DE1275208B - Controllable semiconductor rectifier - Google Patents

Controllable semiconductor rectifier

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DE1275208B DE1961N0020596 DEN0020596A DE1275208B DE 1275208 B DE1275208 B DE 1275208B DE 1961N0020596 DE1961N0020596 DE 1961N0020596 DE N0020596 A DEN0020596 A DE N0020596A DE 1275208 B DE1275208 B DE 1275208B
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Willem Baas
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. α.:Int. α .:

HOIlHOIl

Deutsche KL: 21g-11/02German KL: 21g-11/02

Nummer: 1275 208Number: 1275 208

Aktenzeichen: P 12 75 208.8-33 (N 20596)File number: P 12 75 208.8-33 (N 20596)

Anmeldetag: 26. September 1961Filing date: September 26, 1961

Auslegetag: 14. August 1968Opening day: August 14, 1968

Die Erfindung bezieht sich auf einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit einer Halbleiterscheibe, der auf der einen Oberflächenseite der Halbleiterscheibe zwei Elektroden ungleicher Größe und auf der anderen Oberflächenseite eine dritte Elektrode hat.The invention relates to a controllable semiconductor rectifier with a semiconductor wafer, which has two electrodes of unequal size and on one surface side of the semiconductor wafer the other surface side has a third electrode.

Derartige bekannte steuerbare Halbleitergleichrichter haben eine runde oder rechteckige Halbleiterscheibe. Such known controllable semiconductor rectifiers have a round or rectangular semiconductor wafer.

Die Erfindung gründet sich auf die Erkenntnis, daß eine runde oder rechteckige Halbleiterscheibe nicht notwendig und auch nicht zweckmäßig ist und daß eine andere Gestalt der Halbleiterscheiben möglich ist, wobei die steuerbaren Halbleitergleichrichter in einem einfachen, zeit- und materialsparenden Verfahren hergestellt werden können.The invention is based on the knowledge that a round or rectangular semiconductor wafer is not necessary and also not expedient and that a different shape of the semiconductor wafers is possible is, the controllable semiconductor rectifier in a simple, time and material-saving process can be produced.

Die Erfindung besteht darin, daß die Halbleiterscheibe steuerbarer Halbleitergleichrichter sektorförmig ist und daß von den zwei Elektroden auf der einen Oberflächenseite die größere sich in einem größeren Abstand von dem Sektormittelpunkt als die andere befindet.The invention consists in that the semiconductor wafer, controllable semiconductor rectifier, is sector-shaped and that of the two electrodes on one surface side, the larger one becomes one greater distance from the sector center than the other.

In den Zeichnungen macht Fig. 18 ohne weiteres deutlich, daß bei gegebenen Elektroden 18 und 19 ungleicher Größe eine sektorförmige Halbleiterscheibe kleiner sein kann als eine runde oder rechteckige Halbleiterscheibe und daß das Volumen der sektorförmigen Halbleiterscheibe optimal ausgenutzt werden kann.In the drawings, FIG. 18 readily shows that given electrodes 18 and 19 Unequal size, a sector-shaped semiconductor wafer can be smaller than a round or rectangular one Semiconductor wafer and that the volume of the sector-shaped semiconductor wafer is optimally used can be.

Zum Herstellen der Halbleiterscheiben für steuerbare Halbleitergleichrichter wird bekanntlich so verfahren, daß ein Stab aus halbleitendem Material quer zu seiner Längsrichtung in Platten mit zwei ebenen und parallelen Oberflächenseiten geteilt wird, und diese Platten durch Schnitte etwa senkrecht zu beiden Oberflächenseiten der Platten in kleinere Halbleiterscheiben zerteilt werden.To manufacture the semiconductor wafers for controllable semiconductor rectifiers, it is known that the procedure is as follows: that a rod of semiconducting material transversely to its longitudinal direction in plates with two flat and parallel surface sides is divided, and these plates by cuts approximately perpendicular to them both surface sides of the plates are divided into smaller semiconductor wafers.

