DE1539482C3 - Elektrolumineszierende Halbleiterlampe - Google Patents

Elektrolumineszierende Halbleiterlampe

Info

Publication number
DE1539482C3
DE1539482C3 DE19661539482 DE1539482A DE1539482C3 DE 1539482 C3 DE1539482 C3 DE 1539482C3 DE 19661539482 DE19661539482 DE 19661539482 DE 1539482 A DE1539482 A DE 1539482A DE 1539482 C3 DE1539482 C3 DE 1539482C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zones
zone
semiconductor lamp
doped
zinc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19661539482
Other languages
English (en)
Inventor
Hubert Charles Redhill Surrey Wright (Grossbritannien)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Application granted granted Critical
Publication of DE1539482C3 publication Critical patent/DE1539482C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Description

Die Erfindung betrifft eine elektrolumineszierende Halbleiterlampe mit zwei außenliegenden Zonen desselben Leitfähigkeitstyps und mit einer dazwischenliegenden Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, die je einen gleichrichtenden Übergang mit den ihr benachbarten Zonen bildet, der in Flußrichtung gepolt Strahlung aussendet.
Solche bekannten Halbleiterlampen (deutsche Auslegeschrift 1 048 346) weisen zwei gleichartige PN-Übergänge auf und senden daher bei verschiedener Polung Strahlung gleicher Wellenlänge aus.
Es ist bekannt (Electronics vom 25. 10. 1963, S. 43), elektrolumineszierende Halbleiterlampen aus Galliumphosphid herzustellen und mit Zink oder Sauerstoff zu dotieren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterlampe der eingangs genannten Art so auszubilden, daß sie die visuelle Anzeige vier verschiedener Farbeindrücke ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs angegebenen Merkmale gelöst.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen darin, daß die Halbleiterlampe eine visuelle Anzeige vier verschiedener Zustände gibt, und zwar durch Emission einer Strahlung mit nur der einen Wellenlänge, durch die Emission einer Strahlung mit nur der anderen Wellenlänge, durch gleichzeitige Emission von Strahlung sowohl mit der einen als auch mit der anderen Wellenlänge und durch abwechselnde Emission von Strahlung der einen und der anderen Wellenlänge. Auf diese Weise können bei der Halbleiterlampe aus Galliumphosphid die vier Zustände durch Emission von rotem Licht, grünem Licht, von rot-grünem Mischlicht und von abwechselnd grünem und rotem Licht angezeigt werden.
Die Halbleiterlampe kann auch in opto-elektronischen Vorrichtungen verwendet werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel der Halbleiterlampe,
F i g. 2 eine Schaltungsanordnung zur Ausnutzung von drei der vier visuellen Anzeigezustände mit einer Halbleiterlampe nach Fig. 1.
Die in F i g. 1 dargestellte Halbleiterlampe besteht aus einer N-leitenden Zone 1 aus Galliumphosphid und zwei P-leitenden Zonen 2 und 3, die ebenfalls aus Galliumphosphid bestehen und mit Kontakten 4 und 5 aus Molybdän oder Tantal versehen sind. Die Zone 3 besteht aus Galliumphosphid, das in einer Sauerstoffatmophäre mit starker Zinkdotierung gewachsen ist. Die Zone 1 ist dadurch hergestellt, daß Galliumphosphid epitaxial auf dem mit Zink dotierten Galliumphosphid aufgewachsen und nach Entfernung überflüssiger Teile stark mit Zinn dotiert worden ist. Die Zone 2 ist durch Legieren mit einer Gold-Zink-Legierung (4 Gewichtsprozent Zink) hergestellt. Der Kontakt 4 ist mit der Gold-Zink-Legierung überzogen und an der Zone 2 befestigt. Die unbedeckte Oberfläche der Zone 3 und der Kontakt 5 sind mit einer Aluminium-Zink-Legierung (4 Gewichtsprozent Zink) überzogen. Der Kontakt 5 ist an der Zone 3 befestigt. Der Anschlußkontakt an die Zone 1 ist nicht dargestellt.
Die Halbleiterlampe strahlt rotes Licht ab, wenn eine Rekombination am Übergang 1, 3 stattfindet, und grünes Licht, wenn die Rekombination am Übergang 1, 2 stattfindet.
