DE19618101A1 - Trägerelement mit wenigstens einem integrierten Schaltkreis sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägerelementes - Google Patents
Trägerelement mit wenigstens einem integrierten Schaltkreis sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen TrägerelementesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Trägerelement mit mindestens einem
integrierten Schaltkreis, mit einem Trägersubstrat, auf des
sen Oberfläche mehrere Kontaktflächen vorgesehen sind, die
über Leiterbahnen mit dem integrierten Schaltkreis elektrisch
verbunden sind, mit einer Versteifungseinrichtung, die eine
höherer Biegefestigkeit aufweist als das Trägersubstrat, zum
Schutz des integrierten Schaltkreises, und mit einer aus Ab
deckmasse bestehenden Abdeckeinrichtung, welche den inte
grierten Schaltkreis abdeckt, sowie ein Verfahren zum Her
stellen eines solchen Trägerelementes.
Eine solches Trägerelement ist beispielsweise aus EP 0 484 353 B1
bekannt. Um den integrierten Schaltkreis auf dem Trä
gersubstrat wirksam vor mechanischen Beschädigungen insbeson
dere bei Biegebeanspruchung zu schützen, wird ein Verstei
fungsring aus Metall oder einer Metall-Legierung vorgeschla
gen. Dieser Versteifungsring ist auf dem flexiblen Träger
substrat einer Chipkarte aufgeklebt und bildet zusammen mit
dem Trägersubstrat ein topfartiges Gebilde, in dem der inte
grierte Schaltkreis sitzt. Der Versteifungsring überragt den
integrierten Schaltkreis. Der verbleibende Innenraum des
topfartigen Gebildes ist mit einer geeigneten Abdeckmasse,
z. B. Kunststoff, ausgefüllt. Der Schutz des integrierten
Schaltkreises wird dadurch erreicht, daß der Versteifungsring
eine wesentlich höhere Biegesteifigkeit aufweist als das fle
xible Trägersubstrat.
Aus EP-A-0 211 380 ist eine weitere Lösung bekannt, um einen
integrierten Schaltkreis vor mechanischer Beschädigung zu
schützen. Dort wird zwischen Halbleiterchip und Träger
substrat, das ein Chipkartenmaterial ist, eine dünne verstär
kende Schicht, z. B. aus einem dünnen Netzgeflecht, vorgese
hen.
Aus DE 36 39 351 B1 ist es bekannt, eine Folienabdeckung über
dem Halbleiterchip zu benutzen. Eine solche Folienabdeckung
besitzt aber nachteiligerweise ein hohes elastisches Deh
nungsvermögen, so daß ein wirklicher mechanischer Schutz des
Halbleiterchips nicht gewährleistet ist.
Eine weitere Möglichkeit ist in DE-OS 32 35 650 beschrieben.
Dort wird zum Schutz der Bonddrähte, mit denen der Halblei
terchip üblicherweise an Kontakte des Trägersubstrates ange
schlossen ist, ein den Halbleiterchip und die Bonddrähte um
gebender ringförmiger Begrenzungsrahmen vorgesehen. Dieser
Begrenzungsrahmen, der von der äußeren Gestalt ähnlich zu dem
oben erwähnten Versteifungsring in EP 0 484 353 B1 ist, be
steht jedoch aus Glasepoxy oder PVC, also im wesentlichen dem
gleichen Material wie das Trägersubstrat. Auch in dieses
topfartige Gebilde wird anschließend Gußmasse in flüssigen
oder halbflüssigen Zustand eingebracht. Eine ausgesprochene
Schutzfunktion des Halbleiterchips wird durch einen solchen
wenig biegesteifen Begrenzungsrahmen nicht erreicht.
Aus DE-OS 29 42 422 ist es bekannt, den Begrenzungsrahmen für
die Verguß- bzw. Abdeckmasse gleichzeitig als Verstärkungs
rahmen für das Trägerelement auszubilden. Dieser Verstär
kungsrahmen ist am Rand der Trägerplatte angeordnet und dient
dazu, die Trägerplatte als Ganzes genügend zu versteifen. Der
Versteifungsring ist dabei nur am Rand des Trägers fixiert,
so daß dieser dabei noch genügend Flexibilität aufweist und
die Chipkarte bei Biegebelastung nicht reißt.
Den meisten oben erwähnten Anordnungen ist gemeinsam, daß das
Versteifungselement bzw. der Begrenzungsrahmen mit dem Trä
gersubstrat feststehend verbunden ist. Hierdurch besteht die
Gefahr, insbesondere dann, wenn das Versteifungselement eine
viel höhere Biegefestigkeit als das Trägersubstrat aufweist,
daß es bei bereits verhältnismäßig geringen Biegebeanspru
chungen des Trägerelementes zu einer Rißbildung zwischen Trä
gerelement und aufsitzendem Halbleiterchip kommt. Im ungün
stigsten Fall führt diese Rißbildung zu einem Bruch des Halb
leiterchips selbst oder zu einem Bruch der Bonddrähte, so daß
die gesamte Anordnung nicht mehr funktionstauglich ist. Die
ses Problem wird bei Chipkarten, die verhältnismäßig große
scheckkartenähnliche Trägerelemente aufweisen noch weiter er
höht, da solche Chipkarten harten Einsatzbedingungen unter
worfen sind, z. B. dann, wenn die Chipkarten in Hosentaschen
aufbewahrt werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrun
de, das eingangs erwähnte Trägerelement mit einem integrier
ten Schaltkreis so weiterzubilden, daß die Bruchempfindlich
keit vermindert wird. Zusätzlich soll ein Verfahren zur Her
stellung eines solchen Trägerelementes angegeben werden.
Diese Aufgabe wird für das eingangs genannte Trägerelement
dadurch gelöst, daß die Versteifungseinrichtung in die Ab
deckmasse der Abdeckeinrichtung eingebracht und berührungs
frei zum Trägersubstrat angeordnet ist.
Zweckmäßigerweise ist der Zwischenraum zwischen Träger
substrat und Versteifungseinrichtung bzw. zwischen Halblei
terchip und Versteifungseinrichtung mit Abdeckmasse der Ab
deckeinrichtung, also mit Verguß- bzw. Gußmasse, ausgefüllt.
Hierdurch wird die gesamte Anordnung äußerst stabil ohne hoh
le Zwischenräume.
Im einfachsten Fall ist die Versteifungseinrichtung ein Ver
steifungsring, der oberhalb des integrierten Schaltkreises
angeordnet ist und aus Metall oder einer Metall-Legierung be
steht. Hierbei weist der Versteifungsring mit seiner unteren
Fläche einen größeren Abstand zum Trägersubstrat als die obe
re Fläche des integrierten Schaltkreises auf.
Grundsätzlich kann die Versteifungseinrichtung jedoch belie
big gestaltet sein. Wesentlich für die Erfindung ist ledig
lich, daß die Versteifungseinrichtung keinen direkten Kontakt
zum Trägersubstrat aufweist. Dadurch wird die Bruchgefahr des
empfindlichen integrierten Schaltkreises und dessen Verbin
dungselemente bei gegebener Biege- und Torsionsbelastung so
wie entsprechenden Druckbelastungen abgefangen und dennoch
eine ausreichende Elastizität ermöglicht. Damit bilden sich
beim Biegen des Trägerelementes keine Schädigungen in Form
von Rissen aus.
Das Trägerelement nach der Erfindung eignet sich insbesondere
für bruchempfindliche Halbleiterchips und damit insbesondere
auch für Chipkarten, in denen solche bruchempfindlichen Halb
leiterchips eingesetzt sind.
Ein Verfahren zur Herstellung solcher Trägerelemente weist
folgende Verfahrensschritte auf:
- - Bereitstellen eines Trägersubstrates mit aufgebrachten und kontaktierten integrierten Schaltkreis,
- - Bereitstellen eines Abdeck- oder Spritzwerkzeuges, um den integrierten Schaltkreis auf dem Trägersubstrat mit einer Abdeckmasse zu überdecken,
- - Einlegen einer Versteifungseinrichtung in das Abdeck- oder Spritzwerkzeug derart, daß beim Einspritzen der Abdeck masse, letztere zwischen Trägersubstrat und Versteifungs einrichtung eindringen kann,
- - Aufsetzen des Abdeck- oder Spritzwerkzeuges samt Verstei fungseinrichtung auf das Trägersubstrat samt integrierten Schaltkreis,
- - Einbringen von Abdeckmasse in das Abdeck- oder Spritzwerk zeug,
- - Aushärten der Abdeckmasse und Freigabe aus dem Abdeck- oder Spritzwerkzeug.
