DE2326156A1

DE2326156A1 - PHOTOELECTRIC COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Info

Publication number: DE2326156A1
Application number: DE19732326156
Authority: DE
Inventors: John B Mooney
Original assignee: Photophysics Inc
Current assignee: Photophysics Inc
Priority date: 1973-05-23
Filing date: 1973-05-23
Publication date: 1974-12-12

Description

Photoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben. Photoelectric device and method of making the same.

Die Erfindung betrifft allgemein photoelektrische Bauelemente und insbesondere solche, die einen vorbestimmbaren Dunkelwiderstand und eine wesentlich gesteigerte Ladungsremanenz aufweisen, sowie ein Verfahren zur Her Stellung derartiger Bauelemente Photoelektrische Bauelemente weisen im allgemeinen ein zwischen einem Elektrodenpaar angeordnetes photoelektrisches Material auf und haben die Eigenschaft, , daß der Widerstand des Bauelements bei Anlegen einer Spannung zwischen den Elektroden proportional der Beleuchtungsstärke einer aui das photoelektrische Material auftreffenden Strahlung, auS welche das photo elektrische Material ansprechbar ist, abnimmt, oder mit anderen Worten9 die durch das Bauelement fließende Stromstarke ist eine Funktion seines elektrischen Widerstands und dieser ist wiederum eine Funktion der auf das Element auftreffenden Strahlung. Ein ideales photoelektrisches Bauelement hat daher bei Nichtvorhandensein auStreffender Strahlung einen unendlich hohen Widerstand und bei Bestrahlung mit im Ansprechbereich liegender Strahlung der höchsten Beleuchtungsstärke den Widerstand null. The invention relates generally to photoelectric components and especially those that have a predeterminable dark resistance and a substantial have increased charge retentivity, as well as a method for producing such Components Photoelectric components generally have between a Electrode pair arranged on photoelectric material and have the property that the resistance of the component when a voltage is applied between the electrodes proportional to the illuminance of an incident on the photoelectric material Radiation from which the photoelectric material is responsive decreases, or in other words9 the current intensity flowing through the component is a function its electrical resistance and this in turn is a function of the Element impinging radiation. An ideal photoelectric component therefore has if not available incident radiation makes you infinite high resistance and when exposed to radiation lying in the response range the highest illuminance has zero resistance.

In der Praxis verhält sich jedoch ein photoelektrisches Bauelement, wenn dieses nicht von Strahlung getroffen wird, für die das Bauelement empSindlich ist9 wie ein hochohmiger Leiter, und bei Bestrahlung mit solcher Strahlung wie ein niederohmiger Leiter. Wenn das Bauelement nicht von Strahlung getroffen wird, die im allgemeinen aus Licht im sichtbaren Spektralbereich oder aus Strahlung in den unmittelbar an den sichtbaren Spektralbereich angrenzenden Abschnitten des elektromagnetischen Spektrums besteht9 läßt das Bauelement einen Strom durch9 der im allgemeinen als Dunkelstrom bezeichnet wird. Der bei Bestrahlung des photoelektrischen Bauelements von diesem durchgelassene Strom wird da gegen als lichtelektrischer Strom bezeichnet. Der Unterschied zwischen dem lichtelektrischen Strom und dem Dunkelstrom wird im allgemeinen als Photostrom bezeichnet. In practice, however, a photoelectric component behaves if this is not hit by radiation to which the component is sensitive is9 like a high-resistance conductor, and when exposed to such radiation like a low-resistance conductor. If the component is not hit by radiation, the generally from light in the visible spectral range or from radiation in the sections of the electromagnetic directly adjacent to the visible spectral range Spectrum, the component lets a current through9 which is generally called Dark current is called. When the photoelectric component is irradiated The current passed through by this is referred to as a photoelectric current. The difference between the photoelectric current and the dark current is im commonly referred to as photocurrent.

Die vorstehend beschriebenen Eigenschaften sind bei mehreren unterschiedlichen Typen photoelektrischer Bauelemente anzutreffen, so auch bei den sogenannten gesinterten photoelektrischen Bauelementen. Diese werden im allgemeinen dadurch hergestellt, daß ein Gemisch aus einem granulatförmigen, photoelektrischen Material ohne oder in Verbindung mit einem entsprechenden Bindemittel gesintert und eine poröse, polykristalline Schicht aus miteinander verzahnten photoelektrischen Kristallen ausgebildet wird. The properties described above are several different Types of photoelectric components can be found, including the so-called sintered ones photoelectric components. These are generally made by that a mixture of a granular, photoelectric material without or sintered in conjunction with an appropriate binder and one porous, polycrystalline layer of interlocking photoelectric crystals is trained.

Photoelektrische Bauelemente dieser Art sind beispielsweise in den US-Patentschriften 2 765 385 von Thomsen; 2 930 999 von J. G. Van Santen u.aOS 2 993 001 von Schonebarger; 2 689 188 von Hushley und 2 957 555 von Wasserman beschrieben.Photoelectric components of this type are for example in the US Patents 2,765,385 to Thomsen; 2 930 999 by J. G. Van Santen and others 2 993 001 from Schonebarger; 2,689,188 to Hushley and 2,957,555 to Wasserman.

Gesinterte photoelektrische Bauelemente sind typischerweise von poröser Beschaffenheit, wobei Gase in den Poren eingeschlossen sind. Das Vorhandensein von Gasen in den Poren des Bauelements begrenzt den Dunkelwiderstand desselben und erschwert außerdem eine genaue Voraussage der Höhe des Dunkelwiderstands. Wenngleich die Ursachen für diese Widerstandebegrenzung und Unbestimmbarkeit noch nicht ganz geklärt sind9 wurde gefunden9 daß sich der lunkelwiderstand der photoelektrischen Schicht durch Entfernen der Gase wesentlich verbessern läßtO Eine mögliche Erklärung dafür dürfte sein, daß innerhalb der Poren eine Gasentladung auftritt, welche die Elektroden und die gesinterten Teilchen kurzschließt, und daß außerdem das die Porenwände bildende Material durch die eingeschlossenen atmosphärischen Gase vermittels einer chemischen oder physikalischen Reaktion beeinflußt wird. Sintered photoelectric components are typically more porous Nature with gases trapped in the pores. The presence of Gases in the pores of the component limit its dark resistance and make it more difficult also an exact prediction of the level of the dark resistance. Even if the causes for this resistance limitation and indeterminacy are not yet fully clarified9 it was found9 that the photocell resistance of the photoelectric layer persists Removing the gases can improve significantlyO A possible explanation for this should be be that within the pores a gas discharge occurs, which the electrodes and short-circuits the sintered particles, and that also that forming the pore walls Material through the trapped atmospheric gases by means of a chemical or physical reaction is affected.

Durch die Erfindung soll daher ein gesintertes photoelektrisches Material enthaltend es photoelektrisches Bauelement geschaffen werden, das verbesserte Betriebsdaten, insbesondere einen vorbestimmbaren Dunkelwiderstand, aufweist und gegen Qualitätseinbuße aufgrund chemischer oder physikalischer Einwirkungen von atmosphärischen Einflüssen auf die Porenflächen und angrenzende Schichten geschützt ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen photoelektrischen Bauelements geschaffen werden, bei dem insbesondere Gase aus den Poren des gesinterten photoelektrischen Materials ausgetrieben werden und der Dunkelwiderstand ohne nennenswerte Beeinträchtigung der Lichtempfindlichkeit gesteigert wird. The invention is therefore intended to provide a sintered photoelectric Material containing it photoelectric component created the improved operating data, in particular a predeterminable dark resistance, and against loss of quality due to chemical or physical effects protected from atmospheric influences on the pore surfaces and adjacent layers is, as well as a method for producing such a photoelectric component be created in the particular gases from the pores of the sintered photoelectric Material can be driven out and the dark resistance without significant impairment the photosensitivity is increased.

Das zur Lösung der gestellten Aufgabe vorgeschlagene photoelektrische Bauelement weist eine gesinterte, poröse, photo elektrische Schicht auf und ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß in die Poren der gesinterten Schicht ein anorganisches, elektrisch nichtleitendes, Feststoff-Tränkungsmittel eingelagert ist. The proposed photoelectric to solve the problem Component has a sintered, porous, photoelectric layer and is according to the invention characterized in that in the pores of the sintered layer an inorganic, electrically non-conductive, solid impregnating agent incorporated is.

Die gesinterte, photoelektrische Schicht kann dabei auf einer Seite oder auf beiden Seiten in elektrischem Kontakt mit jeweils einer metallischen Elektrode stehen. The sintered, photoelectric layer can be on one side or in electrical contact with one metallic electrode each on both sides stand.

Das Tränkungsmittel kann die Poren in der gesinterten, photo elektrischen Schicht ganz oder teilweise ausfüllen und ggf. für STrahlung, auf welche die gesinterte, photoelektrische Schicht ansprechbar ist, durchlässig sein.The impregnating agent can open the pores in the sintered, photoelectric Filling the layer completely or partially and, if necessary, for radiation on which the sintered, photoelectric layer is responsive to be permeable.

Das Tränkungsmittel, welches insbesondere aus geschmolzenem Glas bestehen kann, ist gegenüber der das Bauelement umgebenden Atmosphäre und gegenüber der photoelektrischen Schicht inert.The impregnating agent, which consists in particular of molten glass is opposite to the atmosphere surrounding the component and to the photoelectric layer inert.

Das zur Herstellung eines derartigen photoelektrischen Bauelements vorgeschlagene Verfahren ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß die Poren der photoelektrischen Schicht mit einem Glas Imprägnierungsmittel getränkt werden, indem das Tränkungsmittel auf den Schmelzpunkt erhitzt und zum Einfließen in die Poren der photoelektrischen Schicht gebracht wird. That for the production of such a photoelectric component proposed method is characterized according to the invention in that the pores the photoelectric layer is impregnated with a glass impregnation agent, by heating the impregnating agent to the melting point and flowing into the Pores of the photoelectric layer is brought.

Entsprechend einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird eine vorbestimmte Menge des Feststoff-Glasimprägnierungsmittels auf die poröse Schicht aus gesintertem, photoelektrischem Material aufgebracht9 dann werden das Material der photoelektrischen Schicht und das Imprägnierungsmittel aui den Schmelzpunkt des iiprägnierungsmittels erhitzt und das geschmolzene Imprägnierungsmittel wird zum Eindringen in die Poren der porösen Masse gebracht0 das auf den Schmelzpunkt erhitzte Glasimprägnisrungsmittel dringt in die Poren der porösen Schicht ein9 verdrängt die in diesen enthaltenen Gase und führt nach seiner Erstarrung zur Ausbildung eines Festkörpers 2 der praktisch keine Gaseinschlüsse mehr enthält. Daher hat das auf diese Weise hergestellte photo elektrische Bauelement im Vergleich zu bekannten Bauelementen aus dem gleichen photoelektrischen iaterial eine höhere Dunkelleitfähigkeit bei gleichzeitig im wesentlichen unveränderter und vorherbestimmbarer Lichtempfindlicbkeit0 Die Erfindung wird im nacbfolgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. According to a further embodiment of the invention, a predetermined amount of the solid glass impregnant on the porous layer of sintered, photoelectric material applied9 then the material the photoelectric layer and the impregnating agent on the melting point of the impregnation agent is heated and the impregnation agent is melted brought to penetration into the pores of the porous mass 0 this to the melting point Heated glass impregnation agent penetrates the pores of the porous layer9 the gases contained in these and leads to the formation of a after its solidification Solid body 2 which practically no longer contains any gas inclusions. Hence that has on Photoelectric component produced in this way in comparison to known ones Components made from the same photoelectric material have a higher dark conductivity while at the same time essentially unchanged and predictable light sensitivity0 the The invention is explained in more detail below with reference to the drawing.

Figuren 1 - 4 zeigen im Querschnitt verschiedene Arbeitsschritte bei der Herstellung eines erfindungsgemäß getränkten photoelektrischen Bauelements. FIGS. 1-4 show various work steps in cross section in the production of a photoelectric component impregnated according to the invention.

Fig. 5 ist ein Querschnitt durch einen entsprechend der Erfindung hergestellten lichtempfindlichen Kondensator. Figure 5 is a cross section through one according to the invention manufactured photosensitive capacitor.

Die Herstellung des erfindungsgemäßen photoelektrischen Bauelements geht von einer bekannten9 porösen9 gesinterten Schicht 10 aus photoelektrischem Material aus. Diese Schicht 10 besteht beispielsweise wie in Big. 1 dargestellt aus einer Vielzahl photoelektrischer Kristalle 129 die durch Sinterung miteinander verschmolzen sind und eine poröse Schicht bilden. The production of the photoelectric component according to the invention assumes a known9 porous9 sintered layer 10 of photoelectric Material from. This layer 10 consists, for example, as in Big. 1 shown made up of a plurality of photoelectric crystals 129 which are sintered with each other are fused and form a porous layer.

Zur Herstellung der photoelektrischen Schicht werden die photoelektrischen Kristalle 12 zunächst in einer dicke ren Schicht oder Lage angeordnet0 Die teilchenförmigen Kristalle 12 bestehen beispielsweise aus Kadmiumsulfiden, -seleniden und/oder -sulfoseleniden9 welche in einer Lösungsmittelschmelze auf einen gewünschten Teilchengrößenbereich rekristallisiert und dann mit einem Halogenaktivator und einem Metallaktivator aus der Gruppe Kupfer und Silber versetzt werden. Anschließend wird die Lösungsmittelschmelze verdampft, wodurch eine im wesentlichen zusammenhängende, wenngleich poröse Schicht aus miteinander verzahnten Kristallen des photoelektrischen Materials ausgebildet wird. Dieses Verfahren ist im einzelnen in der oben bereits genannten US-Patentschrift 2 765 585 (Thomsen)-bescbrieben. An dieser Stelle sei jedoch darauf hingewiesen, daß die Erfindung auf poröse photoelektrische Schichten und Bauelemente beliebiger Beschaffenheit unabhängig von dem åeweils verwendeten Herstellungsverfahren anwendbar ist. To produce the photoelectric layer, the photoelectric Crystals 12 initially arranged in a thicker layer or layer, the particulate Crystals 12 consist, for example, of cadmium sulphides, cadmium selenides and / or cadmium sulphoselenides9 which in a solvent melt to a desired particle size range recrystallized and then out with a halogen activator and a metal activator the group copper and silver are added. Then the solvent melt evaporates, whereby an essentially coherent, although porous layer of interlocked crystals of the photoelectric material is trained. This method is described in detail in that already mentioned above U.S. Patent 2,765,585 (Thomsen) described. At this point, however, pay attention pointed out that the invention applies to porous photoelectric layers and components of any nature regardless of the manufacturing process used is applicable.

Eine solche gesinterte photoelektrische Schicht 10 weist zwar im allgemeinen gute Werte des spezifischen Dunkelwiderstands auf; diese lassen sich jedoch erfindungsgemäß noch verbessern. Obwohl die Kristalle 12 bei der Sinterung an ihren Berührungspunkten 18 miteinander verschmelzen, verbleiben zwischen den Kristallen viele Zwischenräume oder Poren 20 zurück und verleihen der gesinterten Masse eine poröse Beschaffenheit. Da in diesen Poren 20 kleine Gasmengen eingeschlossen sind, läßt sich theoretisch annehmen, daß der Dunkelwiderstand des Bauelements bei Stromdurchgang durch die teilchenförmige Masse aufgrund der Erwärmung der Teilchen und der erzeugten elektrischen Felder durch das Auftreten elektrischer Entladungen zwischen den Kristallen 12 begrenzt.ist. Wenn solche Entladungen tatsächlich auftreten, begrenzen diese natürlich den Dunkelwiderstand des Bauelements, so daß sich dementsprechend bei Fortfall der Entladungswege der Dunkelwiderstand steigern läßt. In der Praxis wurde nunmehr gefunden, daß der Dunkelwiderstand durch Entfernen des Gases gesteigert wird, was die oben gemachten Annahmen zu bestätigen scheint. Such a sintered photoelectric layer 10 has in fact generally good values of the specific dark resistance; these can be but still improve according to the invention. Although the crystals 12 during sintering merge with one another at their points of contact 18, remain between the Crystals back many spaces or pores 20 and give the sintered Mass a porous texture. Since in these pores 20 small amounts of gas enclosed , it can theoretically be assumed that the dark resistance of the component is Passage of current through the particulate mass due to the heating of the particles and the electric fields generated by the occurrence of electric discharges between the crystals 12 is limited. If such discharges actually occur, These of course limit the dark resistance of the component, so that accordingly if the discharge paths cease to exist, the dark resistance can be increased. In practice it has now been found that the dark resistance is increased by removing the gas will, which seems to confirm the assumptions made above.