F i g. 2 zeigt eine Schaltungsanordnung mit einer Halbleiterlampe nach Fig. 1, in der sie rotes Licht, grünes Licht oder abwechselnd grünes und rotes Licht ausstrahlen kann. Die Schaltungsanordnung enthält eine Gleichspannungsquelle 6, eine Wechselspannungsquelle 7, einen Schalter 8 zum Einschalten der Quelle 6 oder der Quelle 7 und einen Schalter 9 zum Einschalten der Quelle 6 in der einen oder der anderen Polung. Die Quelle 6 liefert z. B. eine Spannung von 10 V und die Quelle 7 eine Spannung mit einem Effektivwert von 10 V. Es sind Vorschaltwiderstände 10 und 11 vorgesehen, die je einen Wert von 100 Ohm haben. Die PN-Übergänge lassen genügend Strom in Sperrichtung durch, so daß eine besondere Verbindung mit der Zone 1 nicht erforderlich ist. (Es ist jedoch selbstverständlich möglich, eine solche Verbindung mit dem Anschlußkontakt der Zone 1 herzustellen.) Wird in dieser Schaltung ein PN-Übergang in der Sperrichtung und der andere PN-Übergang in Vorwärtsrichtung vorgespannt, so wird am letztgenannten Übergang eine sichtbare Strahlung erzeugt.
Die Schaltungsanordnung nach Fig. 2 kann einen Teil einer Mehrfach-Lampenanordnung bilden, die ein zweifarbiges Fernsehbild erzeugt. Dabei ist ein gemeinsamer Kontakt 4 vorgesehen, der die Form einer sich über die gesamte Oberfläche der Zonen 2 aller Lampen erstreckenden Platte hat.
Die Abmessungen einer einzelnen Halbleiterlampe können 0,1 · 0,1 · 0,1 cm3 betragen. Die Dicke der Zonen 1, 2 und 3 beträgt dabei 50 jim, 50 μΐη bzw. 20 μηι.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Elektrolumineszierende Halbleiterlampe mit zwei außenliegenden Zonen desselben Leitfähigkeitstyps und mit einer dazwischenliegenden Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, die je einen gleichrichtenden Übergang mit den ihr benachbarten Zonen bildet, der in Flußrichtung gepolt Strahlung aussendet, dadurch gekennzeichnet, daß die Zonen aus Galliumphosphid bestehen, die mittlere, N-leitende Zone mit Zinn dotiert ist, die beiden äußeren P-leitenden Zonen verschieden stark mit Zink dotiert sind, und die stärker mit Zink dotierte Zone zusätzlich mit Sauerstoff dotiert ist, und daß alle drei Zonen mit Anschlußkontakten versehen sind.
DE19661539482 1965-01-18 1966-01-15 Elektrolumineszierende Halbleiterlampe Expired DE1539482C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB210065 1965-01-18
DEN0027899 1966-01-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1539482C3 true DE1539482C3 (de) 1977-12-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2053849C3 (de) Lichtaussendende Struktur für mehrfarbiges Licht
DE2941634C2 (de) Farbiges Licht emittierende Anzeigeeinrichtung
DE2361531C3 (de) Elektrolumineszierende Anordnung und Verfahren zu ihrem Betrieb
DE2625917A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1238574B (de) Steuerbares und schaltbares Halbleiterbauelement
DE1789193A1 (de) Steuerbarer halbleitergleichrichter
DE2101290A1 (de) Bildwiedergabegerät
DE1539482B2 (de) Elektrolumineszierende Halbleiterlampe
DE1951857A1 (de) Elektrolumineszenzdiode
DE1817955A1 (de) Laseranordnung aus zwei halbleiterlasern
DE1539482C3 (de) Elektrolumineszierende Halbleiterlampe
DE3009416A1 (de) Anordnung aus mehreren lichtemittierenden halbleiterdioden
EP1323807A2 (de) Elektrolumineszenz-Leuchtanordnung
DE3129996A1 (de) Optokoppler
DE3118365A1 (de) Thyristor mit in den emitter eingefuegten steuerbaren emitter-kurzschlusspfaden
DE2149686C3 (de) Anzeigelampe
DE1439687C3 (de) Festkörperbildwandler
DE1589119A1 (de) Halbleitereinrichtung zur Abbildung eines elektrischen informationstragenden Signals
DE2046717A1 (de) Halbleiter Anzeigevorrichtung
DE2728945A1 (de) Halbleiter-schalteinheit
DE3837747C2 (de) Halbleiterschalter mit einem Hauptthyristor und einem getrennten, lichtzündbaren Hilfsthyristor
DE1764048C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und ihre Verwendung als ein mit einem Basisableitwiderstand verbundener Transistor
DE2163835C3 (de) Halbleiter-Umschaltanordnung
DE1564142A1 (de) Elektrolumineszentes Halbleiterbauelement
DE2706011A1 (de) Thyristor