DE1817596A1 - Halbleiteranordnung und Verfahren zur Montage derselben - Google Patents

Halbleiteranordnung und Verfahren zur Montage derselben

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DE1817596A1 DE19681817596 DE1817596A DE1817596A1 DE 1817596 A1 DE1817596 A1 DE 1817596A1 DE 19681817596 DE19681817596 DE 19681817596 DE 1817596 A DE1817596 A DE 1817596A DE 1817596 A1 DE1817596 A1 DE 1817596A1
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Description

  • Halbleiteranordnung und Verfahren zur Montage derselben Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einer mit Ausnehmungen versehenen Halterung sowie ein Verfahren zum Zusammenbau der Halbleiteranordnung und zur Montage auf der Halterung.
  • Bei bekannten Verfahren zum Kapseln von Halbleiterscheiben auf Halterungen ist eine sehr grosse Genauigkeit erforderlich, um zunächst die Halbleiterscheibe an einen bestimmten Platz auf der Halterung zu bringen und anschliessend die Anschlussleitungen an bestimmte Bereiche der Halbleiterscheibe anzuschliessen.
  • Eine solche hohe Genauigkeit ist z.B. beim Befestigen der aus einem Draht bestehenden Zuführungsleitungen zum Emitter und zur Basis eines Nesa-Transistors erforderlich. Diese hohe, für die die Montage erforderliche Genauigkeit wirkt sich häufig nachteilig aus, da die Arbeitsgeschwindigkeit des Montagebandes verkleinert werden muss und die Kosten für das Kapseln der Halbleiteranordnung sich erhöhen. Es ist daher für gewisse Fälle eine Verringerung der Toleranz anforderungen bei bestimmten Montageschritten während der Montage wünschenswert, um die für die Montage benötigte Zeit zu verkürzen und die Fabrikationskosten zu verringern, wobei gleichzeitig bestimmte Minimal anforderungen eingehalten werden.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung zu schaffen, deren Aufbau eine leichtere und raschere Montage zulässt, wobei die Toleranzanforderungen für die Montage der Halbleiterscheibe auf einer Halterung und für das Verbinden der Halbleiterscheibe mit den nach aussen führenden Anschlussleitungen verringert werden können. Ferner soll ein Verfahren zum Zusammenbau einer Halbleiteranordnung und zur Montage auf einer Halterung geschaffen werden, mit dem die Möglichkeit geboten wird, die Halbleiteranordnung mit verringerten Toleranzanforderungen herzustellen. Dabei soll das Verfahren die Möglichkeit der Verwendung gegenwärtig bekannter und zur Verfügung stehender Montageteile bieten, wie sie insbesondere zum Kapseln von Transistoren Verwendung finden.
  • Diese Aufgabe wird bei einer Halbleiteranordnung mit einer mit Ausnehmungen versehenen Halterung dadurch gelöst, dass die Halbleiterscheibe in der Ausnehmung der Halterung derart angeordnet ist, dass die Abmessung der Halbleiterscheibe in zumindest einer gegebenen Richtung kleiner ist als die Abmessung der Ausnehmung in der entsprechenden Richtung, dass an der Halterung zumindest eine Anschlussleitung montiert ist und in elektrischer Kontaktverbindung mit der Halbleiterscheibe steht, und dass die Anschlussleitung eine Abmessung aufweist aufweist, die bezüglich der Differenz der Abmessungen der Halbleiterscheibe und der Ausnehmung gross genug ist, um unabhängig von einer Veränderung der Lage der Halbleiterscheibe In der Ausnehmung immer eine elektrische Kontaktgabe zu gewährleisten.
  • Das erfindungsgemässe Verfahren zum Zusammenbau der Halbleiteranordauag und zur Montage derselben auf einer Halterung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheibe in einer an der Halterung vorgesehenen Ausnehmung angeordnet wird, wobei die Abmessung der Ausnehmung in einer gegebenen Richtung grösser ist als die Abmessung der Halbleiterscheibe in der entsprechenden Richtung, und dass die Halbleiterscheibe mit Anschlussleitungen verbunden wird, deren Abmessung gleich oder grösas ist als die Differenz der Abmessungen der Ausnehmung und der Halbleiterscheibe in der gegebenen Richtung.
  • Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung werden zur Erleichterung der elektrischen Kontaktgabe mit der Halbleiterscheibe leitfähige Körper verbunden, die mit den Anschlussleitungen in Kontaktverbindung stehen, wobei die Toleranzanforderung für die Kontaktgabe verhältnismässig klein ist.
  • Weitere Merkmale der Erfindung sind Gegenstand weiterer Unteransprüche.
  • Eine beispielsweise Ausführungsform der Erfindung ist in der Zeichnnng dargestellt. Es zeigen: Fig. 1 eine erste Trägerplatte in perspektivischer Ansicht, auf welche in einem ersten Verfahrensschritt Halbleiterscheiben aufgelegt werden.
  • Fig.
  • Fig. 2 eine zweite, der ersten Trägerplatte gegenüber angeordnete Trägerplatte in perspektivischer Ansicht, auf welche die Halbleiterscheiben zum Anbringen leitender Kugeln übertragen werden.
  • Fig. 3 Schnitte durch die zweite und eine dritte Trägerplatte, welche das Anbringen der leitenden Kugeln auf der Halbleiterscheibe und gegebenenfalls auf der Rückseite derselben illustrieren.
  • Fig. 4 eine auseinandergezogene Ansicht der für die Montage der Halbleiterscheibe auf einer Halterung verwendeten Teile, wobei die Halbleiterscheibe vergrössert herausgezeichnet ist.
  • Fi. 5 eine gemäss der erfindung fertig montierte Halbleiteranordnung in perspektivischer Ansicht.
  • Fig. o eine Darstellung der Kontaktverbindung zwischen den Anschlussleitungen und der Oberfläche der Halbleiterzcheibe über die leitenden Kugeln.
  • Fig. 7 eine der Fig. 8 entsprechende Ausführungsform der Kontaktverbindung, wobei nur eine einzige leitende Kugel auf der Cberflrcke der Halbleiterscheibe und nur eine einzige Anschlussleitung vorgesehen sind.
  • Fig. @ eine perspektivische Ansicht einer weiteren teilweise fertiggestellten Halbleitermontage nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.
  • Die Erfindung wird anhand einer Halterung beschrieben, die Ausnehmungen für das Einsetzen einer Transistor-Halbleiterscheibe aufweist, wobei die Ausnehmung in zumindest einer Richtung Richtung grösser ist als die Abmessung der Halbleiterscheibe in dieser Richtung und somit das Anbringen der Halbleiterscheibe auf der Halterung erleichtert. Mit einem auf der Halbleiterscheibe angeordneten leitfähigen Teil wird eine Anschlussleitung in Kontaktverbindung gebracht, wobei die Abmessung der Anschlussleitung in der gegebenen Richtung zumindest gleich oder grösser ist als die Differenz der Abmessungen der Halbleiterscheibe und der Äusnehmung. Daher kommt der leitende Teil immer unter der Anschlussleitung zu liegen, unabhängig von der speziellen Position der Halbleiterscheibe in der Ausnehmung.
  • In Fig. 1 ist eine metallische Trägerplatte 10 dargestellt, die eine Vielzahl auf der Oberseite angebrachte Ausnehmungen 12 aufweist. In diese Ausnehmungen werden Halbleiterscheiben 8 eingelegt. Die Abmessungen einer Ausnehmung 12 sind grösser als die entsprechenden Abmessungen der Halbleiterscheibe, so dass diese leicht in die Ausnehmungen 15 einer zweiten Trägerplatte 14 aus Graphit umgelegt werden können.
  • Sobald die Halbleiterscheiben 8 in die Ausnehmung 12 eingelegt sind, wird die zweite Trägerplatte 14 aus Graphit über der ersten, wie in Fig. 2 dargestellt, derart angeordnet, dass die Halbleiterscheiben von der ersten Trägerplatte 10 auf die zweite Trägerplatte 14 übertragen werden können. Die zweite Trägerplatte 14 besitzt eine entsprechende Vielzahl von Ausnehmungen 15, die im wesentlichen die gleichen Dimensionen aufweisen wie die Halbleiterscheibt 8, so dass diese in den Ausnehmungen 15 bündig sitzen.
  • Das Umlegen der Halbleiterscheiben 8 aus der ersten metallischen Trägerplatte 10 in die zweite Trägerplatte 14 aus Graphit wird in der Weise ausgeführt, dass zwei Kanten der Ausnehaungen Ausnehmungen 15 auf zwei entsprechende Kanten der Ausnehmungen 12 ausgerichtet sind und die untere Oberfläche der Trägerplatte 14 auf die Oberfläche der Trägerplatte 10 aufgelegt wird. Dieser Vorgang kann durch zwei Führungestifte und zwei entsprechende Führungslöcher in den beiden Trägerplatten erleichtert werden; diese Führungsstifte und Führungslöcher sind jedoch in der Zeichnung nicht dargestellt. Die beiden Trägerplatten werden dann kurzzeitig mit der Hand zusammengehalten und umgedreht. Die beiden Trägerplatten werden sodann in einem Vibrator mit einer geringen Schräglage abgelegt und einer mechanischen Erschütterung ausgesetzt, wobei in dieser Lage die aufeinander ausgerichteten Kanten die tieferliegenden Kanten der Trägerplatten sind. Durch die mechanische Erschütterung und auf Grund des Eigengewichtes fallen die Halbleiterscheiben 8 aus den Ausnehmungen 12 der Trägerplatte 10 in die entsprechenden Ausnehmungen 15 der zweiten Trägerplatte 14.
  • In dieser nicht in der Zeichnung dargestellten Position weist die zunächst nach unten gerichtete Oberfläche der Trägerplatte 14 nunmehr nach oben. Die erste Trägerplatte 10 wird abgehoben und eine dritte, ebenfalls aus Graphit hergestellte Trägerplatte 18 an deren Stelle auf der Oberfläche der ersten Trägerplatte 14 abgelegt und an dieser mit zwei Schrauben unter Verwendung von Führungsstiften und Führungslöchern oder dergleichen befestigt. Die auf der Unterseite befindliche Trägerplatte 14 und die daran befestigte, auf der Oberseite befindliche Trägerplatte 18 werden nun zusammen umgedreht, so dass sie die in Fig. 3 dargestellte Lage einnehmen. Der Zweck dieser Verfahrensschritte ergibt sich aus der nachfolgenden Beschreibung.
  • In In Fig. 3 befinden sich die Halbleiterscheiben ? in einer Lage, in der die aktiven Bereiche nach oben weisen. Nunmehr werden leitende Teile, z.B. eine Metallkugel 13, in Kanäle 22 eingeführt, die die Kugeln derart bis zur Halbleiterscheibe führen, dass die Kugel auf der Oberfläche der Scheibe zu lieten kommt. Mit Hilfe eines nachfolgend beschriebenen Verfahrens werden die leitenden Kugeln an der Haibleiterscheibe bebefestigt, um die Herstellung der Kontaktverbindung mit der Halbleiterscheibe zu erleichtern. Auch in der dritten Trägerplatte 18 kann ein Kanal 27 vorgesehen sein, durch den ein Stück Lot 17 der Rückseite der Halbleiterscheibe 8 zugeführt werden kann. Dieses Stück Lot wird später dazu vervendet, um die Halbleiterscheibe 8 auf der Halterung zu befestigen. Jedoch ist die Verwendung eines Kanals 23 zum Anoringen eines Stückes Lot 17 a.f der Rückseite der Halbleiterscheibe nicht unbedingt erforderlich, da die Halbleiterscheibe auf der Halt-. rung auch dadurch befstigt werden kann, dass ein Stück Lot zwischen die Scheibe und die Halterung eingelegt und die gesamte Anordnung so lange erhitzt wird, bis das flüssigs Lot die Halbleiterscheibe 8 mit der Halterung verbindet.
  • Der leitende Teil 13, der in Fig. 3 in Form einer Kugel dargestellt ist, jedoch nicht notwendigerweise diese geometrische Form aufweisen muss, kann mit der Halbleiterscheibe mit Hilfe einer kleineren Kugel 9 verbunden werden, die zuerst in den Kanal 19 eingeführt und über welcher die grsere leitende Kugel angeordnet wird. Anstelle der kleinen Kugeln kann auch eine grosse, mit Lot überzogene Kugel verwendet oder die Halblei'terscheibe zuvor mit Lot überzogen werden Der Aufbau gemäss Fig. 3 wird sodann in einen Ofen gebracht und soweit erhitzt, dass die aus einem Lot bestehenden Kugeln 9 schmelzen und die leitende Kugel 13 mit der Halbleiterscheibe 8 verbinden. Die Halbleiterscheibe 8 kann entreder metallisiert sein sein, wenn eine mit Lot überzogene Kugel 13 verwendet wird, oder mit Lot überzogen sein, wenn eine metallische Kugel 13 Verwendung findet. Die kleinere, mit Lot überzogene Kugel kann weggelassen werden, wenn eine mit Lot überzogene Metallkugel und eine metallisierte Halbleiterscheibe Verwendung findet. Die zweite Trägerplatte 14 besitzt zwei Kanäle 22, 24, die jeweils zu einer Ausnehmung 15 und der darin gehalterten Halbleiterscheibe S verlaufen. Über diese Kanäle können z.B. mit Hilfe von Kugeln zwei metallische Kontaktverbinlungen hergestellt werden, wie dies bei einem Transistor der Fall ist, dessen dritter Kontaktanschluss auf der Rückseite der Halbleiterscheibe vorgesehen ist. In Fig. 4 ist in vergrössertem Maßstab eine Halbleiterscheibe 8a dargestellt, bei der die Basis 37 und der Emitter 39 rnit leitenden Teilen 27 lmd 29 verbunden sind. Diese leitenden Teile sind in der anhand Fig. 3 voraus beschriebenen Weise an der Halbleiterscheibe befestigt. Die in der Weise teilmontierte Halbleiterscheibe 8a wird in der nachfolgenden Beschreibung nur als Halbleiterscheibe 8a bezeichnet.
  • In Fig. 4 ist eine alterung 20 dargestellt, die drei aus nehmungen 26, 66 und 76 aufweist, in denen Halbleiterscheiben unterschiedlicher Grösse angeordnet werden können. Die Halbleiterscheibe 8a wird in der Ausnehmung 26 montiert, und nur diese Montage wird nachfolgend beschrieben. Selbstverständlich können auch in den Ausnehmungen 66 und 76 Halbleiterscheiben mit unterschiedlicher Grösse und Formgebung befestigt werden. Z.B. kann eine Halbleiterscheibe in der Ausnehmung 66 unter verwendung der Klemme 42 befestigt werden, indem diese Klemme einfach umgedrent wird. Der Transistoraufbau gemäss Fig. 4 wird genau in der (eihenfolge zusammengebaut, wie es durch die auseinandergezogene Darstellung gezeigt wird. Dabei eerd*r. zwei stifte 38 und 49 durch entsprechende Lotscheiben Lotscheiben 34 und 36 sowie durch die Qffrnrngen 28 und 30 in -der Halterung 20 gesteckt. Die Anschlussklemme 42 besitzt Teile 43 und 45, die über die Halbleiterscheibe 8a ragen und auf die oberen Enden der Stifte 38 und 40 passen. Über der Anschlussklemme 42 wird nach dem Zusammenbau ein Gewicht 44 angeordnet, das eine bessere Verbindung insbesondere zwischen der Halbleiterscheibe 8a und der Halterung 20 beim Verlöten gewährleistet. Nachdem die Anschlussklemme 42 auf den Stiften 38 und 40 und an der Halterung 20 durch Verlöten befestigt ist, kann das Gewicht 44 entfernt werden. Anschliessend wird, wie aus Fig. 5 erkennbar, die Brücke 47 der Anschlussklemme 42 abgetrennt und damit der elektrische Kurzschluss zwischen dem Emitter und der Basis des auf der Halbleiterscheibe 8a angeordneten Transistors entfernt. Während des Zusammenbaus dient die Brücke 47 der Anschlussklemme 42 der richtigen Ausrichtung der beiden Anschlussleitungen 43 und 45 während der Verlötung.
  • Beim Entzçurf eines Transistoraufbaus gemäss der Erfindung ist es wichtig, dafür zu sorgen, dass die Leitungen 43 und 45 geringe Äbmessungen aufweisen, um das Reinigen des Transistors zu erleichtern. Eine derartige Reinigung des Transistors ist notwendig, da sich viele der elektrischen Parameter verschlechtern, wenn die aktiven Teile der Halbleiterscheibe 8 nicht gereinigt ind. Eine Ultraschallreinigung und eine Sprühreinigung besitzen nur geringe Wirkung, wenn die Leitungen zu gross ausgebildet sind. Daher wird durch das nachfolgend beschriebene Verhältnis der einzelnen Abmessungen eine Bestimmung für eine für die Praxis geeignete Grösse der Leitungsabmessung gegeben.
  • Gemäss Fig. 6 ist die Halbleiterscheibe 8a in die Ausnehmung 26 eingesetzt, die in einer gegebenen Richtung eine Abmessung aufweist aufeist, die gegenüber der entsprechenden Abmessung der Halbleiterscheibe 8a in derselben Richtung um den Abstand A grö3ser ist. Ferner besitzt die Ausnehmung in einer dazu senkrechten Richtung eine Abmessung, die um den Abstand C grösser ist als die entsprechende Abmessung der Halbleiterscheibe. Die Halbleiterscheibe ist normalerweise zentrisch in der Ausnehmung angeordnet, jedoch ist sie zur Beschreibung der ungünstigsten Position in der Darstellung gemäss Fig. 6 ganz in die Ecke 73 der Ausneiimung 26 verschoben. In dieser Lage berühren die leitenden Kugeln 27 und 29 gerade noch die Kanten der Anschlussleitungen 45 und 43, so dass selbst unter diesen ungünstigsten Bedingungen der Transistor noch mit Anschlussleitungen elektrisch verbunden ist. 3a die Halbleiterscheibe 8a zunächst nicht in der Ausnehmung 26 angelötet wird und sich darin frei bewegten kann, kann sie sich um einen Abstand A in einer wichtung verschieben und eine entsprechende Verschiebung der Kugeln 27 und 29 um den Abstand h bewirken. Jedoch bleiben die Kugeln 27 und 29 immer in leitender Verbindung mit den hnschlussleitungen 45 und 43, da die Breite B der Leitungen grösser oder zumindest gleich dem Abstand A ist.
  • Daher muss für den ungünstigsten Fall der Abstand A in der gegebenen Richtung kleiner oder zumindest gleich der Breite B der Mschlussleitung sein. Bei einem tatsächlich mit Erfolg ausgeführten Aufbau der beschriebenen Art hat die Halbleiterscheibe 8 eine Grösse von etwa 3,05 x 3,56 mm und die Ausnehmung eine Grösse von etwa 4,06 x 3,56 mm. Die Breite B der Anschlussleitung beträgt etwa 1,52 mm, wogegen die Abmessung A zwischen 5,08 x 10-1 und 5,58 x 10 1 mm liegt. Die Tiefe der Ausnehmung beträgt etwa 0,3 mm.
  • Die Die Abmessung D gemäss Fig. muss grösser oder gleich der Differenzabmessung C Gein, die sich aus der Differenz der Absungen der Ausnehmung und der Halbleiterscheibe ergibt. eirnn diese Bedingung eingehalten wird, steht die Anschlusseitung selbst unter den ungünstigsten Vorausetzungen immer in elektrischer Kontaktverbindung mit den leitenden Kugeln.
  • Dies ist selbst dann der Fall, wenn sich die Halbleiterscheibe von der einen Ecke 73 in die andere Ecke 63 der Ausnehmung verschiebt. Eine Kontaktgabe ist somit unter den ungünstigsten Bedingungen immer dann gewährleistet, wenn ist und D#C ist.
  • Die leitende Kugel 29 verschiebt sich.innerhalb derselben Grenzen wie die leitende Kugel 27.
  • In Fig. 7 ist die ungünstigste Lage einer leitenden Kugel 31 dargestellt, die sich ergeben kann, wenn z.3. in der Ausnehmung eine Halbleiterscheibe angeordnet ist, die lediglich eine Diode trägt und somit auf der Oberfläche nur eine einzige Kontaktgabe benötigt. Für diese Ausführungsform gemäss Fig.
  • 7 sind dieselben Abmessungen vorgesehen wie für die Ausführungsform gemäss Fig. 6. Der Unterschied der beiden Ausführungsformen besteht darin, dass lediglich eine leitende Kugel 31 vorhanden ist, die mit le: Leitungsanschluss 52 im Bereich 50 in Kontaktverbindung steht. Die Abmessung B des Teiles 50 der Anschlussleitung 52 liegt in einer parallelen Ebene zu der Halbleiterscheibe und muss grösser oder gleich der Abmessung A sein, wogegen die Abmessung D grösser oder gleich der Abmessung C sein muss. i;s ist offensichtlich, lass auch eine er zwei hinausgehende Vielzahl von Kugeln und Anschlussleitungen Verwendung finden kann, wenn für den gegebenen Fall eine zufridenstellende Kontaktgabe gewährleistet ist.
  • Wenn Wenn gegenüber den in den Fig. 6 und 7 dargestellten Verhältnissen die Grösse der Halbleiterscheibe verringert wird, muss die Abmessung B und D der Anschlussleitungen entsprechend vergrössert werden, um sicherzustellen, dass die leitenden Kugeln 27, 29 und 30 sich immer in einem Bereich befinden, in dem sie direkt unter der flachen Oberfläche des parallel zur Ebene der Halbleiterscheibe 8a verlaufenden Teiles 50 der entsprechenden AnschluUsleitung liegen. Wenn daher aus irgendeinem Grund eine Halbleiterscheibe verwendet werden soll, die viel kleiner ist als die vorgesehene Ausnehmung, dann muss dafür Sorge getragen werden, dass die Abmessungen B und D der elektrischen Anschlussleitung entsprechend vergrössert werden, um eine sichere Kontaktgabe zu gewährleisten. Wenn dagegen, abweichend von der Darstellung, die Halbleiterscheibe nur geringfügig kleiner ist als die Ausnehmung, dann können auch Anschlussleitungen Verwendung finden, deren Abmessungen B und D entsprechend kleiner sinda In Fig. 8 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, bei der einzelne Halterungen an einem streifenförmigen Rahmenteil 57 vorgesehen sind, wobei die Halterung aus einer mit dem Rahmenteil als wesentlicher Bestandteil verbundenen Montagebasis 58 besteht. Mit dem Rahmenteil sind an den Punkten 55 die in einem weiteren Streifen 51 angeordneten Anschlussleitungen 53 und 54 verbunden, die über die Abschnitte 56 an dem Streifen 51 hängen. zie Anschlussleitungen 53 und 54 stehen mit der Halbleiterscneibe 8a durch leitende, hinter den Anschlussleitungen 53 und 54 verborgene Kugeln in Kontaktverbindung. Zur Montage wird eine die Halbleiterscheibe 8a tragende und nicht dargestellte Montagevorrichtung zwischen die Wände der Montagebasis 58 derart eingeführt, dass eine in der Montagevorrichtung vorgesehene und die Halbleiterscheibe tragende Ausnehmung diese in der in Fig. 8 dargestellten Position Position ablegt. Die Montagevorrichtung besitzt ferner Einrichtungen, um den Streifen 51 in einer fixierten Zuordnung zur Halbleiterscheibe 8a derart zu halten, dass vor dem Erhitzen der Montageanordnung der Streifen 51 mit den Anschlussleitungen in der in Fig. 8 dargestellten Lage über der Halbleiterscheibe und in Berührung mit den leitenden Kugeln gehalten wird. Der Montage aufbau gemäss Fig. 8 wird zusammen mit der ihn haltenden Montagevorrichtung erhitzt, um den Streifen 51 mit den Leitungen an den Punkten 55 nit dem Rahmenteil 57, die Anschlussleitungen 53 und 54 mit den leitenden Kugeln auf der Halbleiterscheibe 8a und die Halbleiterscheibe 8a mit der Montagebasis 58 zu verbinden. Danach wird die Montagevorrichtung entfernt, so dass lediglich der Montageaufbau gemäss Fig. 8 zurückbleibt. Die nicht dargestellte Montagevorrichtung dient lediglich dem Zweck, die Halbleiterscheibe 8a sowie den Streifen 51 in der gewünschten Position für den Lötvorgang festzuhalten. Nach dem Verlöten der Anordnung wird die Montagevorrichtung wieder entfernt.
  • Aus der vorausgehenden Beschreibung ergibt sich, dass die Halbleiteranordnung und das Verfahren zu deren Aufbau gemäss der Erfindung von besonderem Vorteil für die Montage von Halbleiterelementen ist, da die die Montagezeit und die Herstellungskosten ungünstig beeinflussenden Toleranzanforderungen für einzelne Teile der Halbleiteranordnung erheblich verringert werden können.
  • PatentansPrüche

Claims (9)

  1. Patentansprüche 1. Halbleiteranordnung mit einer Halterung, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t, dass eine Halbleiterscheibe (8) in einer Ausnehmung (26) der Halterung (20) derart angerodnet ist, dass die Abmessung der Halbleiterscheibe in zumindest einer gegebenen Richtung kleiner ist als die Abmessung der Ausnehmung in der entsprechenden Richtung, dass an der Halterung zumindest eine Anschlugsleitung (45) montiert ist und über leitende Teile in elektrischer Kontaktverbindung mit der Halbleiterscheibe steht, und dass die Anschlussleitung eine Abmessung aufweist, die bezüglich der Differenz der Abmessungen der Halbleiterscheibe und der Ausnehmung gross genug ist, um unabhängig von einer Lageänderung der Halbleiterscheibe in der Ausnehmung immer eine elektrische Kontaktgabe zu gewährleisten.
  2. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t, dass die Anschlussleitung (45) in der gegebenen Richtung eine Abmessung D aufweist, die grösser oder gleich der Differenzabmessung v zwischen der Halbleiterscheibe und der Ausnehmung in der gegebenen Richtung ist, und dass die Halbleiterscheibe (8) immer in elektrischer Kontaktverbindung mit der Anschlussleitung (45) unabhängig von der speziellen Lage der Halbleiterscheibe in der Ausnehmung steht.
  3. 3. Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 1, 2 dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe (8) ein leitender Körper (13) angeordnet ist, der die physikalische und elektrische Kontaktverbindung zwischen der Anschlussleitung (45) und der Halbleiterscheibe (8) mit verhältnismässig niederen Toleranzanforderungen herstellt.
  4. 4. Salbleiteranordaug nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e dass auf der Oberfläche der HalLleiterscheibe (8) ein zweiter leitender Körper (29) vorgesehen ist, der eine leitende Kontaktverbindung von der Halbleiterscheibe (8) zu einer zweiten Anschlussleitung (49) herstellt.
  5. 5. Verfahren zum Zusammenbau einer Halblefteranordnung und zu deren Montage auf einer Halterung, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t, dass eine Halbleiterscheibe (8) in einer an der Halterung (20) vorgesehenen Ausnehmung (26) angeordnet wird, wobei die Abmessung der Ausnehmung in einer gegebenen Richtung grösser ist als die Abmessung der Halbleiterscheibe in der entsprechenden Richtung, und dass die Halbleiterscheibe (8) mit Anschlussleitungen (47) verbunden wird, deren Abmessung gleich oder grösser ist als die Differenz der Abmessungen der Ausnehmung und der Halbleiterscheibe in der gegebenen Richtung.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch g e k e n n z e i chn e t, dass zur leichteren elektrischen Kontaktgabe mit der Halbleiterscheibe (8a) leitende Körper (27; 29) verbunden werden, die mit den Anschlussleitungen (47; 49) in Kontaktverbindung stehen, wobei die Doleranzanforderung für die Kontaktgabe verhältnismässig klein ist.
  7. 7. Verfahren nach den Ansprüchen 5 und 6, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t, dass die Halbleiterscheibe (8) zunächst in einer Ausnehmung (15) auf der Oberfläche einer Trägerplatte (14) angeordnet wird, dass die Trägerplatte (14) mit Kanälen (22, 24) versehen ist, die sich von der einen Fläche der Trägerplatte bis zu der Ausnehmung (15) erstrecken, dass ein leitender Körper (13) durch einen Kanal (22) eingeführt wird und auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe (8) zu liegen kommt, und dass die IIalbleiterscheibe und der leitende Körper (13) erhitzt werden, um den leitenden Körper (13) mit der Halbleiterscheibe (8) zu verbinden.
  8. 8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 5 bis 7, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass zum Verbinden des leitenden Körpers (13) mit der Halbleiterscheibe (8) ein Stüc.Lot (9) durch den Kanal (22) vor dem leitenden Körper 417) eingeführt wird, und dass der leitende Körper (17) it ier Halbleiterscheibe bei einer erhöhten Temperatur verlötet wird.
  9. 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 5 bis 8, dadurch g e K e n n z e i c h n e t, dass vor dem Verlöten deG leitenden Körper (13) mit der Halbleiterscheibe (Ç) die Halbleiterscheibe in einer Ausnehmung (12) einer ersten Trägerplatte (10) angeordnet wird, dass die erste Trägerplatte an der zweiten Trägerplatte (14) befestigt wird, wobei die Ausnehmungen der ersten Trägerplatte und der zweiten Trägerplatte aufeinander ausgerichtet sind, dass die miteinander verbundenen Trägerplatten umgedreht und einer mechanischen Erschütterung derart ausgesetzt werden, dass die Halbleiterscheibe (8) von der einen Ausnehmung (12) der ersten Trägerplatte (10) in die andere Ausnehmung (15) der zweiten Urägerplatte zu te (14) fällt, dass die erste Trägerplatte (10) von der zweiten Trägerplatte (14) entfernt und eine dritte Trägerplatte (18) mit der zweiten Trägerplatte verbunden wird, wobei die Halbleiterscheibe (8) in der Ausnehmung (15) der zweiten Trägerplatte liegenbleibt, und dass der leitende Körper (13) durch den Kanal (22) in der zweiten Trägerplatte (14) eingeführt und auf einem bestimmten Bereich der Oberfläche der Halbleiterscheibe (8) angeordnet wird.
    L e e r s e i t e
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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