Zum Austreiben der Gase aus den Poren 20 der gesinterten Schicht 10, welche typischerweise mit einer Elektrode 16 versehen ist, die ihrerseits auf eine Unterlage 14 aufgebracht ist, wird eine bestimmte Menge an pulverförmigem Lötglas 22 oder einem anderen, elektrisch nichtleitenden und gegenüber der Atmosphäre und dem photoelektrischen Material im wesentlichen inerten Material auf die obere Oberfläche 24 der porösen, gesinterten Schicht 10 aufgebracht. Pulverförmiges Lötglas läßt sich auf einfache Weise durch kurzzeitiges Erhitzen auf eine über seinem Schmelzpunkt liegende Temperatur (so z.B. auf 600 von während 3 Minuten) in den flüssigen Zustand überführen. To expel the gases from the pores 20 of the sintered layer 10, which is typically provided with an electrode 16, which in turn a base 14 is applied, a certain amount of powdered solder glass 22 or another, electrically non-conductive and to the atmosphere and the photoelectric material is essentially inert material onto the upper surface 24 of the porous, sintered layer 10 is applied. Powdered solder glass leaves in a simple way by briefly heating it to one above its melting point temperature (e.g. 600 for 3 minutes) into the liquid state convict.

Sobald das Glas wie in Fig. 3 dargestellt in die flüssige Phase übergegangen ist, werden die in den Poren 20 enthaltenen Gase durch das eindringende Glas verdrängt.As soon as the glass has changed into the liquid phase as shown in FIG. 3 is, the gases contained in the pores 20 are displaced by the penetrating glass.

Die auf die Oberfläche 24 aufgebrachte Glasmenge 22 wird zur Erzielung der besten Wirkung vorzugsweise so gewählt, daß sie die Poren in der Schicht 10 im wesentlichen ganz ausfüllt, ohne daß eine größere Rückstandsmenge auf der Oberfläche 24 zurückbleibt. Im Anschluß an die Tränkung der Schicht 10 kann entsprechend Fig. 4 auf die Oberfläche 24 eine optisch transparente, metallische Elektrode 28 aufgebracht werden, oder die Oberfläche 24 kann für elektrostatische Anwendungen unbeschichtet belassen werden. Beim Tränken eines Bauelements mit seitlichem Aufbau, bei dem die Elektroden in Berührung mit den Rändern der Schicht aus photoelektrischem Material stehen, braucht überschüssiges Glas nicht entfernt zu werden, und es muß in der Hauptsache darauf geachtet werden9 daß die Glasmenge zum Ausfüllen der Poren ausreicht Da die Steigerung des Widerstands dadurch erhalten wird, daß mögliche Gasentladungswege beseitigt werden9 besteht ein direkter Zusammenhang zwischen der in das Bauelement singelagerten Glasmenge und dem spezifischen Dunkelwiderstand. The amount of glass 22 applied to the surface 24 is used to achieve the best effect is preferably chosen so that they the pores in the layer 10 essentially completely fills without leaving a large amount of residue on the surface 24 remains. Following the impregnation of the layer 10, according to FIG. 4, an optically transparent, metallic electrode 28 is applied to the surface 24 or surface 24 can be uncoated for electrostatic applications be left. When soaking a component with side Construction, in which the electrodes are in contact with the edges of the layer of photoelectric Material, excess glass need not be removed, and it must In the main, care must be taken9 that the amount of glass used to fill the pores sufficient Since the increase in resistance is obtained by the fact that possible Gas discharge paths are eliminated9 there is a direct connection between the Amount of glass stored singly in the component and the specific dark resistance.

Das bedeutet natürlich9 daß sich der spezifische Dunkel widerstand eines vorgegebenen gesinterten Bauelements durch Bemessung der in die Poren 20 eingelagerten Glasmenge verändern läßt. Wenn daher nicht sämtliche Poren 20 mit Glas ausgefüllt werden, wird der Dunkelwiderstand nur um einen kleineren Betrag gesteigert0 In jedem Falle weist jedoch die getränkte photoelektrische Schicht gegenüber der in Big9 1 dargestellten Schicht auch beipraktisch unverändertem Photostrom einen wesentlich gesteigerten Dunkelwiderstand auf.This of course means9 that the specific darkness resisted of a predetermined sintered component by dimensioning those embedded in the pores 20 Can change the amount of glass. If, therefore, not all of the pores 20 are filled with glass the dark resistance is increased only by a smaller amount0 in each However, the case has the impregnated photoelectric layer opposite that in Big9 1 also has a substantially unchanged photocurrent increased dark resistance.

Das getränkte photo elektrische Material läßt sich als Matrix aus photoelektrischem Material bezeichnen, die zur Erzielung eines guten elektrischen Kontakts zwischen den teilchenförmigen Kristallen gesintert ist. Das Glasimprägnierungsmittel stabilisiert die Porenflächen und Oberflächen der Schicht und verleiht dieser eine höhere Festigkeit. The impregnated photoelectric material can be used as a matrix Designate photoelectric material that is used to achieve a good electrical Is sintered contact between the particulate crystals. The glass impregnation agent stabilizes the pore areas and surfaces of the layer and gives it a higher strength.

Als ränkungs- oder Imprägnierungsmittel wird bevorzugt Glas verwendet. Statt Glas kann jedoch auch ein anderes Material verwendet werden, welches zum Eindringen in die Poren gebracht werden kann, vorausgesetzt, ein solches Material ist im wesentlichen inert in bezug auf das photoelektrische Material und äußere Einflüsse wie z.B. Glass is preferably used as the impregnating or impregnating agent. Instead of glass, however, another material can be used that allows penetration can be brought into the pores provided such material is substantial inert with respect to the photoelectric material and external influences such as e.g.

die umgebende Atmosphäre. Das Tränkungsmittel muß für die Strahlung, auf welche das photoelektrische Material ansprechbar ist, nicht unbedingt transparent, d.h. durchlässig sein. Wenn das photo elektrische Material beispielsweise für Frequenzen innerhalb des Spektrums des sichtbaren Lichts ansprechbar ist, wird vorzugsweise ein farbloses, transparentes Tränkungsmittel verwendet, insbesondere wenn die Poren völlig mit dem Mittel ausgefüllt werden sollen, damit die im Ansprechbereich liegende Strahlung ungehindert auf das photoelektrische Material fallen kann Wenn dagegen die Poren nur teilweise ausgefüllt werden sollen, kann das Tränkungsmittel gegenüber der Strahlung auch epakv d.h.the surrounding atmosphere. The impregnating agent must be used for the radiation, to which the photoelectric material is responsive, not necessarily transparent, i.e. be permeable. If the photoelectric material, for example, for frequencies Addressable within the visible light spectrum is preferred a colorless, transparent impregnating agent is used, especially when the pores should be completely filled in with the remedy so that the one lying in the response area Radiation can fall unimpeded on the photoelectric material if on the other hand the pores should only be partially filled, the impregnating agent can be used the radiation also epakv i.e.

undurchlässig sein, da es in diesem Falle die auf das strahlungsempfindliche Material auftreffende Strahlung nicht oder nicht nennenswert behindert.be impermeable, since in this case it is sensitive to radiation Material not hindered or not significantly hindered radiation.

Bei einigen Anwendungen wie z.B. für xerographische Zwecke wird ein großflächiges elektrostatisches Feld benötigt, das zum Zwecke hoher Ladungsremanenz einen hohen spezifischen Dunkelwiderstand aufweist. Die Tränkung der photoelektrischen Schicht führt zu einer beträchtlichen Steigerung des spezifischen Dunkelwiderstands, ohne dabei jedoch die Empfindlichkeit nennenswert zu beeinträchtigen, welche hier ausgedrückt werden soll durch den Prozentsatz der Remanenzladung zwischen Hell- und Dunkelzustand des photoelektrischen Materials. In some applications, e.g. for xerographic purposes, a Large-area electrostatic field is required for the purpose of high charge remanence has a high specific dark resistance. The impregnation of the photoelectric Layer leads to a considerable increase in the specific dark resistance, without however, significantly impairing the sensitivity, which is to be expressed here by the percentage of the remanent charge between Light and dark state of the photoelectric material.

Aus praktischen Gründen wird das gesinterte photoelektrische Material im Hinblick auf die gewünschte oder erforderliche Empfindlichkeit ausgewählt. Dann wird das Material erfindungsgemäß getränkt, wodurch der spezifische Dunkelwiderstand und damit die Ladungsremanenz gesteigert wird, ohne jedoch die Empfindlichkeit nennenswert zu be einflussen. In der nachfolgenden Tabelle sind die mit zwei Proben erhaltenen Ergebnisse dargestellt, wobei die gespeicherte Ladung der nicht getränkten und der getränkten Proben für den Dunkel- und den Hellzustand angegeben sind. As a practical matter, the sintered photoelectric material selected with regard to the sensitivity desired or required. then the material is soaked according to the invention, whereby the specific dark resistance and thus the charge retentiveness is increased without, however, the sensitivity being significant to influence. The table below shows those obtained with two samples Results shown, with the stored charge of the not soaked and the impregnated samples are indicated for the dark and the light state.

Gespeicherte Prozentsatz Probe Nr. Tränkungsmittel Ladung der gespeicher-Dunkel Hell ten Ladung 19 keines 60 3 5 19A Oorning-Glas, 360 20 5 Typ 7570 20 keines 90 5' 5' 20h Corning-Glas, 330 10 Typ 7570 Die Werte der gespeicherten Ladungen der photoelektrischen Schichten in den Spalten "Dunkel" und "Hell" beziehen sich jeweils auf den Dunkelzustand bzw. nach Belichtung mit 2 Lux sec. Die Versuche mit den Proben erfolgten jeweils vor bzw. nach Tränkung mit Lötglas vom Typ Corning 7570. Die photoelektrischen Schichten beider Proben waren in der üblichen Weise hergestellt worden und unterschieden sich lediglich durch ihre Dotierung, auf welche die unterschiedlichen Ergebnisse zurückzuführen sind. Beide Proben wurden anschließend auf gleiche Weise wie oben beschrieben getränkt. Aus den Ergebnissen ist ersichtlich, daß die Empfindlichkeit, gemessen am Entladungsgrad und ausgedrückt als Prozentsatz der gespeicherten Ladung im Dunkelzustand durch die Tränkung im wesentlichen nicht geändert wird, während die Ladungsspeicherung im Dunkelzustand bei diesen Proben um einen Faktor von etwa 4 - 6 gesteigert ist.Stored Percentage Sample No. Impregnant Charge the Stored-Dark Hell th charge 19 none 60 3 5 19A Oorning glass, 360 20 5 type 7570 20 none 90 5 '5' 20h Corning-Glas, 330 10 Type 7570 The values of the stored charges of the refer to photoelectric layers in the columns "dark" and "light" themselves in each case to the dark state or after exposure to 2 lux sec. The experiments with the samples were made before and after impregnation with soldering glass of the Corning type 7570. The photoelectric layers of both samples were in the usual manner were produced and differed only in their doping to which the different results are due. Both samples were subsequently soaked in the same way as described above. From the results it can be seen that the sensitivity, measured in terms of the degree of discharge and expressed as a percentage the stored charge in the dark state due to the impregnation essentially not is changed while the charge storage in the dark state in these samples is increased by a factor of about 4 - 6.

Bei photoelektrischen Bauelementen in Sandwich-Bauweise wird die auf die Oberfläche der gesinterten photoelektrischen Schicht aufgebrachte Tränkungsmittelmenge so bemessen, daß die Ausbildung einer Glasschicht auf dieser Oberfläche vermieden wird. Bei anderen Anwendungen jedoch kann eine Isolierschicht erwünscht oder erforderlich sein. Eine solche Anwendung ist beispielsweise die Herstellung kapazitiver Impedanzen, die ein lichtelektrisches Dielektrikum aufweisen, dessen Dielektrizitätskonstante sich in Abhängigkeit von Änderungen der Strahlung, auf welche das Dielektrikum ansprechbar ist, verändert. Es wurde gefunden, daß sich bei photoelektrischen Materialien der hier beschriebenen Ausführung nicht nur der Widerstand, sondern auch die Dielektrizitätskonstante als Funktion der im Ansprechbereich liegenden Strahlung verändert. In the case of photoelectric components in sandwich construction, the amount of impregnant applied to the surface of the sintered photoelectric layer dimensioned so that the formation of a glass layer on this surface is avoided will. In other applications, however, an insulating layer may be desired or required be. One such application is, for example, the production of capacitive impedances, which have a photoelectric dielectric, its dielectric constant depending on changes in the radiation to which the dielectric is responsive is changed. It has been found that in photoelectric materials described here Execution not only of resistance, but also the dielectric constant as a function of those in the response range Radiation changed.

