DE1521332A1 - Verfahren zur selektiven Vorbehandlung und Plattierung von Nichtleitern - Google Patents

Verfahren zur selektiven Vorbehandlung und Plattierung von Nichtleitern

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DE1521332A1 DE19661521332 DE1521332A DE1521332A1 DE 1521332 A1 DE1521332 A1 DE 1521332A1 DE 19661521332 DE19661521332 DE 19661521332 DE 1521332 A DE1521332 A DE 1521332A DE 1521332 A1 DE1521332 A1 DE 1521332A1
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Description

Plattlerung von Nlohtlsifcsrn
Die Vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Abscheidung von Me.tallfilmen auf nlohtleitsnden Unterlagen, wie Glas^ und instossoHdeFö die selektive Absahsidung «ines Metallfilms auf einem bestimtnten Teil der OberflSchs eines5 Unterlage.
Ve.g*sehi@des!e -?erfahren zur Plat-tierüng von Metallen auf iso- -liersnde Unterlagen wurdan vorgeschlagen« aiiischliesalloh soleher TeehnikfmyWie st^cmlose Abscheidung (auch als chemische Abscheidung oder Qhssni sehe Reduktion bekannt), Dampf abscheidung'.-und Vakuumabseheiduißg, Die stromlose Abscheiduog ist wegen .-ihrer'wirtschaftlichen Vorteile gegenüber den anderen Platties*ungsraethodgii bevorzugt, wo imniai9 sie anwendbar ist.
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BAD
Die bisher bekannten stromlosen Absoheldungsverfahren Hessen sich jedoch nicht mit Erfolg zur Plattierung ausgewählter Bereiche der Oberfläche einer nichtleitenden Unterlage unter Ausschluss der anderen Oberflächenbereiche anwenden» insbesondere nicht in den Fällen, in denen die Genauigkeit und Qualität der abgeschiedenen Filmmuster sehr hoch sein muss. Man hat daher in den Fällen« in denen eine selektive Abscheidung erforderlich 1st, Üblicherweise andere Abscheidungsvei'fahren angewendet, die langsamer und teurer sind, oder bei Anwendung der stromlosen Abscheidung eine geringere Qualität des Erzeugnisses in Kauf genommen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein neues und wirtschaftlich vorteilhaftes Verfahren zur Abscheidung von genauen Filmmustern hoher Qualität auf ausgewählten Bereichen der Oberfläche einer nichtleitenden Unterlage bereitzustellen.
Zu weiteren Aufgaben und Zielen der Erfindung gehörens
Filme selektiv durch chemische Reduktion an vorbestimmten aktiven Stellen auf der Oberfläche einer nichtleitenden Unterlage abscheiden zu können, ohne die restliche Unterlagenoberfläche zur Verhinderung jeglicher Filmbildung durch chemische Abscheidung darauf maskleren zu müssenι
die Schaffung eines in wirtschaftlicher Weise durchführbaren Verfahrens zur Behandlung einsr nichtleitenden Unterlage, so
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dass Filme aus Permalloy, Nickel» Kupfer oder anderen stromlos abscheidbaren Materialien chemisch auf ausgewählten Bereichen der Oberfläche der Unterlage unter Ausschluss der Übrigen Oberfläche der Unterlage abgeschieden werden können;
die Bereitstellung einer Unterlage mit verbesserter Struktur zur Verwendung bei einem stromlosen Abscheidungsverfahren zur selektiven Plättierungeiner Oberfläche einer Unterlage.
Die oben genannten und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung sind aus der folgenden eingehenderen Beschreibung einer bevorzugten AusfUhrungsform der Erfindung ersichtlich.
Es wurde gefunden» dass Silieiummonoxyd, das üblicherweise als σrundlage zur Verbesserung der Qualität aufgedampfter und itn Vakuum abgeschiedener Filme verwendet wird« auch bisher unbekannte Eigenschaften hat, die es bei einem selektiven stromlösen Plattlerungeverfahren sehr wertvoll machen. Es war bisher Üblich, eine ßiliciuraoionoxydschicht wegen ihrer äusserst glatten Oberflächentextur als Grundlage bei der Dampf« oder Vakuumabscheldung zu verwenden. Bei einem stromlosen Abscheidungsverfahren wird «ine glatte Unterlage allgemein jedoch als unerwünscht angesehen, da das zum Beginnen der chemischen Abscheidung erforderliche Reduktionsmittel nicht wirksam an einer glatten Oberfläche haftet. Trotzdem kann, wie ge-
