DE1490406C - Halbleiterkörper - Google Patents
HalbleiterkörperInfo
- Publication number
- DE1490406C DE1490406C DE1490406C DE 1490406 C DE1490406 C DE 1490406C DE 1490406 C DE1490406 C DE 1490406C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- inclusions
- semiconductor body
- insb
- base material
- eutectic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000001419 dependent Effects 0.000 claims description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N Indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 229910019963 CrSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016964 MnSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000374 eutectic mixture Substances 0.000 description 1
Description
Das Huuplpulcm I 238 1W bezieht sich auf einen
llalhleiterkorper für Bauelemente mit richtungsabhängigen
elektrischen, insbesondere magnetfeld-•bhängigeii
Eigenschaften. Nach der Lehre des lluupipulentes enthält der Halbleiterkörper Ein-Schlüsse
einer zweiten Phase aus einem gegenüber dem Grundmaterial gut leitenden Stuff, der keine
Hörende Dotierung des Grundmaterials hervorruft; die Einschlüsse sind in einer oder zwei Dimensionen
bevorzugt ausgedehnt und mit einer ausgezeichneten Orientierung parallel ausgerichtet.
Die vorliegende Weiterbildung der Lehre des llauptpatentes besteht darin, daß das Halbleitermaterial
und die Einschlüsse ein Eutektikum bilden. Fs hat sich nämlich gezeigt, daß es bei der Herstellung
des Halbleiterkörper* von besonderem Vorteil ist. um in einer Vorzugsrichtung angeordnete Einschlüsse
in sehr großer Ausbeute zu erhalten, wenn der Halbleiterkörper und die Einschlüsse ein Eutektikum
bilden.
Bei der Herstellung des Halbleiterkörpers kann man gemäß dem Hauptpatent eine Schmelze aus
halbierendem und Einschlußmaterial gerichtet erstarren lassen. Die vorliegende weitere Ausgestaltung
der Lehre des Hauptpatentes bezieht sich also darauf, daß bei Herstellung der Schmelze das halbleitende
und das Einschlußmateria! im cutektischen Verhältnis zusammengeschmolzen werden.
Orientierte Einschlüsse erhält man /.. B. mit folgenden
eutektische!! Schmelzen: InSb-Sb, GaSb-Sb, InSb-NiSb, InSb-MnSb, InSb-CrSb1 InSb-FeSb, Ge-Ni,
Ge-Mn, Ge-Fe, Ge-Co. Als besonders geeignet haben sich z. B. folgende eutektische Gemische
erwiesen: InSb mit Zugabe von 1,8 Gewichtsprozent NiSb, InSb mit Zugabe von etwa 6,5 Gewichtsprozent
MnSb, InSb mit Zugabe von Ü.fiO Gewichtsprozent
CrSb und GaSb mit Zugabe von HO1I Gewichtsprozent
Sb.
Claims (1)
- Patentanspruch:Halbleiterkörper für Bauelemente mit richtungsabhängigen elektrischen, insbesondere magnetfeldabhängigen Eigenschaften, der Einschlüsse einer zweiten Phase aus einem gegenüber dem Grundmaterial gut leitenden Stoff enthält, der keine störende Dotierung des Grundmaterials hervorruft, und bei dem die Einschlüsse in einer oder zwei Dimensionen bevorzugt ausgedehnt sind und mit einer ausgezeichneten Orientierung parallel ausgerichtet sind, nach Patent 1238 987, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial und die Einschlüsse ein Eutektikum bilden.
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AT247482B (de) | Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| ATA217472A (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiter- anordnung mit einem halbleiterkoerper, bei dem die elektrischen eigenschaften von zwei an durch masken definierte oberflaechenteile des halbleiterkoerpers grenzenden zonen des halb- leiterkoerpers geaendert werden | |
| DE1490406C (de) | Halbleiterkörper | |
| DE2614957C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Gießpulver | |
| DE1514453A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschaltungen | |
| DE3525301C2 (de) | ||
| DE1589862A1 (de) | Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente | |
| DE1490406A1 (de) | Halbleiterkoerper und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1901056A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von pulverfoermigen Dauermagnetwerkstoffen | |
| DE2357688C2 (de) | Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
| EP0167898A3 (de) | Datenträger mit einer Datenspur für sequentielle Daten und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| FR2274999A1 (fr) | Procede pour la fabrication d'un materiau composite conducteur electrique et materiau composite ainsi obtenu | |
| DE959479C (de) | Verfahren zum Ziehen von Halbleiterkristallen aus einer Schmelze fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Systeme mit oertlich verschieden grosser Stoerstellenkonzentration | |
| Lueken | Preparation and Magnetic Properties of Eu 2 Mg 17 and EuMg 2 | |
| AT225236B (de) | Verfahren zur Herstellung von abgeschlossenen Schaltungseinheiten sehr geringer Abmessungen | |
| Baldokhin et al. | Study of the Structure and First Stages of Crystallization of Amorphous Alloy Fe sub 85 B sub 15 by Absorption and Conversion Methods of Mossbauer Spectroscopy | |
| Matutes | Features of Epsilon-Martensite Electron Diffraction in Fe--Ru Alloys | |
| AT214017B (de) | Gleichrichtersäule, insbesondere Kleingleichrichter, und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1112207B (de) | Verfahren zur Herstellung eines dotierten Bereiches in einer Halbleiteranordnung | |
| DE670005C (de) | Hochfrequenzleitung | |
| DE2050320A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| Nesterova et al. | Features of the Lamellar Structure of Low-Alloy Pseudo- alpha-Titanium Alloys | |
| Nagata et al. | Superconductivity in a Splat-Quenched and Aged Cu-4 At. per cent Nb Alloy | |
| DE1596212C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Tra gergerustes für Elektroden alkalischer Akkumulatoren | |
| DE1514565B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen |