DE1489344B2 - Verfahren zum Betrieb eines Diodenlasers - Google Patents
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Description
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F i g. 6 ein zweites Anwendungsbeispiel des erfin- zwischen dem N-leitenden Gebiet 4 und dem P-lei-
dungsgemäßen Diodenlasers zur wählbar gerichteten tenden Gebiets statt und erzeugt dadurch einen
Lichtabgabe. durch die gestrichelte Linie abgegrenzten optischen
Der erfindungsgemäße Diodenlaser besteht aus Hohlraum 14, in dem sich eine stehende Welle bil-
einem Halbleiter mit PN-Übergang, der Licht je nach 5 det. Der Hohlraum 14 hat Eigenschaften, die der
Konzentration der injizierten Träger zu absorbieren Wirkung des bekannten Perot-Fabry-Interferometers
oder auszusenden vermag. Hierzu erfolgt über den entsprechen. Die bekannten Elemente sind dabei die
PN-Übergang eine Trägerinjektion oberhalb eines reflektierenden Plattenoberflächen bzw. die Tren-
bestimmten Schwellenwertes, oder der Stromdurch- nungsflächen.
gang wird über den PN-Übergang gesperrt, wenn an io In einem parallel zu dem PN-Übergang und senkdieser
Stelle Licht absorbiert werden soll. Die ent- recht zu den reflektierenden Oberflächen verlaufensprechende
Vorspannung des PN-Übergang entsteht den Gebiet entsteht eine angeregte Lichtemission. Da
über den Halbleiterwiderstand durch von außen an- die in Lichtform abgegebene Energie von einem Teil
legbare Betriebsspannungen. Der Diodenlaser nach des PN-Überganges 6, der eine genügende positive
Fig. 1 zeigt den Schnitt durch eine solche Anord- 15 Vorspannung haben muß, absorbiert wird, gibt die
nung mit dem scheibenförmigen Halbleiterkörper 1 Bewegung des fiktiven Punktes 13 nicht nur die
und dessen Oberflächen 2 und 3. Der Halbleiterkör- Grenze der angeregten Emission an, sondern auch
perl enthält das N-leitende Gebiet4 und ein P-lei- die Richtungsänderung der Lichtemission, wie es an
tendes Gebiet 5, welche durch einen PN-Übergang 6 späterer Stelle beschrieben ist.
voneinander getrennt sind. Die Ebene des PN-Über- ao Voraussetzung für die Funktion der Anordnung
ganges 6 verläuft im wesentlichen parallel zu den gemäß der Erfindung ist nur, daß sie aus einem Ma-Oberflächen
2 und 3 der Halbleiterscheibe. Das terial besteht, welches sich zur Trägerinjektion eignet
P-leitende Gebiet 5 soll bei Stromdurchgang, mög- und daß ein Gebiet gleichen Potentials auf der einen
liehst gleiches Potential aufweisen. Diese Eigenschaft Seite des PN-Überganges vorhanden ist. Ferner ist
wird in dem speziellen Beispiel der Fig. 1 dadurch 25 eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Potentialgefälerreicht,
daß auf das P-leitende Gebiet 5 ein Flächen- les zwischen ohmschen Kontakten auf der anderen
kontakt 7 aufgebracht wird, beispielsweise durch Seite des PN-Überganges notwendig. Damit eine
Überziehen mit Lötmittel oder einem anderen leiten- Trägerinjektion ermöglicht wird, besteht der HaIbden
Material. Das N-leitende Gebiet 4 ist so auf ge- leiterkörper 1 zweckmäßigerweise aus einem monobaut,
daß eine Potentialdifferenz zu dem P-leitenden 30 kristallinen Halbleitermaterial mit hoher Strahlüngs-Gebiet
5 entsteht, was durch die Widerstandseigen- ergiebigkeit. Der PN-Übergang 6 hat seinen größeren
schäften des Materials in Zusammenhang mit den Widerstand auf der Seite des N-leitenden Gebietes 4.
