DE1538530C - Transistor-Spannungsregler - Google Patents
Transistor-SpannungsreglerInfo
- Publication number
- DE1538530C DE1538530C DE1538530C DE 1538530 C DE1538530 C DE 1538530C DE 1538530 C DE1538530 C DE 1538530C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- resistor
- emitter
- zener diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor-Spannungsregler für einen elektrischen Nebenschlußgenerator
mit einem mit der Feldwicklung in Reihe liegenden Leistungstransistor und einem diesen
steuernden Steuertransistor, der über eine Zenerdiode an einen an der gleichgerichteten Ausgangsspannung
liegenden Spannungsteiler angeschlossen ist, und mit einer Einrichtung, die das Arbeiten des Leistungstransistors
im Schaltbetrieb bewirkt, wobei die Transistoren, die Zenerdiode und die genannte Einrichtung
in monolithischer Halbleiterblock-Bauweise
. hergestellt sind. .
Aus der deutschen Auslegeschrift 1159 551 ist eine
ίο Regeleinrichtung für Lichtmaschinen von Fahrzeugen
mit einem in den Erregerstromkreis der Lichtmaschine eingeschalteten steuerbaren Halbleitergerät
bekannt, bei welcher der Halbleiter außerdem eine mit Feldverdrängung arbeitende, auf die Strombahnen
zwischen Emitter und Basis einwirkende Hilfselektrode hat, die an die zu regelnde Spannung
angeschlossen ist.
Aus dieser Druckschrift ist es weiterhin bekannt, eine Halbleiterscheibe als monolithischen Leiterblock
auszubilden.
Weiterhin ist es aus der »Siemens-Zeitschrift«, 37. Jahrgang, 1963, H. 7, S. 566 bis 574, grundsätzlich
bekannt, Festkörperschaltkreise aus Silicium in elektronischen Geräten einzusetzen. Weiterhin ist es
aus dieser Druckschrift bekannt, die Kapazität eines in Sperrschicht gepolten pn-Überganges als Kondensator
zu verwenden.
Schließlich ist es aus der französischen Patentschrift 1 353 359 bekannt, einen Transistor-Spannungsregler
in monolithischer Halbleiterblock-Bauweise herzustellen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Transistor-Spannungsregler in monolithischer HaIbleiterblock-Bauweise
in bezug auf die Regelgenauigkeit zu verbessern und dabei zu vermeiden, daß der Regler infolge seiner hohen Ansprechempfindlichkeit
durch Störspannungen beeinflußt wird.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung bei einem Transistor-Spannungsregler der eingangs genannten
Art vor, daß der Kollektor des Steuertransistors mit dem Kollektor eines weiteren Transistors
und mit der positiven Klemme des Generators verbunden ist, daß der Emitter des Steuertransistors
mit der Basis des weiteren Transistors verbunden ist, daß der Emitter des weiteren Transistors mit dem
Emitter des Leistungstransistors verbunden ist, daß aus der Grenzschichtkapazität der Zenerdiode und
aus der Kapazität der Basis-Emitter-Dioden der beiden Transistoren, kombiniert mit dem Spannungsteiler-Widerstand
und einem zwischen dem Widerstand und einem Abgriff angeordneten Teil des
Spannungsteiler-Potentiometers, ein RC-Gl'ied gebildet
ist, durch welches eine Wechselstromgenerator-Welligkeit sowie eine dieser Welligkeit überlagerte
Dioden-Klingelspannung gleichzeitig aus dem der Zenerdiode zugeführten Signal ausgefiltert werden,
und daß die gesamte Regler-Schaltungsanordnuhg in monolithischer Siliciumblock-Bauweise hergestellt ist.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß zwei Schaltkreise mit
jeweils einem Paar NPN-Transitoren vorgesehen sind, welche gemeinsame Kollektoranschlüsse haben.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ist vorgesehen,
daß die Verbindungsstelle der Kollektoranschlüsse an die Basis eines weiteren Steuertransistors
(gehört zu dem einen Paar NPN-Transistoren) und über einen Widerstand an die positive
3 4
Anschlußklemme des Reglers angeschlossen ist, daß 28, die jeweils aus einem Paar Transistoren bestehen,
die Emitter des Steuertransistors und des weiteren die gemeinsame Kollektoranschlüsse aufweisen. Der
Steuertransistors jeweils an die Basis des weiteren erste Schaltkreis 26 umfaßt die NPN-Transistoren 30
Transistors bzw. des Leistungstransistors ange- und 32, deren Kollektoren zusammengeschaltet und
schlossen sind und daß die Emitter der letzteren 5 an eine Feldklemme 34 des Reglers angeschlossen
Transistoren geerdet sind. sind, die wiederum an die eine Seite der Feldwicklung
Schließlich zeichnet sich eine weitere besonders 16 durch den Leiter 48 angeschlossen ist. Der Emitter
bevorzugte Ausführungsform der Erfindung dadurch des Transistors 32 ist an die Basis des Transistors 30
aus, daß ein Widerstand in dem Spannungsteiler und der Emitter des Transistors 30 ist an einen ge-
durch einen Thermistor ersetzt ist und daß ein io erdeten Leiter 36 geschaltet.
Widerstand zwischen den einstellbaren Abgriff und Die Schaltung 26 ist gut geeignet zur Herstellung
die Zenerdiode geschaltet ist. durch eine integrierte Schaltungstechnik, da der
Der gemäß der Erfindung erreichbare technische gemeinsame Kollektoranschluß ein gemeinsamer
Fortschritt ist im wesentlichen darin zu sehen, daß Block aus N-Typ-Material sein kann und die Emitterunerwünschte Regelvorgänge infolge von Restwellig- 15 Basis-Funktionen leicht hergestellt werden können,
keiten oder Klingelspannungen vermieden werden. Der Schaltkreis 28 umfaßt ebenso wie der Schalt-
keiten oder Klingelspannungen vermieden werden. Der Schaltkreis 28 umfaßt ebenso wie der Schalt-
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen kreis 26 zwei NPN-Transistoren 38 und 40, deren
Schaltungsanordnung ist darin zu sehen, daß durch Kollektorelektroden zusammengeschaltet und an eine
die Ausnutzung von elektronischen Bauelementen- Verbindungsstelle 42 angeschlossen sind, die an die
komponenten (Grenzschichtkapazität der Zenerdiode 20 Basis des Transistors 32 und die eine Seite eines
56 und Kapazität der Basis-Emitter-Strecken der Widerstandes 44 geschaltet ist.
Transistoren 38, 40) eine Wirkung erzielt wird, wie Die Verwendung von zwei Transistorpaaren 38, 40
sie bisher nur mit zusätzlichen Bauelementen erreicht und 30, 32 erfolgt im Hinblick auf eine besonders
wurde. hohe Ansprechempfindlichkeit der Regelanordnung.
Die Erfindung ist nachfolgend beispielsweise an 25 Die entgegengesetzte Seite des Widerstandes 44 ist
Hand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt über einen Leiter 46 an eine Reglerklemme 52 ge-
F i g. 1 ein Schaltbild eines Transistor-Spannungs- schaltet. Der Emitter des Transistors 40 ist an die
reglers gemäß der Erfindung, der an die durch Basis des Transistors 38 und der Emitter des Tran-Dioden
gleichgerichtete Spannung eines Wechsel- sistors 38 ist an einen geerdeten Leiter 36 geschaltet.
Stromgenerators angeschlossen ist, und 3° Die Kollektoranschlußklemme des Schaltkreises 28
Fig. 2 einen Transistor-Spannungsregler gemäß ist also an die Basisanschlußklemme des Schaltkreises
der Erfindung mit einem abgewandelten Eingangs- 26 geschaltet,
filter. Eine Freilaufdiode 50 ist parallel zur Feldwicklung
In der Zeichnung bezeichnen gleiche Bezugs- 16 geschaltet; dieser Kreis liegt außerhalb des
zeichen gleiche Teile. Ein Transistor-Spannungsregler 35 Reglers.
10 ist verwendet zur Regelung der Ausgangsspannung Da der Leiter 36 geerdet ist, ist er an die negative
eines Generators 12. Der Generator kann von ver- Seite des Brückengleichrichters 18 (Anschlußklemme
schiedener Art (Wechselstromgenerator, Gleichstrom- 22) angeschlossen. Die Regleranschlußklemme 52 ist
generator) sein und ist in der Zeichnung dargestellt an die positive Klemme 20 des Brückengleichrichters
als Wechselstromgenerator mit einer dreiphasenstern- 4° 18 über einen Leiter 54 angeschlossen,
geschalteten Ausgangswicklung 14 und einer Feld- Der auf die Spannung ansprechende Kreis zum
wicklung 16. Die Ausgangswicklung 14 ist an die Schalten der beiden Kreise 26 und 28 weist eine
Wechselstromeingangsklemmen eines Dreiphasen- PN-Flächen-Zenerdiode 56 und einen Spannungs-
Brückengleichrichters 18 angeschlossen, der sechs teiler mit den Widerständen 58, 60 und 62 auf, der
Siliciumdioden umfaßt und eine positive Gleich- 45 dazu dient, eine Spannung zu erzeugen, die propor-
stromausgangsklemme 20 und eine negative, geerdete tional der gleichgerichteten Ausgangsspannung des
Gleichstromausgangsklemme 22 aufweist. Wechselstromgenerators ist. Der Widerstand 60 ist
Diese Anschlußklemmen können verwendet wer- ein Potentiometer und weist einen einstellbaren Ab-
den, um verschiedene Gleichstrombelastungen anzu- griff 64 auf, der an die eine Seite der Zenerdiode 56
schließen, beispielsweise bei einem Motorfahrzeug, 5° geschaltet ist, deren andere Seite an die Basis des
um einen Ladestrom an eine Batterie 24 zu liefern. Transistors 40 in dem zweiten Schaltkreis 28 ange-
Der Transistor-Spannungsregler 10 steuert den schlossen ist.
Stromfluß durch die Feldwicklung 16 des Generators Die Zenerdiode 56 hat vorzugsweise dieselben
12, um dessen Ausgangsspannung zu regeln. Bei Charakteristiken wie die Emitter-B asis-Ubergangseinem
Motorfahrzeug wird der Generator von dem 55 zone eines Planar-Transistors. Die Zenerdiode hat
Motor des Fahrzeugs über einen weiten sich ändern- einen sehr niedrigen Leckstrom in umgekehrter Richden
Geschwindigkeits- oder Drehzahlbereich ange- tung und weist einen scharfen Knick in ihrer Spantrieben. Zusätzlich ändert sich die Belastung an dem nungs-Strom-Kennlinie auf. Zum Beispiel kann die
Generator in Abhängigkeit von der Art und Anzahl Durchbruchscharakteristik der Zenerdiode 56 in
der Gleichstrombelastungen, die gespeist werden. 6o umgekehrter Richtung (Sperrichtung) im wesent-Durch
den erfindungsgemäßen Regler wird die Aus- liehen dieselbe sein wie die der Emitter-Basis-Übergangsspannung des Generators 12 über einen sich gangszone eines 2N2711-Planar-Transistors.
verändernden Motordrehzahlbereich und einem sich Bei dem Regler nach F i g. 1 ist, wenn die Ausverändernden Belastungsbereich im wesentlichen gangsspannung des Generators 12 niedriger ist als die konstant gehalten. 65 Sollspannung, die Zenerdiode 56 in umgekehrter
verändernden Motordrehzahlbereich und einem sich Bei dem Regler nach F i g. 1 ist, wenn die Ausverändernden Belastungsbereich im wesentlichen gangsspannung des Generators 12 niedriger ist als die konstant gehalten. 65 Sollspannung, die Zenerdiode 56 in umgekehrter
Der Regler 10 ist hergestellt als monolithischer Richtung (Sperrichtung) nicht leitend; dadurch hat
Halbleiterblock (integrierte Schaltung) unter Ver- die Verbindungsstelle 42 im wesentlichen dasselbe
wendung von zwei Transistor-Schaltkreisen 26 und Potential wie der Leiter 46. Da der Emitter des Tran-
sistors 30 an einem negativen Potential liegt, werden oder zu filtern, geschieht dies durch ein i?C-Glied,
die Transistoren 30 und 32 in einen leitenden Zu- welches eine ÄC-Zeitkonstante aufweist, die mit der
stand vorgespannt, und die Feldwicklung 16 wird Periode der Dioden-Klingelfrequenz vergleichbar ist.
