DE1564677C3 - - Google Patents
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Description
gekennzeichnet, daß der Draht /u einer Schleife 25 oder einer plastischen Verformung sein; letztere ist
oder Spirale gebogen ist.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch !.dadurch
gekennzeichnet, daß als Zuleitungselektrode wenigstens im Bereich ihrer Auflage auf der kontaktelektrode
ein von einer biegsamen Metallisierung umgebener elastischer Kernkörper dient.
j. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Zuleuungselektrode wenigstens im Bereich ihrer beendet, wenn die spezifische Flächenpressung infolge
der vergrößerten Auflagefläche den zum Fließen notwendigen Grenzwert unterschreitet. In beiden Fällen
wird sich jedenfalls die auf der Kontaktelektrode aufliegende Oberfläche der Zuleitungselektrode an eventuell
vorhandene Unebenheiten der Kontaktelektrode anpassen.
Die der Kontaktelektrode zugewandte Seite der an dem Druckkontakt beteiligten Zuleitungselektrode hat
Auflagefläche auf der Kontaktelektrode aus Silber, 35 eine im wesentlichen konkave oder konvexe Form.
aus, weichem Kupfer oder aus Legierungen jedes dieser Metalle besteht.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung mit einem Gehäuse, in dem ein
scheibenförmiger, auf beiden Seiten mit mindestens Mit der Bezeichnung »im wesentlichen konvex« sollen
auch solche Zuleitungselektroden erfaßt werden, die auf der der Kontaktelektrode zugewandten Seite
von wenigstens zwei, zueinander geneigten Flächen begrenzt werden. Dementsprechend kann die Zuleitungselektrode
beispielsweise aus einem Draht mit polygonalem Querschnitt bestehen, der mit einer Kante
oder einer Fläche auf die Kontaktelektrode gelegt wird. Vorzugsweise wird man jedoch einen gewöhnli-
einer metallischen Kontaktelektrode !,ersehener Halb- 45 chen Draht mit kreisförmigem Querschnitt wählen. Ein
leiterkörper mit mindestens einem pn-übergang zusammen
mit einem Kraftspeicher und mit den zu den kontakteiektroden führenden Zuleitungselektroden so
Ungeordnet sind, daß wenigstens zwischen einer Zuleitungselektrode und einer Kontaktelektrode ein
Strom und Wärme gut leitender Druckkontakt und Zwischen Kraftspeicher und Halbleiterkörper ein
Druckstück liegt.
Eine solche Halbleiteranordnung ist beispielsweise in der österreichischen Patentschrift 2 34 214 beschrieben
Ivorden. Dort besteht die Zuleitungselektrode im we-Jentlichen
aus einem zweiteiligen Stempel, dessen obefes Teil in axialer Richtung nachgiebig und dessen unteres
Teil starr ausgeführt ist. Eine als Kraftspeicher die solcher Draht kann zu einer einfachen Schleife oder zu
einer flächigen Spirale gebogen sein und zugleich die elektrischen Zuleitungen zu Schleife bzw. Spirale bilden.
Als Zuleitungselektrode kann aber auch ein ausgeglühtes Stanzteil verwendet werden.
Schließlich kann als Zuleitungselektrode wenigstens im Bereich der Auflagefläche auf der Kontaktelektrode
ein von einer biegsamen Metallisierung umgebener, elastischer Kernkörper, z. B. aus Siliconkautschuk, dienen.
Die Metallisierung kann unmittelbar, z. B. durch einen galvanischen Prozeß auf dem Kernkörper aufgebracht
sein. Es kann sich dabei aber auch um einen dünnwandigen Hohlkörper handeln, der von dem
•ende Sattelfeder drückt das obere Teil der Zuleitungs- 60 Kernkörper ganz oder teilweise ausgefüllt wird.
tlektrode über ein Druckstück gegen das untere Teil und dieses gegen den Halbleiterkörper. Die am Halbleiterkörper
anliegende Fläche des unteren Teils der Zuleitungselektrode muß mit großem Aufwand bearbeitet
werden, wenn ein niedriger thermischer und elektrischer Übergangswiderstand erreicht werden soll.
Man hat aber auch schon zwischen die an einem Druckkontakt beteiligten Flächen eine Scheibe aus
Bei der Auswahl des Materials für die Zuleitungselektrode ist zu bedenken, daß die maximale Strombelastbarkeit
eines derartigen Halbleiterbauelements eine bestimmte Mindestgröße der Auflagefläche der
Zuleitungselektrode auf der Kontaktelektrode erforderlich macht. Diese Mindestgröße muß sich mit dem
für den stationären Kontaktdruck bemessenen Kraftspeicher während des Einbauvorgangs durch elastische
odor plastische Verformung erreichen kissen. Andererseiis
wird die uniere Grenze für die Verformbarkeit der
Zuleitungselektrode durch die im Beirieb notwendige,
niedrigste Fiächenpressung bestimmt. Aus diesen Überlegungen heraus haben sich als Werkstoffe fur d'.e
Zu!eit;ingselektrode insbesondere Silber, weiches Kupfer
oder Legierungen jedes dieser Metalle als günstig erwiesen.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen naher
erläutert. _
F i g. 1 zeigt die einzelnen Teile eines Halbleuerbauelenenis
mit den Merkmalen der Erfindung und
F i g. 2 das gleiche Halbleiterbauelement in fertig zusammengebautem
Zustand;
F i g. 3 zeigt eine Draufsicht auf den der Kontaktelektrode /ugCAandten Bereich der Ziileimngselektrode.
In allen Figuren sind gleiche Teile mit den gleichen
Bc/ugszeichen versehen.
So ist beispielsweise ein Strom und Warme gut leitender,
z. B. aus Kupfer bestehender E.xlenteil mit I bezeichnet. Einem Gewindestutzen dieses Teils Kt das
Bezugszeichen 12. einer planen Bodenflaehe das Bezugsztiehen 11 und einem Flanschtet! das Bezugszeichen 13 zugeordnet. Letzterer ist mit einem
Schweißring 2. z. B. aus Stahl, verbunden.
Mit 4 ist das Halbleiterelement, mit 40 der eigentliche
Halbleiterkörper, mit 41 eine Trägerplatte, vorzugsweise
aus Molybdän, bezeichnet. Sie is; mit einer Seite des scheibenförmigen Halbleiterkörpers durch
Hartlötung oder Legierung verbunden. Die andere Seite des Halbleiterkörpers weist zwei durch Aufdampfen
oder Einlegieren von Metallen erzeugte Kontaktelektrode 42 und 43 auf. 43 ist z. B. die Steuerelektrode
eines Thyristors mit den Hauptclektroden 42 und 44.
Zwischen der mit der Hauptelektrode 44 verbundenen Tragerplatte 41 und der BodenHache 11 is; eine
scheibenförmite Zwischenlage 3 aus duktilem Material.
/. B. aus Silber angeordnet.
s Die der Kontaktelektrode 42 zugeordnete Zuleitungselektrode ist mit 5. ein mit der Kontaktelektrode
42 unmittelbar zusammenwirkender, ringförmiger
Teil mit 51 bezeichnet. Es handelt sich dabei um einen zu einer ringförmigen Öse gebogenen Draht
ίο aus Kupfer (vgl. die Draufsicht auf die gebogene Schleife
51 in F i g. 3).
Die andere Kontaktelektrode 43 ist mn einem ■\nsehlußleiier 6 z. B. durch Schweißen verbunden.
Ein Druckstück mit Durchführungen für die Anschlußleiter und mit Ausnehmungen zur Zentrierung der Zuleitungselektrode 5. 51 relativ zu dem Halbleiterelement 4 ist mit 7 bezeichnet. Es besteht aus Isoliermaterial.
Ein Druckstück mit Durchführungen für die Anschlußleiter und mit Ausnehmungen zur Zentrierung der Zuleitungselektrode 5. 51 relativ zu dem Halbleiterelement 4 ist mit 7 bezeichnet. Es besteht aus Isoliermaterial.
Ein aus Tellerfedern 81 bestehender Kraftspeicher ist mit 8 bezeichnet.
Der Kappenteil des Gehäuses trägt das Be/ugszeiehen
9. sein zylindrischer Manie). /. B. aus einer
Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung, das Be/ugszeichen 91.
Ein mit dem zylindrischen Mantel 91 hart verlötetes Abschlußstück aus Keramik ist mit 92 bezeichnet. Ei ist
von zwei metallischen Durchführungshulsen 93 und 94 durchsetzt.
F i g. 2 zeigt das Halbleiterbauelement nach F i g. 1 in zusammengebautem Zustand. Ein Flanschieil des M intels
91 des Kappenteils 9 ist dabei mit dem Schweißring 2 des Bodenteils 1, /.. B. durch Warzenschweißung. verbunden.
Der Kraftspeicher 8 ist dann gespannt und hat eine plastische Verformung des mit der Kontaktelektrode
42 zusammenwirkenden Teils 51 der Zuleitungselektrode
5 bewirkt.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Halbleiteranordnung mit einem Gehäuse, in
dem ein scheibenförmiger, auf beiden Seiten mit mindestens einer metallischen Kontaktelektrode
versehener Halbleiterkörper mit mindestens einem pn-Übergang zusammen mit einem Kraftspeicher
und mit den zu den Kontaktelektroden führenden Zuleilungselektroden so angeordnet sind, dall
wenigstens zwischen einer Zuleitungselektrode und einer Kontaktelektrode ein Strom und Wärme gut
leitender Druckkontakt und zwischen Kraftspeicher und Halbleiterkörper ein Druckstück liegt, d a duktilem,
also weichem Material gelegt, das Ungleichmäßigkeiten in den Oberflächen der beiden
Flachen ausgleicht.
Ferner hängt der Kontaktdruck bei den bekannten Halbleiteranordnung^! vom Rderweg des Kraftspeichers
beim Zusammenbau der Teile der Halbleiteranordnung und damit von den Fettigungstoleran/en
dieser einzelnen Bauteile ab. Dm einen bestimmten Kontaktdruck zu erzielen, müssen daher sehr enge
ίο Toleranzen eingehalten werden.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, eine Anordnung der eingangs erwähnten
Art so weiterzubilden, daß die am Druckkontakt beteiligten Flächen nicht besonders bearbeitet werden müs-
durch gekennzeichnet, daß das Material 15 sen und ohne zusätzliche duktile Zwischenlagen aus-
der Zuleitungselektrode (5) und ihre Form Kontaktbereich mit der Kontaktelektrode (42) so
gewählt sind, daß sich die Kontaktflache heim Spannen des Kraftspeichers (8) vergrößert.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch I. dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungselektrode (5)
wenigstens im Bereich ihrer Auflage .uif der
Kontaktelektrode (42) aus Draht besteht.
J. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2. dadurch kommen, wobei höhere Toleranzen für die einzelnen
Teile einer solchen Halbleiteranordnung zugelassen werden können.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Zuleitungselektrode und ihre Form im
Kontaktbereich mit der Kontaktelektrode so gewählt sind, daß sich die Kontaktfläche beim Spannen des
Kraftspeichers vergrößert.
Diese Verbreiterung kann die Folge einer elastischen
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Family Applications (1)
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1966
- 1966-07-28 DE DE19661564677 patent/DE1564677B2/de active Granted
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1967
- 1967-07-05 CH CH954267A patent/CH459372A/de unknown
- 1967-07-26 GB GB3447467A patent/GB1181297A/en not_active Expired
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