DE1957935A1 - Elektrischer Speicherkreis - Google Patents

Description

DR. INQ. E. HOFFMANN · DIPL. ING. W. EITLE · DR. RER. NAT. K. HOFFMANN PATKNTANWAi₁TK O.SOOe MÖNCHEN 81 ■ ARABEUASTIIASSE 4 · TELEFON (Olli) 9110*7

North American Rockwell Corporation, El Segundo,

Calif. / USA

Elektrischer Speicherkreis

Die Erfindung betrifft einen elektrischen Speicherkreis, insbesondere einen solchen, der einen Speicherkondensator und Feldeffektelemente enthält.

Es wäre vorteilhaft, wenn man entweder P- oder N-Kanal MOS-Elemente zur Herstellung eines MOS-Speicherkreises mit geringem Energiebedarf und ohne übersetzung verwenden könnte. Wenn MOS-Elemente als Widerstände in einer Ausführungsform mit bestimmtem Übersetzungsverhältnis betrieben werden, wird notwendigerweise Energie verbraucht. Weiter müssen Elemente mit verhältnismäßig unterschiedlichen Widerständen verwendet werden, um eine Spannungshöhe zu erzeugen, die verschiedene logische Zustände darstellt.

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Es wäre wünschenswert, Elemente mit den gleichen Abmessungen, d.h. mit der gleichen körperlichen Größe zu verwenden, Hierfür müssen jedoch Vorrichtungen zur Erzeugung von Spannungshöhen, welche logische Niveaus darstellen, verwendet werden, mit denen keine Spannungsteilung erforderlich ist.

Obwohl Kondensatoren leicht hergestellt und in Verbindung mit MOS-Speicherkreisen als Speicherelemente h verwendet werden können, um ein System großer Brauchbarkeit zu schaffen, sollte der Kreis eine nicht-destruktive Auslesemöglichkeit vorsehen. Sonst wäre nach Jeder Leseperiode zusätzliche Energie erforderlich, um einen logischen Zustand, z.B. durch Laden oder Entladen des Kondensators, wieder herzustellen.

Weiter verlieren die mit den Elektroden des MOS-EIementes verbundenen Eigenkapazitäten Ladung durch Ableitung. Es müssen daher Mittel vorgesehen werden, um die einen logischen Zustand darstellende Ladung solange zu halten, bis die Ladung geändert wird, um einen anderen logischen Zustand anzuzeigen.

Ziel der Erfindung ist es, einen elektrischen Speicherkreis zu schaffen, der diesen Forderungen entspricht. Es soll also ein MOS-Speicherkreis vorgesehen werden, in welchem MOS-Elemente ohne Übersetzung und Kondensatoren verwendet werden, um ein nicht-destruktives Auslesen der gespeicherten logischen Information möglich zu machen. Der Kreis soll geringen Energieverbrauch haben und kleine Abmessungen aufweisen.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der elektrische Speicherkreis einen Kondensator, eine erste Einrichtung zum Bedingungsweisen Laden des Kondensators während eines ersten Intervalls auf eine erste

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diskrete Spannungshöhe und eine zweite Einrichtung, die auf die 'öieiciien Bedingungen anspricht, zur Änderung der opaniiun&siiche des Kondensators während des folgenden Intervalls, enthält, wobei die zweite Einrichtung so an-, esc. -lossen ist, daß sie auf die geänderte Spannungshöne anspricht.

In eitier Ausführungsform der Erfindung ist eine Einrichtung .zum Laden eines ersten Kondensators über eine Adrepseiimatrix auf eine erste diskrete Spannung oder ein Potential, welche einen logischen Zustand während eine? ersten Intervalls darstellen, vorgesehen. Eine Elektrode des Kondensators ist geerdet. Die andere Elektrode ist rr.il, der Steuerelektrode eines ersten MOS-EIe- ::;enves verbunden, welches auf die Ladung an dem Kondensator anspricht. Die Eingangselektrode des ersten MOS-iixementes ist mit einer Taktquelle verbunden und wird verwendet, um den gespeicherten logischen Zustand des ersten Kondensators auszulesen.