Die Versteifungseinrichtung wird also mit dem Aufbringen der
Abdeckmasse, die z. B. Kunststoff ist, auf das Trägerelement
in die gesamte Anordnung eingebracht.
Es ist jedoch auch abweichend hiervon ohne weiteres möglich,
die Versteifungseinrichtung nachträglich, also nach dem Auf
bringen der Abdeckmasse, auf die Abdeckung aufzubringen. Es
kann z. B. hierfür eine geeignete Nut auf der Oberfläche der
Abdeckung freigelassen werden. In eine solche beispielsweise
ringförmige Nut kann dann ein entsprechend dieser Nut ange
paßter Versteifungsring aus Metall oder aus einer Metall-Legierung
eingesetzt werden.
Es liegt auch im Rahmen der Erfindung, die Verstärkungsein
richtung mit einer geeigneten Klebeschicht zu versehen, so
daß dieses Versteifungselement sicher innerhalb der Abdeck
masse gehalten wird.
Zur Erhöhung der Adhäsion können zwischen Versteifungselement
und Abdeckmasse Formschlußelemente beliebiger Form am Ver
steifungselement einstückig angeformt werden. Solche Form
schlußelemente sind z. B. in Richtung Halbleiterchip ragende
Nasenelemente der Versteifungseinrichtung.
Eine sehr einfache Möglichkeit das Trägerelement nach der Er
findung herzustellen, besteht darin, das Versteifungselement
zusammen mit der Abdeckung auf das Trägersubstrat aufzubrin
gen. Hierbei wird das Verstärkungselement in das Formfüll
werkzeug der Abdeckung eingebracht, von wo es zusammen mit
der Abdeckung auf das Trägerelement positioniert wird. An
schließend wird die Abdeckmasse eingefüllt. Die Haftung wird
hierbei von der Abdeckung erzeugt.
Da erfindungsgemäß das vorzugsweise aus Metall bestehende
Versteifungselement keinen berührenden Kontakt zum Träger
substrat aufweist, sind auch keine isolierenden Maßnahmen zu
ergreifen, um einen Kurzschluß zwischen Versteifungselement
und Kontaktbahnen des Trägersubstrates zu vermeiden. Dies ist
insbesondere dann von Vorteil, wenn elektrisch leitende,
nicht von Isolationsmaterial umgebende Trägersubstrate (z. B.
Metall-Leadframes) verwendet werden.
Die Erfindung wird nach folgend anhand von mehreren Ausfüh
rungsbeispielen im Zusammenhang mit vier Figuren näher erläu
tert. Es zeigen:
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines Trägerelemen
tes nach der Erfindung in Schnittansicht,
Fig. 2 eine Schnittansicht des Trägerelement es von Fig. 1
während eines Herstellschrittes eines bevorzugten
Herstellverfahrens,
Fig. 3 mehrere Schnittansichten von verschiedenen Trägere
lementen, die jeweils ein Versteifungselement auf
weisen, und
Fig. 4 mehrere Draufsichten auf verschiedene Ausführungs
formen von Trägerelementen nach der Erfindung.
In den nachfolgenden Figuren bezeichnen, sofern nicht anders
angegeben, gleiche Bezugszeichen jeweils gleiche Teile mit
gleicher Bedeutung.
Fig. 1 zeigt eine erstes Ausführungsbeispiel eines Träger
elementes 1 nach der Erfindung. Das Trägerelement 1 weist ein
Trägersubstrat 2, z. B. ein Chipkartenmaterial aus Kunst
stoff, auf. Auf dem Trägersubstrat 2 ist mittels geeigneter
Klebeschicht 4 ein Halbleiterchip bzw. integrierter Schalt
kreis 6 aufgeklebt. Über Bonddrähte 8 sind die einzelnen An
schlußpunkte des integrierten Schaltkreises 6 mit Kontaktbah
nen auf dem Trägersubstrat 2 elektrisch leitend in Verbindung.
