DE1764809C

DE1764809C - Method and apparatus for producing a sintered semiconductor layer

Info

Publication number: DE1764809C
Authority: DE
Inventors: Toshio Ohtani Tadao Hirakata Yoshida Manabu Monguchi Kitamura Saburo Kyoto Murakami Hideaki Ibaragi Yamashita, (Japan)
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Publication date: 1971-10-14

Description

1 21 2

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum sinterten Schicht wurde bisher nicht verwirklicht. DasThe invention relates to a method for the sintered layer has not yet been implemented. The

Herstellen einer porenfreien, gesinterten Cadmium- war der Fell, da es als feststehende I atsache gaIt, dallProduction of a pore-free, sintered cadmium was the fur, since it was a fixed thing, dall

sulfid und Cadmiumselenid sowie ein Halogenid- Poren in der gesinterten Schicht unvermeidlich ent-sulfide and cadmium selenide as well as halide pores in the sintered layer inevitably

sintermittel enthaltenden photoleitenden Halbleiter- stehen.photoconductive semiconductors containing sintering agents.

schicht durch Aufbringen oder Aufsprühen einer 5 Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erhndimy,layer by applying or spraying a 5 It is therefore the task of the present Erhndimy,

Mischung der genannten Stoffe auf eine Unterlage eine dünne gesinterte Halblciterschicht w schallen,Mixture of the substances mentioned sound a thin sintered semiciter layer w on a base,

sowie auf eine Vorrichtung zur Durchführung dieses die frei von Rissen und Poren ist.as well as a device for carrying out this which is free of cracks and pores.

Verfahrens. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dudurdiProcedure. According to the invention, this task becomes dudurdi

Es gibt viele herkömmliche Verfahren zum Her- gelöst, daß die Mischung auf eine Unterlage, die aui stellen eines Halbleiterelementes, das aus einer ge- ίο einer Temperatur von 100⁰C oder auf einer höheren sinterten Schicht aus Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid Temperatur gehalten wird, aufgebracht bzw aufg..- oder einer festen Lösung aus ihnen besteht. Als Bei- sprüht wird, die Unterlage hierauf auf die Sinterspiel dafür wird nachfolgend ein Verfahren zum Her- temperatur der Mischung erhitzt wird und das Aufstellen eines photoleitenden Elementes beschrieben. bringen der Mischung sowie das Erhitzen auf de Dieses Verfahren schafft das photoleitende Element 15 Sintertemperatur wenigstens zweimal wiederholt durch folgende Verfahrensschritte: Aufbringen eines werden.There are many conventional methods for manufacturing solved in that the mixture to a substrate, the AUI provide a semiconductor device consisting of a overall ίο a temperature of 100 ⁰ C or at a higher Sintered layer of cadmium sulfide, cadmium selenide temperature is kept applied or on ..- or a solid solution consists of them. As a supplement is sprayed, the base is then on the sintering game, a method for heating the mixture is heated and the setting up of a photoconductive element is described below. Bringing the mixture and heating to the This process creates the photoconductive element 15 sintering temperature repeated at least twice through the following process steps: Applying a.

Gemisches, in dem feines Pulver aus Cadmiumsulfid, Mit diesem Verfahren kann eine gleichmäßige ge-Mixture in which fine powder of cadmium sulfide, with this process a uniform and

Cadmiumselenid ν der einer Mischung aus ihnen in sinterte Schicht, die vollständig frei ist von Rissen undCadmium selenide ν of a mixture of them in sintered layer that is completely free of cracks and

einer wäßrigen Lösung fein verteilt ist, die ein Sinter- Poren, die bei dem herkömmlichen Verfahren iinver-an aqueous solution is finely divided, which has a sintering pores that iinver-

mittel und einen Aktivator enthält, beispielsweise 10 meidüch waren, mit guter Reproduktionsfähigkeit hcr-agent and contains an activator, for example 10 avoidable products, with good reproductive capabilities.

mittels eines Sprühverfahrens auf eine Unterlage, die gestellt werden. Durch das Aufbringen der Mischungby means of a spraying process on a base that is to be placed. By applying the mixture

ζ. B. aus Keramik besteht, Trocknen der besprühten auf eine Unterlage, dieauf einer Temperatur von 100 C"ζ. B. made of ceramics, drying the sprayed on a surface that is at a temperature of 100 C "

Unterlage bei einer Temperatur von etwa 100⁰C; oder mehr gehalten wird, wird sofort das in der MiPad at a temperature of about 100 ^° C .; or more is held, that is immediately in the Wed

Erhitzen der besprühten Unterlage in einer Atmo- schung enthaltene Wasser verdampft, wenn du.·When the sprayed surface is heated, the water contained in an atmosphere evaporates when you. ·

Sphäre, in der die Luftmenge begrenzt ist, bei einer 15 Mischung die Unterlage erreicht, und das Cadmium-Sphere, in which the amount of air is limited, reaches the base with a 15 mixture, and the cadmium

Temperatur von etwa 600⁰C für 5 bis 30 Minuten, sulfid rekristallisiert.Temperature of about 600 ^° C. for 5 to 30 minutes, sulfide recrystallized.

um das feine Pulver in dem Sintermittel zu lösen und Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens das gelöste Material zu rekristallisieren, während das ist gekennzeichnet durch eine Hochfrequenzinduktions-Sintermittel verdampft, um eine photoleitcnde dünne spule und einen rotierenden Ring aus Metall oder Schicht zu bilden; und Aufbrin^n kammförmiger 3° Graphit, der durch die Spule hindurchtritt, um Untergegenüberliegender Elektrode-!. ?.uf die dünne Schicht, lagen zur Erhitzung und zum Besprühen zu tragen,
um einen Ohmschen Kontakt zu bilde.i, durch Vakuum- Weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der ververdampfungsverfahren oder durch Druckverfahren. liegenden Erfindung ergeben sich aus der folgendento dissolve the fine powder in the sintering medium and to recrystallize the dissolved material while that is characterized by a high frequency induction sintering medium evaporating to form a photoconductive thin coil and a rotating ring of metal or sheet; and applying 3 ° of comb-shaped graphite passing through the coil to form the underlying electrode. ?. on the thin layer, lay to wear for heating and spraying,
to form an ohmic contact. i, by vacuum- Other goals, features and advantages of the evaporation process or by pressure processes. present invention emerge from the following

Es erscheint jedoch fast unmöglich, die Photo- Beschreibung einiger bevorzugter Ausführungsbeiempfindlichkeit des photoleitenden Elementes zu ver- 35 spiele in Verbindung mit der Zeichnung. Darin zeigt bessern, das durch das oben beschriebene Verfahren F i g. 1 eine perspektivische Ansicht eines Beispiels hergestellt wird, da die Photoempfindlichkeit der photo- für ein Gerät, wie es zur Durchführung des Herleitenden Schicht selbst nahezu ihre Grenze erreicht Stellungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung hat, und es ist technisch schwierig, den Abstand verwendet wird,
zwischen den Elektroden weiter zu verringern. 40 Fig. 2a und 2b eine Oberansicht bzw. einen SchnittIt appears almost impossible, however, to combine the photographic description of some preferred embodiment sensitivity of the photoconductive element in conjunction with the drawing. This shows better that by the method described above F i g. 1 a perspective view of an example is made because the photosensitivity of the photo- for a device such as that used to carry out the deriving layer itself has almost reached its limit position method according to the present invention, and it is technically difficult to use the distance
further decrease between the electrodes. 40 Figs. 2a and 2b are a top view and a section, respectively

Um den Abstand zwischen den Elektroden zu ver- durch ein photoleitendes Element, das gemäß demIn order to reduce the distance between the electrodes by a photoconductive element, which according to the

ringern und einfallendes Licht wirksam zu verwenden, Herstellungsverfahren nach der Erfindung hergestelltring and to use incident light effectively, manufacturing method produced according to the invention

wurde eine sogenannte Sandwich-Eiektroden-Kon- wurde,was a so-called sandwich electrode con-was,

struktion vorgeschlagen, in der zwei Elektroden auf F i g. 3 ein Diagramm, das die Spektralcmpfind-Structure proposed in which two electrodes are shown in FIG. 3 a diagram showing the spectral sensitivity

den oberen und unteren Flächen einer photoleitenden 45 lichkeit des phoioleitenden Elementes gemäß F i g. 2athe upper and lower surfaces of a photoconductive 45 possibility of the photoconductive element according to FIG. 2a

Schicht angeordnet werden, wobei eine der Elektroden und 2b zeigt, undLayer are arranged, one of the electrodes and Fig. 2b showing, and

aus einer transparenten leitenden Schicht oder einer F i g. 4 ein Diagramm, das die Charakteristiken der,of a transparent conductive layer or a fig. 4 is a diagram showing the characteristics of

gitterförmigen Metallelektrode hergestellt wurde. Widerstandes unter Belichtung bzw. der Bclcuchlungs-lattice-shaped metal electrode was made. Resistance under exposure or the exposure

Wenn jedoch die gesinterte Schicht durch das her- dichte von photoleitende". Elementen zeigt, die nachHowever, if the sintered layer through the dense of photoconductive ". Elements shows that after

kömmlichc Verfahren hergestellt wurde, entstanden 50 dem Verfahren gemäß der vorliegenden ErfindungA conventional process was produced using the process of the present invention

Risse und Poren in der Schicht während des Vorgangs bzw. durch ein herkömmliches Verfahren hergestelltCracks and pores in the layer produced during the process or by a conventional method

des Trocknens oder Sinterns, nachdem dss Gemisch wurde.drying or sintering after the mixture has become.

auf die Unterlage aufgebracht worden war. Wenn ein Gemäß der Erfindung wird ein Gemisch aus Cad-was applied to the pad. According to the invention , if a mixture of cad-

Metall für die Elektroden auf die photoleitende Schicht, miumsulfid, einem Sintermittcl usw. auf eine Unler-Metal for the electrodes on the photoconductive layer, miumsulfid, a sinter medium, etc. on a university

beispielsweise durch ein Vakuumverdampfungsver- 55 lage 1 aufgebracht, die auf eine Temperatur von 100'Cfor example, by a vacuum evaporation device 1 applied to a temperature of 100.degree

fahren, aufgebracht wurde, wurden die beiden Elek- oder mehr durch eine Vorrichtung erhitzt worden ist,drive, was applied, the two elec- or more has been heated by a device,

troden infolgedessen durch diese Risse und Poren wie sie in F i g. 1 gezeigt ist, um das in der Mischungconsequently trod through these cracks and pores as shown in FIG. 1 is shown around that in the mix

kurzgeschlossen, wodurch es unmöglich wurde, ein enthaltene Wasser sofort zu verdampfen, wenn dieshort-circuited, making it impossible to immediately evaporate any contained water when the

photoleitendes Element herzustellen, das eine Sand- Mischung die Unterlage erreicht. Wenn Cadmium-produce photoconductive element, which reaches a mixture of sand the substrate. When cadmium

wich-Elektroden-Konstruktion aufweist. 60 chlorid als Sintermittel verwendet wird, beginnt sichwich electrode construction. 60 chloride is used as a sintering agent, begins to work

Ein derartiges Problem tritt auch bei der Herstellung das Cadmiumsulfidpulver in dem CadmiumchloridSuch a problem also arises in the manufacture of the cadmium sulfide powder in the cadmium chloride

von Sonnenzellen mit dünner Schicht auf, die Cad- bei einer Temperatur von mehr als 54O⁰C zu lösen,of solar cells with a thin layer to dissolve the Cad- at a temperature of more than 54O ⁰ C,

miumsulfid verwenden. Auch in diesem Fall dürfen Obwohl es ausreichen muß, daß die Temperatur deruse medium sulfide. In this case too, although it must be sufficient that the temperature of the

keine Risse oder Poren in der dünnen Cadmium- Unterlage auf 540⁰C oder darüber gehalten wird, um no cracks or pores in the thin cadmium base is kept at 540 ^° C. or above

sulfidschicht enthalten sein. 65 die Mischung auf die Unterlage aufzubringen, wird beisulfide layer may be included. 65 applying the mixture to the substrate is at

Daher wird hauptsächlich eine aufgedampfte Schicht einer derart hohen Temperatur eine DampfschichtTherefore, an evaporated layer of such a high temperature mainly becomes a vapor layer

ohne Poren für die Sonnenzelle mit dünner Cadmium- um die Oberfläche des Teilchens aus dem aufge-without pores for the solar cell with thin cadmium to remove the surface of the particle from the

sulfi-lschicht verwendet, und eine Zelle mit einer ge- brachten Gemisch in dem Augenblick seines Auf-sulfi-oil layer used, and a cell with a mixture brought at the moment of its application

treffensaiif die Unterlage erzeugt, die die Verdampfung schriebenc Verfuhren geschaffen wurde, isl in I i g. -1 ties Wassers verhindert und das Springen des Teilchens dur.h die Linie A gezeigt. Diese Kennlinie der Spekguf der Unterlage verursacht. Somit lagert sich das ualempfindlichkeit ist eine solche eines Elementes, Teilchen kaum auf der Unterlage ah. Daher wird die das Cadmiumsulfid als Photoleiter verwendet. Die Temperatur an der Stelle, wo das Aufbringen des üe- 5 Spitze dieser Spektraleniplindlichkeii kann bis /.ii inisches erfolgt, relativ niedrig gehalten, während die einem gewissen Maß zur Seile der grölleren Wellen-Picke eines rotierenden Ringes 3 gering gewählt und länge hin verschoben werden durch Einfügen v-.m seine Drehgeschwindigkeit auf etwa 1 U/min herab- Cadmiumselenid in die photoleitende Schicht. In-.-ßesetzt wird, so daß die Temperatur der überzogenen besondere wenn die Dicke der Schicht bei aiisschliell-Unlerlage auf die Sintertemperatiir ansteigt, wenn sie io !icher Verwendung von Cadmiumselenid als Photojieh an einer Hochfrequenzindiiktionsspule vorbei leiter relativ groll gewählt wird, kann ein photolei-Jiewegt, nachdem das Aufbringen des Gemisches tendes Element erzielt werden, das eine hohe Emplmderfolgt ist. Durch den oben beschriebenen Vorgang üchkeit im nahen Infrarotbereich aufweist infolge der erfolgt das Aufbringen und Sintern des Gemisches selbstfilternden Wirkung der photoleitenden Schicht, während einer Drehung des rotierenden Ringes 3, 15 Diese Eigenschaft ist in F i g. 3 in der Linie B gezeigt, und durch Wiederholen des Vorganges kann eine dicke Der Widerstand unter Belichtung als Funktion voi< gesinterte Schicht erzielt werden, die vollständig frei der Beleuchtungscharakteristik des photoleitenden von Poren und Rissen ist. Wean die Sinterung unge- Elementes gemäß der Erfindung ist in F i g. 4 in der nügend ist, nachdem eine voi'bestimmte Menge des Linie A gezeigt. Aus diese. Darstellung kann ersehen Gemisches aufgebracht und gesintert ''orden ist, kam; ao werden, daß der Widerstand rnter Belichtung weniger der Sintervorgang allein wiederholt werden. als ein Zehntel von dem des photoleitenden ElementesIf the base was created which wrote the evaporation process, isl in I i g. -1 prevents deep water and the jumping of the particle through line A is shown. This characteristic curve causes the speculation of the pad. Thus the ualsensitivity is that of an element, particles hardly settle on the surface ah. Therefore, the cadmium sulfide is used as a photoconductor. The temperature at the point where the application of the tip of this spectral pinpoint can up to /.ii inisches takes place, kept relatively low, while that of the larger wave pick of a rotating ring 3 chosen to a certain extent low and shifted in length are reduced to about 1 rpm by inserting v-.m-cadmium selenide into the photoconductive layer. In -.- is set so that the temperature of the coated, especially if the thickness of the layer rises to the sintering temperature in the case of generally unlayer, if it is chosen to be relatively coarse with the use of cadmium selenide as a photo conductor past a high-frequency induction coil, a photolei-Jaw after the application of the mixture t the element is achieved that a high level of awareness has occurred. As a result of the process described above, it has a self-filtering effect of the photoconductive layer during a rotation of the rotating ring 3, 15 as a result of the application and sintering of the mixture. This property is shown in FIG. 3 in line B , and by repeating the process, a thick layer can be obtained which is completely free of the photoconductive lighting characteristics of pores and cracks. Where the sintering of the element according to the invention is shown in FIG. 4 in which is sufficient after a certain amount of line A is shown. From this. Representation can be seen mixture applied and sintered '' orden is, came; ao that the resistance to exposure less the sintering process alone are repeated. than one tenth that of the photoconductive element