Ein zweiter Kondensator, der bedingungsweise als Funktici. des genannten logischen Zustande geladen wird, ist mit seiner einen Elektrode mit der Ausgangselektrode des erste:. M03-Elements und mit seiner anderen Elektrode über ein zweites MOS-Element mit der ungeerdeten Seite des Kondensators verbunden, um Änderungen der Spannung auf der Auscan^seiektrode des ersten MÖS-Elementes zurückzufUnrer. und so die Aussteuerung der Steuerelektrode des ersten MOS-Elements auf die zweite diskrete Spannungshöhe während eines folgenden Intervalls zu vergrößern. Als 2itennis der Möglichkeit, die S teuer spannung an der Steuerelektrode des ersten MOS-Elements zu vergrößern, wenn der logiscne Zustand wahr ist, kann das erste MOS-Element so

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gesteuert werden, daß die an seiner Ausgangselektrode erscheinende Spannung den Schwellspannungsabfall des ersten MOS-Elements überwindet. Der erste Kondensator ist als auf der einen Seite geerdet beschrieben. Es versteht sich, daß diese Seite jedoch auch auf einem geeigneten Potential gehalten werden könnte.

Ladung, die vom ersten Kondensator durch Ableitung verloren gegangen ist, wird durch während der Rückführphase zugeführte Ladung ersetzt.Der Kreis enthält auch ein weiteres MOS-Schaltelement, welches während eines Lese/Schreib- Speieherzyklus eingeschaltet wird, um die verteilten Kapazitäten der Leitung und der MOS-Elemente der Adressenmatrix eines Systems zu erden, damit fehlerhafte Auslesungen verhindert werden.

Ein AusfUhrungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine Ausführungsform eines MOS-Speicherkreises, der in einem Speichersystem verwendbar ist,

Fig. 2 Steuersignale, wie sie in den Kreisen während eines Lese/Schreib- und Speicherzyklus verwendbar sind,

Fig. 3 eine Ausführungsform eines Speichersystems unter Benutzung eines Speicherkreises nach Fig. 1.

In Fig. 1 ist eine bevorzugte AusfUhrungsform eines einzelnen MOS-Speicherkreises 1 mit einer gemeinsamen Eingangs-Ausgangsleitung 2 einer nicht gezeigten Adressenmatrix gezeigt, welche über ein MOS -Element J5 einer

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Schreibsteuereinrichtung mit einer Elektrode eines Kondensators 4 verbunden ist. Die andere Elektrode des Kondensators ist an Erde gelegt. Die Elektrode könnte für bestimmte Anwendungen auch mit einer Ruhespannung verbunden sein. Das Erdpotential soll nur eine Möglichkeit darstellen. Die gemeinsame Eingangs/Ausgangsleitung 2 ist weiter mit einer Elektrode 17 eines Kondensators 5 über ein MOS-Element 6 einer Lese/Rückstellsteuereinrichtung verbunden. Die Elektrode 38 des Kondensators 5 ist über ein MOS-Element 7 mit einer Spannungsquelle -V und über ein MOS-Element 8 mit der ungeerdeten Elektrode des Kondensators 4 verbunden. Ein MOS-Element 9 liegt zwischen der Elektrode 17 des Kondensators 5 und einer Taktsignalquelle 19. Eine Lese/Rückstelltaktquelle 50 und eine Schreibtaktquelle 51 sind mit den Steuerelektroden der MOS-Elemente 6 bzw. 3 verbunden. Die erdfreie Elektrode des Kondensators 4 ist weiter mit der Steuerelektrode 11 des MOS-Elements 7, mit der Kathodenelektrode 12 des MOS-Elements 8 und mit der Steuerelektrode 10 des MOS-Elements 9 verbunden. Da die Steuerelektroden 10 und 11 mit der ungeerdeten Elektrode des Kondensators 4 verbunden sind, sprechen die MOS-Elemente wie im folgenden beschrieben, auf die Ladung des Kondensators an.

Die Steuerelektrode des MOS-Elements 8 und seine Anodenelektrode 13 sind mit der Elektrode 18 eines tatsächlichen oder diskreten Kondensators 5 und mit einer Kathodenelektrode 14 des MOS-Elements 8 verbunden. Die Anodenelektrode 15 des MOS-Elements 7 ist mit der Spannungsquelle -V verbunden.

Logische Information wird in dem Speicherkreis gespeichert, wenn sie über die Adressenmatrix durch den

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tatsächlichen oder diskreten Kondensator 4- auf einer diskreten Spannungshöhe oder einem Potential, welche entweder eine logische 1 oder eine logische 0 darstellen, adressiert wird. Zum Zwede dieser Beschreibung v;ird eine logische 1 durch ein negatives Potential und eine logische 0durch ein Erdpotential dargestellt. Eine Spannung, welche die gespeicherte Information darstellt, wird aus dem Kreis von der Elektrode 17 des Kondensators 5 über das MOS-Element 6 während der Leseperiode eines Zyklus ausgelesen. Die Information könnte ebenso von der Elek- W trode 18 des Kondensators 5 ausgelesen werden.

Während eines Schreibzyklus wird das Schreibtaktsignal von der Quelle 51 wie in Pig. 2 geneigt negativ und das MOS-Element 3 der Schreibsteuereinrichtung wird eingeschaltet. Unter der Annahme, daß der Kreis 1 über die Adressenmatrix, die in mehr Einzelheiten in Pig. 3 gezeigt ist, adressiert wird, sind die MOS-Elemente 7 und 9 ausgeschaltet, wenn der Kondensator 4 wie bei einer gespeicherten logischen 0 auf Erdpotential geladen ist. Wenn hierauf das Lesesignal von der Taktquelle I9 wahr, oder wie in Pig. 2 gezeigt, negativ wird, bleibt das MOS-k Element 9 ausgeschaltet und die Ladung des Gleichrichters bleibt die gleiche. Ähnlich wird während der Rückstellperiode zwischen der Schreib- und Leseperiode das MOS-Element 6 durch das Lese/Rückstelltaktsignal von der Quelle 50 eingeschaltet und die Eingangs/Ausgangsleitung 2 bleibt auf Erde. Da sie in dem angenommenen Beispiel bereits während der Schreibperiode auf Erdpotential gesetzt worden war, würde die Ladung eines Kondensators 16 nicht geändert. Der Kondensator 16 ist als Darstellung der Eigenkapazität Eingangs/Ausgangsleitung 2 zu verstehen. Gewöhnlich wird der Kondensator 16 auf die

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Eigenkapazitäten der Elektroden der Elemente entlang der gemeinsamen Eingangs/Ausgangsleitung der Adressenmatrix des Speichersystems wie in Fig. 3 gezeigt, verteilt sein. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist er in Fig. 1 als einziger Kondensator dargestellt.

Der Kondensator 4 kann während der Schreibperiode des Speicherzyklus negativ geladen werden, z.B. auf eine Spannung von -10 Volt, wenn eine logische 1 in den Speicherkreis 1 geschrieben und adressiert wird. In diesem Fall ist während der folgenden RUckperiode das Lesesignal von der Quelle 19 auf Erdpotential und die Elektrode 17 des Kondensators 5 ist über das MOS-Element 9 mit Erde verbunden. Das MOS-Element 6 wird während der Rückstellperiode eingeschaltet, um den Kondensator 16 wirksam auf Erdpotential zu entladen, so daß die gemeinsame Eingangs■Ausgangsleitung 2 neutralisiert ist. Wenn diese Leitung nicht neutralisiert würde, könnte die auf dem Kondensator 16 gespeicherte Ladung Lesefehler hervorrufen, wenn andere Speicherkreise eines Systems adressiert werden. Dies wird im Zusammenhang mit Fig. 3 klarer werden.

Wenn man a^iimmt,daß -V gleich 10 Volt ist und daß jedes der MOS-Elemente einen Schwellspannungsabfall von 5 Volt aufweist, schaltet die negative Ladung auf dem Kondensator 4 das MOS-Element 7 ein und der Kondensator 5 wird auf etwa -7 Volt über das MOS-Element 7 geladen. Wenn hierauf das Lesesignal von der Quelle 19 wahr wird, bleibt das MOS-Element 9, welches während der Rückstellperiode eingeschaltet wurde, eingeschaltet, so daß seine Ausgangselektrode auf etwa '-7 Volt geht. Die Änderung um 7 Volt erscheint augenblicklich an der Elektrode 18 des

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Kondensators 5, so daß das Potential der Elektrode 18 von etwa -7 Volt auf etwa -14 Volt geändert wird. Infolgedessen wird das MOS-Element 8 eingeschaltet und ein zusätzlicher Strom kann durch das MOS-Element 8 in den Kondensator 4 fließen, um seine Ladung um den Betrag der an der Elektrode 18 des Kondensators 5 erscheinenden Spannung minus dem Schwellspannungsabfall durch das MOS-Element 8 zu vergrößern.

Mit zunehmender Ladung des Kondensators 4 nimmt die Steuerspannung für das MOS-Element 9 zu, so daß die Spannung an seiner Ausgangselektrode ebenfalls vergrößert wird. Dieses Anwachsen der Spannung vergrößert augenblicklich die Spannung an der Elektrode 18 des Kondensators 5, so daß ein zusätzlicher Strom durch das MOS-Element 8 in den Kondensator 4 fließt und die Steuerspannung an dem MOS-Element 9 weiter vergrößert. Der Zyklus wird wiederholt, bis die Ladeverluste des Kondensators 4 während eines Lese/Schreibzyklus gleich der Zunahme während der Leseperiode des Zyklus sind oder bis das maximale Lesetaktsignal von der Quelle 19 an der Elektrode 17 des Kondensators 5 erscheint.

Wie aus der vorangegangenen Beschreibung klar sein sollte, hängt die Ausgangsspannung auf der gemeinsamen Eingangs/Ausgangsleitung 2 nicht von dem Widerstandsverhältnis zwischen den MOS-Elementen ab. Ähnlich kann durch Verwendung eines zweiten Kondensators 5 zwischen dem Speicherkondensator 4 und dem MOS-Element 9 dem Kondensator 4 Verluststrom zugeführt werden, so daß der Kreis einen logischen Zustand über einen unbestimmten Zeitraum speichern kann. Da der Kondensator 4 nicht jedesmal entladen wird, wenn Information ausgelesen wird, macht der Kreis ein nicht-destruktives Auslesen möglich

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und verringert den Energieverbrauch gegenüber dem der erforderlicn wäre, wenn der Kondensator während jeder Ausleseperiode entladen würde.

Pig. 3 zeigt eine Ausführungsform eines adresäerbaren Speichersystems, das aus Kreisen ähnlich dem in Pig. I als Speicherkreis 1 gezeigten Kreis besteht. Die MOS-Elemente zwischen den Speicherkreisen und den Eingangs/Ausgangsklemmen des Systems machen es möglich, daß die Speicherkreise adressiert werden. Ein einziger MOS-Kreis kann z.B. ein einziges logisches Bit eines Computerwortes speichern. Der Übersichtlichkeit halber wurden nur 4 Bitstellen des Computers dargestellt. Es versteht sich, daß eine Vielzahl solcher Kreise abhängig von den Erfordernissen des einzelnen Speichersystems benutzt werden kann.

Adressensteuerleitungen der MOS-Elemente, die durch die Bezugszeichen 20, 21 und 22 des Systems bezeichnet werden, wurden aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht ausgezeichnet. An MOS-Elementen 23, 24, 25, 26 zum Auswählen eines der Speicherkreise 27, 28, 29 und 30 der gezeigtenAusführungsform des Systems sind Adressenleitungen SAO bis SA3 eingezeichnet. Mit den Speicherkreisen sind eine Sahroibleitung 31 und eine Leseleitung 32 von einer Schreibtaktquelle bzw. Lesetaktquelle verbunden. Eine Lese/Rückstelleitung 40 von einer Lese-Rückstelltaktquel-Ie sind ebenfalls gezeigt. Die Eigenkapazität, welche in Pig. 1 als Kondensator 16 dargestellt ist, ist in Pig.3 auf die Kondensatoren 46 bis 49verteilt gezeichnet.

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Ähnliche Kapazitäten sind als Eigenkapazitäten der Leiter und Elektroden der Elemente vorhanden und als Teil der Adressenmatrix zwischen die Speicherkreise und die Eingangs- und Ausgangsklemmen des Systems reschaltet. Wenn die Eigenkapazitäten nicht wie im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben nach ,jeder Scnreibperiode geerdet werden, kann ihre Ladung irrtümlich während der Leseperiode eines adressferten Speicherkreises, in dem eine Logische 0 gespeicnert worden war, als logische 1 ausgelesen werden, also zu der Annanine führen, da.2 während der Schreibperiode eine logische 1 gespeichert worden war.