Der auf dem Trägersubstrat 2 sitzende integrierte Schalt
kreis 6 ist, abgesehen von seiner unteren Fläche, vollständig
von einer Abdeckmasse einer Abdeckung 10 umgeben. Als Abdeck
masse kann eine geeignete Vergußmasse, wie diese hinlänglich
zum Abdecken von Halbleiterchips bekannt ist, verwendet wer
den. Es eignet sich z. B. PVC oder Glasepoxy, Polyimid oder
dgl . . Durch diese Abdeckmasse werden die Bonddrähte 8 wirksam
vor Beschädigungen geschützt, da die Bonddrähte, wie Fig. 1
deutlich zeigt, ebenfalls ganzumfänglich von der Abdeckmasse
umgeben sind.
In die Abdeckung 10 ist gemäß Fig. 1 ein Versteifungselement
12 eingebettet. Dieses Versteifungselement ist im vorliegen
den Ausführungsbeispiel ringförmig gestaltet mit einer konti
nuierlich gleichbleibenden rechteckförmigen Querschnittsform.
Das ringförmige Versteifungselement 12 ist ganz flächig mit
seiner unteren Fläche beabstandet zum Trägersubstrat 2 ange
ordnet. Die Ringebene des Versteifungsringes 12 liegt paral
lel zur Ebene des Trägersubstrates 2 und liegt oberhalb der
oberen Fläche des Integrierten Schaltkreises 6. Der Durchmes
ser des Versteifungsringes 12 ist etwas größer als die äußere
Umrandung des integrierten Schaltkreises 6.
Dadurch, daß der Versteifungsring 12 erfindungsgemäß nicht
mit dem Trägersubstrat 2 in Berührung steht, wird eine aus
reichende Elastizität der gesamten Anordnung erreicht bei
gleichzeitig guter mechanischer Festigkeit, da das Verstei
fungselement 12 über dem bruchempfindlichen integrierten
Schaltkreis 6 sitzt.
In Fig. 2 ist ein Herstellschritt eines bevorzugten Her
stellverfahrens des in Fig. 1 dargestellten Trägerelementes
1 dargestellt. Das Trägersubstrat 2 ist bereits mit dem inte
grierten Schaltkreis 6 bestückt, wie die vorhandenen Bond
drähte 8 zeigen. Die in Fig. 1 dargestellte Abdeckung ist
jedoch noch nicht aufgebracht. Hierfür steht ein Abdeckwerk
zeug 20 mit Einfüllöffnung 24 für die Abdeckmasse zur Verfü
gung. Das Abdeckwerkzeug 20 ist im vorliegenden Beispiel
topfförmig gestaltet und über dem Trägersubstrat 2 samt inte
grierten Schaltkreis 6 positioniert. Die Form des Abdeckwerk
zeuges 20 ist invers zu der gewünschten Form der Abdeckung
10. In das Abdeckwerkzeug 20 ist, wie Fig. 2 zeigt, das Ver
steifungselement 12 eingelegt. Im vorliegenden Beispiel be
findet sich das Versteifungselement 12 am Boden des topfarti
gen Abdeckwerkzeuges 20, wobei aufgrund dessen "Kopfstellung"
mit geeigneten Mittel dafür gesorgt werden muß, daß das Ver
steifungselement 12 nicht aus dem Abdeckwerkzeug 20 heraus
fällt. Eine einfache Möglichkeit zur Halterung des Verstei
fungselementes 12 innerhalb des Abdeckwerkzeuges 20 besteht
z. B. darin, das Versteifungselement 12 mittels Unterdruck im
Abdeckwerkzeug 20 zu halten. Hierfür weist das Abdeckwerkzeug
20 z. B. Unterdruckkanäle 26 auf, wie sie in Fig. 2
strichliert angedeutet sind.
Nachdem das Abdeckwerkzeug 20 samt eingebrachten Versteifung
selement 12 über dem Trägersubstrat 2 positioniert ist, wird
das Abdeckwerkzeug 20 auf das Trägersubstrat 2 gesetzt und
anschließend durch die Einfüllöffnung 24 Abdeckmasse einge
füllt bis der Hohlraum zwischen Trägersubstrat 2, integrier
ten Schaltkreis 6 und Begrenzungen des Abdeckwerkzeuges 20
bzw. Versteifungselementes 12 vollständig mit Abdeckmasse ge
füllt ist. Nach dem Füllvorgang wird das Abdeckwerkzeug 20
von der erstarrten Abdeckmasse abgenommen unter gleichzeiti
gem Zurücklassen des Versteifungselementes 12 innerhalb der
Abdeckmasse. Bei Bedarf kann das Versteifungselement 12 an
seinen der Abdeckmasse zugewandten Seiten mit einer Klebe
schicht versehen sein, um einen noch besseren Halt innerhalb
der Abdeckmasse zu haben.
In Fig. 3 sind unterschiedlichste Ausführungsformen a) bis
g) von Trägerelementen nach der Erfindung dargestellt. Allen
Ausführungsbeispielen ist gemeinsam, daß das Versteifungsele
ment beabstandet zum Trägersubstrat 2 angeordnet ist und so
mit kein direkter Kontakt zwischen Trägersubstrat 2 und Ver
steifungselement 12 herrscht.
Das Ausführungsbeispiel a) entspricht dem in Fig. 1 gezeig
ten Beispiel mit kreisringförmigen Versteifungselement 12.
Fig. 3b zeigt ein ähnliches Trägerelement, jedoch ist das
kreisringförmige Versteifungselement 12 jetzt mit keinem
rechteckförmigen Querschnitt versehen, sondern mit einem
Querschnitt, der an der inneren Umlauffläche des Versteifungs
elementes 12 einen konischen und sich zum integrierten
Schaltkreis 6 erweiternden Rand aufweist.
Fig. 3c zeigt ein ringförmiges Versteifungselement 12 mit
einem treppenförmig gestalteten Querschnitt. In Fig. 3d ist
das ringförmige Versteifungselement 12 an der dem integrierten
Schaltkreis 6 abgewandten Ende mit einer durchgehenden Wan
dung versehen. Fig. 3e zeigt ein zu Fig. 3c ähnliches Ver
steifungselement 12 mit treppenförmigen Querschnitt. Aller
dings ist die äußere Umlauffläche des Versteifungsringes 12
noch von Abdeckmasse 10 umgeben.
In der Querschnittsansicht von Fig. 3f weist das Verstei
fungselement 12 zentrisch über dem integrierten Schaltkreis 6
ein Formschlußelement 12a auf, das in Richtung integrierten
Schaltkreis 6 ragt. Fig. 3g zeigt ein plattenförmiges Ver
steifungselement 12, das über dem integrierten Schaltkreis 6
angeordnet ist und von dem aus in Richtung integrierten
Schaltkreis 6 Nasenelemente 12a vorspringen. Die Nasenelemen
te 12a bzw. Formschlußelemente dienen u. a. zur Erhöhung der
Adhäsionswirkung zwischen Abdeckmasse und Versteifungselement
12 und sorgen so für einen besseren Halt des Versteifungsele
mentes 12 innerhalb der Abdeckmasse.
In Fig. 4 sind verschiedene Möglichkeiten dargestellt, wie
die Versteifungselemente 12 in Draufsicht gestaltet sein kön
nen. Neben einer offenen oder geschlossenen kreisringförmigen
Gestaltung ist es ohne weiteres möglich, das Versteifungsele
ment sternförmig oder kreuzförmig zu realisieren. Darüber
hinaus sind auch T-förmige Strukturen möglich oder Strukturen
mit mehreren orthogonal zueinander stehenden Versteifungsste
gen nach Art einer Baumstruktur.
Die vorliegende Erfindung ist nicht allein auf Abdeckmassen
aus Kunststoff beschränkt. Vielmehr sind auch thermisch- oder
UV-Lichtaushärtende Gelabdeckmassen möglich, die im Dispersi
onsverfahren druckluftdosiert über den zu schützenden Bereich
des Halbleiterchips gegeben werden. Hierbei können die oben
angesprochenen Versteifungselemente im Anschluß an das Auf
bringen der Abdeckmasse eingebracht bzw. eingedrückt werden.
Bei der Chipkartenherstellung kann z. B. ein Versteifungsring
bereits in die für den Halbleiterchip vorgesehene Aussparung
der Chipkarte eingesetzt werden und als Positionierhilfe die
nen, so daß der vormontierte Halbleiterchip in einfacher Wei
se zwischen den Versteifungsring eingesetzt werden kann.
Claims (14)
1. Trägerelement mit mindestens einem integrierten Schalt
kreis (2), mit einem Trägersubstrat (2), auf dessen Oberflä
che mehrere Kontaktflächen vorgesehen sind, die über Leiter
bahnen (8) mit dem integrierten Schaltkreis (4) elektrisch
verbunden sind, mit einer Versteifungseinrichtung (12), die
eine höhere Biegefestigkeit aufweist als das Träger
substrat (2), zum Schutz des integrierten Schaltkreises (4),
und mit einer aus Abdeckmasse bestehenden Abdeckeinrichtung
(10), welche den integrierten Schaltkreis (4) abdeckt,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verstei
fungseinrichtung (12) in die Abdeckmasse der Abdeckeinrich
tung (10) eingebracht und berührungsfrei zum Trägersubstrat
(2) angeordnet ist.
2. Trägerelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem
Trägersubstrat (2) und der Versteifungseinrichtung (12) Ab
deckmasse der Abdeckeinrichtung (10) angeordnet ist.
3. Trägerelement nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verstei
fungseinrichtung (12) aus Metall oder einer Metall-Legierung
besteht.
4. Trägerelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verstei
fungseinrichtung (12) oberhalb des integrierten Schaltkreises
(4) angeordnet ist und mit seiner unteren Fläche einen größe
ren Abstand zum Trägersubstrat (2) als die obere Fläche des
integrierten Schaltkreises (4) aufweist.
5. Trägerelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verstei
fungseinrichtung (12) kreisringförmig ausgebildet und der
Durchmesser des Versteifungsringes etwa die äußere Umrandung
des integrierten Schaltkreises (4) umgibt.
6. Trägerelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verstei
fungseinrichtung (12) stern- oder kreuzförmig ausgebildet ist
und zentrisch über dem integrierten Schaltkreis (4) sitzt.
7. Trägerelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verstei
fungseinrichtung (12) Abschnitte aufweist, welche über dem
integrierten Schaltkreis (4) angeordnet sind.
8. Trägerelement nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ab
schnitte in Richtung integrierten Schaltkreis (4) mindestens
ein vorspringendes Nasenelement (12a) aufweisen.
9. Trägerelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verstei
fungseinrichtung (12) im Querschnitt ausschließlich Bereiche
gleicher Dicke aufweist.
10. Trägerelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verstei
fungseinrichtung (12) im Querschnitt Bereiche mit unter
schiedlicher Dicke aufweist.
11. Trägerelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß das Trägere
lement (2) Bestandteil einer Chipkarte ist.
12. Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes nach ei
nem der Ansprüche 1 bis 11 mit folgenden Verfahrensschritten:
- - Bereitstellen eines Trägersubstrates (2) mit aufgebrachten und kontaktierten integrierten Schaltkreis (6),
- - Bereitstellen eines Spritzwerkzeuges, um den integrierten Schaltkreis (4) auf dem Trägersubstrat (2) mit einer Abdeck masse zu überdecken,
- - Einlegen einer Versteifungseinrichtung (12) in das Spritz werkzeug derart, daß beim Einspritzen der Abdeckmasse, letz tere zwischen Trägersubstrat (2) und Versteifungseinrichtung (12) eindringen kann,
- - Aufsetzen des Spritzwerkzeuges samt Versteifungseinrichtung (12) auf das Trägersubstrat (2) samt integrierten Schaltkreis (4),
- - Einbringen von Abdeckmasse in das Spritzwerkzeug,
- - Aushärten der Abdeckmasse und Freigabe aus dem Spritzwerk zeug.
13. Verfahren nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß als Abdeck
masse Kunststoff eingespritzt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verstei
fungseinrichtung (12) mit einer Klebeschicht versehen wird.
Priority Applications (2)
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DE19618101A DE19618101A1 (de) | 1996-05-06 | 1996-05-06 | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten Schaltkreis sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägerelementes |
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DE19618101A DE19618101A1 (de) | 1996-05-06 | 1996-05-06 | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten Schaltkreis sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägerelementes |
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