DE1954506A1 - Gedaechtnisspeicher mit Torschaltung fuer das Lesesignal - Google Patents

Description

• Gedächtnisspeicher mit Torschaltung für das Lesesignal Die Erfindung betrifft einen Gedächtnisspeicher mit matrixförmig angeordneten Gedächtniselementen und mit zwei kreuzungsweise zueinander angeordneten, als Schreib-und/oder Leseleitungen dienenden Scharen von Leitungen.
• Diese Scharen von Leitungen sind in der Regel orthogonal zueinander angeordnet und bilden ein System von X-- und Y-Koordinaten. Für den Ausleseprozeß erden häufig die Leitungen einer der Scharen veniendet. Bei einem Gedächtnisspeicher mit einer oder mehreren dünnen magnetischen Schichten, die eine Anisotropie aufweisen, werden die Scharen parallel zur leichten bzw. zur schweren Achse der Magnetisierung ausgerichtet. Bei einem koinzident angesteuerten Gedächtnisspeicher erzeugen@die beim Auslesen der gespeicherten Informatión in Richtung der magnetisch schweren Achse angelegten magnetischen Steuerfelder unerwünschte Störsignale, die durch die reversible Auslenkung der Magnetisierung aller teilangesteuerten Schichten innerhalb einer Gedächtnismatrix ausgelöst werden.
• Diese Schwierigkeit ist im übrigen keineswegs au£ den oben beispielsweise angegebenen Fall eines Speichers mit anisotropen dünnen magnetischen Schichten spezieller Ausrichtung beschränkt.
• Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Gedäohtnisspeicher zu schafen, bei dem die durch teilangesteuerte Speicherelemente ausgelösten Störsignale unwirksam gemacht werden.
• Diese Aufgabe ..wird durch einen wie eingangs umrissenen Gedächtnisspeicher gelöst, der erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß einer jeden Leitung der ersten Leitungsschar je eine elektrische forschaltung zugeordnet ist, die jede füt-sich steuerbar ist durch jeweils einen ersten Ansteuerimpuls in der zugehörigen Leitung der besagten ersten Schar, so daß von den durch einen zweiten Ansteuerimpuls in einer Leitung einer zweiten Schar, die zu besagter erster Schar kreuzungsweise, vorzugsweise orthogonal ausgerichtet Ist, in den Gedächtniselementen mitangeregten Signalen nur dasjenige Signal aus dem Gedächtnisspeicher ausgegeben wird, das eine auS Durchlaß geschaltete Torschaltung passiert ha.
• Insbesondere ist bei einem Gedächtnisspeicher der erfindungsgemäßen Art jede Torschaltung mit je einer Leitung einer weiteren Leitungsschar verbunden, wobei jeweils eine Leitung dieser weiteren Schar paarweise mit jeweils einer Leitung der ersten Schar angeordnet ist.
• Vorzugsweise sind für die Speicherelemente eine oder mehrere dünne magnetische Schichten vorgesehen, die insbesondere anisotrop sind, und zwar vorteilhafter--weise derart, daß die Leitungen der ersten Schar parallel zur schweren Achse und die Leitungen der zweiten Schar parallel zur leichten Achse ausgerichtet sind.
• Für einen Gedächtnis speicher der erfindungsgemäßen Art ist die koinzidente Ansteuerung je einer Leitung der ersten und einer Leitung der zweiten Schar zu bevorzugen.
• Was die Torschaltung betrifft, enthält diese ein insbesondere nichtlineares aktives oder passives Schaltelement.
• Eine besonders bevorzugte:rAusführungs£orm ist diejenige, bei der die Torschaltung im wesentlichen aus einer Diode besteht.
• Die gemäß der Erfindung vorgesehene Steuerung der vorschaltung durch jeweils einen Änsteueriinpuls in der der fraglichen Torschaltung sugeordneten Leitung wird vorzugsweise aus dem Strom des Ansteuerimpulses abgeleitet. Dies geschieht gemäß einer besonders bevorugten Weiterbildung der Brfindung dadurch, daß ein Spannungsabfall des Impulsstromes auf der entsprechenden Leitung oder an einem in den Zug dieser Leitung eingeschalteten elektrischen Widerstand ausgenutzt wird.
• Weitere Einzelheiten der Brtindung gehen aus Erläuterungen zu den Figuren zu besonders bevorzugten Ausführungsbeispielen hervor.
• In Fig. 1 sind die Speicherelemente des Gedächtnisspeichers ! als Kreise dargestellt, mit 1 bezeichnet.
• Die Leitungen der ersten Leitungsschar 2 und die Leitungen der zweiten Leitungsschar 3 bilden zusammen ein Netz von Ansteuerleitungen, deren Kreusungspunkte zusammen mit der in der Figur nicht dargestellten Schicht ein Speicherelement bildet. Bei dem in Fig. 1 schematisch dargestellten Beispiel ist noch eine weitere Schar vo-n Leitungen 4 vorgesehen. Diese Leitungen 4 sind jede für sich durch je eine Torschaltung 5-hindurchlauSend am Ausgang dieser Torschaltungen miteinander und mit einem Leseverstärker 6 verbunden. Die Verbindung 7 stellt die Zuordnung zwischen einer Torschaltung und der jeweils zugehörigen Leitung aus der ersten Schar dar. Bin Stromimpuls, der in Richtung des Pfeiles 8 in die entsprechende Leitung eingegeben wird und der zur koinzidenten Auslese benötigt wird, erzeugt an dem Widerstand 9 bezogen auf das Grundpotential am Ende 10 der Leitung einen Spannungsabfall, der über 7 in das zugeordnete Tor eingegeben ird.
• Dieser impulsförmige Spannungsabfall öffnet das Tor, so daß der Ausleseimpuls aus dem Speicherelement 11 zum Beseverstärker 6 durchgeltuxrn wird. Dieser Ausleseimpuls selbst wird durch koinzidente Ansteuerung der besagten Leitung der Schar 2 und der Leitung 71 der Schar 3 ausgelesen. Weitere Impulse, die durch Halbansteuerung der auf der Leitung 31 liegenden weiteren Speicherelemen.te auftreten, werden durch die nicht geöffneten übrigen Torschaltungen 5 vom Leseverstärker ferngehalten.
• Fig. 2 zeigt eine Ausführungsform, die im wesentlichen derjenigen in Fig. 1 entspricht, in der aber besondere Torschaltungen, nämlich Dioden 22, vorgesehen sind0 Bei dieser erfindungsgemäßen Verwendung von Dioden konnte vorteilhafterweise auf die weitere Leitungsschar verzichtet werden. Die Dioden sind mit ihrem einen Anschluß jeweils mit je einer Leitung der Schar 2 und mit ihrem anderen Anschluß untereinander und mit dem Leseverstärker verbunden. 23 stellt eine Gleichspannungsquelle für eine Vo-rspannung für die Dioden dar.
• Die Funktionsweise der in Fig. 2 dargestellten.besonderen Anordnung entspricht im wesentlichen derjenigen nach Figur 1.
• 11 Patentansprüche 2 Figuren

