DE1549052C - Aus dünnen magnetischen Schichten bestehendes Speicherelement - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein aus dünnen magnetischen Schichten bestehendes, auf einer festen Unterlage angeordnetes Bauelement für Speicherzwecke, mit einem Leiter, der zwischen zwei anisotropen magnetischen Filmen angeordnet ist, die an den beiden Längsseiten des Leiter überstehen und miteinander verbunden sind und deren Verzugsmagnetisierungsachsen senkrecht zur Längsausdehnung des Leiters verlaufen. Durch die deutsche Auslegeschrift 1 222 597 ist ein magnetisierbares Speicherelement bekannt, bei dem elektrische Leiter zwischen zwei magnetischen Schichten angeordnet sind, welche die Leiter seitlich überlappen, und dessen magnetische Schichten, Isolierschichten und leitende Schichten durch aufeinanderfolgende Niederschläge in einer Vakuumkammer auf eine feste Unterlage aufgebracht werden können. Durch die Einbettung mehrerer voneinander isolierter Leiter in sie umschließende magnetische Schichten werden die Schichten stets durch senkrecht zu ihrer Längsausdehnung laufende elektrische Felder beeinflußt. Durch die USA.-Patentschrift 3 030 612 ist es bereits bekannt, Magnetelemente durch ein Querfeld zu steuern. Auch für Doppelschichtelemente, bei welchen zwischen zwei Magnetschichten Wortleiter angeordnet sind, ist es durch »IBM-Technical Disclosure Bulletin«, März 1964, bekannt, zur Querfeldsteuerung Bit- bzw. Abtastleiter auf der Oberseite des Speicherelements anzuordnen, jedoch lassen sich diese bekannten Anordnungen nicht einwandfrei durch aufeinanderfolgende Niederschläge in einer Vakuumkammer herstellen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein insbesondere durch aufeinanderfolgende Niederschläge in einer Vakuumkammer herstellbares, aus dünnen magnetischen Schichten bestehendes Speicherelement der obengenannten Art, das durch in verschiedenen Richtungen verlaufende magnetische Felder beeinflußbar sein soll, derart auszubilden, daß die die Magnetflußwege in den verschiedenen Richtungen bestimmenden Parameter weitgehend unabhängig voneinander wählbar sind.

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß bei dem aus dünnen magnetischen Schichten bestehenden, auf einer festen Unterlage angeordneten Bauelement für Speicherzwecke, mit einem Leiter der zwischen zwei anisotropen magnetischen Filmen angeordnet ist, die an den beiden Längsseiten des Leiters überstehen und miteinander verbunden sind und deren Vorzugsmagnetisierungsachsen senkrecht zur Längsausdehnung des Leiters verlaufen, gemäß der Erfindung auf der Unterlage hochpermeabler magnetischer Dünnfilm in einer Formgebung angeordnet ist, welche zu beiden Seiten des aus den beiden anisotropen, den Leiter einschließenden magnetischen Filmen gebildeten Speicherelements je eine freie, mit einer Durchbrechung zur Durchführung einer Treiberleitung versehene Fläche der Unterlage derart umschließt, daß zu beiden Seiten des Speicherelements von dessen freien Enden ausgehende, geschlossene Magnetflußwege entstehen, über die die Treiberleitungen mit dem Speicherelement zur Erzeugung eines magnetischen Querfeldes gekoppelt sind.

Das Speicherelement der Erfindung eignet sich besonders für den Einsatz in Matrixanordnungen.

