DE1808238A1

DE1808238A1 - Elektrolumineszenzspeicher

Info

Publication number: DE1808238A1
Application number: DE19681808238
Authority: DE
Inventors: Benjamin Kazan
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1968-04-18
Filing date: 1968-11-11
Publication date: 1969-10-23
Also published as: SE345341B; NL150616B; BE723721A; JPS494999B1; BR6905983D0; NL6816080A; ES360366A1; DE1808238B2; FR1591040A; DE1808238C3; GB1235310A; CH493930A; US3539862A

Description

~*Pat*ntam*&lte Dijl.-Ing. F. Wei ckm αν ν, 1900238

Dulling. H. Wb ι c km αν ν, Difl-Phts. Dk. K.Finckk Dipl.~Ing. F. A.WiicKUANN, Dipl.-Chem. B. Hum

SBPO

XEROX CORPORATION, I MÜNCHEN 27. DEN Rochester. N.Y.14603/USA möhlstrasse 22. rufnummer 413*21/22

Elektrolumineszenzspeicher

Die Erfindung betrifft elektrolumineszente Anordnungen insbesondere zur Speicherung elektrischer Signale. Im engeren Sinne bezieht sich die Erfindung auf eine elektrolumineszente Anordnung zur Speicherung eines optischen Bildes durch Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmusters auf der Oberfläche eines Feldeffekt-Halbleiterstoffes _r der den. Stromfluß durch die Speicheranordnung reguliert und damit eine Bilderzeugung bewirkt.

Bs sind verschiedene Arten von Pestkörper-Abbildungsanordnungen bekannt, die jedoch keine besondere Anwendung gefunden haben, da bei ihrer Herstellung und Benutzung Probleme verschiedener Art auftreten. Die Speicherwirkung dieser Anordnungen hängt unter anderen Erscheinungen von dem langsamen Abfall der Leitfähigkeit nach Anregung eines fotoleitfähxgen Stoffes, dem Hysterese-Effekt der Fotoleiter

9098Ü3/U56

1808239

und der optischen Rückkopplung ab. Einige der praktischen Anwendung entgegenwirkende Faktoren sind gerinne Empfindlichkeit für Eingangsstrahlung, geringe Lichtabgabe, schlechte oder keine Halbtönungseigenschaften, schwierige Bildlöschung und ein relativ geringes Verhältnis von abgegebenem Licht zu Hintergrundlicht„

Eine bekannte Bildwiedergabevorrichtung.besteht aus einem Sichtfeld, das aus einer Schicht eines Stoffes mit variabler Impedanz und einer elektrolumineszenten Schicht besteht und in den US-Patentschriften 2 768 310 und 2 949 527 beschrieben ist· Das Bald wird auf dieser Anordnung durch den Anstieg der Leitfähigkeit in denjenigen Teilen des Stoffes mit variabler Impedanz, im vorliegenden Falle eines Fotoleiters, erzeugt, auf die die einfallende Strahlung auftrifft. Ein derartiger Leitfähigkeitsanstieg erzeugt entsprechend eine Lumineszenz in der benachbarten elektrolumineszenten Schicht.

In der belgischen Patentschrift 703 461 ist eine verbesserte alektrolumineszente Speicheranordnung beschrieben, die nicht die Nachteile zuvor bekannter Sichtfelder aufweist· Sie arbeitet mit einem Anzeigefeld, das aus einer Anzahl zueinander mit Abstand angeordneter Elektroden auf der einen. Fläche einer Unterlage, einer Schicht eines elektrol»-

mineszenten Stoffes auf den Elektroden als deren teilweise elektrische Verbindung und einer Schicht eines Feldeffekt-

909843/U56

BAD ORIGINAL

110123·

Halbleiterstoffes auf der elektrolumineszenten Schicht als ' .weiterer Teil der elektrischen Verbindung zwischen den Elektroden, besteht. Dieses Sichtfeld hat eine ladungsspeichernde Oberfläche, auf die ein elektrostatisches Ladungsmuster aufgebracht werden kann. Es wird zusammen mit einer Vorrichtung zur Erzeugung und/oder Ablagerung eines Ladungsmusters auf der ladungsspeichernden Oberfläche verwendet. Hierbei wird eine Wechselspannung an die Elektroden angeschaltet, die eine Induktion von Elektrolumineszenz im Zustand geringen Widerstandes des Feldeffdekt-Halbleiters bewirkt· Ss zeigte eich, daß das .. Aufbringen einer elektrostatischen Ladung auf die ladungsspeicherad· Oberfläch· des Aniseigefeldea zur Steuerung des Stromflusaes von Elektrode zu Elektrode ausgenutzt werden kann. Die Impedanz des Feldeffekt-Halbleiters wird dadurch erhöht, womit der Stromfluß in den benachbarten ELächenteilen verringert oder unterbrochen wird. Dadurch wird eine entsprechende Verringerung der Licht·»

abgabe aus der elektrolumineszenten Schicht bewirkt, so daß sich ein Halbtonrerhalten ergibt. Wird der Strom unter denjenigen Wert abgesenkt, der die Elektrolumineszenz bewirkt, so tritt keine Lumineszenz auf und der jeweilige Flächenbereich der Speichervorrichtung erscheint dunkel. Wird die Impedanz verringert und der Stromfluß duroh Neutralisierung oder Entfernung der Ladungen von der Oberfläche erhöht, so tritt eine Lichtabgabe in den entsprechenden Flächenteilen auf·. Duroh selektlr« Anordnung

909843/1456

BAD

1108131

.bzw. Erzeugung eines Ladungsmu3ters auf der Oberfläche des Anzeigefeldes kann ein Bild erzeugt und für längere Zeit gespeichert v/erden.

Sie Impedans des Feldeffekt-Halbleiters kann ferner verringert und der StromfluÜ erhöht werden» wenn Ladungen einer geeigneten Polarität auf die ladungsspeichemde Oberfläche aufgebracht werden. let der Stromfluß anfangs für eine Lumineszenz nicht ausreichend, so kann er durch Aufbringen derartiger Ladungen erhöht werden, wodurch eine Liohtabgabe au3 den entsprechenden Teilen dter Speichervorrichtung erreicht wird. Der Stromfluß zwischen den Elektroden kann durch Neutralisierung oder Entfernung der Oberflächenladung verringert werden, wodurch bei Absinken unter einen bestimmten Schwellwert die Lichtabgabe unterbrochen wird. Auf diese Weise können Bilder für längere Zeit erzeugt und gespeichert werden.

Obwohl diese Speicheranordnung iflLcht die Nachteile früherer Anordnungen aufweist, ist ihre praktische Anwandung jedoch nooh eingeschränkt. Werden Elektrodenstreifen aus durchsichtigem, leitfähigem Zinnoxid (im Handel erhältlich van der Pittsburgh Plate Glass Company, Pittsburgh, Pennsylvania, unter der Bezeichnung NEäA-Glas) verwendet, so daß die Lichtabgabe des Anzeigefeldes von der der Eingangsseite entgegengesetzten Seite betrachtet werden kann, so können nur relativ kleine Aiizeigefeider, beispielsweise von

309843/145s bad original

1900231

30 χ 30 bis 60 χ 60 cm Größe hergestellt werden, bedingt durch den elektrischen Widerstand der leitfähigen Elektrodenstreifen« Dies bedeutet, daß durch die begrenzte Oberflächenleitfähigkeit der NESA-Streifen eine praktische Grenze für die Länge der leitfähigen Streifen einer vorgegebenen Breite besteht, wenn diese auf die tragende Unterlage aufgebracht sind und durch diese der für einen. Betrieb der Anordnung erforderliche Strom fließt. Die Verwendung besser leitfähiger Elektroden ist nicht günstig, da jede Verringerung des Widerstandes einen starken Abfall der lichtdurchlässigkeit der NESA-Elektrode verursacht. Ähnliche Probleme bestehen bei aufgedampften Metallfilmen als Elektrodenstreifen. Außerdem treten bei der Herstellung großflächiger Anzeigefelder.große Anforderungen an die Genauigkeit der Elektrodenstreifen auf. Jegliche Fläohenkratzer oder andere Schaden wie z.B. unterbrochene Leitungen machen die benachbarten Teile des Anzeigefeldes unwirksam. Zur Herstellung eines Anzeigefeldes größerer Ausmaße ohne derartige Defekte sind unverhältnismäßig hohe Anforderungen an die Genauigkeit der Stoffe und der Herstellungsverfahren zu stellen, wodurch sich ungerechtfertigt hohe Herstellungskosten ergeben.

Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, eine neuartige elektrolumineszente Speicheranordnung zu schaffen, die die vorstehend genannten Nachteile vermeidet und die lei.chte Herstellung relativ großflächiger Anzeigefelder

909843/U5S

ermöglicht. Diese sollen eine gute Helligkeitsausbeute, lange Speicherfähigkeit und gutes Halbtonverhalten sowie •ine einfach· Bildherstellung und schnelle Bildlöschung ermöglichen·

Ein zur Lösung dieser Aufgabe vorgesehener Elektrolumineszenzspeicher zeichnet sich erfindungsgemäß aus durch eine Unterlage mit einer jpg;ahl schmaler undurchsichtiger Leiter auf ihrer einen Oberfläche, durch jeweils einen auf jeden Leiter aufgebrachten leitfähigen Streifen» 'durch jeweila ein zwiiohen benachbarten Streifen angeordnet·» iiolierem·» des Segment und duroh einen auf jeden leitfähigen Streiket* aufliegenden e^ektroluinineszenten Stoff» auf den eine Schicht eines Jeldeffekt-Halblaitera aufgebracht ist.

Der elektrolumineszente Stoff kann als Schicht ausgeführt sein, die die leitfähigen Streifen und isolierenden Segmente toedeokt oder es ist ein Segment des elektrolumineszenten Stoffes auf jeweils einem leitfähigen Streifen aufgebracht, wobei die einzelnen Segmente von den ihnen jeweils benachbarten Segmenten durch die isolierenden Segmente getrennt sind.

Die erste Ausführungeform unterscheidet eioh von der zweiten dadurch, daß sie eine durchgehende Schicht eines elektrolumineszenten Stoffes aufweist, während die zweite aus duroh isolierende Segmente voneinander getrennten elektro-»

90S843/U5S

' BAD ORIGINAL

lumineszenzen Segmenten besteht. In beiden Fällen soll jeder leitfähige Streifen vorzugsweise denjenigen Teil eines j»den undurchsichtigen Leiters berühren, der nicht mit der Hater lage in Verbindung steht.

Eine Yerwendung der zweiten Aueführungsform ist günstiger, da der 4as Bild erzeugende Strom während der Bildabgab« durch die Feldeffekt-Halbleitersohicht fließen nuß. Dies erfordert eine maximale Stromsteuerung durch ladungsablagerung und/oder Neutralisation. Dies trifft nicht unbedingt für die erste Ausfuhrungefora zu, bei der gemäß Fig. 2 ein Stromfluß durch die elektrolumineszente Schicht auftritt. Dieser Stromfluß ist nicht in der Weise einer äußeren Steuerung durch Ladungsablagerung und/oder Neutralisation ausgesetzt wie derjenige durch die Feldeffekt-Halbleiter schicht. Der Stromfluß durch die elektrolumineszente Schicht erhöht das Hintergrundlicht und verringert damit den Kontrast zwischen BiIA und Hintergrund. Da dies unerwünscht ist» wird die Anordnung gemäß Fig. 1 verwendet, bei der eine maximale Steuerung «Lee Stromflussea erreicht werden kann.

Die undurchsichtigen Leiter liefern die erforderliche Leitfähigkeit längs dar Elektrodenstreifen. Die Leitfähigkeit der leitfähigen Streifen muß lediglich zur Piihrung eines Stromes von dem mittleren undurchsichtigen Leiter zur Kante des leitfähigen Streifens ausreichen. Daher kann ein- _:, _Vi 909843/ US6 _BAD

l.eitfähiger Streifen verwendet v/erden, desaen Leitfähigkeit um viel· Größenordnungen geringer ist als die der Elektroden-•streifen, wie dies auch in den vorgenannten Idteraturstellen beschrieben ist. Leitfähige Stoffe für diese Elektrodenotreifen mit OberfLioIienwiderstünden von weniger als ca« 10 Ohm/cm sind zur Herstellung des erfindungsgemäßen Anzeigefeldes geeignet. Derartige Anordnungen v/eisen dann nicht mehr die vorstehend genannten Nachteile auf, da die undurchsichtigen Leiter leicht mit ausreichender mechanischer Festigkeit hergestellt werden können und eine Verkratzung oder Beschädigung während der Herateilung nur schwer möglich ist. Ferner ermöglicht die hohe Leitfähigkeit eine Herstellung von .Anzeigefeldern beliebiger Größe, da ein entsprechender Stromfluß auch bei großen Abständen von der Spannungequelle aufrechterhalten werden kann«

Geeignete undurchsichtige Leiter sind dünne Kupferdrähte _t Silberfarbe in einem. Plastikbindemittel usw. Wird ein leitfähiger Färbst off verwendet, so können die dünnen leitfähigen. Leitungen in dem gewünschten Muster aufgebracht werden oder die gesamte Oberfläche der Unterlage kann bedeckt v/erden, wonach die Zwischenbereiche aus dem leitfähigen Farbstoff entfernt werden.

Soll die Speicheranordnung von der der Feldeffekt-Halbleiterschicht entgegengesetzten Seite betrachtet werden, so sollen die Unterlage und die leitfähigen Streifen lichtdurchlässig

909843/1458

TtOWJI

sein. Wahlwelse können die isolierenden Segmente gleichfalls durchsichtig sein« line geeignete Kombination aus Unterlage und Elektroden ist optisch transparentes Glas mit dünnen, undurchsichtigen Drähten oder Streifen aus Silberfarbatoff, auf denen optisch transparente, leitfähige Streifen aus Zinnoxid oder aufgedampftem G-old aufgebracht sind· Beispielsweise können die durchsichtigen, leitfähigen Streifen mittels einer Maske durch Aufbringen von Zinnoxid hergestellt werden, welches durch Dampfreaktion von Zinnsäure, Wasser und Methanol gebildet ist·

Die erfindungsgemäße Speicheranordnung 1st insbesondere zur Serstellung von Sichtfeldern geeignet, die sich auf Plastikunterlagen wie s.B« aus "Mylar" befinden und beliebig groß und flexibel eein können. Da geeignete Verfahren zur Herstellung von NBSA ζ Zinnoxid)-Überzügen auf Kunststoffunterlagen nicht geläufig sind, werden durchsichtige, leitfähige Streifen auf die Plastikunterlage aufgebracht, die aus Mischungen von Zinkoxid» oder Indiumoxid (In₂O₅)-Pulver in einem transparenten, elektrisch isolierenden Kunstharstblndeial-ttel bestehen». Zum Aufbringen auf die Plastikunterlage 1st beispielsweise ein Epoxyharz geeignet. Sine derartige Mischung er It ca. 60 $ bia oa· 95 Ί» leitfähiges Pulver· Abhängig von den verwendeten Stoffen wird für optimale Ergebnisse vorzugsweise eine Menge von oa· 80 % bis ca. 90 $ leitfähigea Pulver verwendet» $i«se Mieolningen

9098*3/ U56

Btu.esen nicht la. Vakuum auf die Unterlage amfgebrachii wenden,, ao daß das gesamte Anzeigefeld mit Plastikunterlage ohne Valcuuffi-Äufdampfungaverfahren und ontopreehende Einrichtungen hergestellt werden kann»

Falls erwünscht* kann das Sichtfeld you der Seite der Feldeffekt-Halbleiterschient aus betrachtet werden. Hierzu kann es auf einer undurchsichtigen,, nichtleitenden Unterlage unter Verwendung undurchsichtiger, leitfähiger Streifen aufgebracht sein» Die Feldeffekt-Halbleiterschicht soll jedoch für das von der ®lektroluminess®nteii Schicht abgegebene Licht durchlässig aein»

Da» öichtiwid wird suaenmen. mit einer ¥orrlehtung zum Aufbringen einaa l&

Obarfiäoh© ¥erw«id«t» "IseiaaeBii ©la lumiiitsziattn Stoffes bildet aia* elektrische zwischen tinanäer benaelibaxttm.Elektrodsii, (eine Elektrode.

let ein düsxuir» unänrdisiöIrSiger iseiter mit ©inaa darauf

Ttil d«r olektrisohen. ?«Äi»ii?iig tefeli .einen. -fell der feld» ., «ffekt-Halblei'torsoIiicli-ii geMMf,t fitrie Mas -bedeutete,. daß der Strom von einer üiktrota to?@h einei Teil d©@ ®lekt.roliimiaaBaeE-taa Stoffes ₉ «iasn feil i@r feldeffakt- .. Ealblexterechicfrt mad @lnan weiteren.. feil -des elektrolusd.x*©BS5@iSLt«'ii Stoffes m· smohiätea BlektiOde flieBt» Bureh "ficzeugung und/oder änderung eines elektrostatischen Ladunge-

9098^3/14Sß BAP ORIGINAL

!808239

masters auf der ladungsspeichernden Oberfläche kann ein entsprechende· BUd auf der elektrolueineszenten Anordnung erzeugt und gespeichert werden.

In der vorliegenden Beschreibung bezieht eioh die Bezeichnung "Feldeffekt-Halbleiter" auf einen Stoff, der elektrischen Strom leitet, jedoch eine Änderung seiner Leitfähigkeit durch Einwirkung eines elektrischen Feldes senkrecht zum Stromfluß erfährt», wodurch ein Bereich erzeugt wird, der den 1eitfähigen Querschnitt oder die Leitfähigkeit de· Stoffes selbst ändert. In der vorzugsweisen Auaführungsför* der »rfladung soll der Vtldeff«kt-Halblelter die Fähigkeit besltswi, ein elektrostatisches Ladungemuater auf βeiner Oberfläche für längere Zeit zu speichern und eine Stromleitang ohne wesentliche Änderung des Oberfläehenladungsmusters zu ermöglichen. Hat ein einzelner Stoff diese beiden physikalischen Eigenschaften, so wird er als "speichernder Feldeffekt-Halbleiter" bezeichnet. Br ist dann zur Speicherung eines elektrostatischen Ladungsmusters auf seiner Oberfläche geeignet, welches das senkrechte elektrische Feld zur Beeinflussung der Leitfähigkeit erzeugt. Geeignete.. Stoffe mit diesen Eigenschaften sind Zinkoxid, Bleioxid und Kadmiumoxii.

Wird ein "speichernder feldeffekt-Halbleiter" verwendet, eo ist die l*dungsspeichernde Oberfläche des Sichtfeldes auch die zu belichtende Fläche des Feldeffekt-Halbleiters·

909643/ USg

1803238

Kann der Feldeffekt-Halbleiter jedooh auf seiner belichteten Oberfläche ein elektrostatisches Ladungsmuster nicht für die erwünschte Zeit speichern, so wird eine dünne, elektrisch isolierende Schicht aufgebracht, und deren freie Oberfläche dient als ladungsspeichernde Fläche· Auf diese Weise können viele Halbleiter, die ein Feldeffekt-Yerhalten zeigen, für die Erfindung geeignet gemacht werden, auch wenn sie anfangs ein elektrostatisches Ladungsmuster für die erwünschte Zeit nicht speichern können. Typische Halbleiter wit Feldeffekt-Eigenschaften, die derart abgewandelt werden können, sind Kadmiumsulfdd, Zinksulfid, Kadmiumstlenid usw· Ferner kann auf Zinkoxid und dl· anderen, speichernden Feldeffekt-Halbleiter ein·" Isolierstoffschicht aufgebracht werden, falle die» erwUnseht ist. Außerdem kann «ine Sperrschicht auf der Außenfläche dta Halbleiterstoffee erzeugt werden, indem dar Halbleiter zur Bildung eines p-n-tfaergangee dotiert wird·' Dieser Übergang wirkt als Sperrschicht und verhindert dan Durchgang ron Oberfläohenladungen in die darunter liegend· Schicht.

Dar Birze haibar werden alia formen das leldeffekt-Halbleltar« stoffes in dar vorliegenden Besehreibung als Halbleiterstoff oder Feldeffekt-Halbleiterstoff bezeichnet, wobei vorausgesetzt wird, daß die Speicheranordnung eine freie, nicht zur phterlage gehörende Oberfläche hm*, die ein elektroatatischβs Ladungsmueter für längere Zeit speichern kann·

909943/US§ BADOBiGiNAL

ti MIJi

Ii* Bezeichnung "Feldefftlct-Halbleiter" schließt also Slnsel· schichten eowle auch Doppelschienten ein, bei denen der Halbleiter in der Tosstehend beschriebenen Weise modifiziert ist« Biese Stoffe gehören alle zu einer Stoffgruppe, sind sich jedoch nicht völlig gleich, da in vielen fällen eine andere Wirkungsweise vorliegt, wie noch beschrieben wird. Obwohl im Hinblick auf die Betriebsweise die mit den verschiedenen Strukturen erhaltenen Ergebnisse äquivalent sind» sei darauf hingewiesen, daß die Möglichkeit zur Erzielung eines erwünschten Ergebnisses einen bestimmten Stoff gegenüber einem anderen Stoff geeigneter erscheinen läßt, da dieser hierzu zunächst in beschriebener Weise modifiziert werden muß·

Bei einer vorzugsweise^ Betriebsart wird eine Wechselspannung an tie mit Abstand zueinander angeordneten Elektroden angelegt, die sur Srzetagung einer lialrtrolnBlneszens im Zustand geringem Widerstandes dee Halbleiteret of fee ausreicht» Bs zeigte eich, daß das Aufbringen und die Speicherung eines elektrostatischen ladungsmustere auf der ladungsepeloheraden. Oberfläche dee «let trolumineasenten Sichtfeldas eine. Steuerung des Stroaflusaes von Elektrode zu Elektrode '^v"wirkt· KLe Ablagerung elektrostatischer ladung erhöht die Impedanz des Halbleiters, wodurch der Stronflufi in den benachbarten KLäehenteilen verringert oder unterbrochen wird·. Davit wird eine ent sprechende Verringerung der Idchtabgabe aus der eiektrolumineeeeaateit

»09843/1*6$ bad OBlGlNAL

ScMcht bewirkt, wodurch sich ein Halbtonverhalten ergibt·, Y/ird der Strom unter den Wert verringert» der eine Erzeugung der Elektrolumineszenz bewirkt₉ so tritt keine Lumineszenz auf und der entsprechende Teil der Sρeieheranordnung erscheint dunkel« Andererseits wird bei Neutralisierung oder Entfernung der Ladungen von der Oberfläche die Impedanz verringert und der Stromfluß erhöht. Durch selektives -Aufbringen und Beibehalten eines Ladungsmusters auf der Oberfläche des elektroltnaineszenten Sichtf«Idea kann also ein Bild erzeugt und gespeichert werden.

Bei einer anderen Betriebsart wfect eine Wechselspannung an die mil; Abstand mtlmader angeordneten Elektroden angeschaltet» die ms 'BsrzmhgüMg der ELektrolumineasen« gerade noch nicht aussticht, wenn der Halbleiterstoff in seinem normalen Xaptdanzsustahd ist* Duron Erzeugung einer elektrostatisches Ladung geeigneter Polarität auf' der ladungsspeichernden Oberfläche des elektroluaineszenten Sichtfeldes kann din Impsda&si .dta HaXblelterstoffes derart verringert werden» &&& Strom swisohen &%& fflektroden durch

die elektrolumiÄ®satnte BoM-^M fliest»-wodurch «ine-Üdoht*- abgabe auftritt» Andererseits wird die Impedanz «rhuht und der StromfluS irtrsingert:» wenn diese'Ladungen geeigneter Polarität neatraliaiert Μ®τ von fier Iftdumgsspeioherndeii

O1»exfläoh· eattearl ?iei?Siiö.· Steigt die !iipeiaaa bis zu eis« ÄBJtt aa_& iss ie© ums Stseca imter. i®n »ine KLekjbrö-. . bewlrksindessi Wert veafrija^ert-wird, so tritt _ ;

fiiii4|| 14iS - bad original . ■.'

180123·

keine Lumineszenz auf und der entsprechende Teil der Speicheranordnung erscheint dunkel. Auf diese Weise können mit der Speicheranordnung durch selektives Aufbringen und Beibehalten eines Ladungsmueters auf der ladungsspeichernden Oberfläche Bilder erzeugt und gespeichert werden.

Die Polarität der Oberflächenladung, die die Leitfähigkeit in der/Peldeffekt-Halbleiterschicht verringert, entspricht der Polarität derjenigen Ladungen, die vorzugsweise durch die Schicht geleitet werden. Dies bedeutet» daß ein n-Halbleiter eine Verringerung der Leitfähigkeit durch Ablagerung negativer Ladungen auf der ladungsspeiohernden Oberfläche erfährt. Andererseits erfährt ein p-Halbleiter eine Verringerung 4er Leitfähigkeit durch die Ablagerung positiver Ladungen auf der ladungsspeichernden Oberfläche· Die Leitfähigkeit kann duroh Ablagerung von Ladungen jeweils entgegengesetzter Polarität auch erhöht werden. Durch richtige Einstellung der Betriebsbedingungen» und durch Aufbringen von Ladungen mit einer der Vorzugspolarität des Halbleiters entgegengesetzten Polarität kann die Speicheranordnung in den entsprechenden Plächenteilen zu einem helleren Leuchten oder zur Abgabe von Licht aus vorher dunklen Plächenteilen angeregt werden. Soll ein weißes Bild auf dunklem Hintergrund erzeugt werden, so wird eine elektrostatische Ladung gleichmäßig auf die gesamte ladungsspeichernde Häohe aufgebracht. Die Seutralisierung oder Entfernung eines Teiles der Ladung erzeugt einen Stromfluß in den ent-

BAD ORiGlNAl-

1601239

sprechenden Flächenteilen, wodurch eine Lumineszenz der Leuchtetoffschicht in denjenigen Flächenteilen auftritt_r wo die Ladung neutralisiert bew· entfernt wurde. Bin weißes Bild auf schwarzem Hintergrund kann auch durch Ablagerung .eines entsprechend ausgebildeten elektrostatischen Ladungsmusters erreicht werden, wobei dunkle Hintergrundteile den Bereichen der Ladungsablagerung entsprechen. Sie Lumineszenz der Leuchtstoffschicht unter den flächenteilen der Hai bleiterschient, auf denen sich keine Ladung befindet, erzeugt ein weißes Bild auf schwarzen Hintergrund·,

Soll ein schwarzes Bild auf weißem Hintergrund erzeugt werden., eo wird ein elektrostatisches L*dungsmuat«r auf die ladongseielohernde Oberfläche aufgebracht. Dadurch ergibt sich «in Anetieg Aar Impedanz der Halbleiter schicht, wodurch d«r Stromfluß in dm entsprechenden Flächenteilen unterbrochen wird· Fällt der Strom unter den zur Erzeugung der Elektrolumineszenz erforderlichen Wert ab, so erscheint derjenige Teil der Speicheranordnung dunkel, auf dem sich die Ladung befindet, und es ergibt sich ein schwarzes Bild auf weißem Hintergrund· Ferner kann auch eine gleichmäßige elektrostatische Ladung auf die laduagsspeichern.de Oberfläche aufgebracht werden, wonach ein dem weißen Hintergrund ent» sprechender Teil der Ladung entfernt oder neutralisiert wird· Dadurch, ergibt sich gleichfalls ein schwarzes Bild auf weißem Hintergrund«

BAD ORIGINAL 909S43/UIÖ

ΐβΟβίϊβ

Sas abgegebene Bild kann auch durch Anschaltung einer Wechselspannung an die Elektroden erreicht werden. Die Spannung soll zur Elektrolumineszenz im normalen Impedanzzustand des Halbleiters noch nicht ausreichen. Eine Ablagerung von Ladung geeigneter Polarität verursacht einen Abfall der Impedanz und eine Lichtabgabe in den entsprechenden Flächenteilen. Die Erzeugung eines schwarzen Bildes auf weißem Hintergrund oder umgekehrt hangt in beschriebener Weise von den Schritten der Ladungsablagerung und/oder Ladungsentfernung ab*

Di« Erfindung wird im folgenden an Hand der in den Figuren dargestellten Au*führung8beiapi«le beschrieben. Es zeigern

Mg. 1 einen Querschnitt ά®τ vorzugsweise verwendeten Aueführungeform einer erfiiidungsgemäöen Speicheranordnung und

gift. 2 einen Querschnitt einer anderen Ausführungsform der erfindungsgemäBen Speicheranordnung.

In fig* 1 ist ein· Speicheranordnung dargestellt, die eine Anzahl dünner, undurchsichtiger_ρ parallel zueinander angeordneter Lnit^ .1 auf einer tragenden Unterlage 12 enthält* Auf 4*4·* undurchsichtigen Leiter UL ist ein Streifen 15 aus leitfähigem Stoff vorgesehen. M«se If&t« fähigen Streit*» 23 stehen mit der gesamten Oberfläche der undurchsichtigen Leiter 11 in Berührung, die der tragenden

3Q8IU3/U5S

- ' . BAD ORIGINS

1801238

τ·· 16 -

unterlage 12 abgewandt ist. Auf jedem leitfähigen Streifen 13 befindet sich ein Segment aus elektrqlumineasentem Stoff 14· Zwischen jeweils zwei Anordnungen aus. undurchsichtigem Leiter ll_f leitfähigem Streifen 15 und ©lektroliasAneszentern Stoff 14 befindet sich ein elektrisch isolierendes Segment 15, Die oberen Flächen der Segmente 14 und 15 liegen in einer gemeinsamen Ebene, so daß eine Feldeffekt-Halbleiterschicht 16 gleichmäßig aufgelegt werden kann. Die elektrischen Leitungen 17 sind an die Elektroden U angeschaltet und dienen zur Zuführung einer Spannung. Die Elektroden sind abwechselnd ndt jeweils einem Pol einer Wechaelstromquell® 18 verbunden. Soll das Bild auf dem Siohtfeld von der der Feldeffekt-Halb-Ititersohioht entgegengesetzten Seite betrachtet werden, ao sollen die tragend® Unterlag® 12 wad die. ledtfähigen Streifen für die von dt» elciktroluadJiesaenten Stoff dtoxehläeslg

In Fig. 2 ist -eine andere Ausfütaangsfora der erfinchxngage mäßen SpeißlieranorcliKS^ dsrgeatellt» wobei for üit

aus ]^ig· 1 üb#x-®laa'iiMüiiMi* f®ll@ gleiche Te^weiidet aiaä* li« 8p©ieli#s:f®iri§viptlsiiaif \§ ©ntMlt eilte An zahl dümier,. undu?ehsioiitiger₉ p©s?allel neter Leiter II auf eines? -fes'agenäesi Ifcterlag© 12· Auf Leiter U ist iim. teüsutiee ι»ι©'ο®3»μϊ ©ia Stu?@lfen, 13 leltfäMgem Stoff Torgeaejaitt· Jades¹ Streif®a 13 ist von. dm 4Jm benaohbartea-StT^fMIi duroli ^Sjpamte 15 uns el®ktrie©a

ORIGINAIi

13 und der Segmente 15 bilden eine gemeinsame Ebene, eö daß eine Schicht 14 aus elektrolumlneaztntem Stoff aufgelegt werden kann. Sine Schicht aus einem Feldeffekt-Halbleiterstoff 16 befindet sich auf der Schicht 14 aus elektroluminesz ent em Stoff. Sie elektrischen Anschlüsse entsprechen denen aus Pig. 1, "und bei Betrachtung des erzeugten Bildes von der der Feldeffekt-Halbleiterschicht abgewandten Seite sollen die entsprechenden Stoffe wie bei der Anordnung in Fig. 1 durchlässig für die abgegebene Strahlung sein.

Beim Betrieb der Anordnung wird an einander benachbarte Elektroden eine Wechselspannung angeschaltet. Abhängig von der jeweiligen Leitfähigkeit der Feldeffekt-Halbleitersohicht fließt auf den in Fig. 1 und 2 gestrichelt dargestellten Wegen »in mehr oder weniger starker We cha eist rom von einer Hektrode sur anderen« Aus Flg. 1 ist zu ersehen» daß der Strom von der einen Elektrode durch die elektroluminetzente Schicht, die Feldtffekt-Balbleiterschient so- ' wie durch die elektrolumineazente Schicht zur benachbarten Elektrode fließt und damit einen Stromkreis bildet. Bei ausreichender Stromstärke gibt die elektrolumineezente Schicht in den Bereichen, die den stromführenden Elektroden benachbart sind» Licht ab.

Zur Verwendung einer Anordnung der vorstehend- beschriebenen. Art mit einer ladungsspeichernden Oberfläche 19 1st gemäß der Erfindung ferner ein Bilderzeugungsverfahren vorgesehen.

908843/1458 bad original

1800238

Wie bereits beschrieben, ist die ladungsspeichernde Oberfläche entweder die freie Oberfläche des Feldeffekt-Halbleiterstoffes, wenn dieser ein "speichernder Feldeffekt-Halbleiterstoff" ist, oder die freie Oberfläche einer dünnen* elektrisch isolierenden Schicht auf dem Halbleiterstoff, wenn dieser nicht ein "speichernder Feldeffekt-Halbleiter· stoff" ist. Das elektrostatische Ladungsrauster 20 steuert den Stromfluß zwischen benachbarten Elektroden. Bei einer Betriebsart verringert das elektrostatische Laduagsmuster die Leitfähigkeit der Feldeffekt-Halbleiterschicht, und bei richtiger Einstellung der Betriebsgrößen wird der Stromfluß zwischen benachbarten Elektroden entweder geschwächt oder ganz unterbrochen. Sie entsprechenden Teile der Speicheranordnung erscheinen dunk·!· Wo keine ladung aufgebracht ist, fließt der Strom jedoch ohne Unterbrechung von einer Elektrode zur anderen,,wobei aus den entsprechenden Teilen des elektrolumineszenten Stoffes Licht Abgegeben wird·

Bei der anderen beschriebenen Betriebsart erhöht das elektrostatische Ladungsmuster die Leitfähigkeit der Feldeffekt-Halbleiterschicht, und bei richtiger Bineteilung der Betriebsgrößen wird der Stromfluß unter den eine Ladung enthaltenden Bereichen zwischen benachbarten Elektroden verstärkt. Die entsprechenden Teile der Speicheranordnung leuchten heller und/oder geben eine Strahlung ab. Wo keine Ladung aufgebracht ist, fließt jedoch kein Strom von. einer Elektrode zur anderen, und die entsprechenden Teile der Speicheranord-

909843/1410

BAD

ming bleiben dunkel.

Baa elektrostatische Ladungsmuster kann auf der Oberfläah· der elektrolumiii.es zent en Anordnung durch jede geeignete Vorrichtung erzeugt werden. Beispielsweise können optische oder elektrische Einrichtungen zum Aufbringen des erwünschten Ladungsmusters verwendet werden.

Bin Verfahren zur Erzeugung eines Ladungsmusters besteht in einer gleichmäßigen Ablagerung von Iqnen auf der ladüngespeichernden Oberfläche und Ableitung eines Teiles dieser Ionen« wodurch eich entweder ein Positiv oder ein Negativ dee zu. reproduzierenden Bildes ergibt. Hat beispielsweise der Peldeffekt-Halbleit erst off auch JOtoleitfähigkeitseigenschäften wie es bei Zinkoxid der fall ist, so kann die gleichnamige elektrostatische Ladung z.B. durch eine Koroaa-Entladung aufgebracht werden. Eine selektive Ableitung eines Teiles einer Oberflächenladung kann durch Belichtung nur ausgewählter Teile der Feldeffekt-Halbleiterschioht mit aktivierender Strahlung erreicht v/erden. Das sich ergebende elektrostatische latente Bild bewirkt eiae Steuerung des Stromflusses awiaahori btir;,{*öhbarten Elektroden.

la -iügenaatz zu «jiaer Voli.bii^:ii #". ■- r- f .<*..*&}. auch eine oder aei-jrere punk^f ömULgii Idöhtoa*,.. «κ sur ir*n»-tfang der laäungespeiöherndim Obtir/'äche -r*r*^?i,r,*'it war-d«D.. Wuam Modulation der Lichtstärke ergibt : λ atrsöu^uiie eines

909843/U5S

^ BAD ORIGINAL

- 22 entsprechenden Halbtonbildes.

ferner kann auch eine Vorrichtung zum Aufbringen von Ionen in dem gewünschten Ladungsrauster vorgesehen sein. Beispielsweise können elektrostatische Ladungen durch eine Vorrichtung der in der US-Patentschrift 3 023 731 beschriebenen Art aufgebracht werden. Insbesondere können die Schreibköpfe gemäß Pig· 5 und 7 oder die Schriftzeichentrommel gemäß ?ig. 3 dieser Patentschrift in der dort beschriebenen Weise zum Aufbringen eines selektiven ionischen Ladungsmusters auf die ladungsspeichernde Überfläche dor erfindungsgeeäßea Speicheranordnung "verwendet werden« Bin Ladungamuster kann ferner &.B>« durch Kor on*-Entladung mittels einer entsprechend ausgebildeten llaake aufgebracht werden. Außerdem kann die in Hg« β der vorstehend genannten Patentschrift gezeigte Korona-Entladungseinrichtung nacheinander längs vertikalen und horizontalen Leitern bewegt werden, so daß an ausgewählten Verbindungspunkten eine Korona-Saission auftritt und damit eine selektive Ladung von Teilen einer darunter liegenden. Speicheranordnung erreicht wird® Eine weitere Vorrichtung zur Ablagerung des elektrostatischen Ladungsmusters besteht in einer oder mehreren Einrichtungen zur pfunktförmigen Korona-Entladung, mit denen eins Abtastung der ladungsepeichernden Oberfläche durchgeführt wird. Die gleichzeitige Zuführung elektrischer Eingangssignale zu den Koronapunkten mit der Ablagerung elektrostatischer Ladungen bewirkt entweder

909963/USg BAD ORIGINAL

eine Erzeugung oder eine Modifizierung eines Bildes auf der elektrolumineezenten Speicheranordnung. Bai dieser Ausführung«- form kann entweder daa Koronaeyetem oder die Speicheranordnung selbst in «ine Abtastbewegung versetzt werden.

Das von der Speicheranordnung abgegeben· Bild kann modifiziert vrerden, indem das gespeicherte Ladungeeueter abgeändert wird. Serartige Änderungen sind eine vollständige Neutrali- _ sation, «ine teilweise Neutralisation oder eine HinzufUgung neuer Flächenladungen zu dem bereits vorhandenem Ladung·-

muster· . ' * ' '

Sie physikalischen Eigenschaften von Zinkoxid» Bleioxid und Xadmitmoxid ermöglichen «ine Speicherung negativer ionischer Ladungsmuster auf der Oberfläche und eine Steuerung des Stromflusses durch die Speicheranordnung mit dem Iadungsmuster ohne dessen Änderung. Negative Sauerstoffatome, wie sie durch die Korona-Entladung oder die in der vorste- m hend genannten Patentschrift beschriebene elektrostatische Entladung erzeugt werden, sind zur Steuerung des Stromflusses geeignet. Es zeigte sich jedoch, daß die Ablagerung von positiven ionischen Ladungsmustern keine Steuerwirkung zur Folge hat, da der Feldeffekt-Halbleiterstoff eine derartige Ladung auf seiner Oberfläche nicht hält. Äiteprechend kann es erforderlich sein, eine Isolierstoffschicht auf die Feldeffekt-Halbleiterschicht aufzubringen, wenn eine Steuerung des Stromflusses durch Elektronen positiver .ionischer Ladung·- muster erzielt werden soll·

909843/ USS _BAD original

Das folgende Beispiel dient zum besseren Verständnis der Erfindung sowie deren Anwendung. Bs soll nicht einschränkend, sondern lediglich als Ausführungsform verstanden werden.

Eine Unterlage aus Plexiglas (Polymethylmethacrylat-Polyaer) mit ca. 15 x 15 cm Größe wird zunächst mit einer 1eitfähigen Schicht aus 90 Gewichtsprozent Silberblättchen in einem Epoxyharzbindemittel überzogen. Nach der Aushärtung wird ein Teil des Silberüberzuges entfernt, so daß Silberleitungen von 0,13 mm Breite und 1,3 mm Mittenabstand auf der gesamten Oberfläch· zurückbleiben. Eine Schicht aus 80 Gewichtsprozent Indiumoxid (In₂O,) in eine» Epoxybind·- mittel wird dann auf die Oberfläch· aufgesprüht, so daß sioh «in· Schicht von ca· 0,08 mm Stärk· ergibt« Kaoh der Aushärtung wird di· Oberfläche mit «iner elektrolumineseentea Sohicht aus 75 Gewichtaproetnt Zinksulfid in «in·* Ipoxybind«mitt*l bis zu einer Stärke von 0,08 mm aufgebracht. Nach der Aushärtung wird ein Seil der Indiumoxidschicht und der Zinksulfidschicht entfernt, so daß Streifen aus Indiumoxid mit darauf aufgebrachtem Zinksulfid von 0,65 mm Breite und 1,3 min Mittenabstand übrig bleiben, die zentrisch auf den O₉13 mm breiten Silberleitungen angeordnet sind· XL.-3 durch Entfernen von Teilen der Indiumoxidschicht und der Zinksulfidschicht gebildeten Zwischenräume werden mit einem klaren Epoxyharz zur Bildung einer durchgehenden flachen Oberfläche ausgefüllt· Die Oberfläch· wird dann ■--■ —' 9O0843/U56 BAD original

mit einer Feldeffekt-Halbleiteraohicht überzogen, die aua 90 $ ZinkoxLd-Pulver in einem Styrol-Butadien-Copolymerharz besteht· Schließlich werden die Silberleitungen an den Kanten des Sichtfeldes abwechselnd untereinander verbunden, ao daß zwei Leitungsgruppen entstehen, an die die Wechselspannungaquelle angeschaltet wird. Beim Betrieb beträgt die an di· Silber-Indiumoxidelektroden angeschaltete Wechselspannung 600 ToIt, und es ergeben sich gespeicherte % Bilder mit einer Leuchtdichte von 37 960 Stilb auf der Seite der Peldeffekt-Halbleitersohicnt sowie von Oa* 29 200 Stilb auf der Seite der Plastikunterlag·.

Die wf 1 nrhincsgemft Be Speicheranordnung wird in der in den Patentanmeldungen US.Ser.Ho. 582 856 voa 29« September 1966

und US.Ser.Ho. 514 860 vom 20. Dezember 1965 beschriebenen Weise verwendet· Beispielsweise kann sie als ein BUdsohlm für eine Speicherröhre verwendet werden, wie sie in Pig. 9 M der Patentanmeldung US.Ser.Ko. 562 856 dargestellt ist, wobei vorzugsweise eine neutrale Unterlage wie z.B. Glas und ein anorganischer Stoff als Bindemittel für das leitfähige Pulver verwendet wird. Auch kann die Speicheranordnung in der dort beschriebenen Weise hergestellt sein.

Die Erfindung wurde an Hand vorzugsweiser Auaführungaformen beschrieben, dem Pachmann sind jedoch weitere Ausführungabeispiele ohne Abweichung vom Grundprinzip der Erfindung möglich. Beispielsweise körnen die undurchsichtigen Leiter

900143/14SS

BAD ORIGINAL

1806238

in feinen, parallelen Vertiefungen innerhalb der Unterlage als Silbtrfüllungen oder entsprechend bemessene Drähte usw. vorgesehen sein. Weitere Ausführungsformen können zur Anpassung an. verschiedenste Erfordernisse oder Bestandteile verwirklicht werden, ohne vom Grundgedanken der Erfindung abzuweichen.

BAD

Claims

- 27 - ' Patentansprüche

1. Elektrolumineszenzspeioher, gekennzeichnet durch eine unterlage

(12) mit einer Anzahl schmaler, undurchsichtiger Leiter (11) auf ihrer einen Oberfläche, durch jeweils einen auf jeden Leiter (11) aufgebrachten leitfähigen Streifen (13), durch jeweils ein zwischen benachbarten Streifen (13) angeordnetes isolierendes Segment (15)» und durch einen auf jedem leitfähigen Streifen (13) aufliegenden elektrolumlneszenten Stoff (14), auf den eine Schicht (16) eines Feldeffekt-Halbleiters aufgebracht ist.

2. Elekteolumlneszensapeieher nach Anepruoh I, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrolumineszente Stoff (14) als Schicht ausgebildet ist, die auf den leitfähigen Streifen

(13) und den isolierenden Segmenten (13) aufliegt.

3. Eleictrolumineszenzspeicher nach Anspruch l_r dadurch gekennzeichnet, daß der elektrolumineszente Stoff (14) aus jeweils einem auf jedem leitfähigen Streifen (13) liegenden Segment besteht, und daß diese Segmente (14) gleichfalls von den ihnen benachbarten Segmenten (14) durch die nichtleitenden Segmente (15) getrennt sind.

4. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bia 3, dadurch gekennzeichnet, daß jeder leitfähige Streifen (13) mit demjenigen Teil des undurchsichtigen

909043/1416 bad original

Leiters (11) in Berührung steht, der der Unterlage (12) abge· wandt ist.

5. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4» dadurch gekennzeichnet, daß die Leitfähigkeit eines jedes leitfähigen Streifens (13) zumindest zur Leitung eines
Stromes von dem mit ihm in Berührung stehenden undurohsichtigen Leiter (11) zu seiner Kante ausreicht·

6. Elektrolumineszenzspeicher naoh einem der Ansprüche 1 Isis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (12) und die leitfähigen Streifen (IJ) lichtdurchlässig sind.

7* Elektrolumineszengispeicher naoh einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die feldeffekt-Halbleitersohicht (16) lichtdurchlässig ist.

8. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis

7» dadurch gekennzeichnet, ^aaß ferner eine dünne, elektrisch isolierende Schicht auf der Feldeffekt-Halbleiterschicht
(16) vorgesehen ist.

9. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht eine fotoleitfähige Isolierstoffschicht ist.

10. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis.9, dadurch gekennzeichnet, daß die undurchsichtigen Leiter (11) dünnt, leitfähige Draht· sind.

11. Elektrolumineazenzspeicher nach «inem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die undurchsichtigen Leiter QJL) schmale Linien aus Silberfarbstoff sind·

12· Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüohe 1 bis 1I₉ dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähigen Streifen (13) aus einem in einem Kunstharzbindemittel dispergieren leitfähigen Pulver bestehen. *

13· Elektrolumineszenzβρticher nach Anapruoh 12, daduroh gekennzeichnet, daß das leitfähige Pulver Zinkoxid 1st.

Blektrolumineazenzspeicher nach Anspruch 12, daduroh gekenn zeichnet, daß das leitfähige Pulver Indiumoxid ist.

15. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunstharzbindemittel ein Epoxyharz ist.

16. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 12 bis 15, daduroh gekennzeichnet, daß die leitfähigen Streifen (13) 6Ό bis 95 Saw.-# leitfähiges Pulver ent-

90 9843/USS bad orig.nau

17· Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähigen Streifen 80 bis 90 Gew.-# leitfähiges Pulver enthalten.

18· Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 Ma 17» dadurch gekennzeichnet, daß der Feldeffekt-Halbleiterstoff ein speichernder Feldeffekt-Halbleiterstoff ist.

19· Elektroluminesztneepeiohtr naoh Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der speichernde Feldeffekt-Halbleiterstoff Zinkoxid ist.

20· Elektroluaineezenzspeicher nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der speichernde Feldtffekt-Halbleiterstoff Bleioxid ist«

21. Elektrolumineszenzspeioher nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der speichernde Feldeffekt-Halbleiterstoff Kadmiumoxid ist.

22· Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß er eine zur Speicherung eines elektrostatischen Ladungsiausters geeignete Oberfläche hat, die nicht ein Teil der Unterlage (12) ist, und daß eine Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmuaters auf dieser Oberfläche vorgesehen, ist.

USS

BAD ORIGINAL

23. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmusters aus einer Einrichtung zur Erzeugung einer gleichmäßigen elektrostatischen Ladung auf der ladungsspeichernden Oberfläche und einer Einrichtung zur wahlweisen Entfernung eines Teils dieser Ladung btsteht.

24· Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmusters auf der ladungsspeichernden Oberfläche aus einer Einrichtung zur Ablagerung elektrostatischer Ladung in einem Bildmuster besteht·

25· Slektroluminteienrspticher nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Erzeugung eine· elektrostatischen ladungeoruetera auf der ladungsspeichernden Oberfläche aus einer evakuierten Speicherröhre mit dem Elektrolumineszenzspeicher als Bildfeld besteht, die eine Einrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahls und eine Schreibvorrichtung zur Ausbildung eines elektronischen Ladungsmusters auf der ladungsspeichernden Oberfläche enthält.

26. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß der Peldeffekt-Halbleiterstoff (16) ein fotoleitfähiger Isolierstoff ist, und daß die Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmusters eine Einrichtung zur gleichmäßigen Ladung der ladungsspeichernden

909843/1456 bad

Oberfläche und eine optische Einrichtung zur Bestrahlung der ladungsspeichernden Oberfläche mit elektromagnetischer Strahlung enthält, di· den fotöleitfähigen Feldeffekt« Haibleiterstoff (16) aktiviert.

27. Elektrolumineszenzspeieher nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (12) mit einer Anzahl parallel zueinander verlaufender Vertiefungen versehen ist, die jeweils einen undurchsichtigen Leiter (11) enthalten· .

26. Verfahren zur Erzeugung eines sichtbaren Bildes mit einem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 27 ausgebildeten Blektrolumineszenzepeicher, dadurch gekennzeichnet, daß auf «umindest einem Teil der ladungsspeichernden Oberfläche ein elektrostatisches Ladungsbild erzeugt wird, und daß zwischen einander benachbarten Elektroden, die aus den undurchsichtigen Leitern (11) und den darüber liegenden leitfähigen Streifen (13) gebildet sind, über die Feldeffekt-Halbleiterschicht (16) und den elektrolumineszenten Stoff (14) ei» Stromfluß erzeugt wird.

29· Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß' der zwischen den Elektroden erzeugte Stromfluß zur Erzeugung einer Lumineszenz in denjenigen Teilen des elektroluain.eezenteh Stoffes (14) ausreicht, die unter den nicht geladenen Bereichen der ladungsspeichernden Oberfläche liegen.

900843/ U66 bad ORteiNAL

30. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen den Elektroden erzeugte Stromfluß unter dem für eine Lumineszenz erforderlichen Wert liegt, und daß ein elektrostatisches Ladungsmuster mit einer dem Leitungstyp des Peldeffekt-Halbleiterstoffes entgegengesetzten Polarität auf die ladungsspelchemde Oberfläche aufgebracht, wird, so daß der Stromfluß zur Erzeugung einer Lumineszenz in denjenigen Teilen des elektrolumineszenten Stoffes verstärkt wird, die unter den elektrostatisch geladenen Flächenteilen der ladungsspeichemden Oberfläche liegen.

31· Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß ein Feldeffekt-Halbleiterstoff mit lotoleitfähigkeitseigenschaften verwendet wird und mit seiner Oberfläche di· Iadungsapeicherade Oberfläche des Slektrolumineszenzspeiohers bildet und daß das elektrostatische Ladungemuster durch gleichmäßige Aufladung der ladungsspeichemden Oberfläche und Entfernung eines Teils dieser Ladung durch Bestrahlung mit sensitivierender elektromagnetischer Strahlung erzeugt wird»

32·. Yerfahren nach einem der Ansprüche 28 bis 31» dadurch gekennzeichnet, daß das elektrostatische Ladungsmuster mit negativ geladenen Ionen erzeugt wird·

S09S43/US6

1806238

33» Verfahren naoh eine» der Ansprüche 26 bis 31» dadurch gekenn· zeichnet, daß das elektrostatische Ladungeimister auf zumindest einem Teil der ladungsspeichernden Oberfläche durch modulierte Abtastung mit einem Elektronenstrahl erzeugt wird.

• OMO/UfS