DE1673847B2 - Elektronenstrahlmikrosonde - Google Patents
ElektronenstrahlmikrosondeInfo
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- DE1673847B2 DE1673847B2 DE1968C0044644 DEC0044644A DE1673847B2 DE 1673847 B2 DE1673847 B2 DE 1673847B2 DE 1968C0044644 DE1968C0044644 DE 1968C0044644 DE C0044644 A DEC0044644 A DE C0044644A DE 1673847 B2 DE1673847 B2 DE 1673847B2
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Description
D-
+ 360//Π),
wobei η = Anzahl der Detektoren; d = Ausgangssigna] des jeweiligen Detektors; Λ = Winkel auf der
Probenoberfläche zwischen der Richtung »scheinbaren Beleuchtung« und der Projektion der Verbindungslinie von Detektor (Do) und Auftreffpunkt des
einfallenden Elektronenstrahles (B) auf die Probenoberfläche, ferner π größer oder gleich 3 ist
2. Elektronenstrahlmikrosonde nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel θ veränderlich ist
Die Erfindung bezieht sich auf eine Elektronenstrahlmikrosonde der im Oberbegriff des Hauptanspruchs
angegebenen Gattung.
Es ist bekannt eine Probe oder einen Prüfling mit einem Elektronenstrahl zu beaufschlagen, um die
Oberflächenbeschaffenheit festzustellen, insbesondere
die Oberflächentopographie bzw. -gestalt und die Oberflächenzusammensetzung bzw. die Verteilung der
verschiedenen, dort vorhandenen Elemente, beispielsweise die Verteilung von Einschlüssen oder Fremdstoffen in einer Probe bzw. einem Prüfling aus Stahl oder
Gußeisen. Dabei werden Detektoren für die von der abgetasteten Oberfläche rückgestreuten Elektronen
verwendet, deren Ausgangssignale weiterverarbeitet werden.
Die Stärke der Rückstreuung ist abhängig von der
Ordnungszahl des jeweils bestrahlten Elementes, so daß ein Bild der Elementenverteilung auf der abgetasteten
Oberfläche gewonnen werden kann, indem man eine Kathodenstrahlröhre oder einen Zweikoordinatenschreiber mit dem abtastenden Elektronenstrahl syn-
chronisiert. Die Verteilung der rückgestreuten Elektronen ist jedoch nicht nur von der Elementenverteilung
abhängig, sondern auch von der Gestalt bzw. Topographie der Oberfläche des jeweiligen Prüflings bzw. der
jeweiligen Probe.
Es ist bereits eine Elektronenstrahlmikrosonde zur Bestimmung der Oberflächenzusammensetzung und
-topographie einer Werkstoffprobe vorgeschlagen " worden, welche durch mindestens zwei Detektoren
gekennzeichnet ist, die annähernd symmetrisch zum Primärstrahl unter einem Winkel zu ihm in der Nähe des
Bestrahlungspunktes angeordnet sind, und deren Ausgänge mit einer Überlagerungseinrichtung zum Addie
ren und/oder Subtrahieren der Signale verbunden sind.
Damit soll die Aufgabe gelöst sein, genaue und adäquate
Messungen und Beobachtungen der Probenoberfläche durchführen zu können, also diejenige Information,
welche sich auf die physikalischen Eigenschaften und die Zusammensetzung bezieht, von derjenigen Information
trennen zu können, welche die Probenoberflächengesult betrifft Zusammensetzung und Topographie der
Probenoberfläche sollen gleichzeitig erfaßt werden können (DT-PS 14 98 932).
Bei einer bekanntgewordenen Ausführungsform dieser Elektronenstrahlmikrosonde sind zwei Detektoren für diejenigen Elektronen vorgesehen, welche von
der mit einem Elektronenstrahl abgetasteten Probenoberfläche rückgestreut werden. Die Detektoren liegen
in derselben, den einfallenden Elektronenstrahl enthaltenden Ebene beiderseits vom Elektronenstrahl und
symmetrisch dazu. Die beiden sich in Abhängigkeit von der chemischen Zusammensetzung der Probe an der
abgetasteten Oberfläche gleichsinnig und in Abhängigkeit von der Oberflächengestalt ungleichsinnig ändernden Ausgangssignale der beiden Detektoren werden zur
Feststellung der chemischen Zusammensetzung der Probe an der abgetasteten Oberfläche addiert und zur
Feststellung der Oberflächentopographie subtrahiert (Handbuch der Mikrochemischen Methoden. 1966, Band
IV, S. 51 bis 54. H. M a I i s s a »Elektronenstrahlmikroanalyse«).
Bei dieser Mikroanalyse ist es nicht möglich. Unregelmäßigkeiten der abgetasteten Probenoberfläche bei der Prüfung der Topographie festzustellen bzw.
ihre Auswirkungen bei der Prüfung der Zusammensetzung auszuschalten, welche parallel zu derjenigen
Ebene verlaufen, die den Auftreffpunkt des einfallenden Elektronenstrahles auf der Probenoberfläche und die
beiden Detektoren enthält. Diese Mikroanalyse ist einer optischen Untersuchung einer Landschaft vergleichbar,
welche etwa parallel zu ihrer Oberfläche von einer Seite beleuchtet wird. Bei Betrachtung von oben können
Unregelmäßigkeiten nicht erkannt werden, die parallel zur Beleuchtungsrichtung verlaufen.
Um auch solche Oberflächenunregelmäßigkeiten berückyichtigen bzw. feststeilen zu können, müßte eine
gegenseitige Verdrehung von Probe bzw. Prüfling und Elektronenstrahlmikrosonde vorgenommen werden.
Dies ist jedoch insbesondere deswegen nachteilig, weil ein Drehen genau um den Auftreffpunkt des einfallenden Elektronenstrahls auf die Proben- bzw. Prüflingsoberfläche nur schwer zustande zu bringen ist und die
Struktur einer empfindlichen oder leichtflüchtigen Probe bzw. Prüflings sich während des Verdrehens
ändern kann.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Elektronenstrahlmikrosonde der im Oberbegriff des
Hauptanspruchs angegebenen Gattung zu schaffen, welche auf einfache Weise die Erfassung jeder
Oberflächenunregelmäßigkeit unabhängig von deren Verlauf bzw. Lage zuverlässig gewährleistet
Diese Aufgabe ist durch die im kennzeichnenden Teil des Hauptanspruchs angegebenen Merkmale gelöst.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung ist im Anspruch 2 gekennzeichnet
Es sind mindestens drei Detektoren für die von der abgetasteten Probenoberfläche rückgestreuten Elektronen vorgesehen, deren Ausgänge an eine Mischkreis-Schaltung angeschlossen sind. Diese vermag die
Detektorausgangssignale zu beispielsweise in Kathodenstrahlröhren weiterverwendbaren Signalen zu korn-
binieren, welche lediglich von der chemischen Zusammensetzung
bzw. der Topographie der jeweils abgetasteten Probenoberfläche abhängig sind, nicht jedoch
von der Topographie bzw. der chemischen Zusammensetzung.
Es kann jegliche Oberflächenunregelmäßigkeit unabhängig von deren Verlauf bzw. Lage festgestellt und
auch bei der Ermittlung der Zusammenset omg berücksichtigt
werden. Es ist möglich, ein Bild der jeweils untersuchten Oberfläche mit jeder beliebigen Richtung
der »scheinbaren Beleuchtung« zu vermitteln, ohne dabei die Probe bzw. den Prüfling und/oder die
Elektronenstrahlmikrosonde verdrehen zu müssen.
Die Verwendung von mindestens drei Detektoren in
einer Elektronenstrahlmikrosonde ist gegenüber der Anordnung von nur zwei Detektoren auch bei der
Bestimmung der chemischen Zusammensetzung vorteilhaft, wobei die Detektorausgangssignale einfach addiert
werden, um die Ordnungszahl des jeweils bestrahlten Elementes festzustellen. Werden nur zwei Detektoren
vervendet dann ist ein Kratzer oder eine sonstige Oberflächenunregelmäßigkeit, welcher bzr. welche sich
parallel zur Verbindungslinie der beiden Detektoren erstreckt nicht erkennbar, kann jedoch die beiden
Ausgangssignale der Detektoren in gleicher Weise beeinflussen, so daß eine scheinbare, in Wirklichkeit
jedoch nicht vorhandene Veränderung der Zusammensetzung an der abgetasteten Prüflingsoberfläche sich
ergibt. Dies ist ausgeschlossen, wenn drei oder mehr Detektoren verwendet werden.
Es gehört ein Elektronenstrahlgerät zur Mikroanalyse von Proben nach chemischen Eigenschaften und
Gestalt zum Stand der Technik, wobei meb-ere Detektoren für die von der abgetasteten Probenoberfläche
rückgestreuten und die durch die Probe hindurchtretenden Elektronen vorgesehen sind, nämlich jeweils
ein feststehender Detektor und ein beweglicher Detektor. Statt letzterem können auch mehrere
Detektoren vorgesehen sein, womit stereoskopische Beobachtungen durchgeführt werden sollen. Wesentlich
ist, daß jeder Detektor als p-n-Halbleiter ausgebildet ist
(GBPS IO 58 037).
Nachstehend sind Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Elektronenstrahlmikrosonde an Hand
der Zeichnung beispielsweise beschrieben. Darin zeigt schematisch
F i g. 1 perspektivisch die Anordnung der Detektoren
bei einer Ausfühungsform mit drei Detektoren,
F i g. 2 die der F i g. 1 entsprechende Draufsicht,
F i g. 3 ein Diagramm zur Veranschaulichung der »scheinbaren Beleuchtung« und
Fig.4 die Fig.2 entsprechende Draufsicht einer
zweiten Ausführungsform mit vier Detektoren.
Gemäß F i g. 1 wird auf die Oberfläche eines Prüflings S ein gebündelter Elektronenstrahl B gerichtet,
um die chemische Zusammensetzung und die Topographie festzustellen. Die aufprallenden Primärelektronen
verursachen die Emission von Sekundärelektronen. Diese und reflektierte Primärelektronen
werden von Detektoren Do, Di und Di für diese
rückgestreuten Elektronen aufgefangen.
Der einfallende Elektronenstrahl B wird parallel zur Oberfläche des Prüflings S nach einem Raster seitlich in
zwei zueinander senkrechten Richtungen abgelenkt, um einen kleinen, ausgewählten Bereich zu bestreichen. Die
Ausgänge der Detektoren Da, D\ und Di sind mit der
Helligkeitssteuerschaltung einer Kathodenstrahlröhre gekoppelt, deren Strahl synchron mit dem Elektronenstrahl
B abgelenkt wird, so daß auf dem Schirm der Kathodenstrahlröhre ein Bild der Verteilung der
rückgestreuten Elektronen des abgetasteten Bereiches erscheint
* Wenn die Oberfläche des Prüflings S im abgetasteten
Bereich vollkommen eben ist und senkrecht zum einfallenden Elektronenstrahl B liegt dann ergibt sich
aus Symmetriegründen auch eine gleichmäßige Verteilung der rückgestreuten Elektronen um die Achse des
■o einfallenden Elektronenstrahles B, wobei der Grad der
Rückstreuung von der Ordnungszahl abhängig und um so größer ist je höher die Grdnungszahl des jeweils
bestrahlten Elementes ist Wenn jedoch die Oberfläche wellenförmig ist wie beispielsweise beim Vorliegen von
■ s Mikrokristallen mit äußeren Oberflächen der Fall,
welche zu der Gesamtoberfläche schräg liegen, dann verteilen sich auch die rückgestreuten Elektronen
asymmetrisch.