Wenn ein inertes Gas als Hochdruckgas für eine mit paarweisen Elektroden ist (Lichtempfindlichkeits-Spritzpistole 5 zum Aufsprühen des Gemisches ver- bereich 20 mm¹), das durch das herkömmliche Verwendet wird, erfolgt das Sprühen und Sintern in einer iahrcn hergestellt wurde, wie es durch die Kenn-Atmosphäre von inertem Gas. 25 linie B bezeichnet ist. Somit kann gesagt werden, daßIf an inert gas is used as a high pressure gas for one with paired electrodes (photosensitive spray gun 5 for spraying the mixture area 20 mm ^-1 ) by the conventional one, spraying and sintering are carried out in one hour as it was made by the characteristic atmosphere of inert gas. 25 line B is designated. Thus it can be said that

Als nächstes wird ein besonderes Beispiel im ein- die Empfindlichkeit pro einheitlichen Lichtempfind-Next, a specific example is given in the one- the sensitivity per uniform light sensitivity.

zelnen beschrieben: lichkeitsbereich 5Qmal höher ist.individually described: area of possibility is 5Q times higher.

Eine saubere Unterlage 1 aus Borsilikatglas mit Wie oben beschrieben, können Risse und Poren inA clean base 1 made of borosilicate glass with As described above, cracks and pores in

einer Abmessung von 8 ■ 8 ■ 0,3 mm mit einer trans- der photoleitenden Schicht, die bei dem herkömmlichena dimension of 8 ■ 8 ■ 0.3 mm with a trans- the photoconductive layer, which in the conventional

parenten leitenden Schicht darauf wird auf den ro- 3" Verfahren unvermeidlich waren, gemäß dem Verfahrenparent conductive layer on it is inevitable on the ro- 3 "procedure, according to the procedure

tierenden Ring 3 aufgebracht, der aus Metall oder nach der Erfindung vollständig ausgeschaltet werden,animal ring 3 applied, which can be made of metal or completely switched off according to the invention,

Graphit besteht und sich unter einer Glocke 2 befindet. und daher ist es möglich, ein hochempfindliches photo-There is graphite and is located under a bell 2. and therefore it is possible to use a highly sensitive photographic

Der rotierende Ring3 wird teilweise auf etwa 600⁰C leitendes Element mit Sandwich-Elektroden-Kon-The rotating Ring3 is partially conductive at about 600 ⁰ C with sandwich element electrode con-

durch Jie Hochfrequenzinduktionsspule 4 erhitzt, struktion mit kleinem LichtempfindlichkeitsbereichHeated by Jie high frequency induction coil 4, structure with small photosensitivity range

während er sich etwa mit 1 U/min dreht, und dann 35 zu schaffen.while it rotates at about 1 rpm, and then to create 35.

wird ein Gemisch mit der nachfolgenden Zusammen- Da das Aufbringen und das Sintein des Gemischesbecomes a mixture with the following combination of the application and the sintering of the mixture

Setzung kontinuierlich auf die Unterlage 1 durch die in einem einzigen Vorgang erfolgen kann, ist gemäßSettling continuously on the base 1 through which can take place in a single process is according to

Spritzpistole 5 aufgesprüht, die vertikal etwa 10 cm dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung derSpray gun 5 sprayed vertically about 10 cm according to the method according to the present invention

oberhalb des Abschnitts des rotierenden Ringes 3 Vorgang der Herstellung einfach, und es können eineabove the portion of the rotating ring 3 process of manufacture simple, and it can be a

in der Nähe des Eintritts in die Spule 4 angeordnet ist, 4° Anzahl von Elementen mit gleichen Eigenschaften,located near the entrance to the coil 4, 4 ° number of elements with the same properties,

woraufhin die Überzüge nacheinander durch die gleicher Schichtdicke und mit Gleichförmigkeit gleich-whereupon the coatings successively through the same layer thickness and with uniformity

Spule 4 gesintert werden. zeitig geschaffen werden. Da ein großer elektrischerCoil 4 to be sintered. be created early. As a great electric

Strom pro Einheit des LichtempfindlichkeitsbereichesCurrent per unit of the photosensitivity range

Gemischzusammensetzung unter Belichtung mit dem durch das Verfahren gemäßMixture composition under exposure to the by the method according to

45 der Erfindung geschaffenen Element erzielt werden45 of the invention created element can be achieved

CdS 100 g kann, kann außerdem eine Anzahl von Miniatur-CdS 100 g can also contain a number of miniature

CdCI₂ 10 g elementen leicht zu einer Einheit zusammengesetztCdCI ₂ 10 g elements easily assembled into one unit

0,1 Mol CuCl₂ ^ 1,7 cm³ werden, und die Herstellung eines Kartenlesers und0.1 mol CuCl ₂ ^ 1.7 cm ³ , and the production of a card reader and

HjO 500 cm³ einer Lichtauf"iahmevorrichtung zur MustererkennungHjO 500 cm ^{3 of} a light pick-up device for pattern recognition

50 ist möglich. Weitere Merkmale der vorliegenden Erlin-50 is possible. Further features of the present invention

Dureh den oben beschriebenen Vorgang wird eine dung bestehen darin, daß das Verfahren zur Massenphotoleitcnde Schicht mit einer Dicke von etwa 10 μ produktion geeignet ist, da ein Herstellungsverfahren während vier Umdrehungen des rotierenden Ringes 3 mit Beschickung möglich ist. und daß das photoerzeugt, und nach Beendigung des Aufsprühens wird leitende Element mit hoher Empfindlichkeit im nahen das Sintern bei weiteren zwei Umdrehungen durch- 55 Infrarot'.ereich durch die Verwendung von Cadmiumgeführt. se'enid als psiuioleitende Schicht hergestellt werdenThrough the process described above, there will be one solution in that the process is used for mass photoconductivity Layer with a thickness of about 10 μ production is suitable as a manufacturing process is possible during four revolutions of the rotating ring 3 with loading. and that it produces photos, and after the completion of the spraying, conductive member with high sensitivity becomes in the vicinity the sintering is carried out with a further two revolutions by the use of cadmium. se'enid can be produced as a psycho-conductive layer

Die auf diese Weise gesinterte photoleitende kann.The photoconductive sintered in this way can.

Schicht 8 wird auf eine Größe von 4 · 4 mm geschnitten, Einige Merkmale des photoleitenden Elementes derLayer 8 is cut to a size of 4 x 4 mm. Some features of the photoconductive element in FIG

und dann werden Indium-Elektroden 9 durch Vakuum- Sandwich-Art, das durch das Verfahren der vorlie-and then indium electrodes 9 are vacuum sandwiched by the method of the present

verdampfung auf die teilweise frei liegende trans- 60 genden Erfindung hergestellt wurde, wurden oben be-evaporation on the partially exposed trans- 60 ing invention was produced above were

parente Elektrode 7 und auf die photoleitende Schichte schrieben. Die gesinterte Schicht, die beispielsweiseparent electrode 7 and wrote on the photoconductive layer. The sintered layer, for example

aufgebracht, wie es in F i g. 2 gezeigt ist. Anschluß- aus Cadmiumsulfid hergestellt ist und vollständig freiapplied, as shown in FIG. 2 is shown. Connection made of cadmium sulfide and completely free

drähte 10 werden durch ein Indium-Lötmittel an diese von Rissen und Poren ist, findet außerdem viele An-wires 10 are held by an indium solder to remove cracks and pores, and there are also many connections

Elcktroden angelötet. In diesem Fall war der Bereich Wendungen bei photoleitenden Elementen. Beispiels-Elcktroden soldered on. In this case, the range was twists in photoconductive elements. Example

der Indium-Elektroden 9 auf der photoleitenden 65 weise kann die gesinterte Schicht als Photoelement,of the indium electrodes 9 on the photoconductive 65 way, the sintered layer can be used as a photo element,

Schicht 8 etwa 4 mm¹, als Piezo-Widerstandselement, als clektrophotogra-Layer 8 about 4 mm ¹ , as a piezo resistance element, as a clektrophotogra-

Die Kennlinie der Spektralempfindlichkeit eines phische Vonrichtung, als Dünnschichttransistor usw.The characteristic curve of the spectral sensitivity of a phical device, as a thin-film transistor, etc.

nhotoleitenden Elementes, das durch das oben be- verwendet wurden.photoconductive element used by the above.

Claims

Patent claims:

1. Verfahren zum Herstellen einer porenfreien, gesinterten Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid sowie ein Halogenidsintermittel enthaltenden photoleitcnden Halblcilerschicht durch Aufbringen oder Aufsprühen einer Mischung der genannten Stoffe auf eine Unterlage, dadufchgekennzeichnet, daß die Mischung auf eine Unterlage, die auf einer Temperatur von 100°C oder auf einer höheren Temperatur gehalten wird, aufgebracht bzw. aufgesprüht wird, die Unterlage hier-1. Process for producing a pore-free, sintered cadmium sulfide and cadmium selenide and a halide sintering agent-containing photoconductive half-filter layer by application or spraying a mixture of the substances mentioned on a base, dadufchgekmarks that the mixture on a base which is at a temperature of 100 ° C or on is kept at a higher temperature, is applied or sprayed on, the base here-

auf aul die Sintertemperatur der Mischung erhitzt wird und das Aufbringen der Mischung sowie das lirhitzen auf die Sintertemperatur wenigstens zweimal wiederholt werden.heated to the sintering temperature of the mixture and the application of the mixture and the lirheating to the sintering temperature are repeated at least twice.

2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Hochfrequcitzinduktionsspule (4) und einen rotierenden Ring (3) aus Metall oder Graphit der durch die Spule hindurchtritt, um Unter lagen (1) zur Erhitzung und zum Besprühen zi tragen.2. Device for performing the method according to claim 1, characterized by a high frequency induction coil (4) and a rotating ring (3) made of metal or graphite which passes through the coil to sub layers (1) for heating and spraying.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings