DE1513501C - Gleichstrom-Siebschaltungsanordnung mit Transistoren - Google Patents
Gleichstrom-Siebschaltungsanordnung mit TransistorenInfo
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Description
Tiefpaß-Siebglieder, die als Spannungsteilerschaltung mit einer Induktivität oder einem ohmschen
Widerstand im Hauptstromkreis und einer Kapazität in einem Querzweig bekannt sind, haben den Nachteil,
daß sie bei großen Gleichströmen und hohen Siebfaktoren einen großen Aufwand erfordern und
auch räumlich sehr aufwendig sind.
Es ist bereits eine mit einem i?C-Spannungsteiler arbeitende elektronische Siebschaltung bekannt, bei
der die am ohmschen Widerstand abfallende, der ungesiebten Gleichspannung überlagerte Wechselspannung
einen Stelltransistor aussteuert, dessen KoI-lektor-Emitter-Strecke
im Hauptstromkreis der Siebschaltung liegt. Eine derartige bekannte Schaltung ist in F i g. 1 dargestellt. Den Siebfaktor dieser Schaltung
bestimmen der Widerstand R und der Kondensator C. Der Widerstand R liefert auch den Basisstrom
für den Stelltransistor Ts. Da der erforderliche Basisstrom von der Belastung der Stromverstärkung
und der Temperatur abhängt, kann er mit dem ohmschen Widerstand R nicht in allen Fällen den Betriebsverhältnissen
angepaßt werden. Dieser Nachteil der Schaltung, der ihre praktische Anwendung erheblich
einschränkt, wird mit geringem Mehraufwand durch eine Schaltung vermieden, die gemäß der Erfindung
darin besteht, daß ein den Siebfaktor der Schaltung bestimmender Spannungsteiler aus einer
Reihenschaltung einer Konstantspannungsquelle, z. B. einer Z-Diode, mit einer Siebdrossel und einem
Kondensator besteht und daß die Reihenschaltung aus Konstantspannungsquelle und Siebdrossel im
Steuerkreis des mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke im Hauptstromkreis liegenden Stelltransistors angeordnet
ist. Den Siebfaktor bestimmen Drossel und Kondensator, wobei die Drossel nur noch den Basisstrom
des Transistors führt. Durch die konstante Gleichspannung im Steuerkreis ist der Arbeitspunkt
des Stelltransistors festgelegt. Ist die Siebdrossel so bemessen, daß der ohmsche Spannungsabfall an ihr
vernachlässigbar klein ist, dann verursachen auch Basisstromänderungen kein Verschieben des Transistor-Arbeitspunktes
und damit keine Änderungen der Ausgangsspannung. Die Siebschaltungsanordnung ist somit weitgehend lastunabhängig.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung kann der Strom, der für die Größe der Siebmittel
maßgebend ist, dadurch weiter vermindert werden, daß dem Stelltransistor im Hauptstromkreis
ein mit diesem in Verbund geschalteter Transistor vorgeschaltet ist.
Da aber infolge der angestrebten geringen Lastabhängigkeit die Überlastung des Stelltransistors zu
seiner Zerstörung führen kann, ist es zweckmäßig, die Transistor-Siebschaltungsanordnung mit einer
entsprechenden Schaltungseinrichtung zu versehen. Zu diesem Zweck wird der Steuerelektrode des Stelltransistors
bei Überstrom über die Emitter-Kollektor-Strecke eines in Abhängigkeit vom Spannungsabfall
an einem vom Laststrom durchflossenen Längswiderstand gesteuerten Schalttransistors ein den Stelltransistor
in die Sättigung steuernder Basisstrom zugeführt. Der Stelltransistor wird durch diese Schaltung
bei Überstrom bis zur Restspannung durchgesteuert, wodurch die Verlustleistung im Stelltransistor klein
gehalten wird. Der Strom muß an anderer Stelle des Gerätes begrenzt werden. :
Eine andere Lösung besteht darin, der Basis- j Emitter-Strecke des Stelltransistors die Kollektor-Emitter-Strecke
eines Schalttransistors parallel zu schalten. Sobald der Schalttransistor in Abhängigkeit j
von einer an einem in der Ausgangsleitung liegenden ! Widerstand abfallenden Spannung leitend gesteuert
wird, begrenzt die Schaltung den Ausgangsstrom.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der F i g. 2 bis 5 näher erläutert.
Die Eingänge der Schaltungen, an welchen die ungesiebte Gleichspannung zugeführt wird, sowie die
Siebschaltungsausgänge sind in allen Figuren einheitlich mit E bzw. A bezeichnet. Ebenso sind die
in allen Schaltungen wiederkehrenden Schaltelemente mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Siebschaltung nach F i g. 2 unterscheidet sich von der bekannten Schaltung nach F i g. 1 darin, daß
im Kollektor-Basiskreis des Stelltransistors Ts an Stelle eines ohmschen Widerstandes R eine Reihen- ,
schaltung aus einer Z-Diode D und einer Siebdrossel ι Dr eingeschaltet ist. An Stelle der Z-Diode können
auch andere Schaltmittel verwendet werden, die ge- ; eignet sind, eine konstante Spannung zu erzeugen.
Der zweiteTeil des Spannungsteilers der Siebschaltung wird durch den Kondensator C gebildet. Die von der ι
Z-Diode vorgegebene konstante Basisspannung bestimmt den Arbeitspunkt des Transistors. Die an der
Drosselspule abfallende Wechselspannung steuert den Transistor mehr oder weniger stark aus, wodurch die
Ausgangsspannung auf einem konstanten Wert gehalten wird.
Eine weitere Verringerung der Siebmittel ist bei Verwendung einer Schaltung nach F i g. 3 möglich.
Durch den Transistor TsI, der mit dem Stelltransistor Ts in Verbund geschaltet ist, wird der Drosselstrom
nochmals um den Verstärkungsfaktor des Transistors TsI gegenüber der Schaltung nach Fig. 2 verringert.
Um sicheres Arbeiten der Z-DiodeD zu gewährleisten, ist der Widerstand R1 vorgesehen. Die
Z-Diode D und die Siebdrossel Dr liegen jetzt im Steuerkreis des Verbundtransistors Ts 1, während
dessen Kollektor-Emitter-Strecke im Steuerkreis des Stelltransistors Ts liegt. Der Drosselstrom läßt sich
durch Verwendung eines zweiten Verbundtransistors verringern.
In den F i g. 4 und 5 sind zwei Schaltungen zum Schutz des Stelltransistors Ts gegen Überlastung
wiedergegeben, da dieser wegen der Konstantspannungsquelle im Steuerkreis besonders gefährdet ist.
Die Schaltung nach F i g. 4 enthält einen als Schalter wirkenden npn-Transistor Ts 2, der sich bei Überstrom
als niederohmiger Parallelwiderstand zur Reihenschaltung aus Z-Diode D und Siebdrossel Dr
parallel schaltet und den Stelltransistor Ts so weit durchsteuert, daß nur noch die Restspannung an der
Kollektor-Emitter-Strecke liegt. Die Steuerspannung für den Transistor Ts 2 wird an einem im Hauptstromkreis
der Siebschaltungsanordnung liegenden, möglichst niederohmigen Widerstand R 4 gewonnen.
Sobald der Spannungsabfall bei Überstrom die durch die Diode D1 erzeugte Schwellenspannung und die
des Transistors übersteigt, wird der Transistor Ts2 leitend. Der maximal zulässige Kurzschlußstrom muß
durch eine vorgeschaltete Sicherung überwacht werden.
In der Siebschaltungsanordnung nach F i g. 5 wird der Ausgangsstrom begrenzt, wenn bei Überstrom
der Schalttransistor Ts 3 die Basis-Emitter-Strecke des Stelltransistors Ts überbrückt. Die am Widerstand
jR 5, der vom Laststrom durchflossen wird, abfallende
Spannung steuert den Transistor Ts 3 bei Überstrom leitend. Die Schaltschwelle ist mittels des
Spannungsteilers R 6, R 7 einstellbar.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Gleichstrom-Siebschaltungsanordnung mit Transistoren, dadurch gekennzeichnet,
daß ein den Siebfaktor der Schaltung bestimmenderSpannungsteiler aus einerReihenschaltung einer
Konstantspannungsquelle, z. B. einer Z-Diode, mit einer Siebdrossel und einem Kondensator besteht
und daß die Reihenschaltung aus Konstant-Spannungsquelle und Siebdrossel im Steuerkreis
des mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke im Hauptstromkreis liegenden Stelltransistors angeordnet
ist (F i g. 2).
2. Siebschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Stelltransistor
im Hauptstromkreis ein mit diesem in Verbund geschalteter Transistor vorgeschaltet ist, in dessen
Steuerkreis die Reihenschaltung aus Konstantspannungsquelle und Siebdrossel angeordnet ist
(Fig. 3).
3. Siebschaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerelektrode
des Stelltransistors bei Überstrom über die Emitter-Kollektor-Strecke eines in Abhängigkeit
vom Spannungsabfall an einem vom Laststrom durchflossenen Längswiderstand gesteuerten
Schalttransistors ein den Stelltransistor in die Sättigung steuernder Basisstrom zugeführt ist
(F ig. 4). "
4. Siebschaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß der Basis-Emitter-Strecke des in Abhängigkeit vom Spannungsabfall an einem vom Laststrom durchflossenen Längswiderstand
gesteuerten Stelltransistors die Kollektor-Emitter-Strecke eines Schalttransistors parallel geschaltet
ist (Fig. 5).
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