DE1950547A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE1950547A1 DE19691950547 DE1950547A DE1950547A1 DE 1950547 A1 DE1950547 A1 DE 1950547A1 DE 19691950547 DE19691950547 DE 19691950547 DE 1950547 A DE1950547 A DE 1950547A DE 1950547 A1 DE1950547 A1 DE 1950547A1
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Description

PHN.3601 Va/TdV
■ :.:ξν
. ΡΗΝ-3601
2.10.69
Halbleiterbauelement,
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelenent mit einem Halbleiterkörper, der enthalt? eine an einer nahezu ebenen Oberfläche des Körpers angrenzende erste Zone vom einen Leitfähigkeitstyp, eine an dieser Oberfläche angrenzende zweite Zone vom anderen Leitfähigkeitstyp, die im Halbleiterkörper völlig von der ersten Zone umgeben ist, während der pn-Uebergang zwischen diesen Zonen an der erwähnten Oberfläche endet, und zur Steigerung der Durchschlagspannung zwischen diesen Zonen mindestens eine neben der zweiten Zone liegende weitere Z,one vom anderen Leitfähigkeitstyp, die an der erwähnten Oberfläche angrenzt und im Halbleiterkörper völlig von der ersten Zone um-
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• PHN.5601
gehen ist, wobei der pn-üebergang zwischen der ersten und der weiteren Zone an der erwähnten Oberflächeendet und wobei die weitere Zone die zweite Zone umgibt, während auf der erwähnten Oberfläche eine Isolierschicht mit einer eine Kontaktschicht für die zweite Zone enthaltenden Oeffnung angebracht ist.
Derartige Halbleiterbauelemente wurden in der französischen Patentschrift 1.421.156 beschrieben. Eine erste weitere Zone umgibt in geringer Entfernung die zweite Zone; wenn eine zweite weitere Zone vorhanden ist, umgibt diese sowohl die zweite als auch die erste weitere Zone; beim Vorhandensein einer dritten weiteren Zone umgibt diese die zweite weitere Zone, usw. Durch das Anbringen derartiger weiterer Zonen kann eine erhebliche Erhöhung der Durchschlagspannung über dem pn-Uebergang zwischen der ersten und der zweiten Zone erzielt werden,
Es hat sich herausgestellt, dass Halbleiterbauelenente der erwähnten Art, insbesondere wenn sie in eine kunststoffumhüllung eingebettet sind, nicht stabil sind. Während Lvebensdauerversuche, · insbesondere bei erhöhter Temperatur, hei denen der pn-Uebergang zwischen der ersten und der zweiten Zone in der Sperrichtung vorgespannt ist, nimmt die Durchschlagspannung über dem pn-Uebergang ab.
Die Erfindung bezweckt u.a., diese Abnahme der Durchschlagspannung zu verhindern.
Die Erfindung gründet sich u.a. auf die Erkenntnis, dass die Anbringung der erwähnten weiteren Zonen nicht genügend ist, um eine stabile hohe Durchschlagspannung zu erzielen.
Weiterhin liegt der Erfindung die Erkenntnis zugrunde, dass beim Betrieb eines Halbleiterbauelements mit weiteren Zonen der
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BAD ORIGINAL
:. ·.- PHN.3601
erwähnten Art, bei denen der pn-Uebergang in der Sperrichtung vorgespannt ist, die Isolierschicht elektrisch aufgeladen wird und dabei das Potential der Kontaktschicht anzunehmen versucht, wodurch in der ersten Zone eine dünne Oberflächenschicht vom anderen Leitfähigkeitstyp induziert wird, die die weiteren Zonen miteinander und mit der zweiten Zone verbindet. Dadurch wird die die Durchschlagspannung steigernde Wirkung der weiteren Zonen behoben.
Nach der Erfindung ist ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art dadurch gekennzeichnet, dass auf der Isolierschicht eine leitende Schicht angebracht ist, die einen ersten die Kontaktschicht nahezu völlig umgebenden 'leil enthalt, wobei in jeder Richtung parallel zu der Isolierschicht der Abstand (die Abstände) zwischen der Kontaktschicht und der (den) weiteren Zone(n) grosser als der Abstand zwischen der Kontaktschicht und dem ersten Teil ist (sind); einen zweiten Teil, der die veitere(n) Zone(n) nahezu völlig umgibt ur.d mit einem Oberfl"chenteil der ersten Zone, ier frei vender Isoliersc: icht ist ιι:Λ der, von. der zweiten Zone her gesehen, ausserhalb der weiteren Zone(n) liegt, verbunden ist; ur.d mindestens einen weiteren'Teil, der den ersten Teil mit dem zweiten Teil verbindet, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Teil die Isolierschicht nur zu einem geringer. Teil durch die leitende Schicht abgedeckt ist.