Eine derartige schräge Oberfläche kann mittels
ίο zweier Detektoren festgestellt werden, die beiderseits
derjenigen Ebene angeordnet sind, welche den einfallenden Elektronenstrahl enthält und parallel zur
Schnittlinie der schrägen Oberfläche mit der Gesamtoberfläche des jeweiligen Prüflings verläuft Jedoch läßt
2$ sich mit einer solchen Anordnung eine derartige schräge
Oberfläche nicht feststellen, welche die Gesamtoberfläche des Prüflings in einer Linie senkrecht zur genannten
Ebene schneidet
Um diesen Nachteil zu beheben, werden mindestens drei Detektoren Db, Di, Di... vorgesehen. Bei der Ausführungsform gemäß F i g. 1 bis 3 sind drei Detektoren Do, Di und Di vorgesehen, welche um den einfallenden Elektronenstrahl B herum gleichmäßig verteilt sind, so daß jeweils zwei benachbarte Detektoren einen Winkel von 120° einschließen.
Um diesen Nachteil zu beheben, werden mindestens drei Detektoren Db, Di, Di... vorgesehen. Bei der Ausführungsform gemäß F i g. 1 bis 3 sind drei Detektoren Do, Di und Di vorgesehen, welche um den einfallenden Elektronenstrahl B herum gleichmäßig verteilt sind, so daß jeweils zwei benachbarte Detektoren einen Winkel von 120° einschließen.
Die elektrischen Ausgangssignale der drei Detektoren
Da, Di und Di werden einem Mischstromkreis
zugeführt Um die Art bzw. Ordnungszahl des bzw. jedes im jeweils abgetasteten Bereich der Prüflings-Oberfläche
vorhandenen Elementes zu ermitteln, werden die drei Ausgangssignale einfach addiert. Das
Ergebnis dieser Addition ist von der Ordnungszahl abhängig, von der Oberflächentopographie jedoch
unabhängig.
Soll letztere festgestellt werden, dann werden die drei Ausgangssignale db, d\ und di kombiniert, um ein
Ausgangssignal D gemäß nachfolgender Gleichung zu erhalten:
so D = 4, cos H + dx cos (120 4 H) + d2 cos (240 + (·>)
= U, - Ί dx - Ί d,\ cos H- 13/2 [dt - d2 ) sin H.
= U, - Ί dx - Ί d,\ cos H- 13/2 [dt - d2 ) sin H.
Der Winkel θ ist derjenige Winkel, welchen die Projektion der Verbindungslinie vom Auftreffpunkt des
einfallenden Elektronenstrahles B mit dem Detektor Da auf die Oberfläche des Prüflings S mit einer willkürlichen
Linie auf der Prüflingsoberfläclie einschließt, welche als Richtung der »scheinbaren Beleuchtung«
bezeichnet werden kann (Fig. 3). Fällt diese Projektion
mit der Richtung der »scheinbaren Beleuchtung« zusammen, so daß der Winkel θ=0, dann gilt:
Bei der Ausführungsform nach Fig.4 sind vier
IOID öfl· /
Detektoren Do, Dt, Di und Ds vorgesehen, welche um
den einfallenden Elektronenstrahl B herum gleichmäßig verteilt sind, so daß jeweils zwei benachbarte Detektoren
einen Winkel von 90° einschließen. Um die Topographie der Prüflingsoberfläche unabhängig von
der Ordnungszahl des jeweils bestrahlten Elementes zu ermitteln, werden die Ausgangssignale do, ώ, di und ώ
der Detektoren Da, Dt, Di und Di entsprechend
folgender Gleichung zum Ausgangssignal D kombiniert:
D = (4, - d2) cos β - (rf, - rf,) sin H.
Bei Verwendung von η-Detektoren, welche gleichmäßig um den einfallenden Elektronenstrahl B herum
verteilt sind, wird folgendes Ausgangssignal D abgegeben:
ι — n —
0
cos(«+ 360//η).
