DE1598130B2

DE1598130B2 - Verfahren und vorrichtung zur materialanalyse in einem sekundaerelektronen-emissions-mikroskop

Info

Publication number: DE1598130B2
Application number: DE19661598130
Authority: DE
Original assignee: Balzers Hochvakuum GmbH, 6000 Frank
Priority date: 1965-09-21
Filing date: 1966-08-19
Publication date: 1973-07-26
Also published as: NL6515902A; DE1598130C3; NL134392C; CH440760A; DE1598130A1

Description

Sekundär - Elektronen - Emissionsmikroskope mit elektrostatischen und/oder elektromagnetischen Linsen sind bekannt und verschiedentlich in der Literatur beschrieben. Die Auslösung der Elektronen aus dem als Emissionskathode dienenden, meist heizbaren

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Objekt geschieht dabei durch primär auf die Objekt- fachheitshalber wird der Elektronenstrom i_k durch

Oberfläche auffallende Korpuskularstrahlen, beispiels- den gemessenen Gesamtemissionsstrom z₀ dividiert, so

weise Ionen- oder Elektronen-Strahlen oder elektro- daß sich eine nominierte Energieverteilungskurve

magnetische Wellen, beispielsweise ultraviolettes ik ,„ , .,

Licht oder Röntgenstrahlen. Bei allen diesen Aus- 5 /„ *· ^k' ^¹

lösungsarten ergibt sich im Elektronenbild des Ob- Zwei solche Kurven sind in F i g. 1 dargestellt. Die jektes eine gewisse Material- oder Phasendifferenzie- Abszisse zeigt die Energie E_k in eV. Die differentielle rung, da verschiedene Materialien verschiedene Se- Energieverteilung bei Sekundäremission erreicht ein kundär-Emissionskoeffizienten aufweisen, wobei diese Maximum bei der Energie Null und fällt etwa exKoeffizienten zusätzlich von der Art der Auslösung io ponentiell ab gegen wachsende Energien, wobei nun und von der kristallinen Orientierung des Materials die Steilheit des Abfalls materialtypisch ist und desin bezug auf die Einfallrichtung des Primärstrahls halb zur Identifizierung benutzt werden kann,
abhängen. Infolge dieser vielfältigen Abhängigkeit Aus Fig. 1 ist sofort ersichtlich, daß eine Aufder Sekundäremissionskoeffizienten, welche zusatz- nähme der gesamten Energieverteilung nicht notwenlich noch durch dünne Oberflächenschichten, bei- 15 dig ist, sondern daß in einzelnen Fällen die Messung spielsweise Oxyd- oder Kontaminationsschichten, eines einzigen Punktes dieser Kurve, in anderen die stark beeinflußt werden, bietet das Sekundärelektrö- Messung von zwei oder mehreren Punkten für die nen-Emissionsbild wohl die Möglichkeit, verschie- Identifizierung des Materials genügt,
dene im Objekt nebeneinanderliegende Materialien Die erfindungsgemäße Möglichkeit der Materialoder Phasen durch Helligkeitsunterschiede sehr kon- 20 analyse im Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikrotrastreich zu unterscheiden, jedoch ist eine eindeutige skop ist von fundamentaler Bedeutung für die Elek-Identifizierung der Materialien auf Grund des Emissi- tronen-Emissions-Mikroskopie.
onskoeffizienten in den meisten Fällen ausgeschlossen. Das Verfahren ist auch bei geheiztem Objekt an-Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaf- wendbar, und zwar auch bei Temperaturen, bei weifung eines Verfahrens und eines Sekundär-Elektro- 25 chen die thermische Emission einsetzt, mindestens nen-Emissions-Mikroskops, die eine solche Identifi- für Materialien, welche auch bei thermischer Emission zierung der Materialien auf Grund einer zusätzlichen noch unterschiedliche Energieverteilungskurven aufEigenschaft der am Objekt ausgelösten Elektronen, weisen.

