DE1497516B2 - Elektrolumineszenzplatte zur Bild verstärkung und Bildumkehrung in Filmbe trachtungsgeraten - Google Patents
Elektrolumineszenzplatte zur Bild verstärkung und Bildumkehrung in Filmbe trachtungsgeratenInfo
- Publication number
- DE1497516B2 DE1497516B2 DE19661497516 DE1497516A DE1497516B2 DE 1497516 B2 DE1497516 B2 DE 1497516B2 DE 19661497516 DE19661497516 DE 19661497516 DE 1497516 A DE1497516 A DE 1497516A DE 1497516 B2 DE1497516 B2 DE 1497516B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transparent
- alternating voltage
- plate
- layer
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 12
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XBYNNYGGLWJASC-UHFFFAOYSA-N barium titanium Chemical compound [Ti].[Ba] XBYNNYGGLWJASC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 claims 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 210000000554 iris Anatomy 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- LLLVZDVNHNWSDS-UHFFFAOYSA-N 4-methylidene-3,5-dioxabicyclo[5.2.2]undeca-1(9),7,10-triene-2,6-dione Chemical compound C1(C2=CC=C(C(=O)OC(=C)O1)C=C2)=O LLLVZDVNHNWSDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBAMUTGXJAWDEA-UHFFFAOYSA-N Butynol Chemical compound CCC#CO DBAMUTGXJAWDEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008921 facial expression Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000005338 frosted glass Substances 0.000 description 1
- 239000011874 heated mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001850 reproductive effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
- G03B21/14—Details
- G03B21/28—Reflectors in projection beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Elektrolumineszenzplatte
zur Bildverstärkung und Bildumkehr in Filmbetrachtungsgeräten, die ein Negativ in ein Positiv oder ein Positiv in ein Negativ umwandelt,
mit einer Elektrolumineszenzplatte als Festkörper-Bildwandler, der aus drei integrierten Schichten
besteht, d. h. aus einer elektrolumineszierenden Schicht, aus einer photoleitenden Schicht und aus
einer transparenten dielektrischen Schicht.
Der Einfachheit halber wird die genannte Festkörper-Bildwandlerplatte
in der nachstehenden Beschreibung als »Bildwandlerplatte« bezeichnet.
Ein herkömmliches Filmbetrachtungsgerät weist eine optische Einrichtung auf, die eine Vergrößerung
des Filmbildes auf einen Bildschirm wirft, eine Lichtquelle und eine mechanische Einrichtung, die den
Film zur optischen Einrichtung und dann zu einer Aufwickelspule leitet. Die Filmbilder werden vergrößert
auf eine Mattglasscheibe projiziert und stellen wie das Original ein Positiv oder ein Negativ dar.
Es war bisher schwierig, bei den herkömmlichen Bildbetrachtungsgeräten vergrößerte Abbildungen
mit gänzlich befriedigender Helligkeit, Auflösung und Klarheit zu erhalten. Negativfilme, z. B. die verschiedenen
Filme für Fernsehsendungen, werden vor dem Schneiden und Zusammenstellen auf Positivfilm umkopiert.
Steht zum Umkopieren keine Zeit zur Verfügung, so müssen die Negativfilme selbst im Betrachtungsgerät
untersucht werden. Die vergrößerten Negativbilder verhindern jedoch eine genaue Überprüfung
der Einzelheiten der Bilder und der Gesichtsausdrücke der Schauspieler. Das Schneiden
und Zusammenstellen von Negativfilmen erfordert besondere Erfahrung und stellt eine mühsame Arbeit
dar, die für die Augen des Filmschneiders schädlich ist.
Um diese Nachteile zu vermeiden, wurde ein Filmbetrachtungsgerät benutzt, das von Negativfilmen
vergrößerte positive Bilder auf einer Kathodenstrahlröhre (Braunsche Röhre) unter Verwendung einer gewerblichen Fernsehanlage erzeugt, die
mit einer Vidikonröhre ausgestattet ist. Das FiImbetrachtungs- und Schneidegerät mit einer Industriefernsehanlage
weist jedoch einen umfangreichen und komplizierten Aufbau auf, der kostspielig, schwierig,
zu betreiben und zu reparieren ist. Die wiedergegebenen Bilder weisen zwischen der Mitte und dem Rand
keine gleichmäßige Helligkeit, Auflösung und Klarheit auf. Diese Geräte haben daher keine so weite
Verbreitung gefunden wie diejenigen Filmbetrachtungsgeräte, die die Negativbilder nicht in Positivbilder
umwandeln.
An sich sind verschiedene Methoden bekanntgeworden, um mittels eines Gerätes durch Umkehrung
eines Bildes auf einem photographischen Negativfilm ein positives Bild zu erhalten.
So beschreibt die deutsche Auslegeschrift 1 069 902 ein Verfahren zur Erzielung eines Umkehrbildes, bei
dem eine Photolumineszenzplatte ultravioletten Strahlen ausgesetzt wird und dann auf die so angestrahlte
Platte ein Bild aus einem Negativfilm mittels infraroter Strahlen geworfen wird. Ferner beschreibt
die USA.-Patentschrift 2 883 556 ein Verfahren, das eine Mehrschichtenplatte benutzt mit einer transparenten
leitenden Deckschicht, einer Elektrolumineszenzschicht und einer weiteren transparenten
leitenden Schicht. Durch Anlegen der passenden Spannung an die Platte wird in bekannter Weise die
Lumineszenzplätte wirksam erregt und fördert ein Umkehrbild von einem mit Infrarotstrahlung auf die
Platte gerichteten Negativbild aus einem Film durch entsprechende Löschung der Elektrolumineszenzschicht
durch die Infrarotstrahlung. Diesen herkömmlichen Verfahren haften jedoch verschiedene
Mängel an; die Geräte sind sehr kompliziert, die Schärfe (Helligkeit) sowie der Kontrast der Umkehrbilder
ist primitiv und die Klarheit nicht ausreichend.
ίο Dadurch ist es schwierig, klare Bilder in hellen oder
dunklen Räumen'von zufriedenstellender Qualität zu erzielen. Die herkömmlichen Verfahren sind demzufolge
für praktischen Gebrauch und entsprechende Anwendung ungeeignet.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, mittels einer einfachen Konstruktion die Abbildungsverhältnisse
der Umkehrbilder zu verbessern.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Verbindung mehrerer Schichten zu einer Einheit,
die gebildet wird durch eine auf einer Glasplatte angeordnete erste transparente Elektrode, eine lumineszierende
Schicht aus einem elektrolumineszierenden Material,, eine Bariumtitanpulver enthaltende
reflektierende Schicht, eine Kohlepulver enthaltende lichtdurchlässige Schicht, eine photoleitende Schicht,
die ein photoleitendes Material mit einer Ansprechzeit von weniger als 50 Millisekunden enthält, eine
in die photoleitende Schicht eingebettete Parallelgitterelektrode, eine transparente dielektrische Schicht
aus einem organischen Silikonpolymer, die mit einem transparenten Film und einer an einer Glasplatte angebrachten
zweiten transparenten Elektrode verbunden ist.
Die erfindungsgemäße Platte hat mehrschichtigen Aufbau und umfaßt ein Paar Glasplatten mit transparenten
Elektroden zwischen diesen Glasplatten und den folgenden Schichten, die aus Elektrolumineszenzschicht,
reflektierender Schicht, undurchlässiger Schicht, photoleitender Schicht mit eingelagerter,
paralleler Gitterelektrode und transparenter dielektrischer Schicht besteht. Die erfindungsgemäße
Platte gestattet, durch einfache Handhabung die an den drei Elektroden anliegende Spannung und
ihre Höhe so zu wählen und einzustellen, daß von einem aus einem Negativfilm zu übertragenden Bild,
das von einer sichtbaren Lichtquelle auf die photoleitende Schicht geworfen wird, ein scharfes Umkehrbild
auf der Elektrolumineszenzschicht erzielt wird. Das so gewonnene und abgestrahlte Bild ist von
größerer Schärfe (Helligkeit), größerem Kontrast und größerer Klarheit als die nach den herkömmlichen
Verfahren hergestellten Bilder. Der grundsätzliche und fundamentale Aufbau von Bildverstärkern selbst
ist hinreichend bekannt. Hingegen ist es neu, ein Filmbetrachtungsgerät zu schaffen, welches in Kombination
gleichzeitig Verbesserungen hinsichtlich der optischen Mittel in der Platte, die eine Bildintensivierung
zur Folge haben, und des mechanischen Systems erlaubt, wie sie in der Erfindung beschrieben
werden. Das Filmbetrachtungsgerät nach der Erfindung ist zweckmäßig aufgebaut und besonders geeignet,
es hat eine Bildumkehrvorrichtung wesentlich einfacherer Ausführung als die herkömmlichen Geräte
und leistet mehr als diese.
Der Erfindungsgegenstand ist in den Zeichnungen an Hand eines Ausführungsbeispiels erläutert. In den
Zeichnungen ist die
F i g. 1 ein Querschnitt durch eine für das erfin-
dungsgemäße Filmbetrachtungsgerät eingerichtete Bildwandlerplatte,
F i g. 2 eine schaubildliche Darstellung einer. in einem Rahmen eingesetzten Bildwandlerplatte,
Fig. 3 eine graphische Darstellung des photoleitenden Materials CdS (Kurve A) und des photoleitenden
Materials CdSe (Kurve B),
F i g. 4 eine graphische Darstellung, die die Beziehung der Intensität des Lichteinganges zur Intensität
des Lichtausganges nach ordnungsgemäßer Verstärkung und die Beziehung der Intensität des Lichteinganges
zur Intensität des Lichtausganges nach umkehrender Verstärkung durch die Bildwandlerplatte
zeigt,
F i g. 5 ein Schaltplan der an die Bildwandlerplatte angeschlossenen Stromquelle,
Fig. 6 eine graphische Darstellung des Bildkontrastes
der auf der Bildwandlerplatte ordnungsgemäß reproduzierten Bilder als Funktion der an
die beiden Transparentelektroden der Bildwandlerplatte angelegten Wechselspannung V2, wenn die
Wechselspannung F1 konstant ist,
Fig. 7 eine graphische Darstellung des Bildkontrastes
von Bildern, die mit umgekehrten Helligkeitswerten auf der Bildwandlerplatte reproduziert
werden als Funktion der an eine erste Transparentelektrode und an eine parallele Gitterelektrode der
Bildwandlerplatte angelegten Wechselspannung F1, wenn die Wechselspannung F2 konstant ist,
F i g. 8 ein Schaltplan für einen Kontrastregler zusammen mit der als Querschnitt dargestellten Bildwandlerplatte
und
F i g. 9 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit
des Lichtausgangs vom Lichteingang als Funktion des elektrischen Widerstandes des im Kontrastregler
nach der F i g. 8 enthaltenen veränderlichen Widerstandes.
Es soll zuerst die Bildwandlerplatte unter Hinweis auf die F i g. 1 beschrieben werden, in der eine als
Ganzes mit 1 bezeichnete Bildwandlerplatte als ■ Schnitt dargestellt ist, die als aktive Elemente eine
elektrolumineszierende Schicht 11, eine photoleitende Schicht 15 und eine transparente dielektrische Schicht
■' 16 aufweist, welche Schichten einen großen Einfluß auf die Bilder haben, die ordnungsgemäß oder umgekehrt
verstärkt auf der Bildwandlerplatte wiedergegeben werden. Die elektrolumineszierende Schicht
11 liegt über einer ersten, an einer Glasplatte 19 angebrachten transparenten Elektrode 10, auf welche
Schicht integrierte Lagen einer Reflexionsschicht 12 und einer lichtundurchlässigen Schicht 13 folgen.
Die photoleitende Schicht 15 enthält eine parallele Gitterelektrode 14 und befindet sich über der lichtundurchlässigen Schicht 13. Die transparente dielektrische
Schicht 16 ist auf der photoleitenden Schicht 15 mit dieser zu einer Einheit verbunden, auf die
eine zweite an einer Glasplatte 18 angebrachte transparente Elektrode 17 folgt. Die beiden genannten
Elektroden sind mit den Drahtleitern 19 und 21 verbunden, mit denen an die beiden transparenten Elektroden
eine Wechselspannung F2 angelegt werden kann. Die parallele Gitterelektrode 14 steht mit einem
Drahtleiter 20 in Verbindung, so daß an die parallele Gitterelektrode 14 und an die erste transparente
Elektrode 10 eine Wechselspannung F1 angelegt werden kann.
Diese Bildwandlerplatten können mittels der an sich bekannten Spritz- und Siebdruckverfahren hergestellt
werden. Beide transparenten Elektroden 10 und 17 können aus einem Zinnoxydfilm bestehen,
der chemisch auf den Glasplatten 9 und 18 mit einer Dicke von 3 bis 5 mm niedergeschlagen wird. Der
Zinnoxydfilm kann mit einem Belag aus einer elektrolumineszierenden Farbe versehen werden, die
aus einem elektrolumineszierenden Pulver, z. B. aus aktiviertem ZnS, und einem Bindemittel besteht,
z. B. Harnstoffharz in einem Lösungsmittel wie Xylol
ίο oder Butanol. Die betriebsfähige Dicke der elektrolumineszierenden
Schicht beträgt 30 bis 40 Mikron. Die reflektierende Schicht 12 wird hergestellt durch
Auftragen eines Farbstoffes auf die elektrolumineszierende Schicht 11, der aus BaTiO3-Pulver mit einer
Partikelgröße von 2 bis 8 Mikron und einem Bindemittel wie Harnstoffharz in einem Lösungsmittel wie
Xylol oder Butanol besteht. Auf die reflektierende Schicht 12 wird ein Farbstoff aufgetragen, der aus
Kohleruß und einem Bindemittel wie Epoxydharz in einem Lösungsmittel wie Butanol und Methylketon
besteht und die lichtundurchlässige Schicht 13 mit einer Dicke von 10 bis 15 Mikron bildet. In der auf
der lichtundurchlässigen Schicht 13 liegenden photoleitenden Schicht 15 sind dünne Metalldrähte 14 parallel
zueinander angeordnet und an beiden Enden befestigt. Das eine Ende ist mit einer Kupferelektrode
verbunden, an die ein Drahtleiter 20 angeschlossen ist. Als Metalldrähte können Wolframdrähte mit
einem Durchmesser von 5 bis 15 Mikron verwendet werden. Die befestigten Metalldrähte sind von einer
dünnen photoleitenden Schicht 15 bedeckt, die aus einem Gemisch eines photoleitenden Pulvers, wie
CdS oder CdSe, und eines Bindemittels, wie Epoxydharz, in einem Lösungsmittel, wie Butynol und
Methyläthylketon, besteht und mit einer Dicke von z.B. 50 bis 60 Mikron, z.B. nach dem Siebdruckverfahren,
aufgetragen wird. Die transparente dielektrische Schicht 16 mit einer Dicke von 25 bis 80 Mikron
kann in der Weise erzeugt werden, daß ein transparenter dünner Film, z.B. ein Polyesterfilm,
zwischen transparenten Schichten aus einem dielektrischen Klebstoff, wie Silikongummi oder Silikonharz,
eingelegt wird. Auf diese transparente Schicht wird die zweite transparente Elektrode 17 aus einem
dünnen, auf der Glasplatte 18 hergestellten Zinnoxydfilm aufgetragen. Es ist wichtig, daß die verschiedenen
Bindemittel und Klebstoffe bei einer Temperatur von weniger als 150° C ausgehärtet
werden, da höhere Temperaturen zu einer bemerkenswerten Verschlechterung der fertigen Bildwandlerplatte
führen. Die Drahtleiter 19, 21 und 20 können mit den transparenten Elektroden 10 und 17
und mit der parallelen Gitterelektrode 14 mittels eines elektrisch leitenden Klebstoffes verbunden
werden, z. B. kann die unter der Handelsbezeichnung »Condyne« von der Matsushita Electric Industrial
Co., Ltd. vertriebene Silberfarbe verwendet werden. Wie in der F i g. 2 dargestellt, ist die Bildwandler-
- platte 1 in einen Kunststoffrahmen 22 eingesetzt, so daß die Drahtleiter 19, 20 und 21 über den Rahmen
22 hinausragen; der Raum zwischen der Bildwandlerplatte 1 und dem Rahmen 22 wird mit einem
Harzklebstoff oder mit Wachs gefüllt, der (das) der ■'"■■■ Feuchtigkeit einen hohen Widerstand entgegensetzt.
Unter Hinweis auf die F i g. 1 wird nunmehr die normale oder umgekehrte Verstärkung der auf die Bildwandlerplatte
1 projizierten Bilder kurz erläutert. Ein Lichteingang L1, der durch die Glasplatte 18,
die zweite transparente Elektrode 17 und durch die transparente dielektrische Schicht 16 eintritt, erzeugt
in der photoleitenden Schicht 14 eine Impedanzverteilung. Die Impedanzverteilung wird von der parallelen
Gitterelektrode in kleine Teile aufgeteilt. Befinden sich die erste transparente Elektrode 10 und
die zweite transparente Elektrode 17 in einem offenen Stromkreis und wird zugleich die Wechselspannung
F1 an die in die photoleitende Schicht 15 eingebettete parallele Gitterelektrode 14 und an die
erste transparente Elektrode 10 angelegt, so fließt ein elektrischer Strom durch die photoleitende Schicht
15, die lichtundurchlässige Schicht und durch die reflektierende Schicht 12 bis zur elektrolumineszierenden
Schicht 11.
Durch die eine kleine Impedanz aufweisenden Teile fließt ein starker elektrischer Strom in die
elektrolumineszierende Schicht 10 und umgekehrt. Daher können Bilder, die auf die photoleitende
Schicht 15 projiziert werden, auf der elektrolumineszierenden Schicht 11 in der normalen Weise wiedergegeben
werden.
In der oben beschriebenen Weise erzeugt auch ein Licht eine Impedanzverteilung in der photoleitenden
Schicht 15. Eine hohe Lichtintensität führt zu einer kleinen Impedanz. Die parallele Gitterelektrode 14
teilt die photoleitende Schicht 15 in kleine Bezirke mit verschiedenen Impedanzen auf. Werden die erste
Elektrode 10 und die parallele Gitterelektrode 14 kurzgeschlossen und wird zugleich an beide transparenten
Elektroden 10 und 17 die Wechselspannung F2 angelegt, so fließt der elektrische Strom an den
eine außerordentlich kleine Impedanz aufweisenden Stellen durch die Parallelgitterelektrode 14 in den
Drahtleiter 20 und an den eine außerordentlich große Impedanz aufweisenden Stellen durch die lichtundurchlässige Schicht 13 und durch die reflektierende
Schicht 12 in die elektrolumineszierende Schicht 11. An den Stellen, die eine mittlere Impedanz
aufweisen, fließt der elektrische Strom sowohl in den Drahtleiter 20 als auch in die elektrolumineszierende
Schicht 11 hinein. Das Verhältnis des an einer gegebenen Stelle in die elektrolumineszierende
Schicht 10 fließenden Stromes zu dem in den Drahtleiter 20 fließenden Strom erhöht sich mit der Vergrößerung
der Impedanz. Auf diese Weise kann die elektrolumineszierende Schicht 11 die auf die photoleitende
Schicht 15 projezierten Bilder umgekehrt verstärken.
Die lichtundurchlässige Schicht 13 verhindert eine Beeinflussung der photoleitenden Schicht 15 durch
die reproduzierten Bilder der elektrolumineszierenden Schicht 11. Die dielektrische Durchschlagsspannung
der elektrolumineszierenden Schicht 11 kann durch die reflektierende Schicht 12 verbessert
werden.
Die Helligkeit des auf der elektrolumineszierenden Schicht 11 normal oder umgekehrt reproduzierten
Bildes verändert sich mit der Höhe und der Frequenz der angelegten Wechselspannung F1 oder F2
außer den Merkmalen der Bildwandler. Der Kontrast der reproduzierten Bilder kann außerordentlich
gesteigert werden, wenn zugleich die Wechselspannungen V1 und F2 jedoch mit entgegengesetzter
Phase angelegt werden.
Wird nach der F i g. 1 an die Leiterdrähte 19 und 20 eine Wechselspannung F1 und an die Leiterdrähte
19 und 21 eine Wechselspannung F2 angelegt, so kann ein als Lichteingang L1 auf die photoleitende Schicht 15
durch die Glasplatte 18, die transparente Elektrode 17 und durch die transparente dielektrische Schicht
16 projiziertes Bild auf der elektrolumineszierenden Schicht 11 reproduziert werden, wobei eine Verstärkung
im Lichtausgang L2 erfolgt, wenn die Leiterdrähte 19 und 21 sich in einem offenen Stromkreis
befinden und wenn zugleich eine Wechselspannung von 150 bis 600 Volt innerhalb eines Frequenzbereiches
von 1 bis 10 kHz an die Leiterdrähte 19 und 20 angelegt wird. Bei den reproduzierten Bildern
wird noch ein befriedigender Kontrast erhalten, wenn die Spannung F1 von 150 bis 600 Volt innerhalb des
Frequenzbereiches von 1 bis 10 kHz und zugleich die Spannung F2 von 0 bis 800 Volt, jedoch mit entgegengesetzter
Phase wie die Spannung F1, angelegt wird.
Sind die Leiter 19 und 20 kurzgeschlossen und wird zugleich an die Leiter 19 und 21 eine Wechselspannung
F2 von 400 bis 1800 Volt mit einer Fre-
. quenz von 10 bis 1 kHz angelegt, so wird das auf die photoleitende Schicht 15 projizierte Bild auf der
elektrolumineszierenden Schicht 11 mit den umgekehrten Helligkeitswerten verstärkt. Das umgekehrt
verstärkte Bild kann stark verbessert werden, wenn die Spannung F2 von 400 bis 1800VoIt mit einer
Frequenz von 10 bis 1 kHz und zugleich die Spannung F1 von 0 bis 800 Volt, jedoch mit der entgegengesetzten
Phase wie F2, angelegt wird.
Bei dem neuen Filmbetrachtungsgerät nach der Erfindung kann die Helligkeit, die Auflösung sowie
die Klarheit sowohl der normal verstärkten als auch der umgekehrt verstärkten Bilder verbessert werden.
Die Ansprache der reproduzierten Bilder hängt von der Ansprechzeit der photoleitenden Materialien
der Schicht 15 ab. Die herkömmlichen photoleitenden Materialien wie CdS und deren Abwandlungen
haben eine Ansprechzeit von 400 bis 700 msec, und es tritt ein Nachziehen der Bilder auf der BiIdwandlerplatte
auf, wenn die Wiedergabe der Filmbilder mit einer Geschwindigkeit von 24 Bildern pro
Sekunde erfolgt. Um dieses unerwünschte Nachziehen der Bilder zu vermeiden, müssen die photoleitenden
Materialien eine kurze Ansprechzeit aufweisen, die zu einer raschen Veränderung des Photostromes
mit der Zeit nach der Bestrahlung oder nach dem Absperren des Lichtes führt. Andererseits ist
bekannt, daß das photoleitende CdSe eine Ansprechzeit von weniger als ungefähr 50 msec aufweist
und damit die für die Bildwandlerplatte geeignete Photoempfindlichkeit. Es wurde herausgefunden, daß
eine feste Lösung von CdS in CdSe sowohl in bezug auf die Ansprechzeit als auch auf die Photoempfindlichkeit
durchaus befriedigend ist. Eine betriebsfähige Zusammensetzung der festen Lösung besteht aus 100
bis 65 Gewichtsprozent CdSe und 0 bis 35 Gewichtsprozent CdS. Wird der Anteil des CdS erhöht, so
werden die Photoempfindlichkeit und die Ansprechzeit erhöht. Es ist daher bei der festen Lösung eine
Zusammensetzung von 100 bis 80 Gewichtsprozent CdSe und 0 bis 20 Gewichtsprozent CdS vorzuziehen.
Diese photoleitende CdSe oder feste Lösung kann in an sich bekannter Weise hergestellt werden. Ein
Gemisch aus CdSe-Pulver und CdS-Pulver in den oben angegebenen Anteilen wird in einem nicht oxydierenden
Gas wie Argon oder Stickstoff auf 500 bis 800° C erhitzt; das erhitzte Gemisch wird zu einem
0,6 bis 1,1 Mikron. Es ist daher vorzuziehen, bei der optischen Einrichtung Bauelemente zu verwenden,
die die wirksame Wellenlänge der photoleitenden Materialien, d. h. des CdSe und der genannten festen
5 Lösung, nicht abschneiden, die jedoch Wellenlängen von mehr als 1,1 Mikron abschneiden, um den Film
vor Überhitzung zu schützen. Die im Handel erhältliehen Linsen und Prismen sind imstande, das Licht
mit den erforderlichen Wellenlängen hindurchzulei-
feinen Pulver zermahlen und in eine wässerige Lösung von CdCl0, CuCl2 und NH4Cl eingetaucht. Das
Pulver wird danach getrocknet und einer Aktivierungsbehandlung unterworfen, bei der das getrocknete
Pulver in einem nichtoxydierenden Gas wie Stickstoff oder Argon auf 500 bis 600° C erhitzt
wird.
Die Umkehrung der Helligkeitswerte der Bilder
nach der Erfindung wird stark beeinflußt von der g
transparenten dielektrischen Schicht 16. Die dielek- io ten, wohingegen das Glas des Wärmeschutzfilters und
irische Festigkeit muß so hoch wie möglich sein, die Kondensorlinse das Licht in einem schmaleren
während der Zerstreuungsfaktor (tan δ) und die Bereich weiterleiten.
Dicke so klein wie möglich sein sollen. Bildumkeh- Es ist die Verwendung einer Lichtquelle vorzu-
rungen mit einer größeren Helligkeit und einem star- ziehen, deren Spektralansprache der der photoleitenkeren
Kontrast können mit einer transparenten di- 15 den Materialien entspricht. Als Lichtquelle kann geelektrischen
Schicht 16 erzielt werden, die aus trans- wählt werden eine Wolframlampe. Es kann ferner
parenten dielektrischen Materialien wie Silikonharz verwendet werden eine Strobolampe als Lichtquelle,
oder Silikongummi besteht, und die zusammen mit wenn ein Wärmeschutzfilter aus einem Spezialglas
einem transparenten isolierenden Film aus Poly- verwendet wird, das einen weiten Durchlaßbereich
äthylenterephthalat oder aus Polykarbonat mit einer ao zwischen 0,6 bis 1,1 Mikron aufweist. Der vom ge-Dicke
von ungefähr 25 Mikron verwendet wird. Eine nannten Filterglas verursachte Verlust an Lichtintenbetriebsf
ähige Dicke dieser transparenten dielektri- sität kann durch die hohe Lichtintensität der Stroboschen
Schicht 16 beträgt weniger als ungefähr 80 Mi- lampe ausgeglichen werden.
krön, und eine Dicke von 25 bis 45 Mikron kann Der Grad der Verstärkung der auf der Bildwand-
durchaus befriedigend sein in bezug auf die Helligkeit 25 lerplatte reproduzierten Bilder hängt von dem Licht-
und den Kontrast der helligkeitsverkehrten Bilder eingang ab, wie in der F i g. 4 dargestellt, in der die
sowie in bezug auf die dielektrische Festigkeit, von Kurvet die direkte Verstärkung und die KurveB
der die Lebensdauer der Bildwandlerplatte abhängt. die Verstärkung im umgekehrten Sinne darstellt. Der
Die Auflösung der reproduzierten Bilder kann da- Lichtausgang L2 der verstärkten Bilder ist sehr viel
durch verbessert werden, daß die Partikelgröße des 30 größer als der Lichteingang L1, wenn der Lichteinphotoleitenden
Pulvers des CdSe oder der festen gang in einem kritischen Bereich liegt, der sich etwas
Lösung des CdS in CdSe und des elektrolumineszie- mit der Dicke der Schichten und Materialien der
renden Pulvers aus ZnS kontrolliert wird, und daß Bildwandlerplatte ändert. Um eine ausreichende Verdie
Flächen der verschiedenen Schichten der Bild- Stärkung der Bilder zu erzielen, muß die Intensität
wandlerplatte geglättet werden. Ferner kann die Auf- 35 des Lichteinganges kontrolliert werden. Der günstigste
lösung durch die Parallelgitterelektrode 14 verbessert Lichteingang hängt davon ab, ob die reproduzierten
werden. Die parallelen Drähte werden vorzugsweise Bilder direkt oder im umgekehrten Sinne verstärkt
so dünn wie möglich und mit dem geringstmöglichen werden und verändert sich mit der Dichte des Films
Abstand voneinander bemessen. Die Partikel des und mit den Merkmalen der Bildwandlerplatte. Der
elektro'umineszierenden und des photoleitenden Pul- 40 Lichteingang kann mit Hilfe eines Intensitätsreglers
vers sollen eine Größe von weniger als 10 Mikron eingestellt werden, der den durch die Lichtquelle
und vorzugsweise eine Größe von 5 bis 8 Mikron fließenden Strom beeinflußt, oder mit Hilfe einer Irisaufweisen.
Die Parallelgitterelektrode 14 kann aus blende oder auch mit beiden Mitteln. Zum Regulieren
Wolframdrähten mit einem Durchmesser von unge- des Lichteinganges wird vorzugsweise ein sogenannfähr
5 bis 15 Mikron bei einem gegenseitigen Ab- 45 tes elektrisches Auge verwendet, wie es auch bei
stand von 300 bis 600 Mikron hergestellt werden. photographischen Kameras Verwendung findet. Das
Auf diese Weise können Bilder mit einer Auflösung genannte elektrische Auge besteht aus einem photovon
10 bis 20 Zeilenpaaren pro Millimeter reprodu- leitenden Element zum Messen der Intensität des
ziert werden. Lichteinganges und aus einer Einrichtung zum selbst-
Das für die Bildwandlerplatte geeignete photo- 50 tätigen Einstellen der Irisblende, welche Einrichtung
leitende Material besteht aus CdSe oder einer festen mit dem photoleitenden Element in Verbindung steht,
Lösung von CdS in CdSe und weist eine befriedi- so daß ungeachtet der Dichte des Films beständig
gende Ansprechzeit und Photoempfindlichkeit auf. ein geeigneter Lichteingang L1 eingestellt werden kann.
Die genannte feste Lösung weist eine charakteristische Die reproduzierten Bilder werden verstärkt, wobei
Spektralansprache auf, die zwischen der des CdS und 55 die Ungleichmäßigkeit der auf die Bildwandlerplatte
des CdSe liegt. Bei. der optischen Einrichtung 5 für projezierten Bilder hervorgehoben wird. Um eine be-
friedigende Reproduktion der Bilder zu erreichen, muß das Projektionsobjektiv ein höheres Auflösungsvermögen
und eine gleichmäßige Lichtdurchlässigkeit 60 gegenüber allen anderen Objektiven aufweisen. Ein
geeignetes Projektionsobjektiv weist z. B. eine Lichtstärke von 1,5 bis 2,8 bei einer Brennweite von
50 mm auf.
pp , , Wie aus der F i g. 1 zu ersehen ist, kann die direkte
und das CdSe eine wirksame Spektralansprache im 65 Verstärkung dadurch bewirkt werden, daß an die
Bereich von 0,7 bis 1,2 Mikron aufweist. Die wirk- erste transparente Elektrode 10 und an die Parallelsame
Spektralansprache der genannten festen Lösung gitterelektrode 14 eine Wechselspannung Vx angelegt
liegt zwischen den Kurven A und B im Bereich von wird, während der Stromkreis zwischen den beiden
g p g
das Filmbetrachtungsgerät nach der Erfindung ist es wichtig, daß die Spektralansprache der optischen
Einrichtung der Spektralansprache des CdSe oder der genannten festen Lösung entspricht.
Die Spektralansprache des CdS und des CdSe ist in der F i g. 3 durch die Kurven A und B dargestellt.
Hieraus ist zu ersehen, daß das CdS eine wirksame Spektralansprache im Bereich von 0,4 bis 1,0 Mikron
i ik S
9 10
transparenten Elektroden 10 und 17 geöffnet wird. einer herkömmlichen Stromquelle benötigt, während
Ein verbesserter Kontrast bei den reproduzierten die neue Stromquelle durch Betätigen von nur zwei
Bildern kann dadurch erreicht werden, daß eine Schaltern eine Bildverstärkung im direkten und im
Wechselspannung V2 mit der entgegengesetzten umgekehrten Sinne sowie eine Einstellung des Kon-Phase
wie V1 angelegt wird. Eine Verstärkung im 5 trastes der reproduzierten Bilder ermöglicht,
umgekehrten Sinne wird bewirkt, wenn an die beiden Die F i g. 5 zeigt die Oszillatortransistoren Tr1 und transparenten Elektroden 10 und 17 eine Wechsel- Tr2 in Gegentaktschaltung, während mit Nc, Nb und spannung V2 angelegt und ein Kurzschluß zwischen Ns eine Kollektorwicklung, eine Basiswicklung und der ersten transparenten Elektrode 10 und der Par- eine Sekundärwicklung eines Ausgangstransformaallelgitterelektrode 14 hergestellt wird. Bei den im io tors T bezeichnet sind. Die Transistoren Tr1 und Tr9 umgekehrten Sinne reproduzierten Bildern kann der bilden zusammen mit dem Ausgangstransformator f Kontrast dadurch verbessert werden, wenn eine einen Selbst-Oszillator, der an eine herkömmliche Wechselspannung V1 mit der entgegengesetzten Phase stabilisierte Gleichstromquelle 8 angeschlossen ist. wie V2 angelegt wird. ; Die erzeugten Spannungen V1 und V9 nach der Erfin-
umgekehrten Sinne wird bewirkt, wenn an die beiden Die F i g. 5 zeigt die Oszillatortransistoren Tr1 und transparenten Elektroden 10 und 17 eine Wechsel- Tr2 in Gegentaktschaltung, während mit Nc, Nb und spannung V2 angelegt und ein Kurzschluß zwischen Ns eine Kollektorwicklung, eine Basiswicklung und der ersten transparenten Elektrode 10 und der Par- eine Sekundärwicklung eines Ausgangstransformaallelgitterelektrode 14 hergestellt wird. Bei den im io tors T bezeichnet sind. Die Transistoren Tr1 und Tr9 umgekehrten Sinne reproduzierten Bildern kann der bilden zusammen mit dem Ausgangstransformator f Kontrast dadurch verbessert werden, wenn eine einen Selbst-Oszillator, der an eine herkömmliche Wechselspannung V1 mit der entgegengesetzten Phase stabilisierte Gleichstromquelle 8 angeschlossen ist. wie V2 angelegt wird. ; Die erzeugten Spannungen V1 und V9 nach der Erfin-
Die erforderliche Frequenz und die Höhe der 15 dung werden von den Anschlüssen 54, 55 und 56 aus
Spannungen V1 und V2 hängen von den Merkmalen über die Leiter 19, 20 und 21 der Filmwandlerplatte
der Bildwandlerplatte . ab und im besonderen von zugeführt. Die miteinander mechanisch verbundenen
deren dielektrischen Eigenschaften. Um eine be- Schalter 35 (Sw1 und Sw2) bewirken eine Bildverstimmte
Helligkeit bei den reproduzierten Bildern zu Stärkung im umgekehrten" Sinne, wenn sie mit der
erhalten, muß bei einer niedrigeren Frequenz eine 20 Seite A Kontakt haben, und eine direkte Verstärkung,
höhere Spannung verwendet werden, da die Hellig- wenn sie mit der Seite B Kontakt haben. Über einen
keit sich mit der Frequenz und der Spannung propor- Schalter 36 (Sw^) werden an die Bildwandlerplatte
tional verändert, die an die elektrolumineszierende mehrere gegenphasige Spannungen zum Verbessern
Schicht angelegt wird. Die niedrigere Spannung for- des Kontrastes bei den reproduzierten Bildern angedert
die Lebensdauer der Bildwandlerplatte, beein- 25 legt. Die Elektroden der Bildwandlerplatte können
trächtigt jedoch die Klarheit und die Helligkeit der mit Spannungen versorgt werden, die für die Reproreproduzierten
Bilder. Eine hohe Spannung verbessert duktion von Bildern geeignet sind, wenn das Verhältdie
Helligkeit der reproduzierten Bilder. Eine hohe nis der Windungen der Wicklungen Nc, Nb und Ns
Spannung verbessert die Helligkeit, setzt jedoch die mit Hilfe der Anzapfungen unter Berücksichtigung
Lebensdauer der Bildwandlerplatte infolge eines 30 der Kapazitäten zwischen den Elektroden bestimmt
Durchschlagens des Dielektrikums herab. Die Fre- wird. Auf diese Weise kann mit Hilfe der beiden
quenz und die Höhe der Spannungen V1 und F2 muß Schalter 5W1 und Sw2, die miteinander mechanisch
daher der geforderten Helligkeit und Lebensdauer verbunden sind, eine direkte Verstärkung und eine
angepaßt werden. Mit der Bildwandlerplatte nach der Verstärkung im umgekehrten Sinne gewählt werden,
Erfindung kann eine bessere Reproduktion der Bilder 35 während der Kontrast der reproduzierten Bilder ohne
erzielt werden, wenn die folgenden Spannungen an- Änderung der Helligkeit mit Hilfe des Schalters Sw3
gelegt werden. Für die direkte Verstärkung beträgt eingestellt werden kann. Der Kontrast der reprodu-V1
ungefähr 350 Volt bei 1 kHz oder 250 Volt bei zierten Bilder wird bestimmt von dem Abfall des
5 kHz, während V2 nicht angelegt oder 0 bis 400 Volt Lichteinganges in bezug auf den Lichtausgang nach
mit der entgegengesetzten Phase wie V1 beträgt. Bei 40 der Fig. 4 und hängt von der Spannung mit entgeder
Verstärkung im umgekehrten Sinne beträgt V2 gengesetzter Phase ab, d. h. von V2 für die direkte
1800 Volt bei 1 kHz oder 1200 Volt bei 5 kHz, wäh- Verstärkung und von V1 für die umgekehrte Verstärrend
V1 kurzgeschlossen ist oder 0 bis 400 Volt mit kung. Die F i g. 6 zeigt die Veränderung des Konder
entgegengesetzten Phase wie V2 beträgt. . trastes bei direkter Verstärkung, wobei die Spannung
Eine herkömmliche Stromquelle wird ziemlich um- 45 V1 350 Volt bei 1 kHz beträgt, während die Fig. 7
fangreich, wenn sie gleichzeitig zwei Wechselspan- die Veränderung des Kontrastes bei umgekehrter
nungen mit einer hohen Scheinleistung erzeugen soll. Verstärkung zeigt, wobei die Spannung V2 1600 Volt
Eine solch große Wechselstromquelle ist nicht er- bei 1 kHz beträgt.
wünscht, wenn die Abmessungen des Filmbetrach- Nach der Erfindung kann der Kontrast der reprotungsgerätes
zum Erleichtern der Bedienung klein 50 duzierten Bilder auch mit Hilfe eines aus zwei Widergehalten werden sollen. Eine kleinere für das Film- ständen bestehenden Kontrastreglers verbessert werbetrachtungsgerät
geeignete Stromquelle kann ge- den. Die in der Fig. 8 dargestellten beiden Regelschaffen
werden. .' widerstände 37 und 38 weisen einen Widerstands-
Diese Stromquelle besteht aus einem mit Tran- bereich von 0 bis 10 Kiloohm auf und sind zwischen
sistoren bestückten Selbst-Oszillator, bei dem die ver- 55 die erste transparente Elektrode 10 und die Parallel-
schiedenen Kapazitäten zwischen den Elektroden der gitterelektrode 14 bzw. zwischen die beiden trans-
Bildwandlerplatte als 'ein Teil der Abstimmungs- parenten Elektroden 10 und 17 geschaltet. Aus der
kapazität benutzt werden. Bei dem Selbstoszillator Fig. 9 ist zu ersehen, daß bei einer Erhöhung des
bildet eine Sekundärwicklung eines Ausgangstrans- Widerständswertes des Widerstandes 37 die Kurve
formators einen Abstimmungskreis, bei dem die Ka- 60 Lichteingang in bezug auf Lichtausgang sich von
pazität zwischen den Elektroden der Bildwandler- einer Kurve A aus über eine Kurve B zu einer
platte als ein Teil der·Abstimmungskapazität benutzt Kurve C verschiebt, die die Kurve des geringsten
wird. Der Selbstoszillator kann die elektrische Lei- Kontrastes unter den Kurven A, B und C der im
stung durch Kompensieren der Scheinleistung herab- entgegengesetzten Sinne reproduzierten Bilder ist,
setzen und damit die Reproduktion stabiler Bilder 65 während bei einer Erhöhung des Widerstandswertes
auf der Bildwandlerplätte sichern. Die neue aus dem des Widerstandes 38 die Kurve Lichteingang gegen
Selbstoszillator bestehende Stromquelle kann so auf- Lichtausgang sich von einer Kurve D aus über die
gebaut werden, daß sie;, nur ein Zehntel des Raumes Kurve E zu einer Kurve F verschiebt und bei den
direkt reproduzierten Bildern einen geringeren Kontrast bewirkt. Die Feineinstellung des Kontrastes
kann mit Hilfe der Regelwiderstände 37 und 38 zusammen mit dem Schalter Ξ\νΆ erfolgen.
Das Filmbetrachtungsgerät nach der Erfindung kann mit geringer Größe unter Verwendung von
Transistoren aufgebaut werden, wodurch nach dem Einschalten des Hauptschalters ein sofortiger Betrieb
möglich ist. Die mit Transistoren bestückte Einrichtung benötigt keine Zeit zum Aufwärmen der herkömmlichen
Bauelemente, und die Lebensdauer der neuen Stromquelle kann verlängert werden.
Die Bildwandlerplatte nach der F i g. 2 wird an der Oberseite des Bildbetrachtungsgerätes angebracht und
mit einer Schutzhaube 43 versehen, die ein unerwünschtes äußeres Licht abschirmt. In das Gerät
wird eine Stromquelle 7 in der oben beschriebenen Ausführung eingebaut und in der beschriebenen
Weise mit den Leitern 19, 20 und 21 verbunden. Der Hauptschalter der Stromquelle 7 ist so ausgestaltet,
daß er selbsttätig die Stromquelle 7 einschaltet, wenn der Film von der Andrückplatte nach unten gedrückt
wird. Eine an das Gerät angeordnete Lampe zeigt z. B., wenn die Stromquelle 7 eingeschaltet ist. Ferner
kann ein Schalter die direkte oder umgekehrte Ver-Stärkung der Originalbilder anzeigen.
Claims (10)
1. Elektrolumineszenzplatte zur Bildverstärkung
und Bildumkehrung in Filmbetrachtungsgeräten, gekennzeichnet durch die Verbindung
mehrerer Schichten zu einer Einheit, die gebildet wird durch eine auf einer Glasplatte (9) angebrachte
erste transparente Elektrode (10), eine elektrolumineszierende Schicht (11) aus einem
elektrolumineszierenden Material, eine Bariumtitanpulver enthaltende reflektierende Schicht
(12), eine Kohlepulver enthaltende lichtundurchlässige Schicht (13), eine photoleitende Schicht
(15), die ein photoleitendes Material mit einer Ansprechzeit von weniger als 50 Millisekunden
enthält, eine in die photoleitende Schicht (15) eingebettete Parallelgitterelektrode (14), eine transparente
dielektrische Schicht (16) aus einem organischen Silikonpolymer, die mit einem transparenten
Film und einer an einer Glasplatte (18) angebrachten zweiten transparenten Elektrode
(17) verbunden ist.
2. Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das photoleitende Material aus 100
bis 65 Gewichtsprozent CdSe und aus 0 bis 35 Gewichtsprozent CdS besteht und eine wirksame
spektrale Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 0,6 bis 1,1 Mikron aufweist.
3. Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Parallelgitterelektrode aus parallelen
Wolframdrähten mit einem Durchmesser von ungefähr 5 bis 10 Mikron besteht, die einen
gegenseitigen Abstand von 300 bis 600 Mikron haben.
4. Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente, dielektrische
Schicht eine Dicke von weniger als 80 Mikron aufweist und aus einem transparenten dielektrischen
Film besteht, der aus der Gruppe ausgewählt ist, die einen Polyäthylen-terephthalat-FiIm
und einen Polykarbonatfilm umfaßt, sowie aus einem transparenten dielektrischen Material,
das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Silikongummi und Silikonharz umfaßt, in welche Materialien
der transparente dielektrische Film eingebettet ist.
5. Beschaltung der Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsquelle
aus einer Oszillatorschaltung besteht, bei der die Kapazität zwischen den Elektroden der Elektrolumineszenzplatte
als ein Teil der Abstimmkapazität für den Schwingkreis benutzt wird.
6. Beschaltung der Platte nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Oszillatorschaltung
eine Sekundärwicklung eines Ausgangstransformators umfaßt, die mit Anzapfungen versehen
ist, die über miteinander mechanisch verbundene Schalter mit den beiden transparenten Elektroden
und mit der Parallelgitterelektrode so verbunden werden, daß die Elektrolumineszenzplatte gleichzeitig
mit zwei Wechselspannungen (F1 und F2)
versorgt wird, von denen die Wechselspannung (V1) an die erste transparente Elektrode und an
die Parallelgitterelektrode angelegt und die Wechselspannung (V2) an die erste und die zweite
transparente Elektrode angelegt wird.
7. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Wechselspannung (F1) innerhalb eines Frequenzbereiches von 1 bis
10 kHz 150 bis 600 Volt beträgt, wenn die beiden transparenten Elektroden sich in einem offenen
Stromkreis befinden.
8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Wechselspannung (F2)
innerhalb eines Frequenzbereiches von 1 bis 10 kHz 400 bis 1800 Volt beträgt, wenn die erste
transparente Elektrode und die Parallelgitterelektrode sich in einem kurzgeschlossenen Stromkreis
befinden.
9. Anordnung nach ,Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Wechselspannung (F1) innerhalb eines Frequenzbereiches von 1 bis
10 kHz 150 bis 600 Volt beträgt und daß die Wechselspannung (F,) innerhalb eines Frequenzbereiches
von 1 bis "lO kHz 0 bis 800 Volt beträgt und die entgegengesetzte Phase aufweist wie
die Wechselspannung (F1).
""
10. Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Wechselspannung (F2) innerhalb eines Frequenzbereiches von 1 bis
10 kHz 400 bis 1800 Volt beträgt und daß die Wechselspannung (F1) innerhalb eines Frequenzbereiches
von 1 bis 10 kHz 0 bis 600 Volt beträgt und die entgegengesetzte Phase aufweist wie die
Wechselspannung (F2).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6865865 | 1965-11-05 | ||
JP21066 | 1965-12-29 | ||
JP507466 | 1966-01-27 | ||
JP5145466 | 1966-08-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1497516A1 DE1497516A1 (de) | 1969-02-20 |
DE1497516B2 true DE1497516B2 (de) | 1971-01-14 |
Family
ID=27453116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661497516 Pending DE1497516B2 (de) | 1965-11-05 | 1966-11-04 | Elektrolumineszenzplatte zur Bild verstärkung und Bildumkehrung in Filmbe trachtungsgeraten |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3446550A (de) |
DE (1) | DE1497516B2 (de) |
NL (1) | NL6615363A (de) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1880289A (en) * | 1928-07-21 | 1932-10-04 | Thomas W Sukumlyn | Light sensitive device |
US3131303A (en) * | 1962-01-22 | 1964-04-28 | Optomechanisms Inc | Negative to positive film viewer |
-
1966
- 1966-10-31 NL NL6615363A patent/NL6615363A/xx unknown
- 1966-11-04 DE DE19661497516 patent/DE1497516B2/de active Pending
- 1966-11-07 US US592470A patent/US3446550A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6615363A (de) | 1967-05-08 |
US3446550A (en) | 1969-05-27 |
DE1497516A1 (de) | 1969-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2634313C2 (de) | ||
DE1589429A1 (de) | Elektrooptische Vorrichtungen | |
DE1797549C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Ladungsbildes auf einer isolierenden Oberfläche unter Verwendung eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials und elektrofotografisches Gerät zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2821478A1 (de) | Bildladungsrelaxation in elektrophoretischen sichtanzeigen | |
DE3306162A1 (de) | Bildaufnahmevorrichtung | |
DE2060110A1 (de) | Sichtanzeige-Umsetzungs- und Speicher-System | |
DE1138867B (de) | Vorrichtung zur Erzeugung eines in seiner Lage steuerbar veraenderlichen elektrolumineszierenden Leuchtfleckes | |
DE1489113C3 (de) | Festkörperbildwandler | |
DE1764239C3 (de) | Festkörperbildverstärker und-speicher und Verfahren zum Betrieb des Festkörperbüdverstärkers und-speichers | |
DE1789143A1 (de) | Fernsehaufnahmeanordnung | |
DE1497516C (de) | Elektrolummeszenzplatte zur Bild verstärkung und Bildumkehrung in Filmbe trachtungsgeraten | |
DE1497516B2 (de) | Elektrolumineszenzplatte zur Bild verstärkung und Bildumkehrung in Filmbe trachtungsgeraten | |
DE698082C (de) | Grossflaechen-Lichtbildrelais | |
DE1464274B2 (de) | Verfahren und Spannungsversorgung zum Betrieb einer Festkörperbildverstärkerplatte | |
DE1809749B2 (de) | Signalspeichervorrichtung | |
DE1048645B (de) | ||
DE1547409C (de) | Filmbetrachtungsgerät mit Bildum kehrung | |
DE1547409B1 (de) | Filmbetrachtungsgeraet mit Bildumkehrung | |
DE1078250B (de) | Photoleitungs-Elektrolumineszenz-Festkoerper-Bildwandler | |
DE2028235C3 (de) | Festkörperbildwandler mit einer dünnen Schicht aus einem flüssigen Kristall | |
DE1539899B1 (de) | Festkoerperbildwandler bzw bildverstaerker | |
DE2050253C3 (de) | Festkörperbildwandler für Röntgenstrahlen | |
DE1004301B (de) | Strahlungsverstaerker mit fotoleitendem und elektrolumineszierendem Material | |
DE1522655C (de) | Elektrofotografisches Auf zeichnungsmatenal | |
DE2011534A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Durch fuhrung von fotografischen Blitzhchtauf nahmen mit geregelter Bhtzlichtenergie |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EF | Willingness to grant licences |