Beim Betrieb fan^rt der erste Teil der leitenden Schicht, der die Kontaktschicht umgibt, die von der Kontaktschicht herrührende Ladung ab, die sonst die erwähnte Aufladung der isolierschicht herbeiführen würde, wobei diese i-adung zu der erstenZone abpefünrt wird.
009824/123/.
BAD
PHN.3601
Weil auf diese Weise die Aufladung der isolierschicht, verhindert wird, bilden sich keine OberflSchenkanSle, die die den Durchschlag steigernde Wirkung der weiteren Zone(n) beeinträchtigen könnten, wodurch ein stabiles Halbleiterbauelement erhalten wird, bei dem die Durchschlagspannung des pn-Uebergangs auch bei langem Betrieb sich nahezu nicht ändert.
Eine auf einem Halbleiterkörper angebrachte Isolierschicht, wie a.B·. eine Siliziumoxyd schicht, enthalt gewöhnlich eine Anzahl praktisch nicht zu vermeidender kleiner Löcher, Über die ein Kurzschluss zwischen dem Halbleiterkörper und einem auf der Isolierschicht angebrachten Leiter auftreten kann* '
Zur Verringerung der Gefahr eines derartigen Kurzschlusses zwischen der leitenden Schicht und dem halbleiterkörper ist bei dem erfindungsgemässen Halbleiterbauelement die Isolierschicht zwischen dem ersten und dem zweiten Teil vorzugsweise nur zu einem geringen Teil durch die leitende Schicht abgedeckt*
Un] eine unerwünschte Kapazität zwischen der leitenden Schicht und der zweiten Zone und grosse Potentialunterschiede über die Dicke der Isolierschicht und somit einen etwaigen Durchschlag
dieser Schicht zu vermeiden, ist eine weitere bevorzugte Ausführungsform nach eier Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die leitende : Schicht die zweite Zone umgibt und sich nicht über diese Zone hinaus erstreckt.
Der ausserhalb der weiteren Zondp.) liegende Oberflachenteil, mit dem die leitende Schicht elektrisch verbunden ist, umgibt vorzugsweise diese Zone(n) völlig.
..'.. - tJine besondere Ausführungsform des Halbleiterbauelements
■■ . 00982^/1-23/» ' " .' ■■--.;■■■■ :
. PHN.3601
nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass eine innere und eine aussere weitere Zone vorhanden sind, wobei die äussere weitere Zone die der zweiten Zone näher liegende innere weitere Zone umgibt, und wobei die leitende Schicht, insofern sie sich auf dem zwischen der inneren und der äussaren weiteren Zone liegenden Teil der Isolierschicht erstreckt, völlig zu dem (den) weiteren Teil(en) der leitenden Schicht gehört, mit dem (denen) der erste Teil der leitenden Schicht mit dem zweiten Teil verbunden ist.
Um eine gute elektrische Verbindung zwischen der leitenden Schicht, und der ersten Zone zu erzielen, ist vorzugsweise in der ersten Zone eine Kontaktzone angebracht, die den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die erste Zone aufweist, aber deren spezifischer Widerstand niedriger ist, und die an dem ausserhalb der weiteren Zone(n) liegenden Oberflächenteil angrenzt. Vorzugsweise ist die erste Zone η-leitend und sind die zweite und dritte Zone(n) p-leitc-nd.
Sie Erfindung ist insbesondere für Hochspannungstransistoren von Bedeutung, wobei die erste Zone die Kollektorzone eines Transistors und die zweite Zone die Basiszone dieses ■'•ransistors bildet.
Einige Aus fiihrungs formen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen»
Pig,1 schejnatisch eine Braufsieht auf eine ^sfübrungsform eines Halbleiterbauelements nach, der■ -rfindjing, uncl
Fig.2 gchematipch einen S|uers.e.hnitt durch fJj-ßSf Aus. f ifhjps? ungsfprm Igngg öer I4nie ί|«ϊί der- figf1 *
BAO
PHN.56O1
Halbleiterkörper 1 mit gestrichelten Linien angedeutet sind.