Zwei Allsführungsbeispiele sind in der Zeichnung dargestellt. Es zeigt

F i g. 1 ein Speicherelement mit zusammenwirkenden Filmbereichen in Draufsicht,

F i g. 2 ein Stück einer Maske zur Bildung des Umrisses der E-Elemente,

F i g. 3 ein Stück einer Maske zur Bildung des Umrisses der die Ε-Elemente an ihren einander gegenüberliegenden Schenkeln verbindenden Verbindungselemente,

F i g. 4 ein Stück einer Maske zur Bildung des Umrisses der Verbindungspunkte für den Stromleiter,
F i g. 5 ein Stück einer Maske zur Bildung des Umrisses des quer über dem mittleren Verbindungselement liegenden und die Verbindungspunkte miteinander verbindenden Stromleiters,

F i g. 6 einen schematischen Querschnitt durch das Speicherelement 10 entlang der Achse 22 von F i g. 1,

*5 F i g. 7 eine schematische Darstellung des Stromverlaufs zur Erzeugung des Querfeldes H, und des Längsfeldes H₁ im Speicherelement 10,

F i g. 8 ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

F i g. 9 die Kurvenformen typischer Schreibstromimpulse und

F i g. 10 die Kurvenformen typischer Lesestromimpulse. C F i g. 1 zeigt in Draufsicht ein Speicherelement 10 der vorliegenden Erfindung mit zusammenwirkenden Filmbereichen. Das erfindungsgemäße Speicherelement erhält seine gegenüber Speicherelementen mit gekoppelten Filmen einzigartigen Betriebseigenschaften durch die schichtartige Anordnung der ferromagnetischen Filme und des umschlossenen Treibleiters. Die beiden ferromagnetischen Filme, die schichtartig übereinanderliegen und den Zifferntreibleiter dabei umschließen, haben Seitenbereiche, an denen sie den Zifferntreibleiter überlappen, wodurch bei den Filmen an den überlappenden Seitenbereichen eng miteinander gekoppelte Filmbereiche entstehen, durch die ein im wesentlichen geschlossener Magnetflußweg um den umschlossenen Zifferntreibleiter geschaffen wird. Diese eng miteinander gekoppelten Filmbereiche des Speicherelements 10 von F i g. 1 sind schraffiert dargestellt und mit 12 und 14 bezeichnet.

Das Speicherelement 10 besteht aus einer Anzahl von übereinanderliegenden Schichten, von denen ; einige eine Form oder Kontur aufweisen, die speziell so gestaltet ist, daß sich die Schichten nach einem sich aus Einzelschritten zusammensetzenden kontinuierlichen Niederschlagsverfahren herstellen lassen, wobei für jede Schicht eine Formmaske benutzt wird, um den einzelnen Schichten ihre Form oder Planarkontur zu geben. Die Herstellung des Speicherelements 10 erfolgt schrittweise wie folgt:

A. Als Basis für das Speicherelement 10 dient ein planarer Glasträger 16, der 0,15 mm dünn ist und zwei im Abstand voneinander angeordnete Durchbrüche 18, 19 aufweist, durch welche die noch zu beschreibenden Worttreibleiter 20, 21 senkrecht durch die Ebene des Glasträgers 16 führen. Die Achsen 22, 23 dienen hier nur zur Kennzeichnung der Längs- bzw. Querachse des Speicherelements 10 bei der Ausrichtung der Elemente und deren Magnetisierungsachsen.

B. Auf den Glasträger 16 werden um die Durchbrüche 18,19 zwei E-förmige, jeweils 10 000 A dicke ferromagnetische Filme 24, 25 aus etwa 80% Nickel und 20% Eisen aufgedampft. Die Filme haben jeweils eine anisotrope Magnetisierungsachse, die mit" der Achse 22 übereinstimmt und die leichte Magneti-

sierungsachse darstellt. F i g. 2 zeigt ein Stück einer Speicherfunktion dienenden Filme, also beispielsweise

Maske 26 mit Durchbrüchen 28, 29, die bei Verwen- die Filme 30, 50. Man kann bekanntlich die magneti-

dung in einem kontinuierlichen Niederschlagsverfah- sehen Eigenschaften von Filmen aus magnetisier-

ren den Umriß des Films 24 bzw. 25 bilden. barem, etwa aus 80 ⁰Zo Nickel und 20% Eisen be-

C. Als nächstes werden auf die Filme 24, 25 mittig 5 stehendem Material dadurch beeinflussen, daß man zur Achse 22 und um die Achse 23 drei ferromagne- beispielsweise die Dicke dieser Filme sowie die Dicke tische Filme 30, 31, 32 mit jeweils einer Dicke von der Isolierschichten unterschiedlich bemißt.

4000 A aufgedampft. Die Filme bestehen aus etwa Es ist wünschenswert, daß bei den Nichtspeicher-80% Nickel und 20% Eisen und haben jeweils eine filmen die Koerzitivkraft H_c kleiner ist als bei den zur anisotrope Achse, die mit der Achse 22 überein- io Speicherung benutzten Filmen, wobei diese Filme stimmt und die leichte Magnetisierungsachse dar- dennoch für die Quersteuerfelder H, einen Weg gestellt. F i g. 3 zeigt ein Stück einer Maske 33 mit ringen magnetischen Widerstandes bilden sollten, um Durchbrüchen 34, 35 und 36, die bei Verwendung in die Speicherfunktion nicht nachteilig zu beeinflussen, einem kontinuierlichen Verfahren die Konturen der Die Herstellung des Speicherelements 10 gemäß Filme 30, 31 bzw. 32 bilden, wie oben beschrieben. 15 Fig. 1 kann also auch auf andere Art, als in den

D. Sodann wird auf das nach Schritt C entstan- Schritten A bis I zuvor beschrieben, erfolgen. So erdene Element eine 5000 A dicke Isolierschicht 37 aus folgte bei einem anderen Ausführungsbeispiel die Siliziummonoxyd (SiO) aufgedampft. Herstellung der Nichtspeicherfilme beispielsweise

E. Als nächstes werden auf die Isolierschicht 37 durch aufeinanderfolgendes Aufbringen von zehn mittig zur Achse 23 und um die Achse 22 zwei etwa 20 1000 Ä dicken, jeweils durch eine 200 A dicke 40 000 A dicke Verbindungsflächen 38, 39 aus Kup- SiO-Schicht gegeneinander isolierten Filmen aus fer aufgedampft. F i g. 4 zeigt ein Stücke einer Maske 80% Nickel und 20% Eisen, und die Herstellung der 40 mit Durchbrüchen 42, die "bei Verwendung in Speicherfilme durch aufeinanderfolgendes Aufbringen einem kontinuierlichen Niederschlagsverfahren je- von vier 1000 A dicken, jeweils durch eine 1500 A weils den Umriß einer entsprechenden Verbindungs- 25 dicke SiO-Schicht gegeneinander isolierten Filmen fläche 38, 39 bilden. aus 80% Nickel und 20% Eisen. Diese Beziehung

F. Als nächstes wird auf die Isolierschicht 37 mit- zwischen der Dicke der magnetisierbaren Filme und tig zur Achse 23 und um die Achse 22 ein etwa der Dicke der Isolierschichten ergab Speicherfilme 40 000 A dicker Zifferntreibleiter 44 aus Kupfer auf- mit relativ hoher Koerzitivkraft H_c und Nichtspeichergedampft, der über die Enden der Verbindungs- 30 filme mit relativ kleiner Koerzitivkraft//,., also Eigenflächen 38, 39 reicht, um mit diesen eine durch- schäften, wie sie für den Speicherbetrieb am meisten gehende elektrische Verbindung zu bilden. F i g. 5 erwünscht sind.

zeigt ein Stück einer Maske 46 mit einer Anzahl von Wie bekannt ist, haben die aus Siliziummonoxyd Durchbrüchen 48, die bei Einsatz in einem kontinu- bestehenden Isolierschichten im Bereich desSpeicherierlichen Niederschlagsverfahren jeweils den Umriß 35 platzes 60 (vgl. Fig. 6) schlechte elektrische Isoliereines Zifferntreibleiters 44 bilden. eigenschaften, wenn das Speicherelement 10 nach

G. Auf das nach Schritt F entstandene Element einem kontinuierlichen Niederschlagsverfahren herwird sodann eine 5000 A dicke Isolierschicht 49 aus gestellt wird. Infolge der sich ändernden Umgebungs-SiO aufgedampft. bedingungen (Temperatur, Druck usw.) während des

H. Anschließend werden auf die Isolierschicht 49 40 Niederschlagsprozesses im Inneren des evakuier- und über den entsprechenden Filmen 30, 31 und 32 baren Raumes und wegen der unregelmäßigen Oberdrei ferromagnetische Verbindungsfilme mit jeweils flächenbeschaffenheit der Metallschichten können einer Dicke von 4000 A aufgedampft. Die Filme be- sich in den Isolierschichten keine Löcher und rißstehen aus etwa 80% Nickel und 20% Eisen und ähnliche Durchbrüche bilden, durch die dann der haben jeweils eine mit der Achse 22 übereinstim- 45 auf dem Zifferntreibleiter auftretende Strom fließt mende anisotrope Achse, die ihre leichte Magnetisie- und die Metallschichten dabei kurzschließt. Um ein rungsachse darstellt. Die Herstellung der Filme 50,51 einwandfreies Funktionieren zu gewährleisten, wer- und 52 kann nach einem kontinuierlichen Nieder- den daher alle Speicherelemente 10 elektrisch gegenschlagsverfahren unter Anwendung der im Schritt B einander isoliert, so daß zwei Elemente niemals durch erwähnten Maske 33 erfolgen. 50 ein gemeinsames Stück magnetisierbaren Materials

I. Schließlich wird auf den ganzen Schichtverband verbunden sind. Hierdurch wird die Gefahr eines eine etwa 2500 A dicke Isolierschicht 54 aus SiO Kurzschlusses zwischen parallelen Gruppen von Veraufgedampft, um deri Verband dicht abzuschließen. bindungsflächen 38, 39 und Zifferntreibleiter 44 ver-

Die oben beschriebenen Schritte A bis I stellen hindert. Da als Worttreibleiter 20, 21 blanke Kupferlediglich ein Beispiel eines Verfahrens zur Herstel- 55 drähte verwendet werden können, beispielsweise lung eines Dünnschicht-Speicherelements gemäß der blankes 0,08 mm dünnes und 0,4 mm breites Flachvorliegenden Erfindung dar. Die speziellen, oben an- kupfer, ist es außerdem wünschenswert, daß sich an gegebenen Abmessungen und Werkstoffe sind für ein den Wänden der Durchbrüche 18, 19 des Glasträgers funktionsfähiges Ausführungsbeispiel der vorliegenr 16 kein magnetisierbares Material bilden oder niederden Erfindung nicht kritisch. Es ist wünschenswert, 60 schlagen kann, um zu verhindern, daß einer der daß sich die Magnetisierung M des Speicherplatzes Worttreibleiter 20, 21 über die magnetisierbaren 60 (Fi g. 6) nach Eindomänenart dreht, so wie es die Filme 24, 25, 30, 31, 32, 50, 51 und 52 kurzge-USA.-Patentschrift 3 030 612 lehrt. Die Filme 30, 50 schlossen wird.

sollten also Eindomäneneigenschaften aufweisen. Da- Wie oben erwähnt, weisen die SiO-Schichten

gegen brauchen die anderen Filme, die keine Spei- 65 schlechte elektrische Isoliereigenschaften auf. An-

cherfunktion ausüben, also beispielsweise die Filme dererseits sind diese SiO-Schichten für das konti-

24, 25, 31 und 32, nicht die gleichen magnetischen nuierliche Niederschlagsverfahren jedoch wesentlich,

Eigenschaften zu haben wie die zur Ausübung der um ein Diffundieren der Schichten aus magnetisier-

5 6

barem Material und Kupfer, insbesondere im Bereich Wie aus der Draufsicht auf das Speicherelement des Speicherplatzes 60, zu verhindern. Da die Funk- 10 gemäß F i g. 1 und der Schnittansicht gemäß tlonstüchtigkeit des Speicherelementes 10 von den Fig. 6 zu entnehmen ist, hat das Element in Drauf -magnelischen Eigenschaften des Speicherplatzes 60 sieht die allgemeine Form einer Acht, wobei sich die bestimmt wird, muß somit ein Diffundieren zwischen 5 beiden geschlossenen Kraftflußschleifen in einem von diesen Metallen verhindert werden. Da außerdem nur den beiden übereinander angeordneten Filmen 30,50 die den Zifferntreibleiter 44 umschließenden Filme gebildeten zentralen Überschneidungsbereich treffen. 30, 50 die Speicherfunktion ausüben, können die an- Die Filme 31, 51 und 32, 52 verbinden dabei die deren magnetisierbaren Filme aus einem anderen Filme 24, 25 an ihren oberen bzw. unteren Schenmagnetisierbaren Material bestehen, das unter we- 10 kein und bilden somit geschlossene Kraftflußwege, niger strengen Bedingungen aufgebracht wird, als Wie noch nachstehend beschrieben wird, werden es die Herstellung der Filme 30, 50 erfordert. Ob- durch diese Anordnung zwei geschlossene Kraftflußwohl also nicht davon ausgegangen wird, daß die wege in der Ebene des Speicherelements 10 gebildet, Schichten aus Siliziummonoxyd für eine einwand- denen ein Teil des von den übereinander angeordfreie elektrische Isolierung sorgen, werden diese 15 neten Filmen 30, 50 gebildeten Speicherplatzes 60 Schichten trotzdem benutzt, um eine Verunreinigung gemeinsam ist.

der magnetisierbaren Schichten während des konti- Die Speicherebenen-Baugruppe, die aus dem den

nuierlichen Niederschlagsverfahrens zu verhindern. Glasträger 16 bis einschließlich die Isolierschicht 54

Neben der Vermeidung eines Kurzschlusses zwi- umfassenden Schichtverband (ohne die Worttreib-

schen einem Worttreibleiter 20,21 und einem Ziffern- ao leiter 20, 21) ,besteht und eine in sich geschlossene

treibleiter 44 gibt es aber auch noch andere Gründe Einheit bildet, wird vorzugsweise nach einem kon-

dafür, zu verhindern, daß sich magnetisierbares Ma- tinuierlichen Niederschlagsverfahren hergestellt, wie

terial an den Wänden der Durchbrüche 18, 19 des es in der zuvor genannten USA.-Patentschrift

Glasträgers 16 niederschlägt. Wie bereits erwähnt ist, 3 030 612 offenbart ist. Bei dieser Anordnung des

stellt der Speicherplatz 60 (Fig. 6) die Speicher- 35 bevorzugten Ausführungsbeispiels werden die ma-

oder aktive Stelle des Speicherelements dar, an der gnetisierbaren Filme 24, 25, 30, 31, 32, 50, 51 und

die Binärinformation eingeschrieben oder heraus- 52 so gebildet, daß ihre anisotrope Magnetisierungs-

gelesen wird. Da das in den eng miteinander ge- achse parallel zur Achse 22 liegt, so daß ein auf den

koppelten Filmbereichen 12, 14 (F i g. 1) befindliche Zifferntreibleiter 44 gegebener Stromimpuls ein

magnetisierbare Material für die Abgabe eines Aus- 30 Längssteuerfeld H₁, insbesondere in den Filmen 30,

gangssignals an den Zifferntreibleiter 44 nur wenig 50 im Speicherplatz 60, in Umfangsrichtung um den

oder gar keine Bedeutung hat, dagegen jedoch für Zifferntreibleiter 44 in einer ersten oder zweiten, ent-

das durch die Pfeile 70 (Fig. 7) angedeutete Quer- gegengesetzten Richtung erzeugt, die vom Vorzeichen

Steuerfeld H₁ ein Gebiet hoher Permeabilität, d. h., des angelegten Stromimpulses abhängt und einer ge-

ein Gebiet mit niedrigem magnetischem Widerstand, 35 speicherten »1« oder »0« entspricht. Erscheint auf

darstellt, ist es wünschenswert, daß die Menge an den (durch einen Leiter 62, F i g. 6) miteinander ver-

magnetisierbarem Material in den gekoppelten FUm- bundenen Worttreibleitern 20, 21 ein entsprechender

bereichen 12, 14 möglichst klein gehalten wird, so Stromimpuls, so wird im Speicherplatz 60 ein Quer-

daß sich das Quersteuerfeld H_t im Bereich des Spei- Steuerfeld H₁ erzeugt, das die Magnetisierung M der

cherplatzes 60 in Nähe des Zifferntreibleiters 44 kon- 40 Filme 30, 50 im Bereich des Speicherplatzes 60 im

zentriert. Es ist also wünschenswert, daß sich an den wesentlichen bis zur schweren Magnetisierungsachse

Wänden der Durchbrüche 18, 19 im Glasträger 16 des Speicherplatzes 60, d. h. bis parallel zur Achse

kein magnetisierbares Material niederschlägt und daß 23, zu drehen bestrebt ist.

in den gekoppelten Filmbereichen 12, 14 (Fig. 1) F i g. 7 zeigt das Speicherelement 10 in Drauf sieht,

die Menge an magnetisierbarem Material möglichst 45 auf der der allgemeine Verlauf des Magnetflusses

klein gehalten wird, soweit sich dies mit den Förde- ersichtlich ist, der von den auf den Worttreibleitern

rangen nach Herstellbarkeit und Funktionstüchtigkeit 20, 21 und auf dem Zifferntreibleiter 44 auftretenden

des Speicherelements 10 in Einklang bringen läßt. Stromimpulsen erzeugt wird. Bei Ankopplung eines

Fig. 6 zeigt einen schematischen Querschnitt geeigneten Stromimpulses an die Worttreibleiter20,

durch das Speicherelement 10 entlang der Achse 22 50 21 wird um diese Treibleiter ein durch die Pfeile 70

von Fig. 1, wobei der passive Teil wie der Glas- angedeutetes Magnetfeld erzeugt, das in Umfangs-

träger 16 und die Isolierschichten 37, 49 und 54 der richtung um die Leiter verläuft. Dieses Umfangsfeld

Klarheit wegen weggelassen sind. Fig. 6 läßt die um die Worttreibleiter 20, 21 sucht sich einen Weg

ungefähren Abmessungen des Speicherplatzes 60 des geringen magnetischen Widerstandes und konzen-

Speicherelements 10 im dargestellten Ausführungs- 55 triert sich daher auf die von den Filmen 24, 25, 30,

beispiel erkennen, indem das Verhältnis von Breite 31, 32, 50, 51 und 52 gebildeten Wege. Erhält wei-

(0,016) zu Dicke (0,000328) mit etwa 50 angegeben terhin der Zifferntreibleiter 44 einen geeigneten

ist. Ferner sind zusammen mit den den Speicherplatz Stromimpuls, so wird im Speicherplatz 60 ein durch

60 bildenden Filmen 24, 25 die den Kraftfluß des die Pfeile 72 angedeutetes Magnetfeld erzeugt, das

Quersteuerfeldes H₁ schließenden Wege dargestellt, 60 in Umfangsrichtung um den Zifferntreibleiter 44 ver-

die von den Filmen 24, 25, 31, 32, 51 und 52 ge- läuft, und zwar in einer vom Vorzeichen des an den

bildet werden und den andernfalls offenen Kraft- Zifferntreibleiter angelegten Stromimpulses abhängi-

hnienweg der Filme 30, 50 um die Worttreibleiter 20, gen ersten oder zweiten, entgegengesetzten Richtung,

21 schließen. Im Hinblick auf die oben angegebenen die einer gespeicherten »1« oder »0« entspricht. Die-

Abmessungen des Speicherelements von Fig. 6 han- 65 ser Magnetfluß im Speicherplatz 60 stellt ein Längs-

delt es sich bei dieser Darstellung nur um eine sehe- Steuerfeld H₁ dar, das parallel zu der mit der Achse

matische Ansicht, also nicht um eine verhältnistreue 22 übereinstimmenden leichten Magnetisierungsachse

Darstellung. des Speicherplatzes 60 verläuft und die Magnetisie-

rung M des Speicherplatzes 60 entlang der Achse 22 auszurichten bestrebt ist. Nachdem also durch auf den Worttreibleitern 20, 21-und auf dem Ziflerntreibleiter 44 auftretende geeignete Stromimpulse die durch die Pfeile 70 und 72 schematisch dargestellten Magnetfelder erzeugt worden sind, die im Speicherplatz 60 im wesentlichen parallel zur Achse 23 bzw. zur Achse 22 verlaufen, bestehen somit im Speicherplatz 60 zwei senkrecht zueinander verlaufende Magnetfelder, die sich vektormäßig zueinander addieren, so daß durch entsprechende Auswahl der relativen Feldstärken die Magnetisierung M des Speicherplatzes 60 durch Drehung in einen aus einer Anzahl zuvor bestimmbarer magnetischer Zustände auswählbaren Zustand gebracht werden kann, wie es in der USA.-Patentschrift 3 030 612 beschrieben ist.

F i g. 8 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das insbesondere eine Anordnung betrifft, bei der die Worttreibleiter 80, 81 einen runden Querschnitt haben, so daß sie mit kreisförmigen Durchbrüchen 82 bzw. 83 des Trägers 16 zusammenpassen. Die einzelnen Elemente dieses Ausführungsbeispiels entsprechen im wesentlichen denen des Ausführungsbeispiels von Fig. 1. Bei diesem Ausführungsbeispiel entsprechen die seitlichen Filme 86, 87 den Filmen 24, 25 von Fig. 1, haben aber die Form von rechteckigen Streifen, die beidseitig der Achse 22 um die Achse 23 symmetrisch angeordnet sind. Die Filme 31, 32 bilden zusammen mit den mittleren Filmen 30, 50, zwischen denen der Zifferntreibleiter 44 eingebettet ist, geschlossene Kraftflußwege für das von den erregten Worttreibleitern 80, 81 erzeugte Quersteuerfeld H_t, genauso wie beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1. Infolge des runden Querschnittes der Worttreibleiter 80, 81 ist dieses Ausführungsbeispiel nicht so kompakt wie das von Fig. 1. Es hat etwa die gleiche Breite, gemessen entlang der Achse 23, ist jedoch im wesentlichen doppelt so lang, gemessen entlang der Achse 22.

■Fig. 9 zeigt die Kurvenformen der Stromimpulse, die zur Durchführung des Einschreibvorganges beim Speicherelement 10 benutzt werden. Bei dieser Anordnung wird zunächst ein Quersteuerfeld an das Speicherelement 10 durch einen auf den Worttreibleitern 20, 21 auftretenden Stromimpuls 90 angelegt, wodurch die Magnetisierung M des Speicherplatzes 60 von ihrer parallel zur Achse 22 liegenden anisotropen Achse weggedreht wird. Sodann wird zum Hinschreiben einer »1« ein Längssteuerfeld in der einen Richtung oder zum Einschreiben einer »0« ein Längssteuerfeld in der entgegengesetzten Richtung an den Speicherplatz 60 angelegt, indem auf den ZifTerntieibleiter 44 ein Stromimpuls 92 bzw. 94 mit dem entsprechenden Vorzeichen gegeben wird. Durch dieses Längsstcuerfeld H₁ wird die Magnetisierung M des Speicherplatzes 60 dann bis zu dem d.Tii Vor/eichen des Strnmimpulscs entsprechenden Magnetpol der anisotropen Magnetisicrungsachse gedreht.

In Fig. 10 sind die Kurvenformen der Stromimpulse dargestellt, die beim Lesen auftreten. Zum Ablesen wird auf die Wortlrejbleiter 20, 21 ein entsprechender Stromimpuls 96 gegeben, wodurch im Speichel platz 60 ein Quersteuerfeld erzeugt wird, das iintcrlialh der (Immauiiclisicrungsscliwcllc des Speicherplatzes 60 liegt. Durch dieses Steuerfeld //, wird die Magnetisierung M des Speicherplatzes 60 von der anisotropen Achse weggedreht, wodurch in dem gleichzeitig als Leseleiter dienenden Zifferntreibleiter ein Ausgangsimpuls 98 oder 100 induziert wird, der einer im Speicherplatz 60 gespeicherten »1« oder »0« entspricht. Wie hier dargestellt, wird durch die Polarität des beim Lesen erzeugten Ausgangssignals der jeweilige Informationszustand des betreffenden Speicherelements 10 angezeigt.

Die vorstehend beschriebenen und dargestellten

ίο bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung stellen also verbesserte Speicherelemente mit zusammenwirkenden Filmbereichen dar, die die Verwendung unterschiedlicher magnetisierbarer Werkstoffe für die den jeweiligen Speicherplatz bildenden ferromagnetischen Filme und für die den geschlossenen Kraftflußweg für das von den erregten Worttreibleitern erzeugte Quersteuerfeld H, bildenden ferromagnetischen Filme ermöglicht.

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Aus dünnen magnetischen Schichten bestehendes, auf einer festen Unterlage angeordnetes Bauelement für Speicherzwecke, mit einem Leiter, der zwischen zwei anisotropen magnetischen Filmen angeordnet ist, die an den beiden Längsseiten des Leiters überstehen und miteinander verbunden sind und deren Vorzugsmagnetisierungsachsen senkrecht zur Längsausdehnung des Leiters verlaufen, dadurch gekennzeichne t, daß auf der Unterlage (16) hochpermeabler magnetischer Dünnfilm (24, 25, 31, 32; 86, 87) in einer Formgebung angeordnet ist, welche zu beiden Seiten des aus den beiden anisotropen, den Leiter (44) einschließenden magnetischen Filmen (30, 50) gebildeten Speicherelements je eine freie, mit. einer Durchbrechung (18, 19; 82, 83) zur Durchführung einer Treiberleitung (20, 21; 80, 81) versehene Fläche der Unterlage (16) derart umschließt, daß zu beiden Seiten des Speicherelements (30, 50) von dessen freien Enden ausgehende, geschlossene Magnetflußwege entstehen, über die die Treiberleitungen (20, 21; 80, 81) mit dem Speicherelement zur Erzeugung eines magnetischen Querfeldes gekoppelt sind.

2. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetischen Filme (30,

50) des Speicherelements und die hochpermeablen Magnetflußwegteile (24, 25, 31, 51, 32, 52; 86, 87, 31, 32) je aus mehreren, durch Isolierschichten getrennten Schichten magnetischen Materials gleicher chemischer Zusammensetzung bestehen, von denen die magnetischen Schichten der Magnetflußwegteile dicker und/oder die Isolierschichten dünner als die übrigen Schichten sind, so daß die Magnetflußwegteile höhere Koerzitivkraft haben als das Speicherelement.

3. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetflußwege aus zwei parallelen streifenförmigen magnetischen Filmen (24, 25; 86, 87) bestehen, deren Enden durch zwei qiier zu ihnen angeordnete streifenförmige magnetische Filme (31, 32) und deren Mitte durch die magnetischen Filme (30, 50) des Speicherelenicnts miteinander verbunden sind.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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