DE1614149A1 - Symmetrischer Thyristor - Google Patents

Symmetrischer Thyristor

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DE1614149A1
DE1614149A1 DE19671614149 DE1614149A DE1614149A1 DE 1614149 A1 DE1614149 A1 DE 1614149A1 DE 19671614149 DE19671614149 DE 19671614149 DE 1614149 A DE1614149 A DE 1614149A DE 1614149 A1 DE1614149 A1 DE 1614149A1
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DE
Germany
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conductivity
opposite
control electrode
symmetrical
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DE19671614149
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English (en)
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Jevsejev Jurij Aleksejevic
Celnokov Valentin Evgenijevic
Tuckevic Vladimir Maksimovic
Dumanevic Anatolij Nikolajevic
Ramenskij R-N P O Udelnaja Obl
Vasilenko Valentina Stefanovna
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MORDOVSKIJ NI ELEKTROTECHNICES
Original Assignee
MORDOVSKIJ NI ELEKTROTECHNICES
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • H01L29/74Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/747Bidirectional devices, e.g. triacs

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Description

  • Symmetrischer Thyristor Die Erfindung bezieht sich auf Halblei.terzeileng insbesondere auf steuerbare symmetrische Siliziu-mventile und kann für statische Stromricht#erg für regelbare elektrische 4utriebeg für umkehrbare Wechselrichter uswo Anwendung fin-. den., Bekannt eind auf einer Grundplaüte mit fünf Schichten aufgebaute symmetrische Thyristorent bei denen die Umitter-Übergänge der oberen und#der unteren Schicht als Tunnelübergänge ausgeführt oder Überbrückt sind. Die Beeinflussung.des negativen und positiven Zweiges der Ste,om#SpannUngs-Kennlinie erfolgt mittels zweier an den äußeren n-leitenden Schichtän (dünnen Baeisschichten) angeschlossenen Steuerelekt;roden bzw. mittels einer an der dicken, Basis-angeschlossenen Steuerelektrodeo Bei Steuerung mit zwei glektroden wird der Steuerstromimpuls zwischen Stauerelektrode und Kathode für jede Stromrichtung getrennt -auf"elagtg so daß insgesamt zwei Steuereinheiten erforderlicheindo Bei Steuerung mit einer Elektrode wird der Steuerstromimpuls zwischen Steuerelektrode und Anode anGelegt. Hier sind ebenfalls zwei Steuereinheiten erforderlich, und zwar für jede Stromrichtung eine* Die Notwendigkeit des Einsatzes zweier Steuereinheiten ist der Hauptnachteil der bekannten symmetrischen Thyristorene Es ist das Ziel der vorliegenden Erfindungg diesen Nachteil zu beseitigen und ein zuverlässiges Bauelement mit hohem Wirkungsgrad zu entwickelnv das sich außerdem mit verhältnismäßig niedrigem-Aufwand an wertvollem Grundwerkstoff auch für hohe Nennströme herstellen läßt.
  • Der Erfindung wurde die Aufgabe zugrun(#egelegt, die Anord-0 nung der gegenüber liegenden überbrückten p- und n-leitenden Schichten eines mehrschichtigen symmetrischen Thyristors und die Gestalt der Steuerelektrode entsprechend zu ändern sowie-diese rationell anzuordnen, Diese Aufgabe wird dadurch gelöst$ daß bei einem-steuerbaren symmetrischen Thyristor mit einer aus mehreren Schichten entgegengesetzter Leitfähigkeit, beispielsweise der Leitb. fähigke-itsfolge npnpn bestehenden Grundplatte die äugeren überbrückten p- und n-leitenden Schichten so anleordnet 13
    sind, daß beim Aufeinanderlegen der beiu-'J'en Draufs,.,ichten der
    Stirnflächen Schichten
    -'der Grundplatte die mit entgegengesetzter Leitfähig-
    keit zusammenfallengund an einer'der Stirnflächen der Grundplatte auf der Grenzlinie zwischen den Schichten mit entgegengegetzter Leitfähigkei.t eine Steuerelektrode so angeordnet wirdv daß ihre LeitfähiGkeit und die Ioeitfähigkeit der sie umgebenden Schicht entg(a-gen&esetzt sind.
  • In Übereinstimmung mit einer Ausführ-Lini gsvariante ist-die Steuerelektrode auf der Grenzlinie zwischen-den überbrä.ckten Schichten entgegengesetzter Leitfäiligkeit-anßeordnett wobei diese Grenzlinie zugleich die Symmetrieachse-der entsprechenden Schichten ist& Nach einer anderen Ausführungsvariante sind die überbrückten n- bzw. p-leitenden Schichten so iedie Steuerälektrode kreis- bzw, ringförmig aus,#-bildet, viobei die p- und die n-leitende überbrdelzte Schicht flücheagleich eintils In diesen Fällen besitzt die Steuerelektrode nur gleichartige Leitfähigkeit.
  • Die an der 6beren Stirnseite der Grundplatte angeordnete Steuerelektrode kann aus zweianeinandergren-zenden -fläbä chengleichen n- und p-leitenden Bektorschichten-bestehen, wobei die die untere Stirn:#läche.der--'Grundpl:atte bildenden überbräckten Schichten im Bereich unter der Steuerel-Aktrode ineinander-greifen* Gemäß einer weiteren Ausführungsvariante der Steuerelektrode besteht diese aus vie.r aneinandergrenzendEnflächengleichen Sektorschichten verschiedener Leitfähigkeitg die gegenüber den angrenzenden überbrückten-äußeren n- und peleitenden Schichten entweder entg,egangesetzte Leitfähigkeiten haben oder bei gleichen Leitfähigkeiten ihnen gegenüber druch Kranzschichten entgegengesetzter Leitfähigkeit abgeschirmt sind& Irfindungsgemäß ist es vorteilhaftg zur Steuerung des Thyrietors mit Stromimpulsen verschiedener Polarität eineaus zwei aneinanderliegendenSektorschichten bestehende Steuerelektrode zu verwendeng da diese gegenüber der Steuerelektrode mit vier Sektoren geringere Steuerströme erforderte Die vorgeschlagene Schichtenahordnung in einer fünfschichtigen Grundplatte ermöglicht es, eine, bezogen auf den Koordinat-enursprung symmetrische steuerbare Strom-Spannungs-Kennlinie zu erreichen& Der Gege"tand der Erfindung wird im folgenden durch mehrere Ausfüh-run&svarianten anhand der beiliegenden Zeichnungen näher erläuterte Es zeigt Pig. 1 die beim Sc,#nitt I-I gemäß Fig.-2 entstehende Schichtenanordnung des erfindungsgemäßen mit Stromiimpulsen gleicher Polarität gesteuerten symmetri--schen Thyristors;
    Fis. 2 die Draufsicht vonoben auf den symmetrischen T4y.
    ristOr ohne Starkstromelektrode;
    Figo 3 die Deaufsicht von unten auf den.symmetrischen Thy.
    mistor ohne Starkstromelektrode;
    Figd 4 die Draufsicht von oben eines mit Stromimpulsen
    verschiedener Polarität gesteuerten symmetrisc]3#.eiL,
    Thyristors okne, Starkstromelektrodeu
    Fig. die Draufsioht von unten eines mit Strom=Pulsen
    verschiedener Polarität gesteuerten symmetrischen
    Thyristors ohne Starkstromelektrode;
    Fige 6. die Draufsicht von oben.eines mit Stromimpulsen
    verschiedener Polarität gesteuerten symmetrischen
    Thyristors ohne Starkstromelektrode;
    Fig. die Draufsicht von unten.eines mit Stromimpulsen
    verschiedener Polarität gesteuerten symmetrischen
    Thyristors ohne Starkstromelektrode;
    Fig, 8 die beim Schnitt XIII-XIII gemäß Fig" 9 entst-ehende
    Schichtenanordnun ,g eines mit Stromimpulsen ver:sol#ie-
    deuer Polarität gesteuerten symmetrischen Tbyristors
    ohne Starkstrozelektrode;
    Fige 9 die Draufsicht von oben auf dön.Mit Strozimpuleea
    verschiedener Polarität gesteuerten Thyristor ohne
    Otarkstromelektrode-;
    Fig., 10 die beim Schnitt X-X gemäß Nig. 9 entstehende
    Schichtenanordnung des mit Stromimpulsen verschie-
    dener Polarität gesteuerten symmetrischen Thyristors;
    Fig.#ll die Draufsicht von unten des mit Stromimpulsen ver-
    -schiedener Polarität gesteuerten Thyristors ohne
    St-arkstromelek trode;
    Fige 12.. die beim Schnitt XII-XII gemäß Fige 9 entstehende
    Schichtenanordnung den mit Stromimpulsen verschie-
    -dener Polarität gesteuerten symmetrischen Thyristorso
    Bin mit,Stromiapulsen gleicher Polarität gesteuerter
    mätri»cher Thyristor stellt eine mehrschichtige Grundplatte 1
    (Fig. 1 mit der-Leitfähigkeitsfolge npnpncdju#*
    Das Grundmaterial des Thyristors stellt ei-rf'n-leitende:a
    Silizium-Bink istall dar mit einem spezifischen Widerstand
    von etwa 40/thm/em und einer Diffunionslänge von etwa 0,3 mme
    durch dessen-Dotierung'mit Akzeptoren--und Donatoren wird die
    aus Schiahten verschiedener Leitfähigkeit bestehende Grpnd-
    platte 1 erzeugte Die ursprüngliche, n-leitende Silizium-
    schicht 2 befindet sich in der Mitte der Grundplatt"e 1 und
    bildet mit den p-leitenden Schichten 3s 4 pn4bergänge 5, 6
    mit einer Spexrschichtweite von 70 bis 80,#te Die Schichten
    79 8 haben wiederum n-Leitfähigkeit und bilden zusammen mit
    den Zonen 39 pn-Übergänge 99 1-0 mit einer Sperrschicht-
    weite von etwa 10 bis 15#M* Die Kontakte 119 12 sind an den
    Schichten
    .,p- und n-leitenden #.,%r 39#4p 79 8 angesch198selle
    Beim Aufeinanderlegen-der beiden entgegengesetzten Drauf.
    8"ichten (Fig. 2 bzw. 3) kommen die Schichten entgegen-
    gesetzter Leitfähißkeit..zur Deckun3. So wird beispielsweise-
    die p-leitende Schicht 4- von der n-leitenden Sähitfht 7 und
    die n-leitende Schicht 8 von der p-leitenden-Schicht 3 ab-
    gedeckt# wobei die Symmetrieachse 13 die Grenzlinie zwii-'
    schen den Schichten entgegengesetzter Leitfähigkeit ist*
    Eine Ausnahme bildet das an die Steuierelekt#rode- 14 anschlie-
    ßende Gebiete Hier überdeckt die.in der Draufsicht-von oben
    (Fig, 2> dargestellte n leitende Schicht in eineA-kl:einen
    ebenfalls
    Bereich die in der Draufsichtvvon unten (Fig- 3) dargestell-.
    te n-leitende Schicht 8@-
    Der Mittelpunkt der Stquerelektrode 14/liegt auf der die Grenz-
    linie zwischen-den Schichten 3*
    fähigkeit bildenden Symmetrieachse,13'. An die Kontakte'119.
    12.sind Starkstromelektroden 15-, 16 angeschlossene DieAutg-
    führung 1 7 ist mit der Steuerelektrode 14 durch,efin Nickelmä
    kontaktstück 18 verbundene
    Die Wirkungsweise des symmetrischen mit Strom-impulgen.glei-
    cher Polarität gesteuerten Thyristors ist folgendel*
    Besitzt--die Starkströmelektrodä -15 posit#ives und
    die Star-ko.tromel-ektrode 16,negatives P.otentialg so wirkt
    der pn-Übergang 9 sperrend und der Strom fließt im Durch--
    l#ßzustand des Thyristors über die 'linke (Fig. 1) Hälfte der Grundplatte 1., Ist die Spa=ungs»uelle iui Steuerstromkreis derart eingeschaltet, daß die Steuerelektrode 14 positives und-die Starkstromelektrode 1.5.nagatives Potential besitzen, so wird d er pn-Übergang 9 leitend ünd injiziert Elektronen in die Schicht 2* Diese Ladung,strägerinjektion wirkt so, als ob an die-Schicht 2 eine Steuerelektrode angeschlossen wäre* Bei Umkehräng der Potent-ialverhältnisse an den Starkstromelektroden 15, 16 fließt-der Strom über diebezogen auf die Symmetrieachse 13 (Fig. 1), recht-e Hälfte der Grundplatte 1 und der Steuermechanismus des,eymmetrisuhen Thy" ristors ist der gleiche wie beim üblichen Thyristore Ein mit Stromimpulsen verschiedener Polarität gesteuerter symmetrischer Thyristor stellt eine mehrschichtige Grundplatte 1 mit Leitfähißkeitsfolge npnpn (Fige 89 10,12) dar« In dem der Steuerelektrode ßegenüber liegenden Gebiet der linken Hälfteg bezogen auf die Symmetrieachse-13 (Fige8) besteht die Grundplatte aus den äbereinanderlieuenden Schichten 199 20l 219 22 mit der Leitfähigkeitsfolge npnpa
    Schichten,
    Die rechte Hälfte enthält die %r 2-09 219 229 23 mit
    der leitfähigkeitsfolge pnpn* Die in der Draufsicht von oben (Fig.9) dargestellten Kreissegmente der Schichten 229 23 sind flächengleich und in Bezug'auf die Symmetrieachse 130 symmetrisch. Auf der Symmetrieachse 131 9 die die Grenzlinie zwischen den Schichten-22, 23 bildett ist die Steuerel-ek,trode#24 angeordnet. Sie hat einen kreisrunden Querschnitt, der in vier gleiche Sekto-ren 25, 269 279 28 -eit der Leitfähigkeitsfolge npnp unterteilt.ist, Jeder #Sektor wird.von Schichten umgeben, die ihm gegenüber entgegengesetzte lieitfähigkeit besitzen* So grenzen beispielsweise ,an den p-leitenden Sektor-26-die neleitenden Sektor an 2,5 27 der Steuerelektrode und die n-leitende Schicht 23-an. Die in der Draufsicht von'unten (Fig, l1).darges.tellten' Kreiesegmente der n-leitenden Schicht 19 und der p-leitenden Schicht 20 sind flächengle'ich und,-in Bezug,auf die Sym,--metrieachse 131 symmetrische Die Wirkungsweise des mit Stromimpulsen verschiedener-Polarität gesteuerten symmetrischen Thyristors-ist folgendet Besitzt die Starkstromelektrode 15 (Fige 12) negativen
    Stfkstrom-
    und ie Elektrode 14 positives Potential, so wirkt, der np-
    Übergang 29 sperrend, und der Strom fließt im Durchlaß3u. stand-des Thyristors über die rechte Hälfte der Grundplat,-te 1 (Nig. 8)o Dabei liegt die p-leitende Schicht 3b (Fig,9) am negativen Potential. Ist die Spannungsquelleim Steuerstromkreie derart eingeschaltet, daß die Ausführung 17 (Fig. 12) negatives und die Starkstromelektrode 15 positives Potential habeng so injiziert der S*ekto-r 25 (Fig. 9) der Steuepolektrode 24 mit dem rechten Rand,deß#pzi-?Über. ganges 31 (Pig. 12) bei; einem bestimmten Steuerigt-rom Elektronen in die Basiaschlcht-21, in diesem Falle erfolgt die Umschaltung des Thyristors in den Durchlaßzust,-)nd zu» nächst über die Steuerelektrode 24 (Fige 9) und pflanzt sich dann auf den Hauptemitter forte Bei Umkehrung der Potentialverhältnisse im Steuerstromkreis werden die Elektronen von dem linken Rand des pn-Überganges 32 (Fige 10) injiziert« Der Steuermochanismus ist der gleiehe wie beim üblichen Thyristore Liegt die Starkstromelektrode-14 an negativem und die Starkstromelektrode 15 an positivem Potential, so wirkt der pn-Übergang 32 sperrend und der Strom fließt im Durchlaßzustand des Thyristors über die linke Hälfte der Grundplatte le Wird die Spannungsquelle im Steuerstromkreis so angeschlossen# daß die Ausführung 17 der Steuerelektro-de 24 an negativem und die Starkstromelektrode 15 an- positivem Potential liegt# so injiziert der nleitende Sektor 27 (Fige 9) mit dem linken Rand den pn- . Überganges 31 (Fig. 12) die Elektronen in die Basisschicht 2le Diese Blektroneninjektion wirkt so# als ob an dieser Schicht 21 eine Steuerelektrode angeschlossen wäre. Bei Ukkehrung der Potentialvirhältnisse in Steuerstrojekreis wird die.so Aufgabe von dern-leitenden-Schicht-33 (Fige 9) übernommen$ dahe der pn-übergang 34 (Fige 10) injizie'rt mit seineiR rochten Rand die Blektronen in die Banisschicht 21*-ln diesen Falle muß unter der Schicht 33 eine Fünfachichtenstruktur realisiert wegden*
    Bei einem 'it Stromim er
    m pulsen v- schiedener Polarität -"estau-
    erten symmetrischen Thyristor k die Steuerelektrode
    .auch in Form von konzentrischen Ringen ausgebildet-werden*
    In diesem Falle sind dieUie obere Stirnfläche der Grund-
    platte bildenden überbrückten p- und n-leitenden Schichten
    als n-leitende Schicht 35 (Fige 4) und p-leitende SahIcht
    36 mit flächenßleichem kreisrunden bzw, ringförmigem Quer.-#
    schnitt ausgebildet. Zwischen diesen Schichten befindet
    sich die Steuerelektrede in Form n-18.it9nder.379 39 und
    P»Jeitender Ringschichten 39a Die unteke --Stirnflädlie wird
    durch eine p-leitende Schicht 4,0 (Fig. 5)* und durch eine
    n-leitende Soliicht 41 gebildete- Diese Schichten sind,-über-
    brickt und flächengleich. Beim-Aufeinanderlegen der die
    Stirnflächen abbilcendenbeiden Draufsichten (Fig. 4, 5)
    kommen die Schichten entgegen.gesetzter Leitfähigkeit zur
    Deckunge
    Die Steuerelektrode des mit Stromiapulsen vera-chieaener
    Polarität gesteuerten symmetrischen Thyristor-a kann wei ter
    aus z ei bestehen"
    w i Hälften die entgegengesetzteIeitfähig
    keit besitzen. Dabei besteht die obere der überbrückten
    Schichten aus einer p-leitenden-22 -(Pig. 6) und-einer
    n-leit.enden Schicht 23, deren Begrenzungslinie 131 mit
    der Symmetrieachse 13 1) der Grundplatte 1-zusammen.
    fällt und die ßleiche:-Fläche aufweisen, Der Mittelpunkt der
    Steuerelektrode.24 befindet sIch auf-der Grenzlinie 131-
    zwischen den beiden Schichten* gie setzt sich aus zwei
    aneinanderliegenden flächengleichen Sektorechichte-n 429 43
    mit entgegengesetzter.Leitfähigkeit zusammen# die gegenüber
    überbrückten Schichten, 229 23.Jeweils entgegengesetzte.- Leit-
    fähigkeit aufweisene
    Die unteren überbi#äckten Schichten des'symmetrischen Thyw
    ristors mit der in zwei Hälften.ßeteilten Steuerelektrode-
    besteben aus zwei Schiohten-verschiedener Leitfähigkeitg und
    zwar aus der p-leitenden 20 und der n-leitenden ScIdcht 19*
    Die einzelnen Schichten sind so angeordnetg daß beim Aufein-
    anderleßen der die beiden Stirnflächen des Thyristors abbil-
    denden Draufsichten die Schichten mit elitgegengesetzter Leit-
    fähigkeit zur Deckung kommen, Die p-leit.ende Hälfte 42 (Fige,6)
    der Steuerelektrode 24 wird mit dir n-leitenden Zone 19-
    -(Fij, 7) und die n-leitende Hälfte 43 (7-ig, 6) der-Steuer-
    elektrode mit der p-leitenden- 20 Überdeckte Das wird
    Schichten
    dadurch erreicht, daß die .#r - 199 20 in Bereich unter der
    Steuerelektrode 24 ineinander greifen*
    Die Brfindung ermöglicht die Herstellung von, Hochleistungsow
    th.vristoren fü,r Nennsträme bis 5W A und darilberg bei denen
    der negative und positive Zweig der Strox-Spannungs-Kenn-
    linie durch Stromiapulea-gleicher-oder verschiedener 13101a,-
    rität beeinflußt werden kann-* Bei Anwendung von Stromiapül-
    sen verschiedener Polarität-:erfolgt die Steuerung bei den
    beiden Stromrichtungen durch Ströme gleicher Größenordnung*
    Ein welterer,Vbrteil der Irfindung, liegt In einer beträcht-
    lichen Senkung.d.Or# Reestellungskosten-von Thyristoren in-.
    folge Einsparung von kostspieligem Grundwerkst.off.,

Claims (2)

  1. Patentansprüche -1. Steuerbarer symmetrischer Thyristor mit einer aus mehreren Schichten entgegeng esetzter Leitfähigkeit, beispielsweise der Leitfähigkeitsfolge npnpn bestehenden Grundplatte und überbrückten Emitterübergängen der äußeren Schichtent d a d u r c#h g e k e n n z e- i c h n a t 9 daß beim Aufeinanderlegen der die beiden Stirnflächen der aus einem Einkristall bestehenden Grundplatte (1) abbildenden Draufsichten die Schichten (31794) entgegengesetzter Leitfähigkeit zur Deckung kommen und an einer der Stirnflächen der Grundplatte (1) auf der Grenzlinie M') zwischen den Schicht6n (3., 7) mit entgegengesetzter Leitfähigkeit eine Steuerelektrode (14) so angeordnet Ist, daß ihre Leitfähigkeit und die Leitfähigkeit der sie umgebenden Behicht (7) entgegengesetzt sind.
  2. 2. Steuerbarer symmetrischer Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Grenzlinie (13') Zwisehen den überbrückten Schichten (3,7) entgegengesetzter Leitfählgkeit auf der die E3teuerelolktio-d0,' m4e0Z4net ist,q zugleich i3.vi-ametrie#achse -(13) der überbt(lökten p- und u-leitenden Schichten ist. symmetrischer Myzist;or, nach Anspruch it dadurch ge- künn eichnet, daß die Überbrückten n- und p-leitend-en, schichten (35v36) sowie die soblohten (379 38 *v 39) der Steuerelektrode kreis- bzw. wingförmig ausgebildet sind wobei die n- und die P-leitende Blehicht (359 36) Iläe- chemgleich sird. 4. OymnietrischerMVristor nä'oh Anspruch -1 Ünd Z- -dadurch .-Sekemmele,hnet, daß die Steuerelektröde (14)-gleichar- tige leittähigkeit besitzt. 5.-emmetrischer 'Thyristor nach Anspruch 1 4M4- -2t dadurch gekenn eichaetl daß-die an der oberen Stirnseite der Grundplatte angeordnete Steuerelektrode, -(24) zwei an- einandergrenzende flächensleiche- Sektoräthichten (42#4-3)- .mit n- und p-Leitfähigkelt. besitzt. uM die 'die untere Stirnfläche-cler Gz=dplatte bildend-en überbräckten -Schichten (10, 20) im,#Bereich unter der ßteuerelekt:rade (24) inei-aandersreiten.-
    6. Symetrischer Thyristor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnetl daß die Steuerelektrode (24) aus vier aneinandergrenzenden flächengleichen Sektorschichten (25926t27928)-mit abwechselnder n- und- p-leitfähigkeit bestehtg die gegenüber den angrensenden überbrückten äußeren n- und pleitenden Bebtehten-(221,23) entweder entgegengesetzte Leitfähigkeiten haben oder bei gleichen Leitfähigkeiten ihnen gegenüber durch Kranzschichten (30.33)-entgegengesetzter-Leitfähigkeit abgeschirat eind.
DE19671614149 1967-03-29 1967-03-29 Symmetrischer Thyristor Pending DE1614149A1 (de)

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DE19671614149 Pending DE1614149A1 (de) 1967-03-29 1967-03-29 Symmetrischer Thyristor

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DE (1) DE1614149A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3401407A1 (de) * 1983-01-18 1984-07-19 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki Halbleitervorrichtung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3401407A1 (de) * 1983-01-18 1984-07-19 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki Halbleitervorrichtung

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