Bei dar nachstehend zu beschreibenäen Ausführungsform handelt es sich um einen Transistor«
Der Transistor nach den Figuren 1 "and 2 hat einen Halbleiterkörper 1, der enthält» eine an einer eh&nen Oberfläche 2 des Körpers angrenzende erste Zone 3 vom einen Leitfähigkeitstyp (die Kollektorzone), eine an der Oberfläche 2 angrenzende Zone 4 vom anderen LeitfShigkeitstyp (die Basiszone")» die im Körper 1 völlig von der ersten Zone 3 umgeben ist, wahrarad der pn-Uebergang 5 zwischen den Zonen 3 und 4 an der Oberfläche 2 endet. Zur Steigerung der Durchschlagspannung SMischen den Zonen 3 und 4 sind neben dar zweiten Zone 4 weitere (in dieser Ausfühntingsform zwei) Zonen 6 vom anderen LeitfShigkeitstyp angebracht, die an der Oberfläche 2 angrenzen und im Körper 1 völlig von der Zone 3 umgeben sind, während die pn-U,ebergänge 7 zwischen den Zonen 6 und der Zone 3 aa der Oberfläche 2 enden. Die weiteren Zonen 6 umgeben die zweite Zone 4. Auf der Oberfläche } ist eine Isolierschicht 8 angebracht, die mit einer Oeffnüng 9 versehen ist, in der eine Kontaktschicht 10 für die zweite Zone 4 liegt.
Ferner ist in der Basiszone A eine Emitterzone 11 in
Form, eines .Kammes; angebracht, dip an der Oberfläche 2 angrenzt. Die Emitterzone ist mit einer Kontaktschicht 12 in einer Oeffnung If in der Isolierschicht B versehen. . ...... ^
Mit den Kontaktscnichten 10 und 12 können (nicht dargestellte) .-!.nschlussleiter verbunden werden. Der elektrische anschluss
fj^r die Kollektorzone 3 wird durch eine Metalltragplatte I4, gßbildet, auf ,der der Körper "j mit Hilfe einer Lötschicht I5 befestigt 4§t.
Der vorstehend an Hand der Pigurgn ^ und 2 beschulebi.ne
008824/1234 BADORIS,NAL
PHN.56O1
195054
-7-
lansietor kann von einem üblichen Typ sein und kann durch in der Halbleitertechnik übliche Verfahren aus üblichen Materialien hergestellt werden.
Der Halbleiterkörper 1 ist z.B. ein Silizium-Einkristall mit Abmessungen v-3n 750/um χ J^O ma. x 80 Jam, Die Kollektorzone 3 ist vorzugsweise a-leitend sind hat z.B. einen spezifischen Widerstand von 2QSLtGm. Die weiteren Seien 6 und die Basiszone 4 sind p-leitend und sind gleichzeitig durch Diffusion von Bor erhalten. Die Emitterzone 11 ist η-leitend und' ist durch Diffusion von Phosphor erhalten. In ier Draufsicht nach Fig. 1 hat die Basiszone 4 etv.-a die Abmessungen 460yun χ 460umt während die Breite der Finger ier ünitterzone 11 etwa 25 *im beträgtj.lie Breite der weiteren Zonen 6 ist etwa 1C *un, der Abstand zwischen der Basiszone 4 «nd der nSchstliegenden weiteren Zone 6 iiad zwiscV.en cen weiteren Zonen 6 ist otwa 25 yum. Die Dicke ier Basiszone 4 und der weiteren Zonen 6 ist-etwa 6yun und die der E: itterzcne 11 etwa 4 "jun·
Die Ipolierschicht 8 besteht aus Siliziumoxyd und hat eine Dicke von etwa 2 um. Diese Schicht kann z.B. auch aus Siliciumnitrid bestehen. Der Kor: er 1 ist ait einen üblichen Lötmittel an der Me tall tragplatte 14» die z.B. aus vergoldeten Kol.vbdän br-stehtf befestigt, dHmit ein nahezu o.vnischer Kontakt erhalten wird. Die Kontäktschichten IC und 12 bestehen ius .aluminium.
Die Kollektor-Durchschlagspannung des beschriebenen Transistors ist nicht stabil. Versuche, die zu der Erfindung geführt haben, haben ergeben, dass bei einer langen Betriebs zeit, wenn ' r-r Kollektor-Basis-Uebergang 5 in der Sperrichtung vorg<= star.nt Ist, f.h. wenn sn "1^ Kontaktschicht 10 ein in bezUfC auf n?.s P^tor-ti^l =n ;e^
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• I, *., %. ■■,. PHN.3601 v
Metallplatte 14 negatives Potential gelegt wird, die Isolierschicht 8 negativ aufgeladen wird, wodurch eine p-leitende Oberflächenschicht in der Kollektorzone 3 induziert wird, die die Basiszone 4 mit den Zonen 6 verbindet, was zur Folge hat, dass die den Durchschlag steigernde Wirkung der Zonen 6 behoben wird«
Zur Verbesserung der Stabilität dieser Durchschlagspannung ist nach der Erfindung auf der Isolierschicht 8 eine leitende Schicht 16, 17» 18 angebracht, die die Kontaktschicht 10 der zweiten Zone,4 umgibt, wobei in jeder Richtung parallel zu der Isolierschicht 8 die Abstände zwischen der Kontaktschicht. 10 und den weiteren Zonen 6 grosser als der Abstand zwischen der Kontaktschicht 10 und der leitenden Schicht 16, 17, 18 sind.
V/enn an die leitende Schicht 16, 17, 18 die die Kontaktschicht 10 umgibt, ein positives Potential in bezug auf die Kontaktschicht 10, also ein weniger negatives oder sogar ein positives Potential, gelegt wird, wird nahezu oder völlig verhindert, dass sich die Isolierschicht 8 negativ auflädt. Optimale Ergebnisse werden erzielt, wenn der Potentialunterschied zwischen der leitenden Schicht 16, 17*.1R und der Kollektorzone 3 gering ist. Daher ist eine elektrische-Verbindung zwischen dieser .leitenden Schicht und der ersten Zone 3..hergestellt.
In der betreffenden Aus fiihrungs form ist die leitende' Schicht 16, 17, 18 mit einem Oberflächenteil 2a der ersten Zone 3, der von der Isolierschicht 8 frei ist und d;er, von der zweiten Zone 4 her gesehen, ausserhalb der weiteren Zonen 6 liegt, elektrisch verbunden.Dieser Oberflächenteil 2a umgibt die weiteren Zonen 6; der Rand der Isolierschicht 3 ist in Fig.1 mit .1-9 bezeichnet. Lurch diese ,Λ—^ο ·*■■* 0 0982 u / 1 2.34 ■ . ■. ;
BAD
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elektrische Verbindung wird bsira Betrieb an die leitende Schicht 16, 17, 18 automatisch das gleiche Potential wie an die Kollektorzone 3 gelegt. Die leitende Schicht 16, 17» 18 soll nicht mit dem Oberflächenteil der Kollektorzone 3 zwischen den weiteren Zonen 6 oder zwischen der Basiszone 4 und der nächstliegenden weiteren Zone 6 verbunden werden, weil beim Betrieb sich vom pn-Uebergang 5 her längs dieser Oberflächenteile eine Verarmungszone in der Kollektorzone 3 erstreckt*
Würde die leitende Schicht 16, 179 18 sich über die Basiszone 4 hinaus erstrecken, so würde dadurch die Basis-Kollektor-Kapazität vergrSssert und die Basis-Kollektorspannung beim Betrieb über die Dicke der Isolierschicht 8 angelegt werden, wodurch die Gefahr eines Durchschlages dieser Schicht auftreten könnte. Daher umgibt die leitende Schicht 16p 17, 18 die zweite Zone (Basiszone) 4 und erstreckt sich nicht über diese Zone 4 hinaus*
Um die Gefahr eines Kurzschlusses zwischen der leitenden Schicht 16, 17, 18 und dem unterliegenden Halbleitermaterial über ein Loch (pinhole) in der Isolierschicht 8 herabzusetzen, ist die Oberfläche der Mtenden Schicht 16, I7, 18 vorzugsweise klein. Daher besteht die leitende Schicht 16, I7 18 aus einem ersten Teil 16, der die zweite Zone 4 umgibt, wobei in jeder Richtung parallel zu der Isolierschicht 8 die AbstMnde zwischen der Kontaktschicht 10 und den weiteren Zonen 6 groVaei als der Abstand zwischen der KontaktschiCht 10 und dem ersten Teil 16 sindj aus einem zweiten Teil 18, der die weiteren Zonen 6 umgibt und der Mt dem äusserhälb dies-er Zon-n 6 li-e* genden Ober-fiächenteil Sa verbunden ist*, Mni aus den weiteren Teilen
'.■":■■-,■,■ PHN.36O1
17f die die Teile 16 und 18 miteinander verbinden, wobei zwischen den Teilen 16 und 18 die Isolierschicht 8 nur zu einem geringen Teil durch die leitende Schicht 16, 17, .18 abgedeckt, ist. Dabei wird die Tatsache ausgenutzt, dass die die Stabilität steigernde Wirkung der leitenden Schicht-weniger auf die Beeinflussung des elektrischen Feldes in dem unter der leitenden Schicht liegenden Oberflächenteil des Halbleiterkb'rpers durch das an die leitende Schicht angelegte Potential als auf das Abfangen und Abführen der von der Metallkontaktschicht 10 herrührenden Ladung, durch die die Isolierschicht aufgeladen werden könnte, zurückzuführen ist» Der erste Teil 16 liegt" völlig zwischen der zweiten Zone. 4 und den weiteren Zonen 6.
In Jer ersten Zone 3 {Kollektorzone) ist eine Kontaktzone 20 angebracht^ die den gleichen Leitfähigkeitstyp (n-Leitfähigkeitstyp) wie die erste Zone 3 aufweist^ aber deren spezifischer v/iderstand, niedriger ist, und die an dem ausserhalb der weiteren Zonen 6 liegenden Oberflächenteil 2a angrenzt. Dadurch wird der elektrische Widerstand zwischen der leitenden Schicht 16, 1?» 18 und der ersten Zone 3. herabgesetzt.
Die Köntäktzone 20 verhindert ferner, dass sich die Verarmungsschicht, die beim Betrieb in der Koliektorzone vorhanden ist, bis zu dem Hand des Kristalls erstreckt, wodurch LeckstrÖme auftreten könnten. -
In Pig*2 ist mit einer gestrichelten Linie die Fora der beim Betrieb in der Koliektorzone 3 vorhandenen VerÄrrningeBoihicht angedeutet*
Die leitende Schicht IS4 1?» t® 'besteht aus A und kann gleichzeitig töit *tea itöntäktscM'ehtea 10 und 12
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werden. Die η-leitende Kontaktzone 20 kann durch Diffusion von z.B. Phosphor erhalten und gleichzeitig mit der Emitterzone 11 angebracht werden.
Der beschriebene Transistor nach der Erfindung weist eine hohe stabile BasiB-Kollektor-Durchschlagspannung auf.
Bar transistor kann auf übliche Weise abgefertigt und mit einer Umhüllung' versehen werdesi«
.Die Erfindung ist nicht nur flir Transistoren, sondern z.B. auch für Hochspannungsdioden vop. Bedeutung. Wenn im beschriebenen Transistor die Emitterzone 11 und die Kontaktschicht 12 fortgelassen werden, wird grundsätzlich eine Hochs^annurigsdiode nach der Erfindung erhalten.
In den Figuren sind Mittel sum Anlegen der gewünschten
»
Potentiale nicht dargestellt, da solche Kittel allgemein .bekannt
Es durfte einleuchten, dass sich die Erfindung nicht auf die beschriebenen Aus führungs formen beschränkt, sondern eis es im Rahmen der Erfindung für den Fachmann Mole Abarten möglich sind. Die Oeffnungen -22 zwischen den Teilen 16, 17 und 18 der leitenden Schicht nach Fifj.1 können anders gestaltet sein. Die leitende Schicht braucht die Kontaktschicht der zweiten Zone nicht völlig zu umgeben. Eine kleine Unterbrechung in dieser umgebenden Schicht wird die Wirkung dieser Schicht kaum, oder gar nicht beeinflussen. Die Anzahl weiterer Zonen 6 braucht nicht zwei zu seinj eine grSssere Anzahl und auch nur eine einzige weitere Zone kann angewandt werden. Die Emitterzone des Transistors nach den Figuren 1 und 2 kann jede übliche
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PHN .■ 3601
Gestalt aufweisen. Statt der erwähnten Materialien können auch andere übliche Materialien, z.B. ein Halbleiterkörper aus Germanium oder einer HI-V-Verbindung, angewandt werden. Weder der frei liegende Oberflächent.ji 1 2a, noch die Kontaktzone 20 brauchen sich bis zum Rand des K^-llleiterkörpers 1 zu erstrecken, wie in Figuren 1 und 2 dargestellt ist. Die Basiskontaktschicht 10 kann sich über die Kollektorzone 3 hinaus erstrecken, wobei die ganze Schnittlinie des pn-Ubergangs ~ mit der Oberfläche 2 unter der Basiskontaktschicl·t 10 liegt.