ohmschen Kontakten 8 und 9 erreicht wird, welche in Der Aufbau der Anordnung gemäß der Erfindung
einem Abstand 10 voneinander angeordnet sind. kann auf verschiedenen Wegen erreicht werden, von
Eine erste Spannungsquelle U ist zwischen dem 35 denen einige Möglichkeiten im folgenden aufgezeigt
ohmschen Kontakte und einem Bezugspotential an- werden.
geordnet, eine zweite Spannungsquelle 12 mit entge- In Fig.2 ist eine Möglichkeit zur Vergrößerung
gengesetzter Polarität zwischen dem ohmschen Kon- des Abstandes 10 aus Fig. 1 hergestellt. Ein Gebiet
takt 9 und dem gleichen Bezugspotential. Die Span- 17 innerhalb des N-leitenden Materials 4 ist entfernt
nungen der Quellen 11 und 12 sind variabel. Der 40 worden. Da durch das Entfernen des Materials der
Flächenkontakt 7 ist mit dem Bezugspotential ver- Querschnitt des N-leitenden Gebietes 4 zwischen der
bunden. In dem in F i g. 1 dargestellten Beispiel tritt Fläche 2 und dem PN-Übergang 6 verringert wird,
eine Änderung des Potentials innerhalb des N-leiten- erhöht sich der Widerstand zwischen den Kontakden
Gebietes 4 entlang der Strecke 10 zwischen den ten 8 und 9. Im Falle eines Injektionslasers würde
Kontakten 8 und 9 auf, während das P-leitende Ge- 45 das Gebiet 17 am günstigsten auf der Seite des Halbbiet 5 durch den Flächenkontäkt 7 im wesentlichen leitermaterials 1 gewählt, welche den optischen Hohlkonstantes Potential aufweist. Diese besondere An- raum 14 enthält. In F i g. 2 ist jedoch der Hohlraum
Ordnung verursacht eine Änderung der Vor- 14 so angenommen, daß er innerhalb des P-leitenden
spannung entlang des PN-Überganges 6. Durch Gebietes 5 liegt. Für die Herstellung einer solchen
den Potentialunterschied wird der PN-Übergang 6 an 50 Anordnung ist es einfacher, das Gebiet 17 auf der
dem fiktiven Punkt gleichen Potentials 13 in ein Ge- dem Hohlraum 14 entgegengesetzten Seite zu entferbiet
positiver Vorspannung bis zu dem ohmschen nen und die Anordnung so zu wählen, daß nur das
Kontakt 8 und ein Gebiet negativer Vorspannung bis Gebiet gleichen Potentials 5 den Hohlraum 14 entzu
dem ohmschen Kontakt 9 aufgeteilt. Die Wahl des hält.
Gebietes einer Trägerinjektion innerhalb eines 55 In F i g. 3 ist der Widerstand zwischen den ohm-
PN-Überganges erlaubt einmal die Beeinflussung der sehen Kontakten erhöht durch die Anordnung eines
Intensität des abgegebenen Lichtes, zum anderen Gebietes 18 innerhalb des N-leitenden Gebietes 4.
auch, wie aus den folgenden Figuren ersichtlich, die Das Material des Gebietes 18 ist entweder HaIb-
Richtungswahl des ausgestrahlten Lichts. Untersu- leitermaterial mit einem hohen spezifischen Wider-
chungen mit der erfindungsgemäßen Anordnung ha- 60 stand oder aber von entgegengesetztem Leitungstyp,
ben ergeben, daß PN-Übergänge, die nicht genügend Die Herstellung des Gebietes 18 kann durch Ätzen
injizierte Träger erhalten haben, die durch Rekombi- und anschließendes epitaktisches Ablagern oder aber
nation frei werdende Energie absorbieren, so daß durch eine auf ein bestimmtes Gebiet beschränkte
sich in Verbindung mit der veränderlichen Vorspan- Diffusion innerhalb der Oberfläche 2 erfolgen. In
nung und den Absorptionseigenschaften des Halb- 65 dem Aufbau nach Fig.3, welche die Anordnung
leitermaterials eine genau dosierbare Einstellung der eines Injektionslagers darstellt, ist die Änderung des
Anordnung ergibt, die bisher nicht möglich war. Widerstandes auf der Seite, auf welcher das Gebiet
In solch einer Anordnung findet der Stromfluß der angeregten Emission liegt, vorgenommen.
5 6
In diesem Fall erfolgt die Diffusion bzw. die Um- und 25 durch geeignete Vorspannung des unter den
Wandlung des Halbleitermaterials bis an die Grenze Kontakten 22 und 24 liegenden Teils des PN-Überdes
optischen Hohlraumbereichs. Da der Leitungstyp gangs 6 festgelegt wird. Dann erfolgt eine angeregte
des Halbleitermaterials durch das Überwiegen eines Strahlungsemission in den entlang der Kontakte 21,
Störstellentyps gegenüber einem anderen, und da der 5 23 und 25 verlaufenden Teilen der Vorrichtung,
spezifische Widerstand durch die Anzahl der La- während in den entlang der in Sperrichrung vorgedungsträger
des einen Typs gegenüber dem anderen spannten Kontakte 22 und 24 verlaufenden Teilen
unter Berücksichtigung der Beweglichkeitsdifferenz der Vorrichtung eine Absorption stattfindet. Es ist zu
der Ladungsträger bestimmt werden, verändert jeder erkennen, daß die Richtung der Lichtabstrahlung
Mechanismus, der entweder das Überwiegen oder die io und der angeregten Emission durch einfache Umkeh-Anzahl
von Ladungsträgern stört, den Widerstand rung der Funktion der Kontakte bestimmbar ist, so
zwischen den ohmschen Kontakten. daß ein höherer Strom bzw. ein festgelegter Hohl-In
Fi g. 4 ist ein anderer Aufbau dargestellt, der raum in dem einen Teil der Anordnung und eine Undie
Anwendung des Erfindungsgedankens weiter ver- terdrückung in dem anderen Teil erreicht wird,
anschaulichen soll. In der Anordnung gemäß Fig.4 15 Erfindungsgemäß ist ein Diodenlaser mit geordneerhält
das P-leitende Gebiet 5 ein einheitliches Po- ten Gruppen von ohmschen Kontakten im Gebiet des
tential, indem der Kontakt 7 die gesamte Oberfläche einen Leitungstyps und in dem Gebiet des entgegenbedeckt.
Die ohmschen Kontakte 8 und 9 verlaufen gesetzten Leitungstyps mit einem einheitlichen Poentlang
der Kanten des Körpers, und der Haupt- tential versehen. Diese beiden Gebiete sind durch
strom für den Betrieb der Vorrichtung wird zwischen ao einen breiten PN-Übergang getrennt, so daß die
den Kontakten 19 und 20 zugeführt. Die Kontakte 8 Richtung des austretenden Lichts durch die entspreund9
können durch eine Aussparung, wie z.B. die chende Anlegung von Potentialen an bestimmten
Rinne 17 in Fig. 2, getrennt werden. Wenn die Vor- Kombinationen aus der Gruppe ohmscher Kontakte
richtung von Fig.4 als Injektionslaser dient, ist sie bestimmt werden kann, wenn das Gebiet des anderen
für die angeregte Emission ausgestattet, und es wer- 25 Leitungstyps auf einem konstanten Bezugspotential
den Perotsche-Fabry oder andere geeignete Mittel gehalten wird.
zur optischen Hohlraumreflexion angebracht. Ausge- Gemäß Fig.6 sind mehrere ohmsche Kontakte in
nutzt wird lediglich das Reflexionsvermögen gespal- dem Gebiet des einen Leitungstyps und ein Flächentener
oder polierter paralleler Seitenflächen, das kontakt in einem Bereich des anderen Leitungstyps
durch Brehzahldifferenz zwischen dem Halbleiter 30 angeschlossen. Auf diese Weise wird ein Gitter von
und dem ihm umgebenden Medium verursacht wird Bereichen geschaffen, welche jeweils durch einen
oder durch von außen aufgebrachte, entsprechend einzigen ohmschen Kontakt 30 angeschlossen sind,
isolierte Metallspiegel. In der Anordnung nach Die Segmente des Gitters sind jeweils durch die oben
F i g. 4 ist der Mittelteil des PN-Ubergangs 6 unter beschriebenen Rillen 17 voneinander getrennt. Beim
dem Kontakt 19 bei starkem Strom in Durchlaßrich- 35 Anlegen geeigneter Spannungen in der Weise, daß
rung vorgespannt. Zwischen den Kontakten 8 und 9 alle Bereiche C des Gitters in Durchlaßrichtung und
wird eine Bezugsvorspannung, in Sperrichtung ge- alle anderen Bereiche in Sperrichtung vorgespannt
genüber dem Kontakt 20, angelegt, wodurch erfin- werden, wird die Injektion auf die aus diesen EIedungsgemäß
an den Kanten jenseits der fiktiven menten bestehende Achse des PN-Überganges 6 bePunkte
13 die Strahlung zu den Seiten hin absorbiert 40 schränkt. Es tritt ein in dieser Richtung besonders
wird, und gleichzeitig wandernde, transversale oder starkes Strahlungsmuster auf. Um die Richtung des
andere unerwünschte Schwingungsarten in dem Strahlenbündels verschieben zu können, kann ein anHohlraum
mit angeregter Emission unterdrückt wer- derer Satz von Gitterelementen, z.B. die mit A beden.
Diese elektronische Steuerung verbessert ganz zeichneten, in Durchlaßrichtung vorgespannt werden,
wesentlich die bisher übliche Dimensionierung des 45 während alle anderen Elemente in Sperrichtung vorHohlraumes
durch Schneiden, Ätzen, usw. gespannt sind. Eine solche Vorrichtung zum Ver-Bei einem gegebenen Strom in Durchlaßrichtung schieben eines Lichtstrahls kann dann zum schnellen
zwischen den Kontakten 19 und 20 ist die effektive Abtasten oder als Vielfachschalter verwendet wer-Hohlraumabmessung
steuerbar durch das zwischen den. Bei Betrieb als Injektionslaser dienen die Segden
Kontakten 8 und 9 angelegte Potential, und die 50 mente der gezeigten zylindrischen Flächen mit geSchwelle
für die Laserwirkung kann leicht verscho- meinsamem Krümmungsmittelpunkt als Grenzspieben
werden je nach der Kombination des Stroms gel. Bestimmte Einzelheiten wie z.B. Herstellungszwischen
den Kontakten 19 und 20 und der an die verfahren für die geeignete Dimensionierung des
Kontakte 8 und 9 gelegten Spannungen. Es liegt auf Laserhohlraums, die zum bekannten Stand der Techder
Hand, daß logische Verknüpfungen, wie z.B. 55 nik gehören, sind hier nicht im einzelnen besprochen
»Und« und »Oder« sich leicht mit dieser Anordnung worden. Trotzdem wird im folgenden ein spezielles
realisieren lassen. Ausführungsbeispiel der Anordnung nach Fig. 1 an-
Fig.5 zeigt die Wahl der Lichtemissionsrichtung. gegeben.
Die Anordnung gemäß F i g. 5 enthält mehrere ohm- Es handelt sich dabei um einen Injektionslager,
sehe Kontakte 21 bis 25, zwischen denen jeweils eine 60 dessen Körper 1 aus GaAs-Halbleitermaterial be-
Potentialdifferenz vorhanden ist. Die Vorrichtung steht. Um ein Minimum an Ladungsträger-Fangstelvon
F i g. 5 kann zur Abgabe einer angeregten Emis- len zu erhalten, wird monokristallines Material mit
sion veranlaßt werden, indem entweder Ströme durch einigen kristallinen Verunreinigungen verwendet,
parallelgeschaltete Kontaktgruppen, wie z. B. 21, 23 Das Material GaAs wird gewählt wegen seiner be-
und 25, so lange addiert werden, bis zu hohe Verlu- 65 sonders hohen elektrooptischen Umsetzleistung, obste
überwunden werden müssen, oder indem der wohl bei der gegenwärtigen Erforschung von HaIb-Strom
nur an einer Klemme, wie z. B. 23, zugeführt leiterstoffen ständig neue Materialien für elektrooptiwird
und der Hohlraum unter den Kontakten 21, 23 sehen Wandler mit hoher Leistung untersucht wer-
den und neue Stoffe zur Verfügung stehen werden. Der Abstand 10 beträgt zwischen den ohmschen
Kontakten 8 und 9 0,13 mm. Die vertikale Abmessung zwischen der Oberfläche 2 und dem PN-Übergang
6, die den N-Bereich4 definiert, beträgt 0,076 mm und die vertikale Abmessung zwischen der
Oberfläche 3 und dem PN-Übergang 6, die den P-Bereich 5 definiert, beträgt 0,025 mm. Der Flächenkon-
takt 7 besteht aus plattiertem Nickel oder Gold oder einer Legierung, wie z.B. Lötmittel. Die Dotierung
im N-Bereich4 beträgt beispielsweise 1017 bis 1019
Störatome pro ecm, und die durchschnittliche Störstellendichte
im P-Bereich5 beträgt 1019 Störatome pro ecm. Um eine gute Injektionsleistung am
PN-Übergang 6 zu erhalten, kann eine höhere Störstellendichte im P-Bereich 5 verwendet werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
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Claims (6)
1. Verfahren zum Betrieb eines Diodenlasers, nicht ohne weiteres zu erzielen ist. Zur Behebung
dessen PN-Übergang senkrecht zur Lichtaustritts- 5 dieses Problems ist deshalb bereits vorgeschlagen
fläche und parallel zu einer an der ersten Halb- worden, einen Diodenlaser, wie eingangs erwähnt,
leiterzone angebrachten breitflächigen Elektrode mit zwei unabhängig zu betreibenden Elektroden zu
liegt und dessen zweite Halbleiterzone minde- versehen, um ein optoelektronisches Schaltglied bestens
zwei unabhängig voneinander zu betrei- reitzustellen, das z. B. nur beim Zuführen von Ströbende,
relativ kleinflächige Elektroden trägt, io men zu beiden Elektroden eine induzierte Emission
dadurch gekennzeichnet, daß an min- auslöst, da in diesem Fall der hierzu erforderliche
destens eine kleinflächige Elektrode ein gegen- Schwellenwert überschritten wird (DT-PS 1220 054).
über dem an der breitflächigen Elektrode (7) an- Eine Richtungssteuerung der Lichtabgabe ist hiermit
liegenden Potential (Masse) negatives Potential jedoch nicht ohne weiteres möglich.
angelegt wird und daß an mindestens eine der 15 Mit Hilfe der Erfindung soll nun in Behebung der
restlichen freien kleinflächigen Elektroden ein ge- obengenannten Nachteile eine andersartige Steuegenüber
dem an der breitflächigen Elektrode (7) rungsaufgabe bei einem Diodenlaser gelöst werden,
anliegenden Potential (Masse) positives Potential nämlich die in wirksamer Weise die Richtung der
zugeführt wird. vom Diodenlaser abgegebenen Ausgangsstrahlung je-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- ao weils wählbar festzulegen.
kennzeichnet, daß bestimmte Gruppen der auf Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe zur
der zweiten Halbleiterzonenoberfläche ange- Steuerung eines Diodenlasers dadurch gelöst, daß an
brachten kleinflächigen Elektroden parallel ge- mindestens eine kleinflächige Elektrode ein gegenschaltet
werden. über dem an der breitflächigen Elektrode anliegen-
3. Anordnung zur Durchführung des Verfah- 35 den Potential, negatives Potential angelegt wird und
rens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn- daß an mindestens eine der restlichen freien kleinfläzeichnet,
daß die Störstellendichte in der N-Zone chigen Elektroden ein gegenüber dem an der breitflä-(4)
kleiner ist als in der P-Zone (5). chigen Elektrode anliegenden Potential, positives Po-
4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch ge- tential zugeführt wird. Auf diese Weise wird erreicht,
kennzeichnet, daß der Querschnitt der zweiten 30 daß bei Abstrahlen in einer Richtung infolge Über-Halbleiterzone
(4, F i g. 2) zwischen je zwei klein- schreitens des kritischen Schwellenwertes an der beflächigen
Elektroden (8,9) geringer ist als unter- treffenden Stellen des Diodenlasers gleichzeitig an
halb dieser Elektroden (8,9). den anderen Stellen des Diodenlasers eine Absorp-
5. Anordnung nach Anspruch 3 oder 4, da- tionswirkung zu verzeichnen ist, da dort der
durch gekennzeichnet, daß in die zweite Halb- 35 PN-Übergang in Sperrichtung vorgespannt wird,
leiterzone (5, F i g. 3) zwischen je zwei kleinflä- In vorteilhafter Weise läßt sich die Erfindung so chigen Elektroden (8,9) eine dritte Zone (18) ho- weiterbilden, daß bestimmte Gruppen der auf der hen spezifischen Widerstandes oder entgegenge- zweiten Halbleiterzonenoberfläche angebrachten, setzten Leitfähigkeitstyps eingelassen ist. kleinflächigen Elektronen parallel geschaltet werden,
leiterzone (5, F i g. 3) zwischen je zwei kleinflä- In vorteilhafter Weise läßt sich die Erfindung so chigen Elektroden (8,9) eine dritte Zone (18) ho- weiterbilden, daß bestimmte Gruppen der auf der hen spezifischen Widerstandes oder entgegenge- zweiten Halbleiterzonenoberfläche angebrachten, setzten Leitfähigkeitstyps eingelassen ist. kleinflächigen Elektronen parallel geschaltet werden,
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 3 40 was insbesondere dann von Vorteil sein kann, wenn
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand bestimmte Vorzugsrichtungen mit Hilfe des Diodenzwischen
den Elektroden (7 und 8) ungefähr 0,1 lasers, gemäß der Erfindung, zur Laserstrahlabgabe
mm beträgt, daß der vertikale Abstand zwischen wählbar sein sollen.
der Oberfläche (2) und dem PN-Übergang (6) Dadurch, daß gemäß einem weiteren Erfindungsungefähr
0,07 mm beträgt, daß der vertikale Ab- 45 gedanken, die Störstellendichte in der N-Zone kleistand
zwischen der Oberfläche (3) und dem ner ist als in der P-Zone, läßt sich eine gute Injek-PN-Übergang
(6) ungefähr 0,025 mm beträgt, tionsleitung erzielen. Dieser Effekt läßt sich noch
daß der Flächenkontakt (7) aus plattiertem Nik- verstärken, wenn der Querschnitt der zweiten HaIbkel
oder Gold oder einer Legierung (z. B. Lötmit- leiterzone zwischen je zwei kleinflächigen Elektroden
tel) besteht und daß die Dotierung im N-leiten- 50 geringer gewählt ist, als unterhalb dieser Elektroden,
den Gebiet (4) 1017 bis 1019 Fremdatome pro cm3 Fernerhin ist es vorteilhaft, wenn vorgesehen ist,
und die durchschnittliche Dotierung im P-leiten- daß in die zweite Halbleiterzone zwischen je zwei
den Gebiet (5) 1019 Fremdatome pro cm3 beträgt. kleinflächigen Elektroden eine dritte Zone hohen
spezifischen Widerstandes oder entgegengesetzten 55 Leitfähigkeitstyps eingelassen ist.
:— Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der
folgenden Beschreibung an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb F i g. 1 einen Diodenlaser gemäß der Erfindung,
eines Diodenlasers, dessen PN-Übergang senkrecht 60 F i g. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel für einen
zur Lichtaustrittsfläche und parallel zu einer an der Diodenlaser gemäß der Erfindung,
ersten Halbleiterzone angebrachten, breitflächigen F i g. 3 ein drittes Ausführungsbeispiel für einen
ersten Halbleiterzone angebrachten, breitflächigen F i g. 3 ein drittes Ausführungsbeispiel für einen
Elektrode liegt und dessen zweite Halbleiterzone erfindungsgemäßen Diodenlaser,
mindestens zwei unabhängig voneinander zu betrei- Fig.4 ein viertes Ausführungsbeispiel für einen
mindestens zwei unabhängig voneinander zu betrei- Fig.4 ein viertes Ausführungsbeispiel für einen
bende, relativ kleinflächige Elektroden trägt. 65 Diodenlaser gemäß der Erfindung,
Optoelektronische Festkörper, wie Diodenlaser, in Fig.5 ein erstes Anwendungsbeispiel des erfin-
denen durch Injektion und anschließende Trägerre- dungsgemäßen Diodenlasers zur wählbar gerichteten
kombination in einem Halbleiter Licht erzeugt wird, Lichtabgabe,
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Publication Number | Publication Date |
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3675161A (en) * | 1968-10-12 | 1972-07-04 | Matsushita Electronics Corp | Varactor-controlled pn junction semiconductor microwave oscillation device |
FR1593679A (de) * | 1968-11-27 | 1970-06-01 | ||
US3952265A (en) * | 1974-10-29 | 1976-04-20 | Hughes Aircraft Company | Monolithic dual mode emitter-detector terminal for optical waveguide transmission lines |
NL7801181A (nl) * | 1978-02-02 | 1979-08-06 | Philips Nv | Injectielaser. |
US4281253A (en) * | 1978-08-29 | 1981-07-28 | Optelecom, Inc. | Applications of dual function electro-optic transducer in optical signal transmission |
US4349906A (en) * | 1979-09-18 | 1982-09-14 | Xerox Corporation | Optically controlled integrated current diode lasers |
US4747107A (en) * | 1985-09-06 | 1988-05-24 | Bell Communications Research, Inc. | Single mode injection laser |
DE3719868A1 (de) * | 1987-06-13 | 1988-12-22 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Laserdiode |
US4789843A (en) * | 1987-07-28 | 1988-12-06 | Hicks John W | Laser diode optical modulating devices |
US4878222A (en) * | 1988-08-05 | 1989-10-31 | Eastman Kodak Company | Diode laser with improved means for electrically modulating the emitted light beam intensity including turn-on and turn-off and electrically controlling the position of the emitted laser beam spot |
JPH06222087A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 電圧検出装置 |
JP5735216B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3257626A (en) * | 1962-12-31 | 1966-06-21 | Ibm | Semiconductor laser structures |
US3290539A (en) * | 1963-09-16 | 1966-12-06 | Rca Corp | Planar p-nu junction light source with reflector means to collimate the emitted light |
-
1964
- 1964-05-01 US US364194A patent/US3518574A/en not_active Expired - Lifetime
-
1965
- 1965-03-26 GB GB13072/65A patent/GB1062725A/en not_active Expired
- 1965-04-24 DE DE1489344A patent/DE1489344C3/de not_active Expired
- 1965-04-28 SE SE5592/65A patent/SE311407B/xx unknown
- 1965-04-29 NL NL656505576A patent/NL144789B/xx unknown
- 1965-05-03 CH CH614865A patent/CH435478A/de unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1489344C3 (de) | 1975-06-12 |
US3518574A (en) | 1970-06-30 |
SE311407B (de) | 1969-06-09 |
NL144789B (nl) | 1975-01-15 |
NL6505576A (de) | 1965-11-02 |
CH435478A (de) | 1967-05-15 |
DE1489344A1 (de) | 1969-04-03 |
GB1062725A (en) | 1967-03-22 |
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E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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