Bei bekannten Verfahren werden die Schnitte durch die Platten so geführt, daß die Halbleiterscheiben rechteckig oder quadratisch werden. Es ist auch bekannt, kreisförmige Schnitte in den Platten zu machen, so daß runde Halbleiterscheiben gebildet werden. In keinem dieser beiden Fälle ist es möglich, die Platten, die gewöhnlich eine runde oder ellipsenförmige Gestalt haben, vollkommen auszunutzen. Beim Ausschneiden rechteckiger oder quadratischer Halbleiterscheiben treten insbesondere an dem Rand der Platten Verluste auf; beim Ausschneiden runder Halbleiterscheiben treten diese Verluste außerdem zwischen den Halbleiterscheiben selbst auf. Diese Verluste sind um so größer, je kleiner die Anzahl der aus einer Platte zu schneidenden Halbleiterscheiben ist.In known methods, the cuts are made through the plates so that the semiconductor wafers become rectangular or square. It is also known to make circular cuts in the panels to make so that round wafers are formed. In neither of these two cases is it possible to take full advantage of the panels, which are usually round or elliptical in shape. When cutting out rectangular or square semiconductor wafers occur in particular at the edge of the disks losses; These losses also occur when round semiconductor wafers are cut out between the semiconductor wafers themselves. These losses are greater, the smaller the number of from a plate to be cut semiconductor wafers.

Steuerbarer HalbleitergleichrichterControllable semiconductor rectifier

Anmelder:Applicant:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,

Eindhoven (Niederlande)Eindhoven (Netherlands)

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,Dipl.-Ing. E. E. Walther, patent attorney,

2000 Hamburg 1, Mönckebergstr. 72000 Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Willem Baas, Nijmegen (Niederlande)Willem Baas, Nijmegen (Netherlands)

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

Niederlande vom 29. September 1960 (256 387)Netherlands of September 29, 1960 (256 387)

Es wäre auch möglich, Stäbe aus Halbleitermaterial so dünn zu machen, daß die daraus erhaltenen Platten die für ein einziges Halbleiterbauelement angemessene Größe haben. Bei diesem Verfahren treten nur Verluste beim Sägen des Stabes zu Platten auf. Zu beachten ist jedoch, daß der Preis von Halbleiterstäben im wesentlichen durch die Zeit bedingt wird, während der die Herstellungsapparatur beansprucht wird. Bei den üblichen Herstellungsverfahren, wie z. B. bei dem tiegelfreien oder nicht tiegelfreien Zonenreinigen und beim Kristallziehen, ist diese Zeit nur wenig von der Stärke der Stäbe abhängig, so daß ein dünner Stab in Beziehung zu seinem Gewicht bedeutend teurer ist als ein dicker Stab.It would also be possible to make rods of semiconductor material so thin that the resulting Plates are sized appropriately for a single semiconductor device. Step into this procedure only losses when sawing the rod into panels. It should be noted, however, that the price of semiconductor rods is determined essentially by the time during which the manufacturing equipment is stressed will. In the usual manufacturing processes, such as. B. in the case of the crucible-free or non-crucible Zone cleaning and crystal pulling, this time is only slightly dependent on the strength of the rods, so that a thin rod is significantly more expensive in relation to its weight than a thick rod.

Beim Herstellen steuerbarer Halbleitergleichrichter nach der Erfindung können jedoch die Platten durch Schnitte so zerteilt werden, daß am wenigsten Halbleitermaterial verlorengeht.When manufacturing controllable semiconductor rectifiers according to the invention, however, the plates can through Cuts are divided in such a way that the least amount of semiconductor material is lost.

Nach der Weiterbildung der Erfindung wird zum Herstellen von steuerbaren Halbleitergleichrichtern nach der Erfindung so verfahren, daß die Schnitte vom Rand zur Mitte jeder Platte so geführt werden, daß sektorförmige Halbleiterscheiben entstehen und daß auf der einen Oberflächenseite einer sektorförmigen Halbleiterscheibe zwei verschieden große Elektroden in verschiedenen Abständen von dem Sektormittelpunkt, und zwar die größere der beiden Elektroden in einem größeren Abstand vom Mittelpunkt als die kleinere, angebracht werden.According to the development of the invention, the manufacture of controllable semiconductor rectifiers proceed according to the invention in such a way that the cuts are made from the edge to the center of each plate, that sector-shaped semiconductor wafers arise and that on one surface side a sector-shaped one Semiconductor wafer two electrodes of different sizes at different distances from the center of the sector, namely the larger of the two electrodes at a greater distance from the center than the smaller one.

Der Ausdruck »sektorförmig« ist nicht im streng geometrischen Sinn zu verstehen, er wird vielmehrThe term "sector-shaped" is not to be understood in a strictly geometric sense, it is rather

809 590/348809 590/348

bei annähernd kreis- oder ellipsenförmigen Platten in derselben Weise wie bei kreisförmigen Platten aufgefaßt. in the case of approximately circular or elliptical plates, understood in the same way as in the case of circular plates.

Zweckmäßigerweise können die Platten zuerst mit umdotierten Zonen und mit Elektroden für mehrere steuerbare Halbleitergleichrichter versehen und dann in sektorförmige Halbleiterscheiben zerteilt werden. Auch Ausnehmungen oder andere besonders gestaltete Teile, die z. B. durch Ätzen oder Schleifen der Platten erhalten werden, können vor dem Zerteilen angebracht werden. Die Elektroden werden vorzugsweise symmetrisch auf den beiden Oberflächenseiten der Platten angebracht.The plates can expediently first with redoped zones and with electrodes for several controllable semiconductor rectifiers are provided and then divided into sector-shaped semiconductor wafers. Also recesses or other specially designed parts that z. B. by etching or grinding the Panels obtained can be attached prior to dicing. The electrodes are preferably mounted symmetrically on the two surface sides of the panels.

Es sei bemerkt, daß es bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen bekannt ist, eine Platte oder einen Streifen aus Halbleitermaterial mit Elektroden zu versehen und darauf in Halbleiterscheiben zu teilen. Gewöhnlich werden die Elektroden in Reihen angebracht, und die Platten oder Streifen werden senkrecht zu den Reihen durchgeschnitten, wobei die ao beschriebenen Materialverluste eintreten. Diese Materialverluste treten auch in derselben Weise bei einem anderen bekannten Verfahren zur Herstellung von Dioden auf, bei dem eine Vielzahl von zylindrischen Trägern für die Diodenhalbleiterkörper regelmäßig mit bestimmten Zwischenräumen auf eine größere Platte aus Halbleitermaterial aufgelötet werden und die Platte durch Schnitte entlang den Zwischenräumen aufgetrennt wird.It should be noted that in the manufacture of semiconductor devices it is known to use a plate or to provide a strip of semiconductor material with electrodes and then to divide it into semiconductor wafers. Usually the electrodes are placed in rows and the plates or strips are made cut through perpendicular to the rows, with the ao described material losses occur. These material losses also occur in the same way in another known method of manufacture of diodes, in which a large number of cylindrical supports for the diode semiconductor body be soldered regularly with certain gaps on a larger plate made of semiconductor material and the plate is separated by cuts along the spaces.

Es ist ferner zwar die Teilung einer Halbleiterplatte in vier sektorförmige Halbleiterscheiben bekannt. Dieses bekannte Verfahren, bei dem Zonen entgegengesetzter Leitfähigkeit in der Halbleiterplatte durch Herausdiffusion von Störstellen bildenden Stoffen erzeugt werden, betrifft jedoch die Herstellung von Transistoren, bei denen sich eine Elektrode auf jeder Oberflächenseite der Halbleiterscheibe befindet und die dritte Elektrode, die Basiselektrode, so angebracht ist, daß sie einen Abschnitt des Scheibenrands und einen Randbereich auf jeder Oberflächenseite bedeckt.The division of a semiconductor plate into four sector-shaped semiconductor wafers is also known. This known method, in which zones of opposite conductivity in the semiconductor plate through out diffusion of impurity-forming substances produced, however, relates to the manufacture of transistors in which an electrode is located each surface side of the semiconductor wafer is located and the third electrode, the base electrode, so attached is that they have a portion of the disc rim and a rim area on each surface side covered.

Die Erfindung und ihre Weiterbildung werden an Hand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert, die in den Zeichnungen veranschaulicht sind.The invention and its further development are explained in more detail on the basis of some exemplary embodiments, illustrated in the drawings.

F i g. 1 und 2 zeigen in perspektivischer Ansicht zwei Stäbe aus Halbleitermaterial, welche das Ausgangsprodukt des Herstellungsverfahrens der Halbleiterscheibe für steuerbare Halbleitergleichrichter bilden;F i g. 1 and 2 show a perspective view of two rods made of semiconductor material, which form the starting product the manufacturing process of the semiconductor wafer for controllable semiconductor rectifiers form;

Fig. 3 bis 8 veranschaulichen die Weise, auf welche Sektoren aus einer Platte geschnitten werden können;Figures 3 through 8 illustrate the manner in which sectors are cut from a disk can;

F i g. 9 bis 14 und 16 zeigen verschiedene Herstellungsstufen eines steuerbaren Halbleitergleichrichters im Schnitt;F i g. 9 to 14 and 16 show different stages of manufacture of a controllable semiconductor rectifier on average;

F i g. 15 zeigt eine Draufsicht auf die mit umdotierten Zonen und mit Elektroden versehene Halbleiterplatte nach der F i g. 16, undF i g. 15 shows a plan view of the semiconductor plate provided with redoped zones and electrodes according to FIG. 16, and

F i g. 17 zeigt eine Unteransicht dieser mit umdotierten Zonen und mit Elektroden versehenen Halbleiterplatte;F i g. 17 shows a view from below of these zones which have been redoped and which are provided with electrodes Semiconductor plate;

Fig. 18 zeigt einen steuerbaren Halbleitergleichrichter in perspektivischer Ansicht.18 shows a controllable semiconductor rectifier in perspective view.

Als Ausgangsmaterial zur Herstellung eines steuerbaren Halbleitergleichrichters werden im allgemeinen Halbleiterstäbe 1 mit einem annähernd runden Querschnitt nach der Fig. 1 verwendet, die durch Ziehen aus einer Schmelze oder durch tiegelfreies Zonenschmelzen erhalten werden können. Solche Stäbe bestehen z. B. aus Germanium oder Silicium; sie können bereits Verunreinigungen enthalten, die ihre Leitfähigkeit und ihren Leitfähigkeitstyp bedingen. Ein Stab 2 mit einem mehr oder weniger ellipsenförmigen Querschnitt, der durch Zonenreinigung in einem Schiffchen erhalten werden kann, ist in der F i g. 2 dargestellt.As a starting material for the production of a controllable semiconductor rectifier are generally Semiconductor rods 1 with an approximately round cross-section according to FIG. 1 are used, which by drawing can be obtained from a melt or by zone melting without a crucible. Such bars exist z. B. of germanium or silicon; they can already contain impurities that reduce their conductivity and their conductivity type. A rod 2 with a more or less elliptical shape Cross section that can be obtained by zone cleaning in a boat is shown in FIG. 2 shown.

Aus solchen Stäben werden Platten 3 bzw. 4 durch Sägen in einer zu ihrer Längsrichtung senkrechten Richtung hergestellt. Diese Platten 3 werden zu kleineren Halbleiterscheiben verarbeitet, indem radiale Schnitte 5 (F i g. 3 bis 5) angebracht werden, so daß sektorförmige Halbleiterscheiben 6 entstehen, die in der Reihenfolge der F i g. 3, 4 und 5 die Mittelpunktswinkel von 120, 90 bzw. 60° haben. 'From such rods plates 3 and 4 are made by sawing in a direction perpendicular to their longitudinal direction Direction established. These plates 3 are processed into smaller semiconductor wafers by adding radial Sections 5 (F i g. 3 to 5) are attached, so that sector-shaped semiconductor wafers 6 arise, which in the order of the F i g. 3, 4 and 5 have central angles of 120, 90 and 60 °, respectively. '

Zum Vergleich sind in den F i g. 3, 4 und 5 durch Schraffierung die Materialverluste angedeutet, die beim Ausschneiden der gleichen Anzahl von gestrichelt gezeichneten runden oder quadratischen Halbleiterscheiben vergleichbarer Größe auftreten würden.For comparison, FIGS. 3, 4 and 5, the material losses indicated by hatching, the when cutting out the same number of dashed round or square ones Semiconductor wafers of comparable size would occur.

Die radialen Schnitte werden z. B. durch Sägen oder Schleifen oder auch durch Kerben und Brechen angebracht.The radial cuts are z. B. by sawing or grinding or by notching and breaking appropriate.

Ellipsenförmige Platten, die aus dem in der Fig. 2 dargestellten Stab geschnitten werden können, lassen sich auf die in den F i g. 6 bis 8 veranschaulichte Weise in Sektoren teilen. Auch in diesen Figuren sind vergleichsweise die Materialverluste angedeutet, die auftreten würden, wenn aus diesen Platten runde oder quadratische Halbleiterscheiben geschnitten werden.Let elliptical plates that can be cut from the rod shown in FIG on the in the F i g. 6 to 8 in the manner illustrated in sectors. Also in these figures are comparatively indicated the material losses that would occur if these plates were round or square semiconductor wafers are cut.

Durch die Herstellung sektorförmiger Halbleiterscheiben wird nicht nur eine Materialeinsparung erzielt; bei dem Aufbau von steuerbaren Halbleitergleichrichtern mit sektorförmigen Halbleiterscheiben werden nämlich auch weitere Vorteile erreicht.The production of sector-shaped semiconductor wafers not only saves material; in the construction of controllable semiconductor rectifiers with sector-shaped semiconductor wafers namely, other advantages are also achieved.

Als Ausgangsmaterial dient z. B. ein Siliciumstab 1 (F i g. 1) des n-Leitungstyps mit einem Durchmesser von 18 mm und einem spezifischen Widerstand von 20 Ohm · cm. Aus diesem Stab 1 werden Platten 11 (F i g. 9) mit einer Stärke von 300 μ gesägt, die in einem Ofen 5 Stunden lang bei 1200° C in pulvrigem Aluminiumoxyd (Al2O3) erhitzt werden, wodurch eine Oberflächenschicht 12 des p-Leitungstyps mit einer Stärke von 40 μ entsteht, was in F i g. 9 schematisch angedeutet ist. Diese Behandlung wird in einer sauerstofffreien Umgebung, z. B. in Wasserstoff, durchgeführt. Anschließend wird eine kurzzeitige Erhitzung in Anwesenheit einer kleinen Menge Sauerstoff durchgeführt, wodurch auf der Schicht 12 eine dünne Siliciumoxydschicht 13 erzeugt wird (F i g. 10).As a starting material z. B. a silicon rod 1 (Fig. 1) of the n-conductivity type with a diameter of 18 mm and a specific resistance of 20 ohm · cm. From this rod 1 plates 11 (Fig. 9) with a thickness of 300 μ are sawn, which are heated in an oven for 5 hours at 1200 ° C in powdered aluminum oxide (Al 2 O 3 ), whereby a surface layer 12 of the p-conduction type with a thickness of 40 μ arises, which is shown in FIG. 9 is indicated schematically. This treatment is carried out in an oxygen-free environment, e.g. B. in hydrogen performed. A brief heating is then carried out in the presence of a small amount of oxygen, as a result of which a thin silicon oxide layer 13 is produced on the layer 12 (FIG. 10).

Teile der Plattenoberfläche werden dann mit einer Schicht Apiezonwachs überzogen, d. h. ein runder, zentraler Teil 14 auf der oberen Oberflächenseite und ein Teil längs des Plattenrands und die untere Oberflächenseite, so daß nur ein ringförmiger Randstreifen 16 auf der oberen Oberflächenseite unbedeckt bleibt (Fig. 11).Parts of the plate surface are then coated with a layer of Apiezon wax, i.e. H. a round one central part 14 on the upper surface side and a part along the plate edge and the lower surface side, so that only an annular edge strip 16 remains uncovered on the upper surface side (Fig. 11).

Die Platte 11 wird darauf in konzentrierter Fluorwasserstoffsäure geätzt, wodurch die Siliciumoxydschicht 13 in dem Randstreifen 16 weggenommen wird. Darauf wird das Apiezonwachs entfernt (s. Fig. 12).The plate 11 is then etched in concentrated hydrofluoric acid, creating the silicon oxide layer 13 in the edge strip 16 is removed. The Apiezon wax is then removed (see Fig. 12).

Die Platte 11 wird während einer Stunde in einer phosphorhaltigen Atmosphäre erhitzt, wodurch sich nur an der Stelle des ringförmigen Randstreifens 16The plate 11 is heated for one hour in a phosphorus-containing atmosphere, whereby only at the location of the annular edge strip 16

eine Halbleiterschicht 17 bildet, die n-Leitfähigkeit aufweist, da diejenigen Teile der Platte 11, die mit der Siliciumoxydschicht 13 überzogen sind, gegen die Einwirkung des Phosphors geschützt sind (F i g. 13).forms a semiconductor layer 17, which has n-conductivity, since those parts of the plate 11, which with the silicon oxide layer 13 are coated, are protected against the action of phosphorus (Fig. 13).