gespeist über die Gleichstromausgangsklemme 20, Der Widerstandsteil dieses ÄC-Gliedes wird durch
den Leiter 55, den Leiter 48, die Anschlußklemme 5 den Widerstand 58 und den Teil des Widerstandes 60
34, den Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 30 gebildet, der zwischen den Abgriff 64 und den Wider-
und den geerdeten Leiter 36. stand 58 geschaltet ist. Die Kapazität des ÄC-Gliedes
Da der Generator nun erregt ist, steigt seine Aus- wird gebildet durch die Grenzschichtkapazität der
gangsspannung an. Wenn die Ausgangsspannung Zenerdiode 56 und die Kapazität der beiden in
über die Sollspannung hinausgeht, leitet die Zener- ίο Durchlaßrichtung vorgespannten Basis-Emitter-Strekdiode
56 in umgekehrter Richtung (Sperrichtung) und ken der Transistoren 38 und 40. Diese Eigen- oder
liefert einen Basis-Emitter-Strom an die Transistoren Parallelkapazität wird als Teil des jRC-Gliedes ver-40
und 38. Hierdurch wird der Transistor 38 in einen wendet, da der Regler in integrierter Schaltungsleitenden
Zustand vorgespannt, so daß ein Strom technik hergestellt ist. In diesem ÄC-Glied ist der
durch den Widerstand 44 fließt und die Verbindungs- 15 kombinierte Widerstand aus dem Widerstand 58 und
stelle 42 nun ein negatives Potential hat, welches im einem Teil des Widerstandes 60 so hoch, daß die
wesentlichen gleich dem Potential des geerdeten Kapazität der Zenerdiode 56 in Reihe mit den Basis-Leiters
36 ist. Dadurch werden die Transistoren 30 Emitter-Strecken der Transistoren 38 und 40 aus-
und 32 nun in einen nichtleitenden Zustand vor- reicht, die richtige i?C-Zeitkonstante zu schaffen. Im
gespannt, und der Stromfluß durch die Feldwicklung 20 Hinblick darauf können der Widerstand 58 und ein
16 wird reduziert. Hierdurch wird die Ausgangs- Teil des Widerstandes 60 einen Widerstandswert von
spannung des Generators verringert. Durch An- und etwa 100 Kiloohm haben.
Abschalten des Transistors 30 in Abhängigkeit von In F i g. 2 sind die Ausgangswicklung des Wechsel-
der zwischen den Leitern 52 und 36 auftretenden Stromgenerators und der Brückengleichrichter nicht
Spannung wird die Ausgangsspannung des Generators 25 dargestellt; der Spannungsregler nach Fig. 2 kann
im wesentlichen konstant gehalten. jedoch in derselben Weise an den Wechselstrom-
Beispielsweise können — ohne jedoch die Erfin- generator geschaltet sein wie der Spannungsregler
dung hierauf zu beschränken — die Schaltungs- nachFig. 1.
bestandteile des Spannungsregulators 10 die folgen- Der Spannungsregler nach F i g. 2 unterscheidet
den Werte haben: 3° sich von dem in F i g. 1 gezeigten Spannungsregler
dadurch, daß ein Widerstand 70 zwischen die Zener-
Transistoren 30 und 32 .. Typ 2 N 4222 diode 56 und dem Abgriff 64 an dem Potentiometer-
Transistoren 38 und 40 .. Typ 2 N 2711 Widerstand 60 geschaltet ist, um die Filter- oder
Zenerdiode 56 Emitter-Basis- Dämpfungstätigkeit des Spannungsreglers durch Er
Grenzschicht eines 35 höhung der ÄC-Zeitkonstante zu verbessern. Durch
2N2711-Planar- den Einbau dieses Widerstandes wird außerdem der
Transistors zur Verfügung stehende Basisstrom des Transistor-
Widerstand 44 1 Kiloohm Schaltkreises 28 verringert; durch die Schaltkreise 26
und 28 ist jedoch eine ausreichende Verstärkung in
Widerstand 58 33 Kiloohm 40 dem Kreis verfügbar. Weiterhin ist der Widerstand 58
Widerstand 60 100 Kiloohm durch einen Thermistor 72 ersetzt, der einen nega-
Widerstand 62 200 Kiloohm tiven Widerstandstemperatur-Koeffizienten aufweist.