nämlich deren Energieverteilung, erlauben. Für eine erste Ausführungsform des Sekundär-Das Verfahren zu einer solchen Materialanalyse in 30 Emissions-Elektronen-Mikroskops ist der StrahleneinemSekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskopbegang in Fig. 2 dargestellt. Das Objekt 1, das sich steht darin, daß zur Identifizierung der Objektmate- normalerweise auf hohem negativem Potential berialien mindestens ein Punkt der Energieverteilungs- findet, wird aus einer Quelle 2 mit Korpuskularstrahkurve der aus dem jeweiligen Material ausgelösten len oder elektromagnetischen Wellen beschossen. Die Sekundär-Elektronen gemessen wird. 35 ausgelösten Sekundärelektronen werden durch die DasSekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskopzur Zwischenelektrode 3 und die Anode 4 des Immer-Durchführung des genannten Verfahrens enthält zu- sionsobjektivs beschleunigt und fokussiert. Das in sätzlich zu den bekannten Teilen eine Vorrichtung, der Zwischenbildebene 5 entstehende Bild wird vorweiche die Messung diskreter Punkte der Energie- teilhaft noch durch eine Projektivlinse 6 in die Bildverteilungskurve erlaubt. 40 ebene 7 vergrößert. Objektiv und Projektiv können Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand ebensogut magnetische wie elektrostatische Linsen der Unteransprüche. sein. Das Sekundärelektronenbild wird in der Bild-Messungen der Energieverteilung bzw. der Ge- ebene 7 auf einem Leuchtschirm betrachtet. Zur Erschwindigkeitsverteilung von Sekundärelektronen, die höhung der Auflösung wird meist eine Kontrastan verschiedenen Materialien ausgelöst wurden, ha- 45 blende 8 in oder in der Nähe des Objektivbrennpunkben ergeben, daß die Energieverteilungskurve vom tes eingesetzt. Um das erfindungsgemäße Verfahren Material abhängt und für verschiedene Materialien durchzuführen, wird nun an Stelle des Leuchtverschieden ist. Für eine bestimmte Sorte von Pri- schirms 7 eine Blende eingesetzt, welche nur einen märteilchen besitzt also jedes Material eine typische kleinen Ausschnitt des Bildes unbedeckt läßt. Die Energieverteilungskurve. Die Messung dieser Kurve so Elektronen, welche diesen Ausschnitt passieren, gegestattet eine Identifizierung des Materials. langen in einen Geschwindigkeitsanalysator 9, wel-Die Messung der Energieverteilung kann beispiels- eher hier durch eine elektrostatische Zylinderlinse weise mit Hilfe des bekannten Möllenstedtschen Ge- dargestellt ist, und werden je nach ihrer Geschwinschwindigkeitsanalysators geschehen. Dabei wird digkeit mehr oder weniger abgelenkt. Das Bild der durch geschwindigkeitsabhängige Auslenkung der 55 Blende wird in der Bildebene 11 des Analysators Elektronen eine Aufspaltung des Elektronenbündels fokussiert, wo photographisch oder mit Hilfe direkter nach verschiedenen Energien bewirkt. Wird im auf- Strommeßmethoden, beispielsweise eines verschiebgespaltenen Bündel ein feiner Bereich durch einen baren Faradaykäfigs 12, der Elektronenstrom /,. an Spalt ausgeblendet, so fallen in diesen Bereich nur verschiedenen Punkten P_k gemessen wird. Diese Elektronen mit einer Energie E/. + /1E, wobei durch 60 Messungen ergeben einzelne diskrete Punkte der Verschieben des Spaltes im Bündel beliebig verschie- differentiellen Energieverteilungskurve, welche für dene diskrete Werte von E₁, eingestellt werden kön- jenes Material typisch ist, dessen vergrößertes Bild nen. Der hinter dem Spalt gemessene Elektronen- in der Bildebene ausgeblendet wurde. Um gleich die strom i_k ist ein Maß für die Anzahl Elektronen, Werte der normierten differentiellen Energieverteiwelche die Energie E₁. +ΛΕ besitzen. Wird nun die- 65 lungskurve zu erhalten, wird die Zylinderlinse des scr Strom i_k für viele Werte von k gemessen, so ergibt Analysators ausgeschaltet, wonach der Elektronensich eine Meßkurve, welche die diftercnticlle Ge- strom unabgelenkt auf die Umgebung des Punktes P_n schwindigkeits- oder Energieverteilung darstellt. Ein- fällt und dort als Gesamtstrom /„ gemessen werden

2,3	•	ΙΟ"»	4,75	■ΙΟ-⁹
2,	3	• lO-io	¹ 8,9·	lO-io
		10	5	,5

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kann. Um die Messung der Energieverteilung nicht des Leuchtschirms, gebracht. Darauf wird der Elekzu verfälschen, wird während der Strommessungen tronenempfänger 14 so eingeklappt, daß er über den die Kontrastblende 8 in an sich bekannter Weise aus- markierten Punkt zu liegen kommt, was vorzugsweise geschaltet oder durch eine sehr große Blende ersetzt. durch eine Rasterung bewirkt wird. Nun wird bei Dadurch wird die Auflösung im Bild 7 allerdings 5 kleiner Kontrastblende 8, beispielsweise bei der eben herabgesetzt; für die Analyse ist deshalb eine schlech- für die Bildbetrachtung benutzten, der Elektronentere Auflösung gegeben als für die Abbildung. Im- strom mit Hilfe des Meßgerätes 15 gemessen. Darauf merhin gelingt es, bei Ausblendung von Bild-Berei- wird die Kontrastblende gegen eine größere ausgechen mit Durchmessern, welche im Objekt wenigen wechselt und abermals der Elektronenstrom gemes-Zehntelmikron entsprechen, noch eine einwand- io sen. Dies kann mit mehreren Größen von Kontrastfreie Material-Identifizierung zu erreichen. blenden geschehen, im allgemeinen genügen aber

Die Blende 7 wird vorteilhaft in Größen und Form zwei, wie folgende Meßreihe zeigt,

verstellbar vorgesehen, damit sie der Größe und/oder Gemessen wurden Nickel und Alurninium-Bild-

Form der auszublendenden Bildteile angepaßt wer- ausschnitte bei Elektronenauslösung mit Argon-

den kann. Dies kann beispielsweise in bekannter 15 Ionen. Die kleine Kontrastblende hatte einen Durch-

Weise durch Übereinanderschieben von verschieden messer von 50 μ, die große einen solchen von 1000 μ.

geformten Halbblenden 'geschehen. Diese Halbblen- Gemessene Elektronenströme:
den werden vorteilhaft mit Leuchtsubstanz belegt,

damit das Elektronenbild während der Verschiebung /_o (große Kontrastblende)

der Blende jederzeit beobachtet werden kann. Ein 20 ²

ausklappbarer Zusatzleuchtschirm 13 dient dazu, daß ,/,,· _ν ± _L1 , _N

zum Einstellen der Blende auch der zu analysierende h (kleine Kontrastblende)

Bildteil beobachtet werden kann. Verhältnis/,//

Ein weiteres Ausführungsbeispiel benutzt die integrale Energieverteilungskurve zur Materialanalyse. 25 Das Verhältnis der zwei gemessenen Werte der in-Die prinzipielle Wirkungsweise ist in F i g. 3 darge- tegralen Energieverteilungskurve ist also materialstellt. Aus dem Objekt 1 treten die Sekundärelektro- typisch und dient zur Materialanalyse,
nen aus, welche durch das Objektiv 1, 2, 3 in die Auch bei diesem Verfahren ist die erzielbare Auf-Zwischenbildebene 5 fokussiert werden. lösung dadurch eingeschränkt, daß für die eine

Der Strahlengang der Elektronen, welche mit der 30 Messung die Kontrastblende vergrößert werden muß Energie 0 aus dem Objekt austreten, ist ausgezogen und bei kleinsten Kontrastblenden die Messung des dargestellt. Elektronen mit höherer Energie werden Elektronenstroms schwierig wird, doch sind auch weniger stark fokussiert und werden deshalb zum hier Analysenbereiche von einigen Zehnteln μπι ergrößten Teil durch die in oder in der Nähe der reichbar.

Brennebene liegende Kontrastblende 8 abgefangen. 35 Damit auch bei diesem Verfahren die Größe und/

Auf diesem Effekt beruht bekanntlich die auflösungs- oder Form der Meßfläche des Elektronenempfängers

verbessernde Wirkung der Kontrastblende 8. Je nach 14 dem zu analysierenden Bildausschnitt angepaßt

dem Durchmesser der Kontrastblende 8 werden also werden kann, werden vorteilhaft mehrere gegenein-

Elektronen mit Energien im Bereich 0 bis oeV ander in Betrieb austauschbare Elektronenempfänger

durchgelassen, wobei ρ mit der Größe der Kontrast- 40 mit verschiedenen Meßflächen vorgesehen. Dasselbe

blende wächst. Mißt man den Elektronenstrom Iq Ziel wird mit Hilfe eines einzigen Elektronenempfän-

naeh der Kontrastblende mit schrittweise vergrößer- gers mit relativ großer Meßfläche erreicht, indem die

■ter Kontrastblende, so erhält man eine Reihe von Meßfläche durch in Betrieb gegeneinander austausch-

Meßpunkten, welche die integrale Energieverteilungs- bare Vorblenden verschiedener Größe und/oder Form

funktion darstellt. Diese kann ebensogut aus den 45 abgedeckt wird. Als Vorblende kann auch der

differenziellen Kurven (vgl. Fig. 1) berechnet wer- Leuchtschirm in der Bildebene 11 dienen, indem er

den, indem für jeden Punkt ρ der Abszisse das Inte- in der früher genannten Weise als Doppelblende aus-

gral des differentialen Stromes i_k von 0 bis £>eV ge- geführt wird und so als veränderliche Vorblende

bildet wird. Infolge der unvolkommenen Ausblen- dient, wobei der Elektronenempfänger 16 unterhalb

dung der höher energetischen Elektronen durch die 50 des Leuchtschirms 11 fest montiert ist. Zur Sichtbar-

Kontrastblende 8 wird die so gemessene integrale machung des zu identifizierenden Bildausschnittes

Energieverteilung etwas von der berechneten abwei- wird in diesem Fall vorteilhaft ein zweiter, ausklapp-

chen. Nichtsdestoweniger stellt auch die gemessene barer Leuchtschirm 17 zwischen Bildebene 11 und

integrale Energieverteilungskurve eine material- Elektronenempfänger 16 angebracht, wie dies in

typische Funktion dar, und durch Messung von 55 Fig. 5 dargestellt ist.

einem oder mehreren Punkten dieser Kurve kann das Das Austauschen der verschiedenen Kontrastblen-

Material identifiziert werden. Da bei diesen Messun- den gegeneinander, das in an sich bekannter Weise

gen eine Normierung nicht möglich ist, werden im durch Translation oder Rotation einer Blendenhalte-

allgemeinen mindestens zwei Punkte der Kurve be- rung erfolgt, geschieht vorteilhaft in der Weise, daß

nötigt, um die Identifizierung zu gewährleisten. ⁶° die einzelnen Blenden im Blendenhalter bzw. in der

Die Messung geschieht beispielsweise an einem in Austauschvorrichtung vorzentriert sind und daß eine

F i g. 4 dargestellten Sekundär-Elektronen-Emissions- Rasterung beim Blendenwechsel dafür sorgt, daß

Mikroskop. Ein ausklappbarer Elektronenauffänger keine Nachzentrierung notwendig ist. Da die Messung

14, beispielsweise ein Faradaykäfig oder eine Foto- der Energieverteilungskurve benutzten weiteren Blen-

zelle mit Durchsichtsleuchtschirm, wird vorerst aus- 65 den allgemein größere Durchmesser besitzen als die

geklappt und im Elektronenbild 7 das zu identifizie- für die normale Abbildung benötigte Blende, ist diese

rende Bildelement in einen auf dem Leuchtschirm Bedingung mechanisch relativ leicht zu erfüllen. Der

markierten Bereich, vorzugsweise in den Mittelpunkt Blendendurchmesser und die Zentrierung könnten

noch durch eine Kontamination der Blenden beeinflußt werden. Die Kontrastblenden werden deshalb vorteilhaft auf mindestens 150° C geheizt, um eine Kontamination zu vermeiden.

Ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Sekundär - Elektronen - Emissions - Mikroskops ist in F i g. 6 dargestellt. Bei diesem Mikroskop wird in bekannter Weise durch eine Kathode 18 ein Elektronenstrahl 19 erzeugt, welcher durch zwei Elektrolinsen 20/21 auf das Objekt 23 fokussiert wird. Der sehr fein fokussierte Elektronenstrahl löst im Objekt Sekundärelektronen aus, welche in einem Elektronenempfänger 24 gesammelt werden und über einen Verstärker 25 die Helligkeit des Strahles eines Kathodenstrahloszillographen 26 steuern. Ein Ablenksystem 27 dient dazu, den Elektronenstrahl im Zeilenrastverfahren über einen gewissen Bereich des Objektes 23 pendeln zu lassen, wobei die Ablenkung über Verstärker 28 auf die Ablenkplatten des genannten Kathodenstrahloszillographen 26, so daß bei entsprechend vergrößertem Zeilenraster ein vergrößertes Sekundär-Emissions-Elektronenbild auf dem Oszillographen 26 sichtbar wird, welches durch eine Schräglage des Objektes 23 zum Elektronenstrahl 19 eine Schattenwirkung und durch die verschiedenen Sekundäremissionskoeffizienten des Materials zum Teil eine Kontrastwirkung aufweist. Die Zeilenrastereinrichtung gestattet, den Fußpunkt des Elektronenstrahls an einem gewünschten Ort des überstrichenen Bereiches auf dem Objekt anzuhalten.

Auch in einem solchen an sich bekannten Sekundäremissions-Raster-Elektronenmikroskop ist es möglich, das erfindungsgemäße Verfahren durchzuführen, indem beispielsweise ein Umschalter 28 und ein Meßgerät 29 die Messung des Sekundäremissionsstroms gestatten. Das Meßgerät mißt ohne weitere Vorrichtungen den totalen Elektronenstrom I₀. Zwischen Objekt 23 und Elektronenempfänger 24 sind nun weiter ein oder mehrere Gitter 30/31 angebracht, welche auf verschiedene Potentiale aufgeladen werden. Wird beispielsweise das erste Gitter 31 auf + m eV aufgeladen und das zweite Gitter aufgeladen, so werden die Sekundärelektronen um + m eV beschleunigt. Wenn sie mit η eV aus dem Objekt ausgetreten sind, so besitzen sie nach dem ersten Gitter die Geschwindigkeit (n + m) eV. Wird das zweite Gitter 30 nun auf — η eV aufgeladen, so werden alle

ίο Elektronen, welche mit einer Energie OeV aus dem Objekt ausgetreten sind, abgebremst, und nur die Elektronen mit Energie >neV fallen auf den Empfänger 24. Der jetzt gemessene Elektronenstrom In ist also gleich dem Integral über die Energieverteilungskurve von η eV bis oo. Bei Veränderung der Gitterspannung kann jedes beliebige Integral von oo bis zu O eV gemessen werden, allerdings immer mit der oberen Integralgrenze oo. Aus diesen Werten, welche durch Division durch I₀ nominiert werden können, kann die materialspezifische Energieverteilungskurve als I₀ bis /„ berechnet werden.. Für die Identifikation genügen aber in gewissen Fällen ein, in anderen Fällen zwei oder mehrere Punkte der Energieverteilungskurve. Dabei erübrigt sich eine Umrechnung, da auch die Ergänzungswerte I₀ bis I_n materialspezifisch sind. Der Elektronenempfänger 24 kann aber auch selbst auf ein Potential gebracht werden; in diesem Fall wird nur ein einziges Gitter benötigt.

Wegen des Durchgriffes der elektrischen Felder durch die Gitter kann es von Vorteil sein, mehrere Gitter anzubringen.

Für Kontroll- und Vergleichszwecke ist es vorteilhaft, gleichzeitig mit der Elektronenanalyse mit Hilfe der Energieverteilungskurve eine Röntgenanalyse durchzuführen, welche in an sich bekannter Weise mit Hilfe eines Röntgenspektrographen 32 und eines Zählers 33 realisiert wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Material-Analyse in einem Sekundär - Elektronen-Emissions-Mikroskop, dadurch gekennzeichnet, daß zur Identifizierung der emittierenden Objektmaterialien mindestens ein Punkt der Energieverteilungskurve der aus dem jeweiligen Material ausgelösten Sekundärelektronen gemessen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Punkt der differentiellen Energieverteilungskurve gemessen wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Punkt der integralen Energieverteilungskurve gemessen wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Werte von 2 oder mehreren Punkten der integralen Energieverteilungskurve gemessen wird.

5. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop mit ein- oder zweistufiger Abbildung zur Durchführung des Verfahrens nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vorrichtung vorgesehen ist, welche die Messung diskreter Punkte der Energieverteilungskurve der Sekundär-Elektronen erlaubt.

6. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontrastblende im Objektiv des Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskops ausschwenkbar und/oder auswechselbar ist.

7. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Geschwindigkeitsanalysator und eine Blende an der Stelle des Elektronenbildes umfaßt und daß die Elektronen, welche die Blende passieren, in einen Geschwindigkeitsanalysator gelangen, welcher diskrete Punkte ihrer differentiellen Energieverteilungskurve mißt.

8. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Blende an der Stelle des Elektronenbildes in ihrer Größe und/oder. Form verstellbar ist.

9. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Blende an der Stelle des Elektronenbildes mit Leuchtsubstanz belegt ist.

10. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der genannten Blende an der Stelle des Elektronenbildes und dem Analysator ein ausklappbarer Zusatzleuchtschirm angebracht ist.

11. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5 zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwei oder mehrere Kontrastblenden in Betrieb gegeneinander ausgetauscht werden können und daß in der Nähe des Elektronenbild-Leuchtschirms ein ausklappbarer Elektronenempfänger angebracht ist, welcher mit einem Meßinstrument zur Messung des Elektronenstromes verbunden ist.

12. Sekundär-EIektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere gegeneinander in Betrieb austauschbare Elektronenempfänger vorhanden sind, welche verschiedene Größen und/oder Formen der Meßfläche aufweisen.

13. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß über dem Elektronenempfänger Blenden von verschiedener Größe und/oder Form angebracht sind, welche in Betrieb ausgetauscht werden können.

14. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenempfänger unterhalb des Leuchtschirms angebracht ist und dieser Leuchtschirm selbst eine nach Größe und/oder Form verstellbare Blende bildet.

15. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die austauschbaren Kontrastblenden in der Austauschvorrichtung vorzentriert sind und beim Austauschvorgang so eingerastet werden, daß keine Nachzentrierung mehr notwendig ist.

16. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontrastblenden in Betrieb auf mindestens 150° C aufgeheizt werden.

17. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Sekundäremissions-Raster-Elektronen-Mikroskop verwendet wird.

18. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Elektronenempfänger, ein Elektronenstrommeßgerät und ein oder mehrere Gitter enthält, wobei die Gitter zwischen Elektronenempfänger und Objekt angebracht sind und Mittel vorhanden sind, um die Gitter auf verschiedene Potentiale gegenüber dem Objekt aufzuladen, und wobei der Elektronenempfänger vom Kathodenstrahloszillographen auf das genannte Meßgerät umschaltbar ist.

19. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenempfänger auf ein gegenüber dem Objektpotential verschiedenes Potential gebracht wird.

20. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Zeilenraster an jeden beliebigen Punkt des überstrichenen Objektbereiches angehalten werden kann.

21. Sekundär-Elektronen-Emissions-Mikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich ein Röntgenspektrograph mit Zähler zur Messung der Röntgenemission des bestrahlten Objektpunktes angebracht ist.