Die elektrische Schaltung für die Kombination der Ausgangssignale der Detektoren kann in bekannter ArI
und Weise ausgeführt sein. Außer einem Wähler für die einfache Addition der Ausgangssignale aller Detektorer
oder die Kombination entsprechend der vorstehender Gleichung kann vorteilhafterweise ein mil: einei
Winkeleinteilung versehener Einstellknopf zur Veränderung der Richtung der »scheinbaren Beleuchtung«
also des Winkels Θ, um mindestens 90°, möglichst bis zu 360°, vorgesehen sein. Auf diese Weise kann ein
Prüfling, ohne selbst gedreht zu werden oder das Abtastsystem drehen zu müssen, schnell untersucht
werden, um insbesondere die Oberflächenunregelmäßigkeiten festzustellen, welche sich überwiegend ir
irgendeiner ausgewählten Richtung erstrecken, wobei sichergestellt ist, daß keinerlei Unregelmäßigkeiter
ausgelassen werden, was vorkommen kann, wenn die Richtung der »scheinbaren Beleuchtung« nicht veränderlich
ist
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Elektronenstrahlmikrosonde zur Bestimmung der chemischen Zusammensetzung und der Topo- s
graphic von Probenoberflächen mit mehreren etwa gleichmäßig um den einfallenden Elektronenstrahl
herum angeordneten Detektoren für die von der abgetasteten Probenoberfläche rückgestreuten
Elektronen, deren Ausgange an eine Schaltung zur Bildung einer ersten Größe proportional der Summe
der Detektorausgangssignale und einer zweiten Größe, die ein Maß für die Abweichung der Signale
untereinander darstellt, angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite is
Größe
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB7463/67A GB1195271A (en) | 1967-02-16 | 1967-02-16 | Electron Beam Apparatus |
Publications (2)
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---|---|
DE1673847A1 DE1673847A1 (de) | 1971-12-30 |
DE1673847B2 true DE1673847B2 (de) | 1976-08-12 |
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ID=9833576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
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JPS5481075A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-28 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of detecting article image using electron beam |
JPS59163506A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Hitachi Ltd | 電子ビ−ム測長装置 |
US4733074A (en) * | 1985-04-17 | 1988-03-22 | Hitachi, Ltd. | Sample surface structure measuring method |
JPS62190405A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Hitachi Ltd | 電子ビ−ム測長装置 |
US4912313A (en) * | 1987-11-27 | 1990-03-27 | Hitachi Ltd. | Method of measuring surface topography by using scanning electron microscope, and apparatus therefor |
GB2285169A (en) * | 1993-12-21 | 1995-06-28 | Secretary Trade Ind Brit | Scanning electron microscope grain imaging |
RU2206080C1 (ru) * | 2001-11-08 | 2003-06-10 | Открытое акционерное общество "Научно-технический центр "РАТЭК" | Способ обнаружения взрывчатого вещества в контролируемом предмете |
JP4597207B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2010-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
DE102009050521B4 (de) * | 2009-10-23 | 2023-02-16 | Pro-Beam Ag & Co. Kgaa | Thermisches Materialbearbeitungsverfahren |
JP5530959B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2014-06-25 | 株式会社アドバンテスト | パターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3204095A (en) * | 1960-12-21 | 1965-08-31 | Hitachi Ltd | Electron probe microanalyzer with means to eliminate the effect of surface irregularities |
GB1046443A (en) * | 1962-04-24 | 1966-10-26 | Ti Group Services Ltd | A method of and apparatus for assessing the quantity of inclusions of foreign material in solid specimens |
US3329813A (en) * | 1964-08-25 | 1967-07-04 | Jeol Ltd | Backscatter electron analysis apparatus to determine elemental content or surface topography of a specimen |
-
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-
1968
- 1968-02-16 DE DE1968C0044644 patent/DE1673847B2/de active Granted
- 1968-02-16 FR FR1568135D patent/FR1568135A/fr not_active Expired
- 1968-02-16 US US706001A patent/US3597607A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3597607A (en) | 1971-08-03 |
FR1568135A (de) | 1969-05-23 |
GB1195271A (en) | 1970-06-17 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |