DE1614088B2

DE1614088B2 - METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DISC

Info

Publication number: DE1614088B2
Application number: DE19671614088
Authority: DE
Inventors: Rigobert 4785 Belecke Schimmer
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1967-09-14
Filing date: 1967-09-14
Publication date: 1972-08-31
Also published as: DE1614088A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterscheibe mit einem oder mehreren an den Seitenflächen der Scheibe austretenden pn-Ubergängen, bei dem die Halbleiterscheibe zusammen mit anderen gleichartigen Scheiben aus einer größeren Ausgangsscheibe herausgetrennt wird.The invention relates to a method for producing a semiconductor wafer with one or more pn junctions emerging at the side surfaces of the wafer, in which the semiconductor wafer comes together is separated from a larger starting disk with other disks of the same type.

Im allgemeinen werden derartige Halbleiterscheiben, die aus Silizium, Germanium oder einem anderen für Halbleiterzwecke geeigneten Material bestehen, für mittlere oder kleinere Stromstärken nach ihrer Vorbehandlung aus einer größeren Scheibe durch Trennverfahren, wie Sägen, Ritzen, Ultraschallbohren, Sanden oder Ätzen, in kleinere Bauelemente aufgeteilt. In general, such semiconductor wafers made of silicon, germanium or another material suitable for semiconductor purposes exist, for medium or smaller currents according to their Pretreatment from a larger pane using cutting processes such as sawing, scoring, ultrasonic drilling, Sanding or etching, divided into smaller components.

Aus praktischen Gründen bekommen diese kleineren Bauelemente beim Sägen und Ritzen quadratische bzw. rechteckige Formen; auch Formen eines gleichseitigen Dreiecks können hergestellt werden. Beim Ultraschallbohren ist es auch bekannt, runde oder abgerundete Formen zu erzeugen.For practical reasons, these smaller components get square when sawing and scoring or rectangular shapes; Equilateral triangle shapes can also be made. At the Ultrasonic drilling is also known to produce round or rounded shapes.

Ein solches Verfahren ist z.B. in der britischen Patentschrift 975 960 beschrieben worden. Auch können sich, wie die USA.-Patentschrift 2 930 107 zeigt, andere Formen, wie etwa eine Sechseckform, der Halbleiterscheibe ergeben, wenn bei einem Montageverfahren eine große Halbleiterscheibe gleichzeitig auf eine Vielzahl von senkrecht aufgestellter zylinderförmiger Träger aufgelötet und danach in kleinere Teilstücke unterteilt wird, wobei sich die Form der Teilstücke aus der jeweiligen Anordnung der Träger ergibt, die diese vor der Befestigung der Halbleiterscheibe aufweisen.Such a method has been described, for example, in British Patent Specification 975,960. Also can U.S. Patent 2,930,107 shows other shapes, such as a hexagon shape, of the semiconductor wafer result when a large semiconductor wafer is placed simultaneously in an assembly process a large number of vertically positioned cylindrical supports soldered on and then into smaller pieces is subdivided, whereby the shape of the sections results from the respective arrangement of the beams, which these have before the semiconductor wafer is fastened.

Bei diesen Verfahren der Aufteilung einer größeren Ausgangsscheibe in kleinere Teilstücke ist als nachteilig anzusehen, daß ein erheblicher Anteil der Halbleiterscheibe verlorengeht. Dieser Nachteil wirkt sich dadurch um so stärker aus, daß er an einer Scheibe auftritt, mit der die überwiegende Zahl aller Arbeitsschritte bereits vorgenommen worden ist. Da zum Zeitpunkt der Aufteilung das Bauelement in seinen elektrischen Eigenschaften fertig ausgebildet ist, mußte zuvor auch ein entsprechend hoher Anteil an Arbeitsaufwand verwendet werden.In this method of dividing a larger output slice into smaller pieces is than to be seen as disadvantageous that a considerable proportion of the semiconductor wafer is lost. This disadvantage works is made all the more pronounced by the fact that it appears on a disc with which the overwhelming majority of all Work has already been carried out. Since at the time of division the component in its electrical properties is fully developed, a correspondingly high proportion of Workload can be used.

Aber auch andere bekannte Formgebungen zeigen gewisse Nachteile.But other known shapes also show certain disadvantages.

Dreieckige und rechteckige Bauelemente lassen sich zwar mehr oder minder verlustlos aus einer größeren Scheibe herstellen; sie weisen aber durch die klineren Winkel, die die Seiten miteinander bilden, elektrische Nachteile auf, die besonders bei höheren Feldstärken auftreten. Außerdem haben ihre gesamten Seitenflächen ein ungünstiges Verhältnis zur Grund- und Deckfläche. Da an den Seitenflächen pn-Ubergänge austreten können, ist es nämlich empfehlenswert, diese Seitenflächen möglichst klein zu halten.Triangular and rectangular components can be more or less lossless from a larger one Manufacture disc; but they point through the more clinical angles that the sides form with one another, electrical disadvantages that occur especially at higher field strengths. Also have their entire Side surfaces have an unfavorable relationship to the base and top surface. Because on the side surfaces pn junctions can emerge, it is advisable to make these side surfaces as small as possible keep.

Bei kreisförmigen Scheiben ist dieses Verhältnis am günstigsten. Dafür treten aber wieder wesentliche Materialverluste auf, wenn kreisförmige Scheiben aus größeren Scheiben hergestellt werden.This ratio is best for circular disks. But there are again essentials Material losses occur when circular disks are made from larger disks.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Scheiben herzustellen, die einmal mit möglichst geringen Verlusten aus größeren Scheiben herzustellen sind, zweitens ein günstiges Verhältnis von Seitenflächen zu Grund- und Deckflächen aufweisen, drittens unerwünschte elektrische Nebenerscheinungen durch kleine Winkel, die die Seiten miteinander bilden, weitgehend vermeiden und viertens auf einer vorgegebenen Fläche ein möglichst großes Bauelement unter- .■-bringen. ^! The invention is based on the object of producing panes that can be produced from larger panes with the lowest possible losses, secondly have a favorable ratio of side surfaces to base and top surfaces, thirdly, largely undesirable electrical side effects due to small angles that the sides form with one another avoid and fourth, on a given area of the largest possible component sub ■ -. bring. ^!

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterscheibe mit einem oder mehreren an den Seitenflächen der Scheibe austretenden ρη-Übergängen, bei dem die Halbleiterscheibe zusammen mit anderen gleichartigen Scheiben aus einer größeren Ausgangsscheibe herausgetrennt wird, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Halbleiterscheibe die Form eines gleichseitigen, gleichwinkligen Sechsecks erhält.This task is accomplished in a method of manufacturing a semiconductor wafer with one or more exiting on the side surfaces of the wafer ρη-transitions, in which the semiconductor wafer together with other similar wafers from a larger Output disk is separated out, achieved according to the invention in that the semiconductor wafer is given the shape of an equilateral, equiangular hexagon.

Man erreicht mit dem Verfahren nach der Erfindung, daß bei der Zerteilung einer größeren Scheibe in kleinere Sechsecke ein geringerer Verlust an fertig ausgebildeten Halbleiterscheiben gegenüber einer Zerteilung in Kreisscheiben oder anderen bisher bekannten Formen oder bisher bekannten Zerteilverfahren auftritt. Durch die Form der Scheiben, die lückenlos nach allen Richtungen aus einer größeren Scheibe abgeteilt werden können, wird ein praktisch verlustloses Zerteilen erreicht.It is achieved with the method according to the invention that when dividing a larger disc into smaller hexagons result in less loss of finished semiconductor wafers compared to one Division into circular disks or other previously known shapes or previously known dividing processes occurs. Due to the shape of the discs, which are seamless in all directions from a larger disc can be divided, a practically lossless division is achieved.

Weiterhin weisen sechseckige Scheiben gegenüber drei- und viereckigen Scheiben ein für die Stabilität der Bauelemente günstigeres Verhältnis von Seitenflächen zu Grund- und Deckflächen auf, weil die Fläche, an der ein oder mehrere pn-Ubergänge an die Oberfläche treten, möglichst klein gehalten wird.Furthermore, hexagonal disks have an advantage over triangular and square disks for stability the structural elements have a more favorable ratio of side surfaces to base and top surfaces, because the surface, at which one or more pn junctions come to the surface, is kept as small as possible.

Der Sechseckwinkel von 120° bringt außerdem gegenüber dem Dreieckswinkel von 60° oder demRechteckwinkel von 90° weitere erhebliche Vorteile, weil die an den spitzeren Winkeln auftretenden höheren Feldstärken vermieden werden. Schließlich läßt sich wegen der Annäherung der Sechseckform an die Kreisform eine beinahe ebenso großes Bauelement auf einer vorgegebenen Fläche unterbringen.The hexagonal angle of 120 ° is also more than the triangular angle of 60 ° or the rectangular angle of 90 ° further significant advantages, because the higher ones that occur at the more acute angles Field strengths are avoided. Finally, because of the approximation of the hexagonal shape to the Circular shape can accommodate an almost equally large component on a given area.

Übliche Zerteilungsverfahren, wie Ätzen, Sandstrahlverfahren und Ultraschallbohren lassen sich bei der Formgebung gemäß der Erfindung anwenden.Usual dicing processes such as etching, sandblasting and ultrasonic drilling can be used apply the shaping according to the invention.

Ein Ausführungsbeispiel nach der Erfindung zeigen F i g. 1 im Grundriß und F i g. 2 in der Seitenansicht in zum Teil schematischer Darstellung. Die Sei- , ten 11, 21 schließen an den Ecken 12, 22 Winkel von 120° ein. Die Kanten 23 können gegebenenfalls entlang der Linie 24 angeschliffen werden.An exemplary embodiment according to the invention is shown in FIG. 1 in plan and FIG. 2 in side view partly in a schematic representation. The sides 11, 21 close at the corners 12, 22 angles of 120 ° a. The edges 23 can optionally be ground along the line 24.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Claim:

Method for producing a semiconductor wafer with one or more side faces the pn junctions emerging from the wafer, in which the semiconductor wafer together with others Similar disks is separated from a larger starting disk, thereby characterized in that the semiconductor wafer has the shape of an equilateral, equiangular Hexagon receives.