiert das parallel zum Halbleiterschalter HL geschaltete Entlastungselement E induktiv gespeicherte Energie.

Wie aus den Fig. 4 bis 8 ersichtlich ist, kann das Entlastungselement E Bauelemente enthalten, welche den Folgestrom begrenzen. Gemäss Fig. 4 kann dies ein ohmscher Widerstand sein. Der Widerstand kann in besonders kostengünstiger Weise aus einer metallischen Widerstandslegierung bestehen. Die Baugrösse kann hierbei in einfacher Weise der zu erwartenden Belastung über den spezifischen Widerstand des Materials und die geometrischen Abmessungen angepasst werden. Als Bauelement kann insbesondere auch ein PTC-Widerstand vorgesehen sein (Fig. 5). Ein solcher Widerstand bewirkt gegenüber einem ohmschen Widerstand eine verbesserte Strombegrenzung. Ein besonders geeigneter PTC- Widerstand kann aus einem ferromagnetischen Draht, beispielsweise aus einer Fe, Co und/oder Ni enthaltenden Legierung, wie etwa den ferritischen Legierungen Co-8Fe oder Co-25Fe, gebildet sein.

Es ist besonders vorteilhaft, im Entlastungselement E einen Varistor (Fig. 6) und/oder einen gegebenenfalls parallel zum Varistor geschalteten Kondensator vorzusehen (Fig. 7, 8), da dann zusätzlich auch unerwünschte Spannungsspitzen über dem Schaltgerät begrenzt werden.

Zum Zeitpunkt t₅ nachdem der Folgestrom durch das Entlastungsele­ ment E wesentlich begrenzt ist, wird die Hilfsschaltstelle S₂ praktisch stromfrei über den vom Auslösemechanismus A verzögert angesteuerten Hilfsauslösemechanismus Z geöffnet. Ein Abschaltvorgang dauert typischerweise einige, beispielsweise 5 Millisekunden.

Bei der Ausführungsform nach Fig. 1 sind das vom auszuschalten­ den Strom thermisch betätigte Auslöseelement T, das vom auszu­ schaltenden Strom elektromagnetisch betätigte Auslöseelement M und die Hauptschaltstelle S₁ parallel zum Nebenstrompfad geschaltet. Eine gegenüber dieser Ausführungsform verringerte Kommutierungsinduktivität und damit auch eine schnellere Kommution des Stroms von der Hauptschaltstelle S₁ in den Nebenstrompfad wird erreicht, wenn gemäss der Ausführungsform nach Fig. 4 eine Reihenschaltung von Hauptschaltstelle S₁ und einer Parallelschaltung von thermischem und elektromagnetischem Auslöseelement T, M parallel zum Nebenstrompfad geschaltet sind, wenn gemäss der Ausführungsform nach Fig. 6 eine Reihenschaltung von thermischem T und elektromagnetischem Auslöseelement M in Reihe zur Parallelschaltung von Hauptschaltstelle S₁ und Neben­ strompfad geschaltet ist oder wenn gemäss der Ausführungsform nach Fig. 7 der Nebenstrompfad parallel geschaltet ist zu einer Reihenschaltung von Hauptschaltstelle S₁ und thermischem Auslöse­ element T und hierbei das elektromagnetische Auslöseelement M in Reihe zu dieser Parallelschaltung angeordnet ist. Bei der Ausfüh­ rungsform nach Fig. 7 wird das thermisches Auslöseelement T zusätzlich vor Kurzschlussstrombelastung geschützt. Ein Kommutationskreis mit einer besonders kleinen Induktivität wird bei den Ausführungsformen nach den Fig. 4 und 6 erreicht.

Bei der Ausführungsform des Schaltgerätes nach Fig. 8 ist der Nebenstrompfad parallel geschaltet ist zu einer Reihenschaltung von Hauptschaltstelle S₁ und elektromagnetischem Auslöseelement M und ist das thermische Auslöseelement T in Reihe zu dieser Parallelschaltung angeordnet. Bei dieser Ausführungsform ist das elektromagnetische Auslöseelement M vor Kurzschlussstrombelastung weitgehend geschützt.

Bei der Ausführungsform des Schaltgerätes gemäss Fig. 5 ist im Nebenstrompfad in Reihe zur Hilfsschaltstelle S₂ ein thermisches Hilfsauslöseelement T_Z angeordnet. Dieses Hilfsauslöseelement T_z schliesst die Hilfsschaltstelle S₂ im kalten Zustand. T_z ist so dimensioniert, das die Hilfsschaltstelle S₂ nach einem vorbe­ stimmten Strom-Zeit-Integralwert des durch S₂ geführten Stromes öffnet. Dieser Wert wird bei einem nichtsperrenden Entlastungs­ element E (z. B. ohmscher Widerstand, PTC-Widerstand oder Konden­ sator) so festgelegt, dass die zu schaltende Stromamplitude der Hilfsschaltstelle S₂ möglichst gering ist. Durch den Hilfsaus­ lösemechanismus Z wird das thermische Hilfsauslöseelement T_z verriegelt. Ein Aktivieren des Hilfsauslöseelements T_z erfolgt erst dann, wenn das Schaltgerät eingeschaltet wird.

Das Hilfsauslöseelement T_z kann kostengünstig aus einem Bimetall bestehen und kann als beweglicher Kontakt in die Hilfsschaltstel­ le S₂ integriert sein. Mit Vorteil kann dann der bewegliche Kon­ takt als eine eine Mindesttrennstrecke garantierende Schnappfeder ausgebildet sein.

Bei Verwendung eines sperrenden Varistors im Entlastungselement E (Fig. 6) wird die Hilfsschaltstelle S₂ ausschliesslich vom Hilfs­ auslösemechanismus Z betätigt.

BEZUGSZEICHENLISTE

1

,

2

Stromanschlüsse

3

Niederspannungsschalter
A Auslösemechanismus
AW Auswertevorrichtung
E Entlastungselement
HL Halbleiterschalter
I, I₁

, I₂

Ströme
IR Integrator
K₁

, K₂

Komparatoren
M elektromagnetisches Auslöseelement
S₁

Hauptschaltstelle
S₂

Hilfsschaltstelle
SE Sensor
ST Steuervorrichtung
SW₁

, SW₂

Schwellwertsignale
T thermisches Auslöseelement
T_z

Hilfsauslöseelement
U_B

Spannung über der Hauptschaltstelle S₁

Z Hilfsauslösemechanismus

Claims (16)

1. Schaltgerät mit einem in einem Hauptstrompfad angeordneten Niederspannungsschalter (3), welcher in Reihe liegend mindestens ein den abzuschaltenden Strom abtastendes Auslöseelement (M, T) und eine Nennstromkontakte aufweisende Hauptschaltstelle (S₁) enthält, und mit einem parallel zur Hauptschaltstelle (S₁) geschalteten Nebenstrompfad, in dem zueinander parallel geschaltet ein steuerbarer Halbleiter­ schalter (HL) und ein Entlastungselement (E) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass parallel zur Hauptschalt­ stelle (S₁) eine Steuervorrichtung (ST) des Halbleiterschal­ ters (HL) geschaltet ist, und dass der Nebenstrompfad in Reihe geschaltet mit der Parallelschaltung von steuerbarem Halbleiterschalter (HL) und Entlastungselement (E) eine Hilfsschaltstelle (S₂) aufweist, welche beim Ausschalten zeitverzögert nach dem Öffnen des Halbleiterschalters (HL) öffnet.

2. Schaltgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuervorrichtung (ST) in Abhängigkeit von der zeitlichen Änderung der Bogenspannung eines beim Ausschalten von der Hauptschaltstelle (S₁) geführten Schaltlichtbogens Steuersignale bildet.

3. Schaltgerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuervorrichtung (ST) eine die Höhe und den Anstieg der Lichtbogenspannung detektierende Erfassungsvorrichtung (IR, K₁, K₂) und eine der Erfassungsvorrichtung nachgeschaltete Auswertevorrichtung (AW) aufweist.

4. Schaltgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterschalter (HL) mindestens einen abschaltbaren MOS-gesteuerten, uni- oder birektional leitenden Halbleiter, insbesondere einen Halbleiter vom Typ MCT oder IGBT, aufweist.

5. Schaltgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptschaltstelle (S₁) mindestens zwei zueinander parallel oder in Serie geschaltete Paare von Schaltkontakten aufweist.

6. Schaltgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Entlastungselement (E) einen PTC- Widerstand enthält.

7. Schaltgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Entlastungselement (E) einen Varistor und/oder einen gegebenenfalls parallel zum Varistor geschalteten Kondensator enthält.

8. Schaltgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein vom auszuschaltenden Strom thermisch betätigtes Auslöseelement (T) und ein vom auszuschaltenden Strom elektromagnetisch betätigtes Auslöseelement (M) vorgesehen sind.

9. Schaltgerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Reihenschaltung von thermischem (T) und elektromagneti­ schem Auslöseelement (M) in Reihe zur Parallelschaltung von Hauptschaltstelle (S₁) und Nebenstrompfad geschaltet ist (Fig. 6).

10. Schaltgerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Reihenschaltung des thermischen Auslöseelementes (T), des elektromagnetischen Auslöseelementes (M) und der Hauptschaltstelle (S₁) parallel zum Nebenstrompfad geschaltet ist (Fig. 1).

11. Schaltgerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Reihenschaltung von Hauptschaltstelle (S₁) und einer Parallelschaltung von thermischem (T) und elektromagneti­ schem Auslöseelement (M) parallel zum Nebenstrompfad geschaltet sind (Fig. 4).

12. Schaltgerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Nebenstrompfad parallel geschaltet ist zu einer Reihen­ schaltung von Hauptschaltstelle (S₁) und elektromagnetischem Auslöseelement (M), und dass das thermische Auslöseelement (T) in Reihe zu dieser Parallelschaltung angeordnet ist (Fig. 8).

13. Schaltgerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Nebenstrompfad parallel geschaltet ist zu einer Reihen­ schaltung von Hauptschaltstelle (S₁) und thermischem Auslöseelement (T), und dass das elektromagnetische Auslöseelement (M) in Reihe zu dieser Parallelschaltung angeordnet ist (Fig. 7).

14. Schaltgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass im Nebenstrompfad in Reihe zur Hilfsschaltstelle (S₂) ein thermisches Hilfsauslöseelement (T_Z) angeordnet ist (Fig. 5).

15. Schaltgerät nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das thermische Hilfsauslöseelement (T_z) als beweglicher Kontakt der Hilfsschaltstelle (S₂) ausgebildet ist.

16. Schaltgerät nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der bewegliche Kontakt als Schnappfeder ausgebildet ist.