Claims (11)

1. Patentansprüche 1. Gedächtnisspeicher mit matrixförmig angeordneten Speicherelementen und mit zwei kreuzungsweise zueinander angeordneten, als Schreib- und/oder Leseleitungen dienenden Scharen von Leitungen, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß einer jeden Leitung einer ersten Leitungsachar (2) je eine elektrische Torschaltung (7,22) zugeordnet ist, die jede für sich steuerbar ist durch jeweils -einen ersten Ansteuerimpuls in der sugehörigen Leitung der besagten ersten Schar, so daß von den durch einen zweiten Ansteuerimpuls in einer Leitung einer zweiten Schar (3), die zu besagter erster Schar kreuzungsweise, vorzugsweise orthogonal, ausgerichtet ist, in den Gedächtniselementen (1) mitangeregten Signalen nur dasjenige Signal, aus dem Gedächtnisspeicher ausgegeben wird, das eine auf Durchlaß geschaltete Torschaltung passiert hat.
2. 2. Gedächtnisspeicher nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t edaß jede Torschaltung mit je einer Leitung einer weiteren Xeitungsschar verbunden ist, wobei jeweils eine Leitung dieser weiteren Schar paarweise mit jeweils einer Leitung der ersten Schar angeordnet ist.
3. 3. chtnisspeicher nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,daß fUr die Speicherelemente eine oder mehrere dünne magnetische Schichten vorgesehen sind.
4. 4. Gedächtnisspeicher nach Anspruch 1, 2 oder S, d a d u r c h g e k e n n z e 1 c h n e t ,daß die dünne magnetische Schicht anisotrop ist.
5. 5. Gedächtnisspoither nach einem der Ansprüche 3 oder 4, d a d u r c h g e k e n II z e i c h n e t ,daß die Leitungen der ersten Schar parallel zur schweren Achse und die Leitungen der zweiten Schar parallel zur leichten Achse ausgerichtet sind.
6. 6. Gedächtnisspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,daß die Ansteuerung eines Elementes durch koinzidente Ansteuerung je einer Leitung der ersten und der zweiten Schar erfolgt.
7. 7. Gedächtnl-sspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,daß die Torschaltung ein nichtlineares aktives oder passives Schaltelement ist.
8. 8. Gedächtnisspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n az e i c h n e t ,daß die Torschaltung im wesentlichen aus einer Diode besteht.
9. 9. Gedächtnisspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 8, d a d u r c h g e k e n n z e 1 c h n e t ,daß-der die Torschaltung steuernde Impuls ein Spannungsabfall ist, der durch den elektrischen Strom dieses ersten Ansteuerimpulses erzeugt wird.
10. 10. Gedächtnisspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,daß der Spannungsabfall durch den elektrischen Widerstand der mit der jeweiligen Torschaltung verbundenen Leitung hervorgerufen ist.
11. 11. Gedächtnisspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,daß in der der Torschaltung zugeordneten Leitung ein elektrischer Widerstand vorgesehen ist, an dem der Strom des Steuerimpulses einen Spannungsabfall auftreten läßt.