Die Platte 11 wird wieder in einem Bad konzentrierter Fluorwasserstoffsäure geätzt, wodurch die verbleibenden Teile der Siliciumoxydschicht 13 weggenommen werden (F i g. 14).The plate 11 is again etched in a bath of concentrated hydrofluoric acid, whereby the remaining parts of the silicon oxide layer 13 are removed (Fig. 14).

Die Platte 11 wird darauf in eine nicht dargestellte Formlehre eingeführt und mit drei Kränzen von je sechs Elektroden versehen. Auf dem Teil 17, der η-Leitfähigkeit aufweist, werden sechs Elektroden 18 aufgeschmolzen. Ein zweiter Kranz von sechs Elektroden 19 wird zu den Elektroden 18 — s. die F i g. 15, 16 und 17 — konzentrisch auf demjenigen zentralen Teil der oberen Oberflächenseite der Platte 11 aufgeschmolzen, der p-Leitfähigkeit aufweist. Schließlich werden auf der unteren Oberflächenseite der Platte 11 sechs Elektroden 20 aufgeschmolzen. Diese Elektroden 18, 19 und 20 bestehen alle aus einer Bleilegierung mit 1 % Nickel, welche einen neutralen Kontakt liefert, d. h. einen Kontakt, der weder auf dem p-leitenden Halbleitermaterial noch auf dem η-leitenden Halbleitermaterial gleichrichtende Wirkung erzeugt.The plate 11 is then introduced into a form gauge, not shown, and with three rings of each six electrodes provided. Six electrodes 18 are placed on the part 17 which has η conductivity melted. A second ring of six electrodes 19 becomes the electrodes 18 - see the F i g. 15, 16 and 17 - concentrically on that central part of the upper surface side of the plate 11 melted, which has p-conductivity. Eventually be on the lower surface side the plate 11 six electrodes 20 melted. These electrodes 18, 19 and 20 are all made of a lead alloy with 1% nickel which provides a neutral contact, d. H. a contact that neither rectifying effect on the p-conducting semiconductor material and on the η-conducting semiconductor material generated.

Das Aufschmelzen der Elektroden erfolgt z. B. in einer Wasserstoffatmosphäre bei einer Temperatur von 1000° C und während einer Zeit von 5 Minuten. Dabei werden vorzugsweise die Halbleiterplatte und die Mengen Legierungsmaterial zunächst gesondert erhitzt und darauf miteinander in Berührung gebracht. The electrodes are melted, for. B. in a hydrogen atmosphere at a temperature of 1000 ° C and for a period of 5 minutes. The semiconductor plate and the quantities of alloy material are first heated separately and then brought into contact with one another.

Die Elektroden 20 werden mit sektorförmigen Platten 21 aus zunächst verkupfertem und darauf mit Gold überzogenem Molybdän abgedeckt. Dieses Material hat annähernd den gleichen Ausdehnungskoeffizienten wie Silicium und weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf. An den Elektroden 18 und 19 werden Zuführungsleiter 22 bzw. 23 befestigt.The electrodes 20 are made with sector-shaped plates 21 made of initially copper-plated and then with Gold plated molybdenum covered. This material has approximately the same coefficient of expansion like silicon and has a high thermal conductivity. At the electrodes 18 and 19 feed conductors 22 and 23 are attached.

Die sechs auf der Platte 11 gebildeten steuerbaren Halbleitergleichrichter werden nun getrennt. Dies erfolgt z. B. dadurch, daß mittels eines Diamanten Einkerbungen längs von drei Mittellinien zwischen den Elektroden 18 und 19 angebracht werden und dann die Platte 11 zerbrochen wird. Die Platte 11 kann auch durchgesägt oder nach einem Ultraschallverfahren durchgeschnitten werden.The six controllable semiconductor rectifiers formed on the plate 11 are now separated. this happens z. B. in that by means of a diamond notches along three center lines between the Electrodes 18 and 19 are attached and then the plate 11 is broken. The plate 11 can can also be sawed through or cut through using an ultrasonic method.

Ein auf diese Weise erhaltener steuerbarer Halbleitergleichrichter ist in der Fig. 18 perspektivisch dargestellt. Er kann auf die übliche Weise in einer Hülle untergebracht werden.A controllable semiconductor rectifier obtained in this way is shown in perspective in FIG. He can do it in the usual way in a Sheath can be accommodated.

Bei der Herstellung von steuerbaren Halbleitergleichrichtern mit sektorförmigen Halbleiterscheiben wird nicht nur das Material der Platte 11 mit wenig Verlusten verwendet, sondern auch für das Anbringen der Halbleiterschichten 12 und 17 und das Aufschmelzen der Elektroden 18, 19 und 20 für sechs steuerbare Halbleitergleichrichter nur wenig längere Zeit benötigt, als bei der Herstellung eines einzigen Halbleitergleichrichters für die entsprechenden Arbeitsschritte erforderlich ist.In the manufacture of controllable semiconductor rectifiers with sector-shaped semiconductor wafers Not only is the material of the plate 11 used with little loss, but also for mounting of the semiconductor layers 12 and 17 and the melting of the electrodes 18, 19 and 20 for six controllable semiconductor rectifier only takes a little longer than the production of a single one Semiconductor rectifier is required for the corresponding work steps.

Claims (4)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit einer Halbleiterscheibe, der auf der einen Oberflächenseite der Halbleiterscheibe zwei Elektroden ungleicher Größe und auf der anderen Oberflächenseite eine dritte Elektrode hat, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe sektorförmig ist und daß von den zwei Elektroden auf der einen Oberflächenseite die größere sich in einem größeren Abstand von dem Sektormittel-1. Controllable semiconductor rectifier with a semiconductor wafer on one surface side The semiconductor wafer has two electrodes of unequal size and on the other surface side has a third electrode, characterized in that the semiconductor wafer is sector-shaped and that of the two electrodes on one side of the surface the larger one is at a greater distance from the sector center ao punkt als die andere befindet.ao point than the other is located. 2. Verfahren zum Herstellen von steuerbaren Halbleitergleichrichtern nach Anspruch 1, bei dem ein etwa runder Stab aus halbleitendem Material quer zu seiner Längsrichtung in Platten mit2. A method for producing controllable semiconductor rectifiers according to claim 1, at which an approximately round rod made of semiconducting material transversely to its longitudinal direction in plates with as zwei Ebenen und parallelen Oberflächenseiten geteilt wird und bei dem diese Platten durch Schnitte etwa senkrecht zu beiden Oberflächenseiten in kleinere Halbleiterscheiben zerteilt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Schnitte vom Rand zur Mitte jeder Platte so geführt werden, daß sektorförmige Halbleiterscheiben entstehen und daß auf der einen Oberflächenseite einer sektorförmigen Halbleiterscheibe zwei verschieden große Elektroden in verschiedenen Abständen von dem Sektormittelpunkt, und zwar die größere der beiden Elektroden in einem größeren Abstand vom Sektormittelpunkt als die kleinere, angebracht werden.as two planes and parallel surface sides is divided and in which these plates are cut approximately perpendicular to both surface sides are divided into smaller semiconductor wafers, characterized in that the cuts are guided from the edge to the center of each plate so that sector-shaped semiconductor wafers are formed and that on one surface side of a sector-shaped semiconductor wafer two different large electrodes at various distances from the sector center, namely the larger of the two electrodes at a greater distance from the center of the sector than the smaller one, be attached. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten zuerst mit umdotierten Zonen und mit Elektroden für mehrere steuerbare Halbleitergleichrichter versehen werden und dann in sektorförmige Halbleiterscheiben zerteilt werden. 3. The method according to claim 2, characterized in that the plates are first redoped with Zones and provided with electrodes for several controllable semiconductor rectifiers and then are divided into sector-shaped semiconductor wafers. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden symmetrisch auf den beiden Oberflächenseiten der Platten angebracht werden.4. The method according to claim 3, characterized in that the electrodes are symmetrical be attached to the two surface sides of the panels. In Betracht gezogene Druckschriften:Considered publications: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1018 558;
schweizerische Patentschrift Nr. 335 766;
USA.-Patentschriften Nr. 2 840 770, 2 930107.German Auslegeschrift No. 1018 558;
Swiss Patent No. 335 766;
U.S. Patent Nos. 2,840,770, 2,930,107. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 1 sheet of drawings
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