In Fig. 1 ist ein erfindungsgemäß ausgebildeter lichtempfindlicher Kondensator dargestellt. Eine gesinterte Schicht aus photo elektrischem Material 30, welche aus Teilchen 31 besteht, ist mit einer Elektrode 32 versehen, die beispielsweise aus einem dünnen metallischen Uberzug auf einer Unterlage 34 besteht0 Die Schicht 30 wird mit einem Tränkungsmittel 36 getränkt, das in solcher Menge aufgebracht wird, um auf der Oberfläche des photoelektrischen Materials 30 eine Isolierschicht 38 auszubilden. 1 shows a photosensitive device designed according to the invention Capacitor shown. A sintered layer of photoelectric material 30, which consists of particles 31, is provided with an electrode 32, for example consists of a thin metallic coating on a base 340 The layer 30 is impregnated with an impregnating agent 36, which is applied in such an amount is to form an insulating layer on the surface of the photoelectric material 30 38 to train.

Eine weitere Elektrode 409 die bei der in Bigo 5 dargestellten Sandwich-Bauweise für Strahlung transparent ist, wird anschließend auf die obere Oberfläche der Isolierschicht 38 aufgebracht und damit ein lichtempfindlicher Kondensator ausgebildet0Another electrode 409 is the one in the sandwich construction shown in Bigo 5 is transparent to radiation, is then applied to the top surface of the insulating layer 38 is applied and thus a light-sensitive capacitor is formed0

Claims

Patent claims pruche) Photoelectric.es component, which is a sintered, having porous, photoelectric layer, characterized in that in the pores (20) of the sintered layer (10) an inorganic, electrically non-conductive æ best material impregnation agent (22) is stored0

2. Component according to claim 1, characterized in that a first metallic electrode (16) in electrical contact with the sintered, photoelectric layer (10) is applied.

3. Component according to claim 2, characterized in that a second metallic electrode (28) at a distance from the first electrode (16) in electrical Contact with the sintered, photoelectric layer (10) is applied.

4. Component according to one of claims 1 - 3, characterized in that that the impregnating agent for radiation to which the sintered, photoelectric Layer (10) is responsive, is permeable.

5. Component according to one of claims 1 - 4, characterized in that that the impregnation agent against the atmosphere surrounding the component and against the photoelectric layer is inert.

6. Component according to one of claims 1 - 5, characterized in that that the impregnating agent the pores in the sintered, photoelectric layer completely fills out.

7. Component according to one of claims 1 - 5, characterized in that that the impregnating agent the pores in the sintered, photoelectric layer partially fills out.

8. Process for producing a photoelectric component according to one of claims 1 - 7, in particular to increase the specific dark resistance, characterized in that the pores (20) of the photoelectric layer (10) with a glass impregnation agent (22) can be impregnated by the impregnation agent heated to the melting point and allowed to flow into the pores of the photoelectric Layer is brought.

9. The method according to claim 8, characterized in that the pores (20) are essentially completely filled with the impregnating agent (26).

10. The method according to claim 8, characterized in that the pores (20) are partially filled with the impregnating agent and part of the pore space is left blank.

11. The method according to any one of claims 8-10, characterized in that that a predetermined amount of the solid glass impregnation agent (22) on the porous layer (10) made of sintered photoelectric material is applied, then the material of the photoelectric layer and the impregnating agent be heated to the melting point of the impregnation agent and the melted Impregnation medium is brought to penetrate the pores of the porous mass.

12. The method according to any one of claims 8-10, characterized in that that a mixture containing a particulate photoelectric material on a first metal electrode (16) applied and to a first temperature at which it is sintered and has a conductive connection on one side with the electrode sintered photoelectric layer is formed, is heated, then on the a predetermined amount of glass is applied to the sintered photoelectric layer and the glass and the sintered photoelectric layer on one for melting of the glass are heated to a sufficiently high second temperature at which the molten Glass penetrates the pores of the sintered photoelectric sheet.

13. The method according to claim 12, characterized in that a second metallic electrode (2d) in electrical contact with the other side the sintered photoelectric layer is applied.

14. The method according to claim 12, characterized in that the on size the sintered photoelectric Schich.t (10) applied amount of glass larger is called the for required complete filling of the pores in the layer Amount of glass and therefore, after cooling, a layer of glass of predetermined thickness (26) of the sintered photoelectric layer, and one opposite to the glass layer the other side of the sintered photoelectric layer through the glass layer electrically insulated second metallic electrode (28) is applied L. e e r e i t e