DE1923827A1

DE1923827A1 - Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von Duennschicht-Cermet-Widerstaenden

Info

Publication number: DE1923827A1
Application number: DE19691923827
Authority: DE
Inventors: Beyer Donald Stanley
Original assignee: Monsanto Co
Current assignee: Monsanto Co
Priority date: 1968-05-09
Filing date: 1969-05-09
Publication date: 1970-09-24
Also published as: NL6907085A; FR2008121A1

Description

Monsanto Company, St. Louis / Missouri, USA

Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von Dünnschicht- Cermet-Widerständen

Zusatz zu Patent (Patentanmeldung P 16 65 086.5)

Die Erfindung bezieht sich auf-die Technik der Verfahren und Einrichtungen zum Herstellen dünner Cermet-Widerstandsschichten.

Früher waren Dünnschichtwiderstände, die in Mikroschaltungen verwendet werden, auf Widerstandswerte von einigen Hundert Ohm pro Quadrat gewöhnlich in der Größenordnung von etwa 300 Ohm pro Quadrat beschränkt.

In der neueren Technik sind jedoch sehr hohe Schichtwiderstände (100 k Ohm pro Quadrat) durch Verwendung von Cermetschichten erzielt worden, die Widerstandsschichten mit einer metallisch- ' dielektrischen Zusammensetzung sind. Gewöhnlich werden zwei Techniken verwendet, um Cermet-Widerstandsschichten herzustellen, d.h. gleichzeitiges oder gemeinsames Aufdampfen und Glühdrahtverdampfen. Der Aufdampfprozeß liefert schon von Natur aus keine gute Abstimmung infolge der starken Abhängigkeit der Niederschlagsmenge von der Temperatur der Verdampfungsquelle oder des Verdampfungsmittels, d.h. nur kleine Änderungen.in der Temperatur der Quelle sind erforderlich, um relativ große Änderungen in der Niederschlagsmenge hervorzurufen. Polglich ist eine gemeinsame Verdampfung doppelt schwierig, weil zwei Verdampfungsquellen genau gesteuert werden müssen, um die gewünschte Zusammensetzung und damit den gewünschten Schichtwiderstand zu erzielen. Glühdrahtverdampfen ist eine Technik, bei der eine pulverisierte Mischung aus Metall und dielektrischem Material auf einen Glühfaden (2000⁰C) fallen gelassen wird. Die pulverisierte Mischung verdampft fast augenblicklich bei Beruh-

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rung des Wolframfadens; daher der Ausdruck Glühdrahtverdampfung. Bei diesem Verfahren wird die Schichtzusammensetzung durch die Zusammensetzung und die Gleichmäßigkeit der Mischung des Pulvers gesteuert. Dieses Verfahren hat sehr lange Umdrehungszeiten verglichen mit dem gemeinsamen Verdampfen oder dem neuen Verfahren gemäß der Erfindung. Ein anderes Problem in Verbindung mit Verdampfungstechniken ist, daß alle Materialien, z.B. die hitzebeständigen Metalle, die für Widerstandsschichten geeignet sind, nicht leicht oder in einigen Fällen Überhaupt nicht verdampft werden können.

Bei der vorliegenden Erfindung wird Hochfrequenzzerstäubung dazu verwendet, einen Cermet-Widerstand aus im wesentlichen beliebiger Kombination von Metall und Nichtmetall herzustellen. Dieses Ergebni-s wird erzielt, weil Nichtmetalle mit Niederschlagsmengen zerstäubt werden können, die mit jenen von Metallen vergleichbar sind. Ein Nichtmetall wird definiert als entweder ein dielektrisches (isolier-)Material oder ein Halbleitermaterial.

Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung werden metallische und nichtmetallische Auffänger gleichzeitig durch Hochfrequenz zerstäubt, d.h. gemeinsam zerstäubt. Die Hochfrequenzenergie bewirkt sowohl die Aufrechterhaltung einer Gasentladung oder eines Plasmas als Quelle positiver Ionen als auch die Zerstäubung der nichtmetallischen und metallischen Bestandteile der dünnen Schicht.

Bei einem zweiten Ausführungsbeispiel werden die nichtmetallischen und die metallischen Auffänger ebenfalls gemeinsam zerstäubt, jedoch wird das Nichtmetall durch Hochfrequenz zerstäubt, während das Metall durch Gleichstrom zerstäubt wird. Der Metallauffänger ist mit einer Gleichspannungsquelle verbunden, und die relativen Mengen an Nichtmetall und Metall in der

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dünnen Schicht und damit der Widerstand der dünnen Schicht kann durch Verändern des an den Metallauffänger angelegten Gleichspannungspotentials gesteuert werden.

Im Vergleich zu Verdampfungstechniken ist der Zerstäubungsprozeß ein sehr gut steuerbarer Prozeß, weil eine Spannungsregelung viel leichter als eine Temperaturregelung durchführbar ist, und das Ansprechen des Prozesses auf eine Spannungsänderung erfolgt wesentlich schneller im Vergleich zu dem thermischen Ansprechen einer Verdampfungsquelle im Vakuum. Weiterhin ist die Niederschlagsmenge, während sie im allgemeinen geringer ist, als die, die durch Verdampfung erzielbar sind, keine strenge Punktion der Spannung; demzufolge ist keine genaue Spannungsregelung erforderlich. Die, so hergestellten Widerstände zeigen einen guten Temperatürgang und ausgezeichnete Haftung auf irgendeiner Unterlage. Außerdem ist kein erhitzter Halter für die Unterlage erforderlich, und es sind bessere geometrische Toleranzen möglich, weil umgekehrte Photolackmaskierungstechniken angewandt werden können. Bei jeder der oben erwähnten früheren Verdampfungstechniken wird normalerweise ein erhitzter Halter für die Unterlage bei Temperaturen verwendet, die den Photolack derart härten würden, daß er nicht ohne Beschädigung der Widerstandsschicht entfernt werden könnte.

Figur 1 ist eine teilweise schematische, von der Seite gesehene Schnittansicht eines Systems oder einer Einrichtung zum Durchführen eines Ausführungsbeispiels der Erfindung.

Figur 2 ist eine von der Kante her gesehene Schnittansicht einer elektrischen Anordnung, die einen Dünnschichtwiderstand gemäß, de r Er findung e nth al t.

Figur J ist eine schematische Darstellung, die ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.

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Bei einem ersten Ausführungsbeispiel umfaßt die Erfindung ein Verfahren und eine Einrichtung zum gleichzeitigen hochfrequenzmäßigen Zerstäuben eines metallischen und eines nichtmetallischen Materials auf eine Unterlage, die sich in der Atmosphäre eines Gases befindet, das unter den Zerstäubungsbedingungen im wesentlichen inaktiv ist. Das Metall kann z.B. eine der käuflich zur Verfügung stehenden Nickel-Chrom-Legierungen sein. Das Nichtmetall kann z.B. ein dielektrisches Material wie Glas sein. Eine Art von Glas, die sehr gut wirkt, ist Borsilikatglas, das ein Hochtemperaturglas ist.

Andere Metalle, die verwendet werden können, sind z.B. Molybdän, Gold, Rhodium, Titan, Nickel, Kupfer, Eisen, rostfreier Stahl, Aluminium, Chrom, Tantal, Silber usw. Andere Nichtmetalle, die verwendet werden können, sind z.B. Silizium, Galliumphosphid, Quarz, Germanium, Aluminiumoxyd, Berylliumoxyd, Bariumtitanat, Magnesiumoxyd, Zirkoniumoxyd usw. Die Metalle und Nichtmetalle können in beliebigen Kombinationen verwendet werden.

Die bevorzugte inaktive Gasatmosphäre ist Argon, es können jedoch auch andere Gase oder Dämpfe verwendet werden, einschließlich beispielsweise Quecksilberdampf, Helium, Wasserstoff, Neon, Krypton, Stickstoff usw.

Hochfrequenzbeschuß ermöglicht, daß Nichtmetalle infolge de© allen dielektrischen Materialien gemeinsamen "Ladungsträgerspeichereffektes" zerstäubt werden. Zerstäubung durch Hochfrequenzplasmaerzeugung erlaubt außerdem, daß relativ einfache Vakuumkammerhalte vorrichtungen verwendet werden.

Ein weiter Bereich von Widerstandswerten kann hergestellt werden, indem die großen Änderungen in dem Massewiderstand ausgenutzt werden, die durch Ändern des Verhältnisses Metall 2m Glas erzielbar sind. Widerstandwerte von im niedrigen Fall z.B.* 100

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Mikroohm-Zentimeter (alle Metalle) bis zu unendlich (alle Dielektrika) sind möglich. Ein Vorteil, den Massewiderstand als Veränderliche für Mikroschaltungsanwendungen zu haben, besteht •darin, daß ohne Veränderung der Schichtdicke für eine gegebene Schaltung jeder Wert des Flächenwiderstandes erzeugt werden kann, ohne Umgestalten der Masken, die das Länge- zu Breite-Seitenverhältnis für die Widerstände bestimmen.

Optimale Packungsdichte einer Mikroschaltung kann man durch geschickte Ausgestaltung der Masken erreichen, so daß alle Widerstände nahezu ein quadratisches Seitenverhältnis haben. Jeder wesentlich abweichende Bereich des Widerstandswertes würde dann eine darauf zugeschnittene Widerstandsschicht haben.

Weil dieses Verfahren für die präzise Festlegung der Widerstandsränder geeignet ist, ist es zur genauen Festlegung der Breite eines Widerstandes und damit zum genauen Einhalten der Toleranz der Widerstandswerte geeignet. Im Vergleich dazu gestatten andere Verfahren für Widerstandsschichten, die im allgemeinen erhitzte Unterlagen erfordern, nicht das Niederschlagen von Widerstandsschichten auf der Oberseite einer Photolackschicht. Andere Widerstandsschichtverfahren erfordern, daß die Widerstandsschicht auf der ganzen Fläche des Werkstücks niedergeschlagen und dann selektiv geätzt wird, um die unerwünschte Widerstandsschicht zu entfernen. Die Notwendigkeit eines selektiven Ätzmittels, das die Widerstandsschicht wegätzt, aber nicht die Schaltung, auf der diese niedergeschlagen ist, schränkt die Art der Schichten, die niedergeschlagen werden können, ein. Selektives Ätzen ergibt außerdem eine schlechte Genauigkeit.

Gemäß der vorliegenden Erfindung können hochohmige Dünnsch'ichtwiderstandselemente auf irgendwelchen geeigneten Unterlagen, wie z.B. einem oxydierten Silizium-Halbleiterplättchen, nieder-

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geschlagen werden. Figur 1 zeigt schematisch das erste Ausführungsbeispiel der Erfindung. Eine unterlage 10, und ein Silizium-Halblei terblattchen mit einem Siliziumdioxydüberzug sind in einer Plattierungskammer 11 angeordnet, die zweckmäßigerweise eine übliche Vakuumglocke mit einem Oberteil 12 und einem Unterteil 13 sein kann. Es sind Mittel (nicht dargestellt) vorgesehen zum Evakuieren der Kammer durch die Rohrleitung 14. Um eine inaktive Atmosphäre zu schaffen, wird vorzugsweise ein indifferentes Gas wie z.B. Argon verwendet. Das Gas wird durch eine Rohrleitung 15 in die Kammer eingeführt.

In der Kammer sind Quellen oder Auffänger 16 aus Metall oder einer Legierung und aus Glas angebracht. Die Materialquellen enthalten vorzugsweise zusammengesetzte Elemente, die aus einem Metall- oder Legierungsteil 17 und einem Glasteil 18 bestehen. Die Quelle 16 kann z.B. aus einem Blech einer Nickel-Chrom-Legierung bestehen, auf dem ein Stück eines Dielektrikums, wie z.B. Borsilikatglas befestigt ist. ■

Die Quellen 16 für Metall oder eine Legierung und für Glas sind an Haltern 19 befestigt, die von Ständern 20 gehalten werden. Geeignet isolierte elektrische Leitungen 21 sind in den Ständern 20 und den Haltern 19 angebracht und verbinden die Quellen 16 mit einem Hochfrequenzgenerator 22.

Die Unterlage 10 ist auf einem Metallträger 24 angeordnet, der ein Titanblech sein kann. Der Träger 24 ist durch eine Halterung 25 an einem Ständer 26 befestigt. Eine elektrische Leitung 21 läuft durch die Halterung 25, den Ständer 26 und den Unterteil 13 zu einer äußeren Anschlußklemme 32, die mit. der Hochfrequenzschaltung verbunden werden kann, bevor die Schicht niedergeschlagen wird, um die Oberfläche der Unterlage sauber zu sprühen.

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Als besonderes Beispiel des Verfahrens zur Durchführung der vorliegenden Erfindung werden zwei Materialquellen auf folgende Weise angefertigt. Ein etwa.3 mm dicker Stab aus hochtemperaturbeständigem Borsilikatglas wird mit einem 0,5 nun dicken Blech einer Legierung von ungefähr 80 % (Gewicht) Nickel und 20 % Chrom mit Hilfe eines Drahtes der gleichen Metallegierung verbunden. Diese Quellen werden in einer Vakuumkammer angeordnet, wie es Figur 1 zeigt. Ein Siliziumblättchen, welches so oxydiert ist, daß es einen Überzug aus Siliziumdioxyd hat, wird dann auf den Halter gelegt, und sowohl die Quellen als auch das Siliziumblättchen werden dann in der Vakuumkammer eingeschlossen. Die Kammer wird dann auf einen Druck von 8 · 10"^ Torr evakuiert. Die Vakuumpumpe wird dann teilweise gedrosselt und es wird Argongas eingelassen, bis ein Druck von ungefähr 1 Mikrotorr hergestellt ist.

Zu Beginn werden die Klemmen 30 und 31 beide mit der Leitung der Hochfrequenzschaltung und die Klemme 32 mit der Leitung 34 der Schaltung verbunden. Der Hochfrequenzgenerator wird dann eingeschaltet, um die Oberflächen der Quellen und der Unterlage sauber zu sprühen. Ein geeigneter Generator ist ein solcher, der eine Leistung von 1000 Watt hat und bei einer Frequenz von 27,1 MHz arbeitet.

Der Hochfrequenzgenerator 22 ist mit Hilfe einer Koppelspule mit einem Schwingkreis 36 und von dort aus mit Leitungen 33 und 34 verbunden. Die Leitungen 33 und 34 können dann mit einer der Klemmen 30, 31 und 32 verbunden werden, abhängig davon, ob ein Reinigungssprühen oder ein Niederschlagssprühen erwünscht ist.

Nachdem das Saubersprühen beendet ist, wird die Klemme 30 allein mit der Leitung 33 und die Klemme 3I allein mit der Leitung 34 verbunden. Die Klemme 32 wird von der Schaltung abgetrennt und bleibt frei.

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Der Hochfrequenzgenerator wird wieder eingeschaltet, um in der Vakuumkammer ein Argonplasma zu erzeugen. Das Plasma dient als Quelle positiver Ionen, die die Oberfläche der Quellen beschießen, wenn sie in jeder negativen Halbwelle der Hochfrequenzspannung negativ vorgespannt sind, und dadurch bewirken, daß Atome des Quellenmaterials losgelös.t und auf die Unterlage 10 geschleudert werden.

Die Unterlage, die mit einem positiv wirkenden Photolack,, wie z.B. Shlppley's Photolack, bedeckt ist, um die Abmessungen des gewünschten Widerstandes zu begrenzen, empfängt einen Niederschlag für ungefähr zwei Minuten.

Das durch die Zerstäubung bedeckte Siliziumblättchen wird dann aus der Vakuumkammer entfernt, und die Photolackmaske und die überflüssige Widerstandsschicht werden unter Verwendung eines geeigneten Lösungsmittels, wie z.B. Xylol, und ein leichtes Bürsten entfernt. Die entstandene Widerstandsschicht hat keine Kratzer als Folge des Bürstvorgangs und weist eine gute Adhäsion auf der Unterlage auf.

Der Widerstandswert des sich ergebenden Cermet-Dünnschichtwiderstandes lag in der Größenordnung von 100 000 0hm pro Quadrat und zeigte keine sichtbare Änderung, wenn 200 Volt an den Widerstand gelegt wurden.

Gemäß Figur 2 können die durch das soeben beschriebene Verfahren hergestellten Erzeugnisse aus einer Silizium-Halbleiter-Unterlage 41 bestehen, die mit einer Siliziumdioxydschicht 42 überzogen ist, auf der der hochohmige Dünnschichtwiderstand 43 niedergeschlagen ist. Durch übliche Abdeckungstechniken können dann, vorzugsweise durch Vakuumplattieren, Anschlüsse 44 an dem Widerstand 4j5 angebracht werden. Es wurde gefunden, daß vakuumplattierte Aluminiumkontakte oder -anschlüsse besonders ein- · wandfrei sind. Das vollständige Bauteil kann dann mit einer

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Schicht 45 aus Isoliermaterial, wie z.B. Siliziumdioxyd oder -monoxyd überzogen werden, und zwar durch Anwendung von Hochfrequenzzerstäubung im Falle von Siliziumdioxyd oder Verdampfung im Falle von Siliziummonoxyd. Dies ist kein kritischer Schritt, da die Schicht 45 nur dick genug sein muß, um die Widerstandsschicht wirksam zu passivieren.

Ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Figur 3 gezeigt. Allgemein gesagt wird bei diesem Ausführungsbeispiel die Hochfrequenzenergie dazu benutzt, das Plasma zu erzeugen und den Nichtmetallauffänger zu zerstäuben, und ein steuerbares Gleichspannungspotential wird dazu, benutzt, den Metallauffänger zu zerstäuben. Wie in dem ersten Ausführungsbeispiel werden das Nichtmetall und das Metall gleichzeitig zerstäubt. Die Größe des Gleichspannungspotentials.bestimmt die Menge des leitenden Materials,'das auf der Unterlage niedergeschlagen wird, und damit den Widerstand der niedergeschlagenen dünnen Schicht.

Figur J) ist eine schematische Draufsicht einer Vakuumkammer und zeigt nur die Metallunterseite 50 der Vakuumkammer. Geeignet befestigt innerhalb der Vakuumkammer ist ein Paar von Nichtmetallauffängern 52 und 54. Diese Auffänger können aus einer Glaszusammensetzung, wie z.B. Borsilikatglas bestehen. An den Auffängern 52 bzw. 54 sind leitende Elektroden 56 und 58 befestigt. Die Elektroden können z.B. aus Silizium oder'metallisiertem Silizium bestehen und sind mit Hilfe isolierter Leitungen 60 und 62 mit einer einstellbaren Hochfrequenzquelle verbunden. Außerdem ist im Inneren der Vakuumkammer ein Halter 64 für Unterlagen angeordnet, auf dem eine Mehrzahl von isolierenden Unterlagen 63 befestigt ist. Zwischen dem Unterlagenhalter 64 und den Auffängern 52 und 54 ist in geeigneter Weise ein Metallgitter oder ein Gitterauffänger 66 angeordnet, der z.Ö. aus Chromnickel oder Molybdän hergestellt sein kann. Der Auffänger 66 ist mit Hilfe einer geeignet isolierten Leitung 68 mit der

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negativen Klemme einer veränderbaren Gleichspannungsquelle 70 verbunden. Der Vakuumkammerunterteil 50 und die andere Klemme der Gleichspannungsquelle sind mit Erde verbunden. Die Spannungsquelle ist so veränderbar, daß eine Gleichspannung, von Ö bis -1000 Volt an den Gitterauffänger 66 angelegt werden kann. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die verschiedenen Elemente im Inneren der Vakuumkammer relativ zu dem Unterteil 50 vorzugsweise quer angeordnet, wie in Figur 5 gezeigt ist, statt daß sie senkrecht übereinander angeordnet sind, wie es für das erste Ausführungsbeispiel in Figur 1 gezeigt ist.

Im Betrieb wird, wenn ein Hochfrequenzsignal über die Leitungen 60 und 62 an die dielektrischen Auffänger 52 und 54 angelegt wird, und eine Gleichspannung an den Metallgitterauffänger 66 angelegt wird, dielektrisches Material und Metall gleichzeitig zerstäubt und auf den isolierenden Unterlagen ßj> niedergeschlagen. Das dielektrische Material wird durch Hochfrequenz zerstäubt und das Metall durch Gleichspannung. Die Zusammensetzung der dünnen Schicht und damit ihr Widerstand können durch Verändern der Größe der Gleichspannung gesteuert werden. Wenn die negative Gleichspannung zunimmt, wird eine größere Menge Metall zerstäubt, wodurch der Widerstand der niedergeschlagenen dünnen Schicht verringert wird.

Wenn die Gleichspannung Null ist, wird kein Metall zerstäubt und die niedergeschlagene dünne Schicht ist reines dielektrisches Material. Nachdem eine Schicht gewünschter Zusammensetzung, d.h. gewünschten Widerstands niedergeschlagen ist, kann die Gleichspannung auf Null verringert werden, um eine Passivierungs- oder Isοlierungsschicht aus reinem dielektrischen Material auf der Widerstandsschicht niederzuschlagen.

Der Anteil an Metall in der niedergeschlagenen Schicht kann außerdem dadurch begrenzt werden, daß Metallgitterauffänger

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verschiedener Maschengröße verwendet werden. Ein feines Gitter ermöglicht, daß eine größere Menge an Metall zerstäubt wird als bei einem gröberen Gitter. Weiterhin kann die Zusammensetzung durch Steuern der an den nichtmetallischen Auffänger angelegten Hochfrequenzenergie verändert werden. Wenn die Stärke der Hochfrequenzenergie erhöht wird, wird eine größere Menge nichtmetallischen Materials zerstäubt und dadurch der Widerstand der niedergeschlagenen Cermet-Schicht erhöht.

Die Technik des gleichzeitigen Hochfrequenz- und Gleichspannungszerstäubens kann dazu verwendet werden, dünne Schichten herzustellen, die leitende, isolierende, Widerstands- und halbleitende Eigenschaften haben, und außerdem Lagen solcher dünner Schichten in beliebiger Kombination. Diese Technik kann auch dazu verwendet werden, mehrschichtige dichroitische Fasern herzustellen oder Spiegel, die durchlässige oder halbdurchlässige Beläge haben. Außer für Widerstände kann die Technik dazu verwendet werden: (l) Feldeffekttransistoren einschließlich einzelner Teile derselben, wie Kanäle, Isolierschichten, Gates und Kontakte an allen diesen Teilen zusammen herzustellen; (2) Leitungen mit einer isolierenden Schicht herzustellen; (3) Tunneleffektanordnungen herzustellen; (4) lichtemittierende Anordnungen, wie z.B. Phosphorschichten mit Metallkontakten herzustellen. Weiterhin kann die Technik dazu verwendet werden, ätzmittelbeständige Schichten, Oberfläehenhärtungsschichten und Kontaktmittel-{Katalysator-)schichten herzustellen.