Der Widerstandswert des Thermistors 72 kann bei
Obgleich in der vorerwähnten Tabelle spezifische Raumtemperatur etwa 1,45 Kiloohm und der Wider-Charakteristiken
von Einzel-Transistoren angegeben 45 standswert des Widerstandes 70 kann etwa 100 Kilosind,
ist es selbstverständlich, daß diese lediglich als ohm betragen.
Charakteristiken von Transistoren angegeben wurden, Wie vorher wird die Kapazität der Zenerdiode 56
die Teil eines oder mehrerer monolithischer Silicium- in Serie mit den Basis-Emitter-Strecken der Tranblöcke
sind. sistoren 38 und 40 und dem Widerstand des Kreises Die Ausgangsspannung des Brückengleichrichters 50 72, 60, 70 als ÄC-Schaltung verwendet zur Dämp-18
weist einen Welligkeitsanteil auf, der am Span- fung oder Filterung des Wechselstromgeneratornungsregelkreis
und an der Zenerdiode 56 liegt. Die Welligkeits- und des Dioden-Klingelanteils. Durch
Frequenz dieses Welligkeitsanteils ist eine Funktion Einschaltung des Widerstandes 70 mit einem relativ
der Drehzahl, mit der der Wechselstromgenerator hohen Widerstandswert zwischen den Abgriff 64 und
angetrieben wird. Auf Grund der relativ hohen 55 die Zenerdiode 56 ist es jedoch möglich, den WiderImpedanz des Transistorreglers hat dieser Wellig- standswert des Spannungsteilers 72, 60, 62 zu verkeitsanteil
einen vernachlässigbar kleinen Effekt auf ringern, verglichen mit dem Widerstand desselben
den Spannungsregler. Zusätzlich ist jedoch noch ein Spannungsteilers in Fig. 1 (58, 60, 62). Der Span-Dioden-Klingelanteil
vorhanden, der der Wechsel- nungsregler nach F i g. 2 arbeitet in derselben Weise
stromgenerator-Welligkeit überlagert ist und ebenfalls 60 wie der in F i g. 1 dargestellte, indem der Transistor
der Zenerdiode 56 zugeführt wird und der von der 30 an- und abgeschaltet wird, um den Stromfluß in
Grenzschichtkapazität der Dioden des Brücken- der Feldwicklung 16 und dadurch die Ausgangsgleichrichters
18 herrührt. spannung des Generators zu steuern. In F i g. 2 ver-Falls
es erwünscht ist, die kombinierte Wechsel- hindert das beschriebene i?C-Glied, daß der Regler
stromgenerator-Welligkeit und Dioden-Klingelspan- 65 durch die Wechselstromgenerator-Welligkeit und den
nung, die an der Zenerdiode 56 liegt, zu dämpfen Dioden-Klingelanteil ausgesteuert wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Transistor-Spannungsregler für einen elektrischen Nebenschlußgenerator mit einem mit der
Feldwicklung in Reihe liegenden Leistungstransistor und einem diesen steuernden Steuertransistor,
der über eine Zenerdiode an einen an der gleichgerichteten Ausgangsspannung liegenden
Spannungsteiler angeschlossen ist, und mit einer Einrichtung, die das Arbeiten des Leistungstransistors im Schaltbetrieb bewirkt, wobei die
Transistoren, die Zenerdiode und die genannte Einrichtung in monolithischer Halbleiterblock-Bauweise
hergestellt sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des Steuertransistors
(40) mit dem Kollektor eines weiteren Transistors (38) und mit der positiven Klemme
(20) des Generators verbunden ist, daß der Emitter des Steuertransistors (40) mit der Basis
des weiteren Transistors (38) verbunden ist, daß der Emitter des weiteren Transistors (38) mit dem
Emitter des Leistungstransistors (30) verbunden ist, daß aus der Grenzschichtkapazität der Zenerdiode
(56) und aus der Kapazität der Basis-Emitter-Dioden der beiden Transistoren (38, 40),
kombiniert mit dem Spannungsteiler-Widerstand (58) und einem zwischen dem Widerstand (58)
und einem Abgriff (64) angeordneten Teil des Spannungsteiler-Potentiometers (60), ein RC-Glied
gebildet ist, durch welches eine Wechsel-' stromgenerator-Welligkeit sowie eine dieser
Welligkeit überlagerte Dioden-Klingelspannung gleichzeitig aus dem der Zenerdiode (56) zugeführten
Signal ausgefiltert werden, und daß die gesamte Regler-Schaltungsanordnung in monolithischer
Siliciumblock-Bauweise hergestellt ist.
2. Transistor-Spannungsregler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Schaltkreise
(26, 28) mit jeweils einem Paar NPN-Transistoren (30, 32; 38, 40) vorgesehen sind, welche gemeinsame
Kollektoranschlüsse (34, 42) haben.
3. Transistor-Spannungsregler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsstelle
(42) an die Basis eines weiteren Steuertransistors (32) und über einen Widerstand (44)
an die positive Anschlußklemme (52) des Reglers angeschlossen ist, daß die Emitter des Steuertransistors
(40) und des weiteren Steuertransistors (32) jeweils an die Basis des weiteren Transistors
(38) bzw. des Leistungstransistors (30) angeschlossen sind und daß die Emitter der letzteren
Transistoren geerdet (bei 36) sind.
4. Transistor-Spannungsregler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Widerstand (58) in dem Spannungsteiler durch einen Thermistor (72) ersetzt ist und daß ein
Widerstand (70) zwischen den einstellbaren Abgriff (64) und die Zenerdiode (56) geschaltet ist.
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0281684B1 (de) | Überspannungsgeschützter Darlingtonschalter | |
DE3537920C2 (de) | Stabilisator mit Schutz gegen Übergangs-Überspannungen, deren Polarität entgegengesetzt zur Polarität des Generators ist, insbesondere für die Verwendung in Kraftfahrzeugen | |
DE2849216C3 (de) | Schaltungsanordnung zum Regeln der Drehzahl eines Gleichstrommotors | |
DE2235573A1 (de) | Elektronische treiberschaltung fuer halbleiterschalter | |
DE2635218A1 (de) | Anordnung zum schutz eines transistors | |
DE2010385C3 (de) | Schaltungsanordnung für einen kommutatorlosen Gleichstrommotor | |
DE3447002C2 (de) | ||
DE3047685A1 (de) | Temperaturstabile spannungsquelle | |
DE3123667A1 (de) | "darlington-transistorschaltung" | |
DE1537185B2 (de) | Amplitudenfilter | |
DE1513491A1 (de) | Schaltung zur Begrenzung hoher Gleichspannungen | |
DE2658712A1 (de) | Impulsueberwachungsvorrichtungen | |
DE3402341A1 (de) | Schutzvorrichtung fuer ein leistungselement einer integrierten schaltung | |
DE1538530C (de) | Transistor-Spannungsregler | |
DE3225157C2 (de) | ||
DE3626088C2 (de) | ||
DE1126496B (de) | Stromregler zur Aufrechterhaltung eines konstanten Gleichstromes | |
DE2607892A1 (de) | Transistordifferentialverstaerker | |
DE1292722B (de) | Spannungsregler fuer einen Nebenschlussgenerator | |
DE1538530B2 (de) | Transistor-spannungsregler | |
DE2304423C3 (de) | Steuerschaltungsanordnung für einen Thyristor | |
DE1275110B (de) | Generator zur Erzeugung niederfrequenter sinus- und maeanderfoermiger Signale | |
DE2813073A1 (de) | Diskriminator-schaltung | |
DE3519413C2 (de) | ||
DE1948178B2 (de) | Aus einer Vielzahl individueller logischer Kreise bestehende monolithische Halbleiterschaltung mit integrierter Gleichspannungsstabilisierungs-Halbleiterschaltung |