Information wird an der Informationseingangskle'mme ~'j^L\ sLn^slesen, durch ein MOS-Element 35 für die Senreibsteuerung, durch ein MOS-Element 3ö für die Plättchen- \rjhl und durch geeignete MOS-Elemente, welche die Adressenmatrix bilden, zu dem bestimmten adressierten Speicherkreis geführt.

Das gespeicherte Bit der Information wird über die gemeinsame Eingangs/Ausgangsleitung zur Informationsausgangsklemme 39 durch das MOS-Element 37 für Lesen und durch das MOS-Element 33 für denAusgang ausgelesen.

Wenn eine logische 1 aus einem Speicherkreis gelesen ist, 1st ein Kondensator 33 negativ geladen und muß vor lern nächsten Lesezyklus wieder geerdet werden. Während der nächsten Rückstellperiode des Lese/schreibzyklus wird daher ein MOS-Element 44 eingeschaltet, um den Kondensator 33 mit der Erde zu verbinden. Ein Rückstelltaktsignal wird der Steuerelektrode des MOS-Elements J>h zugeführt, um das Element einzuschalten.

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Zur gleichen Zeit wird eine Rückstellogik 43 eingeschaltet, um einen Kondensator 45 am Ausgang mit der Spannungsquelle -V zum Laden des Kondensators 45 auf eine Höhe -V abzüglich des Schviellspannungsabfalls der MOS-Elemente in der Ruckstellogik 43 zu verbinden. Wenn das KOS-Element 38 beim Auslesen einer logischen 1 aus einem adressierten Kreis eingeschaltet wird, wird der Kondensator 45 auf Erde entladen.

Es versteht sich, daß eine Vielzahl solcher Speichersysteme, wie sie in schematischerForm in Fig. 3 gezeigt sind, in einer praktischen AusfUhrungsform wie einem MOS-Computer für allgemeine Zwecke enthalten sein kann. Die Systeme können auf verschiedenen Plättchen aufgebracht sein, so daß durch Adressieren eines ausgewählten MOS-Elementes eines Plättchens die Information in eine Speijherlement auf dem ausgewählten Plättchen eingeschrieben und von diesem ausgelesen werden kann. Die zusätzlichen Piät'jchenspeicher sind durch die Blöcke 41 und 42 angedeutet .

Es versteht sich, da3, obwohl MOS-Schaltelemente geneigt und beschrieben wurden, auch andere Schaltelemente v.-ie MKS -Elemente, MIiCS-Elemente und andere verstärkt wirksame Peldeffektelemente benutzt werden können.

Obwohl die Erfindung irr. einzelnen beschrieben und dargestell*.· wurde, ist diese Darstellung lediglich als Beispial und nicht als Begrenzung zu verstehen. Der Gedanke und Bereich der Erfindung soll nur durch die gesamte Beschreibung und die Ansprüche umgrenzt sein.

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Claims (1)

1. P a te ntansprüche

   [Λ\. Elektrischer Speicherkreis, dadurch gekennzeich.-n e t, daß er einen Kondensator (4·), eine erste Einrichtung zum Bedingungsweisen Laden des Kondensators (4-) während eines ersten Intervalls auf eine erste diskrete Spannungshöhe und eine zweite Einrichtung, die auf die gleichen Bedingungen anspricht, zur Änderung der Spannungshöhe des Kondensators (4) während des folgenden Intervalls enthält, wobei die zweite Einrichtung so angeschlossen ist, daß sie auf die geänderte " Spannungshöhe anspricht.

   2. Speicherkreis nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η ζ e i c hn e t, daß die Einrichtung zur Änderung der Spannungshöhe einen digitalen Kreis zur Verbindung diskreter Spannungen mit dem Kondensator (4) enthält.

   5. Speicherkreis nach Anspruch 1 oder d._% dadurch g e k e η η zeichnet, daß die zweite Einrichtung die Spannungshöhe des Kondensators (4-) auf eine zweite diskrete Höhe ändert.

   4. Speicherkreis nach Anspruch 1 mit einem Lese/Schreibspeicherzyklus, dadurch gek-ennze lehnet, daß er eine Ein-P richtung zur Ladung eines ersten Kondensators (^) während eines ersten Intervalls auf ein Potential, das einen logischen Zustand darstellt, einen zweiten Kondensator (5) zum bedingungsweisen Laden des ersten Kondensators (4-) als Punktion des logischen Zustand während eines zweiten Intervalls und Einrichtungen enthält, die auf die Ladung ansprechen, um den logischen Zustand während des zweiten Intervalls anzuzeigen.

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   5. Speicherkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Elektrode (18) des zweiten Kondensators (5) mit dem ersten Kondensator (4) zur Vergrößerung von dessen Ladung als Punktion der Änderung des Potentials an dessen anderer Elektrode verbunden ist, und daß die auf die Änderung der Ladung des ersten Kondensators (4) ansprechende Einrichtung (9) das Potential an der anderen Elektrode (17) des zweiten Kondensators (5) ändert

   6. Speicherkreis nach Anspruch 4 oder 5» dadurch gekennzeichnet, daß eine Elektrode <fes ersten Kondensators (4) mit Erde und eine ungeerdete Elektrode mit der einen Elektrode (1Ö) des zweiten Kondensators (5) verbunden

   7· Speicherkreis nach Anspruch 6 mit einer Taktsignalquelle (19)ι dadurch ge ke η η ze i ohne t, daß die auf die Ladung ansprechende Einrichtung aus einem ersten MQS-Element (9) besteht, dessen eine Elektrode mit der Taktsignalquelle (19) und dessen zweite Elektrode mit der einen Elektrode (17) desjzweiten Kondensators (5) verbunden ist, und dessen Steuerelektrode (10) mit der ungeerdeten Elektrode des ersten Kondensators (4) verbunden ist, um die zweite Elektrode des MOS-Elements (9) auf eine Spannungshöhe von der Taktsignalquelle (19) als Punktion des Potentials am ersten Kondensator (4) zu steuern, wobei die Spannungshöhe den logischen Zustand am ersten Kondensator (4) darstellt«

   8. Speicherkreis nach Anspruch 7» dadurch g β k e η η zeichnet, daß die auf die Ladung ansprechende Einrichtung ein zweites MQS-Element (7) zwischen einer Spannungsquelle (-V) und der anderen Elektrode (18) des zweiten Kondensators (5) enthält, dessen Steuerelektrode (11) mit der ungeerdeten Seite des ersten Kondensators (4) verbunden ist, um das zweite MQS-Element (7) als Funktion des Potentials auf den ersten Kondensator (4) zum Laden des zweiten Kondensators (5) e inzusehalten·

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   9o Speicherkreis nach Anspruch β, dadurch gekennzeichnet, daß die auf Ladung ansprechende Einrichtung ein drittes- MOß-Eleiaent (ö) enthält, dessen. Steuerelektrode und eine Elektrode (13) mit der einen Elektrode (14) des zweiten MQß-Elements (7) und der zweiten Electrode (18) den zweiten Kondensators (5) verbunden ist, und dessen andere Elektrode (12) mit der ungeerdeten Seite des ersten Kondensators (4) verbunden ist, um einzuschalten, wenn das Potential am zweiten Kondensator (5) um den Betrag größer ist als das Potential an dem ersten Kondensator (4), welcher erforfe derlich ist, um das dritte MOS-Element (8) zur Vergrößerung der Ladung auf dem ersten Kondensator (4) während jedes Lese/ Speicherelemente einzuschalten,

   10. Speicherkreis nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß das Speichersystem eine Vielzahl Speicherkreise enthält, welche mit Eingangs- und Ausgangsklemmen des Speichersystems über eine Adressenmatrix verbunden sind, die Leiter und MOo-Elemente mit eigenen Kapazitäten aufweist, wobei jeder Speicherkreis ein MOS-Element zwischen einer Ausgangsklemme des Kreises und einer Seite des zweiten Kondensators zum bedingungsweisen Entladen von zumindest einem Teil der Eigenkapazitäten auf Erde zwischen den Lese- und Schreib- % Perioden eines Speicherzyklus enthält·

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