DE1696409U - Gehaeuse fuer elektrisch unsymmetrisch leitende systeme. - Google Patents
Gehaeuse fuer elektrisch unsymmetrisch leitende systeme.Info
- Publication number
- DE1696409U DE1696409U DE1952L0006747 DEL0006747U DE1696409U DE 1696409 U DE1696409 U DE 1696409U DE 1952L0006747 DE1952L0006747 DE 1952L0006747 DE L0006747 U DEL0006747 U DE L0006747U DE 1696409 U DE1696409 U DE 1696409U
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- housing
- allow
- following
- oöer
- systems
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
26.11.1-954
Die bisher üblichem Geliäas© für elektrisch unsymmetrisch leitende Sysrtrae
waren stets darauf abgestellt? das System während-des Betriebes n,c5gliohst von äusseren Einflüssen frei au- halten und gu
stabilisieren $ während sie hinsichtlich ö©r Darstellung des
Systems meist nur darauf abgestellt waren ? das System innerhalb
des Gehäuses au montieren; um beim Einbau- mechanische- TerEnderungen
an demselben zu vermeidest Bs tot sich ab@r herausgestellt ? dass
die Qualität elektrisch asymmetrisch-leitender Systemen insbesondere solcher System© 9 ate mit germanium oder Silizium als Halb·=
leiter arbeiten» weitgehend abhängig ist von- der Art und Weise
der Zusammensetzung der äueseren Umgebung? soäass ©e arforderlioh
wurde? andere uebäuse&rben su entwiokeln0
Die vorliegend.e Heuerung betrifft nun e.ia ßeliäiase für ©lefetriscfe
unsymmetrisch leitende Systeme 8 wi© Plächen«=· oder Spitsengleichrichter,.steuerbare
Gleichrichter oder Kristallverstärker s insbesondere
für Systeme mit -Üochsohtaelsenden Halbleitermater3alien9
wie Germanium oder Silicium? das. sich von den bishei* bekannten da*.. durch
unterscheidets dass die Gehäusewandung mehrere Pumpstutssn«-
Kanäle oder .Durchführungen aufweist? die es gestatten? das meoha«··'
nisch fertig aufgebaute System in dem bereits susammengesetzten
Gehäuse einer thermischen und/od-er einer, das im §efeäics® erhaltene
gasförmige Medium, hineielitlioh Druck unä/oöei3 Zusammensetzung verändernden Behandlung su unt@Tz±®h®n unö das Gehäuse aaoli der erfolgten Behandlung hermetisch zu- versohliesseno Das §cWmb® gemäß
der Lehre der Erfindung gestatte.t also sine Beeinflussung der Umgebung des Systems während seiner Vorbehandlung0 Dies ist -beson=·
dera von Bedeutung für die eXektrische
Die Torgesehenen Mattel werden mit Yo-rteil derart ausgelegt $
dass sie eine Evakuierung- des im Gehäuse vorhandenen gasförmigen.
Mediums zulassen0
Daruberhisaaus ist es tos forteils wenn die-vorgesehenen'Mittel
die Einleitung, ©ines Füllgas©s unt@r definiertem Druck £@stat~
teno ■
Weiterhin ist @s günstig ti® vorgesehenenMittel - derart aus«-
zugestalten, dass &i@ Duro&gpülu&g des ®ehäuses mit ©iaem G-as
erleio&tert wird,,
Sine wesentliche Terfeeseepung ä®& Gehäuses ist darin jsu seilen9
dass die vorgesejiesiea Mittel cii© Zulieferung elefetr^isclier Energie
zur, vorzugsweise glsiohseltig mit @i:aer anderen Behandlung9
atattflndenden Aueh@i%wig des System® und/oder des G-eMuses g@^
statten« Dadurch k&tm auf das Ausheilen, der Sjgtame innerhalb
eines Ofens verdichtet werden» Dies ist ©twa "beispielsweiee der-=
art darstellbar, das© ©!©ktrisöä. leittnd© Teils äes Gehäuses
oder des Systems- mittels ©ines elefetrisohen Stromes ©ϊμΕπβ,ϊ werden, oder dass besondere ©lektrisohe Heizmittel vorgesehen siadj
die naefe. der Behandlung im ß-eaäuee verbleiben oder aueh aus diesem entfernt werden
Bewährt hat si oh ©in $©Mu0©s dai aus einem niedrigen Zylinder«
vorzugsweise aus 0-las ©S®r Seramikj besteht, der duröh swei Plat
ten, vorzugsweise aus ©lektrisoh- leitendem Materials "beispielsweise dosenförmig abgesohlosseii istf wobei die Abaohlussplatten
Träger dea oder der Systeme ©insGhliesälioh der Sul®itung@n sind
und weitere Kanäle oder isoliert β Durohführungen enthalten sBxi^
nen, während der 2yllnd@r <@is.®n oder mehrere Stutsön aufweist»
line andere Ausführung besteht darin, dass das S-elmuse aus swei
Schalenj beispielsweise einem napfförmigen 2©il mit Deckel gebildet wird,, die h@Äetiseh mt@ia.aa§©r su einem 6-©Muse verb im·=
den werden Wim@n? imM dass ©in oder", beide iUeile Sie Mittel sur
Durohführumg ömt B&h&n&lwiig enthalt eiste
Allgemein ist ©s ¥oa forteilj, bei @®häas@t©il©a& dia aias Mel
diese estwefier diareh SöÄ5i?eis©ea8 Löten oder igl,f.
:< duroh is©li$3?©s.i© BiM©aitt©l9" beis#i$lsw@ige glaslot
s_
harssittss 9 siteiasEiier «a fer blades <>
wq^©1 at® olek^risohe'a
Strom" ΜΙϊί^&Μ&ΦΆ !©lie gegebenenfalls Isoliert geg-aE. eas Gte-Mmse
ai&sgeführt slat».
Um sinus isE0ttslls&©a Soliatg das Systems su Ijewir^/ij, lmnsi
öas @©laäi3,s@ so welt Bit einea Säessliars ©cl@s? ©ι·!!©:-·., '^rgasidiroli
Isolierstoff atätsgefüllt BQXn3 äae ninaestems- i&fc >y^t®a ΐχ.Χ".
stäaäig damit mMllt iato Wirf äas gang© ß-stiäüg:© a-tsgsfüll-lso
üieat &%® ffilliaxsg aass@3?ö©a dasiio die ICosröalr'-e a;if äera
System g©&'oa ssa&asrjisali© Beeiaflu-ssiiag su ®ö5iüts".er. ^jxd xssräjaulegen.
figo 1 s@igt ©in §®iiäasi©s aas aus eiaem flaoJiea %jl:,mi@ir 1 sims
{ylas "boetshti, ä®r mit .swei Pumpstutaea 2 im& 5 vs^swhen i>s^
aaä du^öh gw@i metallisch® Blatt esa 9 waß. 4 sogecle^kt wirfit Bit«
Platte 9 trägt 1ä sp^ixsoSiiöSiti^eiesa loata&t ©in rts:SBai!.iw©:plä-:;
char 1% SMf &b>3 @ia Sropfea -ladiumlot 9 auigeteeeäf ist 3 \?n&
öem eiii© gialeitimg 6 abgeht „ die duroh eia© Iso_lio3faag ? i;i
der Platt© 4 iaiadurcligefülart ist unä la ©iaem Ss-alit 8 en£<s-;D
s" di@ A1)@«Ii1esaplatt© 9 anä ier
2 seigt eia ©elxäias© 1 s - fias im w©ssnt3.icli©n aus Metall
it taad mit ©ia©m Pmipstutsea Z T@K°s@li©a ist9 wSte-reaS ei·?.
■·■
mp@tiits@a 5 beispielsweise^ ame -iias l-®3tehtD Bas
GeMuse 1 ist m&üh uat@a <äu3?oli den Deckel- 4 verEGlilossen« ε
dsn das il^x^aÄiistselieibeli^ia. 5 aefgebraoM istp welelias wit
Kontakt ®n β m®S T υ®τ®<§Ίχ®μ iBte-^Dey Ke
Sontalt- t tiireli das tlas2°l5]b:2feB.©si 3 g
welches-, ^is® AIog@SLLii.es ter f®rtigpag isiigs^iasiigcsfei* --;i:/i αηί. A
KöBtakt 7 g©e@2i tas ©eliäESS isoliert o Somit -s?©^ö·/. :-<.1®q. vlsdrei
Söiitafets ä©s I^iefalXferstai^eEs eiMial δκί; -Λεώ G^^-
rt ist«, VM(I emältoh äw?Gh clesi Prallt .T9 &®r &usuh &a.s
s- .r:topt\es 3 isoliert iet, gebildet«
Figo 3 s@igt @ia©n '§X©ioJj3?ics&t®r9 übt ia @1e 6;ai;i,äue© 1
Xs-täadig aus das ls@st®fc;t sa.fi ia ■
11@ S maä 3 aufweist 9 ii© ale Bc-äsa &d-"
Des» fell 2 eatSiält swei PnmpBtat2-s5i y ixaC 4r
die "beii^ ausseräea ii® Sulisitiangea 5 imi. β füfe3?3a5 Basüöei-
irircl äwceoh Hem lempst-fötaea 9 eija© w©it©:r® Jjsituag ?
üto.rt-9 die ©toeaso wie fes? loaia&t 6 sp©rrsoli!oä1»£rsi aa d
p iegt uM dass dient 9 wäteeaß cl@:c- Hc
das System mittels Strömän^ßSigaag su @i<xl.t£siao ?5;l-·
Euleitimg 7 ist s© aa te® eemasimaplätteiies. l©fa&-?:lgts ilan
sie- dureh ^ag ams 4@® d&tiämse eatferat w^ydea te7.H:-.s for use.
AbselHaelsea iss Pisagstiatsea aaö maoSx Du^efetiSiraag ßcr tho:^-
iflieoli©a Be&aadXiaag wiri also al® Z-uleituag ? aus &se ©eliaac
Claims (1)
- PAtB 95866^29.11.5426.11,1954 . '■' " ' ".Sohttt-zansprUcb.eeGehäuse für elektrisch, unsymmetrisch leitend® Systeme? wie Flächen- oder Spitisengl©iehri©hter? steuerbare Gleichrichter oder Kristallverstä^Iserj inefresondepe für Systeme mit hochschsel· zenden Halbleitermaterialien? wie. Germanium oder Silicium,, Cbdurch gekennzeichnet§ class die' Oeh-äusewaadung". mehrere iumpsstutgsoi Kanäle oder Durchführungen aufweist j Sie ©s gestatten, das mechanisch fertig aufgetaut© System in dem bereits susEmmengesets-i Gehäuse einer thermisches und/oöer einers das im Gehäuse enthalt ne gasförmige Medium hiasiehtliGh Bruek und/oder Zusammeasstgiiaf verändernder Behandlung au unterziehen? und das Gehäuse nacfc. >;i@r erfolgten Behandlung hermetisch au v©rschlie.ssen<,2ο Gehäuse nach Anspruch 1 9 üMÄUTuh. gekennseie-hnet? dass clie rö sehenen Mittel eine Brakuieruag des Gehäuses gulassen*Gehäuse nach'Anspruch 1 oder 2? dadurch gekennzeichnet ? dassvorgesehenen Mittel die Einleitung eines füllgases unter def niertem Druck gestatten»4p Gehäuse -nach Insprueh 1 oder einem der folgenden:g-dacluiOh ge zeichnet»-dass die irorgeselaenea Mittel die Durohspüliiag öes häuses mit einem feg gestatten» ■ -5ο Gehäuse nach insprmcb. 1 oöer einem der folgenden^ zeichnet, dass die Torgsaehenea Mittel'Äie" Euführuivg sls Energie zur9 vorzugsweise gleichseitig mit einer aMer&a lung-, stattfindenden Auslieisung Ses Systems und/oder des Qq gestatteno-2£&c3b. A&spruQh 1 oä@r ®&n®m &®r folgenden s. dadurch ? dass. <§$ aus @ia©a si©drig©n 2jlinö.e^? Tor weis© aus (Ras oäti1 K^tBmrXkp "foeate&ts d©r durch Ewei Plair vorsugsweis© aus elskt^isoh l@it@iaa©a Materials se clos^iiförmigg afog^^&loB-SQa lst? woljti die frägsr ö©.s oöer ier Sjst@m© ^iasoiiliesslioli" der sind und w@iter.e Kanal© od©» isoliert® Duroiifüärimgea e:a1 "bis 5 oi©r ®ta©m öersel'-iea,, dadurch■ Seil mit Pael;aX9 b©st©at9 öle Jiertaetisoli" mtuf auäer au einest ($@&äus© ir^Äunä^xi w@rd©-a-!könnsEj" uaä ciass 4 feeiäe !Keile di@ Mittel sur Diaroiifiiiirujag äer Be?aanSluG^ehäua© aacla laspruoli β oder 7-j daäui^oh gekemig^s afcaet £. fe 4ie ö©näus©teile au$ Metall b@st®]a.®s. und ea.tw@der ö.urola ^r ßen, Löten oö©r d^lo oä®v lsoli@3?@nde Bindemitt3-1, wl® H-l lot oder Kuastliargkitte mit einander verbunden sincL Tiolisi elölEtrisQaen Strom führeadea Seil© gage^eaenfalle; isolier-' gegen äas 0©liäuse' ausgeführtο SenEuse naoh tespruola 1 aete einsm der folgendem s daäureli 3EQ3aa2eio3met? dass ts ^an^ oöer teilweise mit wli-.em Clisc'B oder einem 03?gani©oii$a isolierstoff ao weit ausgefüllt, is*' dass dieser suminäü^t das System irollBtäs-dig usair.llto
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1952L0006747 DE1696409U (de) | 1952-12-06 | 1952-12-06 | Gehaeuse fuer elektrisch unsymmetrisch leitende systeme. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1952L0006747 DE1696409U (de) | 1952-12-06 | 1952-12-06 | Gehaeuse fuer elektrisch unsymmetrisch leitende systeme. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1696409U true DE1696409U (de) | 1955-04-14 |
Family
ID=32237698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1952L0006747 Expired DE1696409U (de) | 1952-12-06 | 1952-12-06 | Gehaeuse fuer elektrisch unsymmetrisch leitende systeme. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1696409U (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1087280B (de) * | 1957-12-20 | 1960-08-18 | Siemens Ag | Verfahren zum Verschliessen einer Gehaeusedurchfuehrung fuer die Elektrodenzuleitung einer in ein metallenes Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiteranordnung |
DE1087707B (de) * | 1957-04-18 | 1960-08-25 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Flaechengleichrichter- bzw. Flaechentransistoranordnung und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
-
1952
- 1952-12-06 DE DE1952L0006747 patent/DE1696409U/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1087707B (de) * | 1957-04-18 | 1960-08-25 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Flaechengleichrichter- bzw. Flaechentransistoranordnung und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
DE1087280B (de) * | 1957-12-20 | 1960-08-18 | Siemens Ag | Verfahren zum Verschliessen einer Gehaeusedurchfuehrung fuer die Elektrodenzuleitung einer in ein metallenes Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiteranordnung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3036260A1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektrischen kontakten an einer silizium-solarzelle | |
EP0022252A1 (de) | Diaphragma für alkalische Wasserelektrolysen und Verfahren zur Herstellung desselben sowie dessen Verwendung | |
EP1943460B1 (de) | Kerze umfassend einen docht, ein brennmaterial und einen kerzenteller | |
DE1696409U (de) | Gehaeuse fuer elektrisch unsymmetrisch leitende systeme. | |
DE1216499B (de) | Auf Eisen oder Eisenlegierungen aufgebrachtes Email mit hoher Dielektrizitaetskonstante | |
DE2016211C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE855003C (de) | Bleilegierung | |
DE1596269A1 (de) | Elektrischer Akkumulator | |
DE339413C (de) | Aufhaengung der Platten von elektrischen Stromsammlern in Gefaessen | |
DE1713059U (de) | Regenzelle zur betaetigung eines elektrischen stromkreises. | |
DE1234397B (de) | Verwendung von Gold- und/oder Silber-Legierungen als Werkstoff fuer elektrische Kontakte und Verfahren zur Herstellung von Kontakten | |
DE102015120569A1 (de) | Herstellen von waferartigen Dünnglasplatten mit Aufbauten und Auftrennen in einzelne kleinere Dünnglasplatten | |
AT152683B (de) | Freitragende, kugelsichere und gasdichte Dachhaut, insbesondere für Flugzeughallen. | |
DE465353C (de) | Verfahren zur Herstellung von Massekernen, insbesondere aus Permalloypulver, deren Isoliermittel aus hitzebestaendigem Material besteht, und die vor ihrer Fertigstellungeiner Erhitzung unterzogen werden | |
DE467107C (de) | Kontaktmetall | |
DE1673510U (de) | Abschirmkappe fuer bauelemente der hf-technik, wie drehwiderstaende, hebeldrehschalter u. dgl. | |
DE613582C (de) | Isolierter Metallkoerper mit einer Faserstoffdecklage und Verfahren zur Herstellung des isolierten Metallkoerpers | |
DE945531C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern | |
DE1758310A1 (de) | Palladium-Vanadium-Legierung,insbesondere zur Verwendung als Widerstandsmaterial | |
EP0137169A3 (de) | Cumalinsäureester, Verfahren zu ihrer Herstellung und landwirtschaftliche Fungizide | |
DE1085750B (de) | Verfahren zum Herstellen von Bimetallrohlingen, insbesondere von Kontaktnietenrohlingen, und zum Scheiden des Abfalls | |
DE3615239A1 (de) | Elektrochemische speicherzelle | |
JPS54122486A (en) | Press device | |
DE611786C (de) | Trockenelement | |
DE708895C (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrolytischen Kondensators, bei dem mindestens eine Elektrode ganz oder zum wesentlichen Teil aus gefrittetem oder gesintertem Material besteht, und nach diesem Verfahren hergestellter elektrolytischer Kondensator |