DE1696616B2 - Verfahren zum Aufbringen einer Isolierschicht aus Siliziumdioxyd auf einen Halbleiterkörper - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen einer Isolierschicht aus Siliziumdioxyd auf einen Halbleiterkörper

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren a5 ium Aufbringen einer Isolierschicht aus Siliziumdioxyd (SiO2) auf einen Halbleiterkörper.
Bei einem bekannten, heute in der Halbleitertech-Bologie vielfach verwendeten Verfahren dieser Art wird die Isolierschicht aus einer Monosilan und Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre abgeschieden. Dieses Verfahren, das überall dort Anwendung findet, wo die Herstellung der Isolierschicht durch thermische Oxydation nicht möglich oder nicht erwünscht ist, weist jedoch noch be ..entliehe Nachteile auf. So kann beispielsweise bei diesem Verfahren ein Verschmutzen des benutzten Reaktors und seiner Zuleitungen durch sich abscheidendes Siliziumdioxyd selbst bei besonderen Reaktorausführungen nicht verhindert werden. Dies macht nun nicht nur ein recht häufiges Reinigen des Reaktors erforderlich, sondern durch das Anlagern des Siliziumdioxydes in den Reaktorzuleitungen ist bei diesem Verfahren tine reproduzierbare Herstellung von dünnen Isolierschichten kaum möglich. Außerdem besitzen die mit diesem Verfahren hergestellten Schichten vielfach nicht die erforderliche Homogenität, da sich beispielsweise im Reakiorinneren angelagertes Siliziumdioxyd ablöst und in die Isolierschicht eingebaut wird. Vielfach wurde auch beobachtet, daß sich beim Zusammentreffen von Sauerstoff und Monosilan flockenartiges Siliziumdioxyd bildet, das dann in die Isolierschicht eingelagert die Homogenität dieser Schicht ebenfalls beeinträchtigt.
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Aufbringen etaer Isolierschicht aus Siliziumdioxyd auf einen Körper aufzuzeigen, das derartige Nachteile nicht aufweist. Bei diesem Verfahren wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß die Isolierschicht thermisch aus einer Monosüan (SiH4) und Stickstoffdioxyd (NO8) enthaltenden Atmosphäre abgeschieden wird.
Der besondere Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung besteht darin, daß die bei dem bekannten Verfahren beobachteten Verunreinigungen des Reaktors und seiner Zuleitungen nicht mehr auftreten und es somit mit dem erfindungsgemäßen Verfahren möglich ist, auf einfachste Weise dünne unJ sehr homogene Schichten aus Siliziumdioxyd bei einer guten Reproduzierbarkeit des Herstellungsprozesses zu erzeugen.
In der einzigen Figur ist eine Vorrichtung dargestellt, mit der das erfindungsgemäße Verfahren in vorteilhafter Weise ausgeführt wird. Der dargestellte Reaktor weist die beiden Zuführungsleitungen 1 und 2 auf, über die die Reaktionsgase Monosilan und Stickstoffdioxyd zugeführt werden. Mittels in der Figur nicht dargestellter Einstellventile wird die Menge der einströmenden Gase beispielsweise so eingestellt, daß sich unter dem trichterförmig erweiterten Ende der Zuleitung 1 durch Mischung eine für das erfindungsgemäße Verfahren günstige Atmosphäre aus einem Anteil Monosilan und 20 bis 60 Anteilen Stickstoffdioxyd ergibt. Wie die Figur weiter zeigt, ist im Reaktor auf einer Trägerplatte 3 der mit der Isolierschicht zu versehende Halbleiterkörper 4 angeordnet. Die bei dem Verfahren erforderliche Wärmeenergie wird von der Induktionsspule 5 geliefert, so daß im wesentlichen nur der Halbleiterkörper und die darunterliegende, aus Metall bestehende Trägerplatte erhitzt werden.
Es sei in diesem Zusammenhang noch erwähnt, daß bei dem erfindungsgemäßen Verfahren auch die beiden Reaktionsgase bereits gemischt über eine einzige Zuleitung in den Reaktor eingeführt werden können. Es ergibt sich damit beispielsweise durch den Wegfall der in der Figur dargestellten Zuführungsleitung 1 und deren trichterförmige Erweiterung eine besonders einfache Reaktoranordnung bei Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Um gute Ergebnisse beim Abscheiden der Isolierschicht sicherzustellen, ist bei dem Verfahren nach der Erfindung vorgesehen, die Isolierschicht bei einer Temperatur über 200° C abzuscheiden. Allerdings ist es bei dem erfindungsgemäßen Verfahren grundsätzlich zweckmäßig, die Temperaturen unter 400° C zu halten, um eine Zerstörung des Halbleiterkörpers zu verhindern.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

  1. Patentansprüche:
    J. Verfahren zum Aufbringen einer Isolierschicht aus Siliziurodioxyd (SiO8) auf einen Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, S daß diese Schicht thermisch aus einer Monosilan (SiH1) und Stickstoffdioxyd (NO8) enthaltenden Atmosphäre abgeschieden wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zum Abscheiden erforder- *o liebe Gas aus einem Anteil Monosilan (SiH4) und 20 bis 60 Anteilen Stickstoffdioxyd (NO8) besteht
  3. 3. Verfahren nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht bei einer »5 Temperatur über 200° C abgeschieden wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht bei einer Temperatur zwischen 200 und 400° C abgeschieden wird. ao
DE1696616A 1968-03-01 1968-03-01 Verfahren zum Aufbringen einer Isolierschicht aus Siliziumdioxyd auf einen Halbleiterkörper Withdrawn DE1696616B2 (de)

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