DE19608937C2 - Verfahren zum Herstellen eines Markierungsträgers - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Markie
rungsträgers gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Nach dem Stand der Technik werden Markierungsstrukturen für einen Mar
kierungsträger zunächst photolithographisch in Photoresist erzeugt und an
schließend in weiteren Prozeßschritten (naßchemisches Ätzen, "Liftoff", etc.)
auf den Markierungsträger übertragen. Mit jedem zusätzlichen Prozeßschritt
verringert sich aber naturgemäß die Exaktheit der Markierung.
Aus der DE 25 15 574 B2 ist es bereits bekannt, die Markierungen von Prä
zisionsmaßstäben aus Metall mittels eines Impulslasers
(Hochleistungslasers) herzustellen. Dabei wird die Maßstaboberfläche poliert
und danach mittels eines Laserstrahlblitzes gezielt Material durch Verdamp
fen abgetragen, so daß stufenartige Beugungsgitter gebildet werden.
In der DE 30 42 650 A1 wird ein Verfahren zur Herstellung von Maßstäben
beschrieben, bei dem auf ein Substrat eine Beschichtung aufgetragen wird,
in der dann mittels eines Laser- oder Elektronenstrahls Markierungen u. a.
durch lokales Verdampfen der Beschichtung erzeugt werden.
Die vorgenannten Verfahren, die zur Erzeugung von Markierungen Laser
strahlen benutzen, weisen den Nachteil auf, daß beim Materialabtrag durch
Verdampfen Wärmebelastungen entstehen können, welche die Genauigkeit
des Maßstabes beeinträchtigen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen ei
nes Markierungsträgers anzugeben, durch welches in möglichst wenigen
Prozeßschritten eine Markierungsstruktur entsteht und durch das Markie
rungen in Form einer Teilungsstruktur hinreichend genau herstellbar sind.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst.
Mit Hilfe der Zeichnung wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei
spielen noch näher erläutert.
Es zeigt Figur
Fig. 1 einen Markierungsträger mit Markierungs
schicht;
Fig. 2 einen Markierungsträger mit polierter Oberflä
che und
Fig. 3 einen Markierungsträger mit Gitterstrukturen,
welche Sub-Strukturen aufweisen.
Bei den nachfolgenden Beispielen werden mit Hilfe hochenergetischer La
serstrahlung direkt, das heißt mit einem Minimum an Verfahrensschritten,
Markierungen in Form von Teilungsstrukturen auf einem Markierungsträger
erzeugt. Dieses Verfahren ist für die wirtschaftliche Herstellung eines End
produkts schnell genug. Die Dauer typischer Excimer-Laserimpulse ist mit
ca. 20 ns so kurz, daß ein Belichten während des Bewegens möglich ist.
Ein in diesem Sinne mögliches Herstellungsverfahren wird im folgenden er
läutert. Die Vorschläge beziehen sich auf periodische Gitter bzw. andere
geeignete Teilungsstrukturen oder Markierungen.
In Fig. 1 ist ein Markierungsträger 1₁ dargestellt, der aus einem Substrat S₁
und einer Markierungsschicht T₁ besteht. Die Markierungsschicht T₁ ist
hochreflektierend und in die Markierungsschicht T₁ ist eine Markierung in
Form einer Teilungsstruktur TS₁ eingebracht. Dieses Darstellungsprinzip gilt
auch für die folgenden Darstellungen, bei denen den Bezugszeichen jeweils
die Figurenbezifferung als Index angehängt ist.
Es gibt unterschiedliche Strukturierungsmöglichkeiten, von denen hier die
Veränderung der Oberfläche zur Verminderung der Reflektivität gemäß der
Erfindung beschrieben werden soll.
Mit Hilfe von hochenergetischer Strahlung wird die hochreflektierende
Oberfläche einer markierungsfähigen Schicht T₁ partiell aufgerauht. Die
Markierungsschicht T₁ ist in herkömmlicher Weise als Goldschicht auf einem
Stahlband als Substrat S₁ aufgebracht (siehe Fig. 1). Die markierungsfä
hige Oberfläche kann aber auch direkt auf der Substrat-Oberfläche T₂ er
zeugt werden, beispielsweise durch Polieren, was aus dem Ausführungsbei
spiel gemäß Fig. 2 ersichtlich ist.
Die hochenergetische Strahlung kann mit Hilfe des bereits erwähnten Exci
mer-Lasers erzeugt werden. Für die Herstellung der Teilungsstruktur TS₁
oder TS₂ in Form eines Gitters wird die hochreflektierende Oberfläche der
Goldschicht T₁ oder die polierte Oberfläche T₂ des Substrates S₂ mit Hilfe
kurzer Laserimpulse von der Dauer von etwa 20 ns angeschmolzen, wonach
es in den Impulspausen zur sofortigen Wiedererstarrung der Oberfläche T₁,
T₂ kommt. Um eine Energiedissipation aus dem Bearbeitungsbereich noch
während der Dauer des Laserimpulses zu vermeiden, können auch Impulse
von deutlich kürzerer Dauer verwendet werden. Die erstarrte Schmelze hat
eine andere Rauigkeit und damit andere optische Eigenschaften als die
hochreflektierenden Oberflächen T₁, T₂, und es entsteht eine Teilungsstruk
tur TS₁, TS₂ mit verminderter Reflektivität.
Dieser Effekt der verminderten Reflektivität kann verstärkt werden durch
eine gewollte Sub-Strukturierung der Einzelstruktur in der Größenordnung
der Wellenlänge λ, was in Fig. 3 anhand jeweils eines Gitterstriches TS₃
der Markierung schematisch dargestellt ist. Diese Sub-Strukturierung kann
aus periodischen oder statistisch verteilten Mustern TS₃₁, TS₃₂, TS₃₃ beste
hen, wie im unteren Teil der Fig. 3 gezeigt ist. Die statistische Verteilung
gemäß TS₃₂ kann dabei nach einer geeigneten statistischen Funktion erfol
gen. Diese statistische Funktion kann eine sogenannte "random"-Funktion
sein. Die Sub-Strukturierung kann aber auch periodische Muster wie Punkte
TS₃₁ oder Gitter TS₃₃ umfassen.
Claims (8)
1. Verfahren zum Herstellen eines Markierungsträgers vorzugsweise für eine
Längen- oder Winkelmeßeinrichtung, dessen Markierungen in Form einer
Teilungsstruktur mit Hilfe hochenergetischer Laserstrahlung erzeugt werden,
gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte
- - Bereitstellen eines Substrates (S₁, S₂, S₃) und Erzeugen einer hoch reflektierenden, markierungsfähigen Oberfläche (T₁, T₂, T₃) auf dem Substrat (S₁, S₂, S₃)
- - Partielles Anschmelzen der hochreflektierenden Oberfläche (T₁, T₂, T₃) des Substrates (S₁, S₂, S₃) zur Erzeugung der Markierungen (TS₁, TS₂, TS₃) mit Hilfe von Strahlungsimpulsen eines Excimer-Lasers bei einer Impulsdauer von ≲30 ns;
- - Erstarrenlassen der partiellen Schmelze zur Bildung von aufgerauh ten Markierungen (TS₁, TS₂, TS₃) mit einer optischen Eigenschaft, die gegenüber der Teilungsstruktur der hochreflektierenden Oberfläche (T₁, T₂, T₃) eine reduzierte Reflektivität aufweisen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine markie
rungsfähige Oberfläche durch Polieren der Substrat-Oberfläche (T₂) er
zeugt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine markie
rungsfähige Oberfläche durch Aufbringen einer hochreflektierenden
Markierungsschicht (T₁, T₃) auf die Substrat-Oberfläche erzeugt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Markie
rung (TS₁, TS₂, TS₃) eine Gitterstruktur erzeugt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß den einzel
nen Gitterstrukturen eine Sub-Struktur (TS₃₁, TS₃₂, TS₃₃) überlagert
wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die
Sub-Struktur (TS₃₁, TS₃₃) als ein periodisches Muster ausgeführt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das periodi
sche Muster (TS₃₃) als Gitter ausgeführt ist.
8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die
Sub-Struktur (TS₃₂) nach einer statistischen Funktion (Random oder
Pseudo-Random) ausgeführt wird.
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