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funden wurde» Silioiummonoxyd als auegezeichnete Grundlage bei der chemischen Plattierung dienen· wie im folgenden noch gezeigt wird.
Die Analyse des allgemein als "Siliciumraonoxyd11 bekannten Materials zeigt« dass dieses wahrscheinlich ein Gemisch aus Silicium (Sl) und Siliciumdioxid (SiOg) in solchen Mengenanteilen ist» dass es stöchiomefcrisch der hypothetischen Verbindung SiO entspricht. Bringt man ein Ätzmittel, wie z.B. verdünnte Fluorwasserstoffsäure, In Kontakt mit einer Schicht aus Siliclummonoxyd, so reagieren dessen Bestandteile unterschiedlich» wobei der eine durch das Ätzmittel rascher angegriffen wird als der andere» so dass in sehr kurzer Zeit die Oberfläche der Siliciummonoxydnchicht unter Bildung von Mikroporen in hoher Dichte angegriffen ist. Dies wird in einer Zeit bewirkt» die wesentlich kurzer als diejenige ist» die zur Erzeugung einer vergleichbaren Ätzung von Glas erforderlich wäre. Wird daher eine Glasunterlage mit einem von Siliciummonoxyd bedeckten Bereich auf ihrer Oberfläche in verdünnte Fluorwasserstoffsäure für eine kurze Zeitspanne getaucht, so wird der SiliciummonoxydUberzug sehr rasch geätzt» während das unbedeckte Glas kehrte wahrnehmbare Ätzung erleidet. Die granuläre Textur des geätzten Siliclummonoxyde verleiht diesem eine gewisse Absorptionnfähigkeit» während die benachbarte 01asoberflache varhältnimnässig undurchlässig und nicht aufnahmefähig 1st. Dies ist dan Prinzip« auf dem das erfindungsgemässe selektive Flattlerungstrerfahren beruht.
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All Hand eines Beispiele wird i» folgenden erläutert, wie das Prinzip der Erfindung zur Abscheidung eines Metallfilsus, z.B.
eines eolohen aus Permalloy, auf «inen ausgewählten Teil einer
Oiesunterlage mit Hilf« eines stromlosen Plafctierungaverfah-
rene von der Art verwendet werden kann, wie ea gewöhnlich zur
Plattierttng der GeaaratoberfIKohe der Unterlage angewendet würde. Zur Vorbehandlung der Unterlage für die selektive stromlose Absoheidiing wird bei dea erfindungagemaesen Verfahren zunSohst
eine Schioht aus Siliolumeonoxyd auf dem ausgewählten Bereich ä der OberflKohe der Unterlage abgesohiecien. Oeeignete Verfahren zur selektiven Abeoheidung von SilioiuoBoonoxyd eind bekannt und werden daher im folgenden nicht eingehender b«echrieb«n. Der gewÄhlt« Bereich der Olasoberflache wird ait einer dUnn#n Chro«- sohicht versehen, die gut an Glas haftet und als gute Grund* lage für die Siliolunmonoxydeohloht dient. Hierzu wird das
Glas auf etwa 350*C erhitzt und In geeigneter Weise maskiert,
so dass nur der gewünschte Bereich exponiert wird. Ghro» wird auf den nioht abgedeckten Bereich der erhitzten Olaaoberfläoh· aufgedampft, für welohes diese eine hohe Affinität besitzt.
Anschliessend wird eine dünne Schioht aus Siliciumroonoxyd auf
die Chromschicht aufgedampft. Die Dicke der Silioiuaeonoxyschicht ist nicht kritisch. Es wurden gute Ergebnise· «it
einer Silioiuiamonoxydsehicht von etwa 2000 I Dicke erhalten.
SillciuBisonoxyd besitzt noraalerweise eine sehr glatte Oberfläche, die es für ein st roeloses Platt ierunga verfahren eh« r