Die oben aufgeführten, zum Gebrauch bei dem ersten Ausführungsbeispiel geeigneten Materialien für die Auffänger und das Gas können auch bei dem zweiten Ausführungsbeispiel verwendet werden.

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Claims

Patentansprüche

(l.) Verfahren zum Niederschlagen einer elektrischen Widerstandsschicht auf einer Unterlage, bei dem einer ionisierbaren Gasatmosphäre Hochfrequenzenergie zugeführt wird, um ein ionisiertes Plasma zu erzeugen, bei dem eine Quelle für Metall und eine Quelle für ein dielektrisches Material mit dem Plasma beschossen wird, um in dem Plasma eine Mischung von aktiven Teilchen des Metalls und des dielektrischen Materials zu erzeugen, und bei dem die Teilchen dieser Mischung in der Form des gewünschten Widerstandselements als Schicht auf der Oberfläche der Unterlage niedergeschlagen.werden (gemäß Patent (Patentanmeldung P I6650865)), dadurch gekennzeichnet, daß an die Nichtmetallquelle Hochfrequenzenergie und an die Metallquelle ein negatives Gleichspannungspotential angelegt wird.

2.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gleichspannungspotential verändert werden kann, um in einem gewissen Bereich die Anzahl der Metallteilchen in der Mischung und damit den Widerstand der Schicht zu verändern.

5.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der Hochfrequenzenergie einstellbar ist, um in einejn gewissen Bereich die Anzahl der nichtmetallischen Teilchen in der Mischung und dadurch den Widerstand der Schicht zu verändern.

4.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallquelle zwischen der Unterlage und der Nichtmetallquelle angeordnet wird.

5.) Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallquelle die Form eines Metallgitters hat.

6.) Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Maschengröße des Metallgitters beeinflußt wird, um den Bereich der Änderung der Anzahl der Metallteilchen zu begrenzen.

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7.) Einrichtung zum Niederschlagen eines Dünnschicht-Cermet-Widerstandes auf einer innerhalb einer Kammer angeordneten Unterlage, gekennzeichnet durch einen Metallauffänger und einen •Nichtmetallauffänger im Inneren der Kammer, eine Vorrichtung zum Einleiten· eines ionisierbaren Gases in die Kammer, eine Vorrichtung zum Ionisieren des Gases, um ein positive Ionen enthaltendes Plasma zu erzeugen, und eine elektrische Einrichtung, die bewirkt, daß die Ionen gleichzeitig die Auffänger beschießen, um Teilchen derselben derart loszulösen, daß diese Teilchen auf der Unterlage niedergeschlagen werden, um darauf einen Dünnschicht-Cermet-Widerstand zu bilden.

8.) Einrichtung nach Anspruch 7> dadurch gekennzeichnet, daß die Ionisierungsvorrichtung eine Quelle für Hochfrequenzenergie umfaßt.

9.) Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Einrichtung Mittel zum Verbinden der beiden Auffänger mit einer Quelle für Hochfrequenzenergie enthält, so daß beide Auffänger gleichzeitig durch Hochfrequenz zerstäubt werden.

10.) Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Einrichtung Mittel umfaßt zum Verbinden des Nichtmetallauffangers mit einer Quelle für Hochfrequenzenergie, um das nichtmetallische Material durch Hochfrequenz zu zerstäuben, und Mittel zum Verbinden des Metallauffangers mit einer Gleichspannungsquelle, um das Metall durch Gleichspannung zu zerstäuben.

11.) Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichspannungsquelle einstellbar ist, um die Anzahl der von dem Metallauffänger losgelösten Teilchen und damit den Widerstand des Dünnschicht-Cermet-Widerstandes zu steuern.

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12.) Einrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallauffänger ein Metallgitter enthält, das zwischen der Unterlage und dem Nichtmetallauffänger angeordnet ist.

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