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Claims (7)

  1. PHN.3601
    -13-
    Patentansprüche»
    Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, der enthalt: eine an einer nahezu ebenen Oberfläche des Körpers angrenzer de erste Zone vom einen Leitfähigkeitstyp, eine an der Oberfläche angrenzende zweite Zone vom anderen Leitfähigkeitstyp, die im Halbleiterkörper völlig von der ersten Zone umgeben ist, während der pn-Uebergang zwischen diesen Zonen an der erwähnten Oberfläche· endet, und zur Steigerung der Burchschlagspahnung zwischen diesen Zonen mindestens eine neben der zweiten Zone liegende weitere Zone vom anderen Leitfähigkeitstyp, die an der erwähnten Oberfläche angrenzt und im Halbleiterkörper völlig von der ersten Zone umgeben ist, wobei der pn-liebergang zwischen der ersten und der weiteren Zone an der erwähnten Oberfläche endet, und wobei die weitere Zone die zweite Zone uui-vibt, während ernf der erwähnten Oberfläche eine Isolierschicht mit eir^r eine Kontaktschicht für die zweite Zone enthaltenden Oeffnung angetrac1 t ist, dadurch gekennzeichnet, d-'-ss auf der -isolierschicht elnn leitende Schicht angebracht ist, die enthält: einen ersten Teil, der die Kontaktschicht nahezu völlig umgibt, wobei in jeder Richtung parallel zu der Isolierschicht der Abstand (die Abst"nde) zwischen der Kontaktschicht und der (den) weiteren Zone(n) grosser -'.Is Aer Abstand zwischen der Kontaktschicht und dem ersten Teil ist (sind); eirKü zur>i ten Teil, der die weitere(n) Zone(n) nahezu völlig umgibt und mit einem Oberflächenteil der ersten Zone, der frei von -ler Isolierschicht ist und der-, von der zweiten Zone her gesehen, aunf;erhalb -ler v.'eiteren Zöne(n) liegt, verbunden ist; und mindestens wirren weiteren Teil, der den ersten Teil mit dem zweiten
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    -14- ■■-·■■
    Teil verbindet, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Teil die Isolierschicht nur zu einem geringen Teil durch die leitende Schicht abgedeckt ist.
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch- 1, dadurch f;°- ennzeichnet, dass die leitende Schicht die zweite Zone umgibt und sich nicht über diese Zone hinaus erstreckt.
  3. 3t .Halbleiterbauelement'nach Anspruch 2f dadurch gekennzeichnet, dass der erste Teil völlig "zwischen der zweiten Zone und der (den) weiterenZone(n) liegt.
  4. 4. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3j dadurch gekennzeichnet, d/>ss in der ersten Zone eine Kontaktzöne angebracht ist, dieden gleichen L~itfa"higkeitstyp '-. p.ls iie erste Zone aufweist, r-ber .deren spezifischer Widerstand niedriger ist, und die an dem ausκerhalb der weiteren Zon^n) liegenden Oberflächünteii angrenzt.
  5. ^. Halbleiterbauelement nach einem oder ifiehre-en der vorstehenden .tinsprüchej dadurch gekennzeichnet-, d^ss die erste Zone die Kollektorzone des Transistors und :Iie""zweite Zorif- die Basiszone dieses Transistors ist. -."-..-
  6. ■ -6-, ..Halbleiterbauelement nach einen oder cplreren -!er vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, di?ss die er;·te Zone η-leitend -.st und die zv/cite Zone und die weitere(n) Zone(ii) p-leitend sind. . .
  7. 7. Heibleiterb'Tuelement nach einem Oder mehreren der vors-tehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine in: lh und eine aüssere veitere Zone vorhanden sind, wobei die aiisüerg uei Zone dif- .'1^r zv^i teil Zonr- rr'hnr lieg'-'fide i rifipre v?r-il.er·- Znrii; Und wobei die leitende Schiölt j insofern sie Sieh au? de-m e^isöhen
    - ÖAD ORIGINAL
    PHN.5601
    195054
    -15-
    dieeen beiden weiteren Zonen liegenden Teil der Isolierschicht befindet» völlig au dem (den) weiteren Teil(en) der leitenden Schicht gehört, mit dem (denen) der erste Teil der .leitenden Schicht mit dem zweiten Teil verbundea ist·
    00 9 82W123
    -λ!ο τ
    Lee rs e i t e
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