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ungeeignet maoht. Die Oberfläche der Beschichtung kann jedoch «rfindungegemKt»* eo behandelt werden, dass sie das Reduktionsmittel, da» enschliescend bei den ohemisohen Absoheidungsverfihren angewendet werden muss, absorbiert, wahrend gleich* zeitig die 01a*oberfläche glatt und unzugänglich bleibt» so daae ele keine wahrnehmbare Menge an Reduktionsmittel zurückhält. Dies wird nun dadurch erreicht, dass man die Olasunterlage und ihre Siloiurnmonoxydechioht einem Ätzmittel aussetzt * da« aus normaler Fluorwaeeerst of fs Mure (37 £ HF), lsi Verhältnis t : 1 »it Wasser verdünnt, besteht. Diese Etzlöeung wird bei Sinisertemperatyr (etwa 25*C) gehalten* und die Unterlage wird etwa 20 Sekunden lang in diese eingetaucht« Hierdurch wird eine merkliche Ätaung der SilioiummonoxydEQhl^at ohne irgendeine wahmehniart: %%mm& d®r;;01aoumterias#; bewirkt. Die verdünnte &luQWnmmm*®t£GWe?m greift vorzugsweise die Korrsgrenzen am QHlüim-^mna^ua unter Einführung zahlreicher Mikroporen in dieses an. Die Glasunterlage (die im wesentlichen «ine unterkühlte Flüssigkeit ist) hat jedoch keine genau definierten Korngrenzen und erfordert zur Erzeugung einer wahrnehmbaren ätzung eine verhältnismässlg lange Behandlung mit Pluorwasaerstof fsKure. Öle Be!: and lungs ze it ist so kurz, dass für praktische Zwecke das ölasungeKtzt bleibt, während das SiliciuDxnonoxyd dicht von Mikroporen durchsetzt ist.
In der üblichen Praxis der stromlosen Plattierung wird ein Reduktionsmittel, z.B. Stannochloridlösung, auf die Unterlage
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angewendet* und die Unterlage wird dann einer Palladiumsalzlösung ausgesetzt, um auf ihr eine Abscheidung von Palladium durch chemische Reduktion hervorzurufen. Die Palladiumschicht kann als Katalysator zur Initiierung der chemischen Abscheidung verschiedenster Metalle, einsehliesslieh Palladium, Permalloy, Kobalt, Nickel und Kupfer, dienen, wobei in Jedem Fall das geeignete Bad zur stromlosen Plattierung verwendet wird. Das abgeschiedene Metall dient auch als zusätzlicher Katalysator zur Induzierung weiterer Absoheidungen.
Im vorliegenden Fall ist es erwünscht, das Reduktionsmittel wirksam nur auf einem ausgewählten Teil der Oberfläche der Unterlage anzuwenden. Dies wird nun durch einfaches Eintauchen der ölasunterlage mit ihrer geätzten Siliciummonoxydschioht in eine Stannochloridlösung« die 20 # SnCl2 und als Rest 5n-HCl-Ltfsung enthält, während 60 Sekunden bei Zimmerteiaperatur erreicht. Die Stannqohloridlösung wird von der Slliolumnonoxydschloht, die geätzt wurde, um sie flUsslgkeltsretenslv zu machen, leicht absorbiert. Im. Anschluss an dieses Eintauchen wird die Unterlage mit Wasser gespült, wodurch die Stannochlorid lösung von der unbedeckten Glasoberfläche, jedoch nicht vollständig von der absorptionsfähigen Schicht aus geätztem SlIlciummonoxyd entfernt wird.
In der nächsten Stufe des Verfahrens wird die Unterlage 60 Sekunden lang in eineo,1#ige Lösung von Palladiumsalz
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in Wasser bei Zimmertemperatur getaucht. Dae auf der SiIloiummonoxydsohioht zurüokgehaltent Stannochlorid bewirkt, dass da* Palladium aus der Lösung auf der durch die Silioiummonoxydsohicht begrenzten aktiven Stelle reduziert wird. Bs braucht nur eine dünne Palladiumsohicht abgeeohieden zu werden. Die Unterlage wird dann gespült, um sie für die letztüohe stufe der stromlosen Plattierung bereitzumachen. Wie oben erwKhnt ist Palladium ein ausgezeichneter Katalysator sur Induktion der chemischen Abscheidung verschiedenster Plattierungsmaterlaiien, einsohliessiioh Permalloy» Nickel und Kupfer·
Wenn eine Olasunterlage in der oben beschriebenen Weise behandelt worden ist» kann ein Metallfilm der gewünschten Dicke leicht durch ohemische Abscheidung auf eine» gewünschten feil der Oberfläche der Unterlage ausgebildet werden« und das Ergebnis ist ein Produkt hoher Qualität bei niedrigen Kosten. Dieses Verfahren ist wesentlich wirtschaftlicher als die Erzeugung des gewünschten Piles durch Vakuum- oder Dampf abscheidung. Bei dem erfindungsgemässen PUttierungsverf ehren scheint es kein kritisches Verhältnis zwisehen plattierten und niohtplattierten Oberflltohenbereiohen zugeben. . ■-■■■ ■ :-\-v:: ----- ; -.?->',*·'. ' '-.:
Das oben beschriebene Plattierungeverfahren kann verschiedentlich variiert werden. Beispieleweise wurde bezüglich der Ktzung
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der Siliclummonoxydsehloht gefunden« dass die Stärke der Fluorwasserstoffsäureiösung zwischen 10 und 30 % Fluorwasserstoffsäure in Wasser variieren kann und die Behandlung«- [ zeit zwischen 10 und 20 Sekunden für den gewünschten selekti- . /-'': ven Ätzvorgang variiert werden kann. Das einzeige Erfordernis hierbei 1st, dass eine wesentliche Ätzung der Slliciumnonoxydschicht in einer Zelt auftreten muss, während welcher nur eine vernaohlässlgbare Ätzung des unbedeckten Giaaea erfolgt. Bei Erfüllung dieser Bedingung absorbiert die Silloiunasonoxyd- | schicht dann Stannochlorid (oder Jedes andere verwendete Re- duktionsmittel) und hält ansohliessend eine ausreichende Menge dieses Reagens nach dem Spülen der Unterlage zurück, um als aktive Stelle für die chemische Reduktion von Metall hierauf zu dienen und so zu gewährleisten, dass die stromlose Plattierung auf den mit Siliciummonoxyd überzogenen Stellen unter Bedingungen stattfindet, die auf der übrigen Oberfläche der Unterlage nicht zu einer Abscheidung führen.
Es wurde zwar oben eine Eintauchzeit In die Stannoohlorid- oder die Palladiumsalzlöstmg von 60 Sekunden besehrieben, doch wurden annehmbare Ergebnisse auch mit kürzeren Eintauchzeiten, in einigen Fälle» bis herab zu 10 oder 15 Sekunden, erreicht, ohne dass ein Erhitzten dieser Lösungen über Zimmertemperatur erfordefHch war. Es 1st nur erforderlich, dass genügend der gewünschten Substanz an den ausgewählten Stellen In jedem Falle zurückbleibt, um die nächste chemische Reaktion in dem
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Verfahren zu induzieren.
Zusammenfassend icann gesagt worden« dass bei dem erfindungagenäigsen Verfahren zwei Absoheldungstechniken au einem neuen Beschichtungsverfahren kombiniert werden. Die erste von diesen 1st die Abseheldung von Siliolummonoxyd auf einen ausgewählten Bereich der Oberfläche von beliebig wählbarer Orösse und Form. Die zweite Technik ist diejenige, die für die chemische Plattierung nichtleitender unterlagen entwickelt wurde und . bisher allgemein für die Plattierung der Gesamtoberflache der Unterlage und nicht eines ausgewählten Teils von dieser angewendet wurde. Diese beiden Techniken wurden bisher nicht in einem Verfahren kombiniert» weil Slliclummonoxyd wegen seiner normalerweise glatten Oberfläche als ungeeignete Grundlage für die stromlose Abscheidung galt, Erfindungsgemäss jedoch wird das Silielummonoxyd in bestimmter Welse behandelt, um ihm eine granuläre Textur zur Absorption und Retention eines Reduktionsmittels, das bei einem chemischen Plattierungsarbeitsgang verwendet werden kann, zu verleihen« Die Eigenschaft des Sillclummonoxyds» die es besonders brauchbar für diesen Zweck nacht» ist die Raschheit, mit der es im Vergleich zur Ätzgeschwindigkeit von Glas geätzt wird. Daher kann die Siliciummonoxydschicht selektiv geätzt werden« um ihr die gewünschte Porosität zu verleihen» während die angrenzende Oberfläche der Unterlagen glatt bleibt. Wie oben erläutert» führt dies zu den für die anfängliche Phase eines selektiven stromlosen Abschel« dungsverfahrens erforderlichen Bedingungen.
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Neben ihrer im obigen beschriebenen Verwendbarkeit als ZwI-sohenerzeugnis bei einem selektiven stromlosen Plattierungeverfahren kann die Olesunteriage oder eine andere Unterlage mit geätzter SilioiummonoxydBChioht auch ein HändeIeprodukt sein» das den Betrieben für stromlose Plattierung zur Verwendung bei deren selektiven PlattierungaarbeitsgHngen gellerfert werden kann. Das Erzeugnis kann billig und genau nach den An-
gaben der jeweiligen einzelnen Abnehmer entsprechend den speziellen Filnmi8tern, die sie auf den jeweiligen Unterlagen abzuscheiden wUneohen« hergestellt werden*
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Claims (5)

Patentansprüche ssssssssasssssssssrssxssassss =:
1. Verfahren zur Herstellung von zur selektiven stromlosen Beschichtung geeigneten nichtleitenden Unterlagen und selektiv plattierten nichtleitenden Unterlagen, dadurch gekennzeichnet, dass man auf einen ausgewählten Teil der Oberfläche der Un-
terlage eine Schicht aus einem Siliciummaterial mit den stöchiometrischen Eigenschaften vor*, Slliciummonoxyd aufbringt« und die die Schicht tragende Unterlage mit einem Ätzmittel für das Siliciummaterial so lange behandelt» bis die Schicht hochgradig porös ist, ohne die Porosität der nichtbedeckten Oberflächen der Unterlage merklich zu erhöhen^und gegebenenfalls die so behandelte Unterlage mit einer Reduktionsmittellösung, einer Aktivierungsmittellösung und einer stromlos zu verwendenden Plattlerungslösung behandelt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man als Unterlage Glas verwendet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass man als Ätzmittel verdünnte Fluorwasserstoffsäure verwendet.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass man als Reduktionsmittellösung eine
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Stamsoehloridlösung verwendet.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet„ dass man als Aktivierungsmittellösung eine Palladiusnsalzlösung verwendet.
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DE19661521332 1965-07-08 1966-06-29 Verfahren zur Herstellung von zur selektiven stromlosen Beschichtung geeigneten nichtleitenden Unterlagen und selektiv plattierten nichtleitenden Unterlagen Expired DE1521332C (de)

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US47055565 1965-07-08
US47055565 US3406036A (en) 1965-07-08 1965-07-08 Selective deposition method and article for use therein
DEJ0031192 1966-06-29

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1521332A1 true DE1521332A1 (de) 1969-07-31
DE1521332B2 DE1521332B2 (de) 1972-11-02
DE1521332C DE1521332C (de) 1973-05-24

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ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0035626A1 (de) * 1980-03-06 1981-09-16 Ses, Incorporated Stromloses Plattierverfahren für Glas oder keramische Gegenstände

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0035626A1 (de) * 1980-03-06 1981-09-16 Ses, Incorporated Stromloses Plattierverfahren für Glas oder keramische Gegenstände

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Publication number Publication date
DE1521332B2 (de) 1972-11-02
US3406036A (en) 1968-10-15
FR1485082A (fr) 1967-06-16
GB1122256A (en) 1968-08-07

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