Transistor mit vorwiegend rechteckiger Struktur Die Erfindung betrifft
einen Transistor mit vorwiegend recht.-eokiger Struktur und mit einem kammförmig
ausgebildeten Emittergebiet sowie kammförmig ineinandergreifenden, die Oberfläche
des Emitter- und Basisgebieteo jeweils zusammenhängend mindestens teilweise bedeckenden
Bmitter- und Bagiskontaktgebieteo, Es ist bekannt, daß die verschiedenen leitfähigkeitagebiete
einer Halbleiteranordnung, z.B. das Emitter- und Basiogebiet eines Transistorot
mit die Oberfläche dieser Gebiete mindestens teilweise bedeckenden Kontaktgebieten
versehen sein müßen, die der Stromzuführung dienen, Es ist ferner bekannt, daß bei
Tranaistoren für höhere Strombelastung die Emittergebiete großflächig ausgebildet
werden mäßen. Da nun aber infolge des Stromverdrängungseffektes am Entitter bei
höheren Strömen nur die Randzonen des Emittergebietes wirksam sind, wurde
bereits vorgesohlagen,-die Emittergebiete so auszubilden, daß man eine auf ihre
Ausdehnung bezogen möglichst große Kantenlänge erhält, So wurden z.B, der Emitter
und das Emitterkontaktgebiet in Form mehrerer langgestreokter, such kreisförmig
gebogener Streifen angeordnet, zu deren beiden Seiten Basiakontaktstreifen angebracht
wurden.The invention relates to a transistor with a predominantly rectangular structure and with a comb-shaped emitter area as well as comb-shaped interlocking, the surface of the emitter and base areas each contiguously at least partially covering the emitter and bagis contact areas. It is known that the Different conductivity areas of a semiconductor arrangement, e.g. the emitter and base area of a transistor, have to be provided with contact areas which at least partially cover the surface of these areas and which are used for power supply. However, since only the edge zones of the emitter area are effective due to the current displacement effect at the emitter at higher currents, it has already been planned to design the emitter areas in such a way that one obtains an edge length that is as large as possible in relation to their extension, for example, the emitter and the emitter contact area arranged in the form of several elongated, such circularly curved strips, on both sides of which base contact strips were attached.
Um nicht mehrere jeweils voneinander getrennte EmUer- und Basiskontaktgebiete
mit Stromzuführungen versehen zu müßen, wurde auch bereits vorgeschlagen, mehrere
derartige Streifen kammförmig zusammenzufassen, wobei bei Emitter- und Baoiokontakt
jeweils ein zusammenhängendes Gebiet entstehen soll, auf dem eine Stromzuführung
möglichst günstig angebracht werden kann, Dies ist für die Erzielung kleiner Bahnwiderstände
im Transistor erforderlich. insbesondere sind Kamm- und Doppelkammanordnungen bekannt,
die symmetrisch zu einer Seitenhalbierenden der rechteckigen Oberfläche des Transistors
ausgebildet sind.
Bei derartigen Anordnungen sind jedoch die zum
großflächigen Anbringen von Stromzuführungen vorgesehenen Gebiete ungünstig geformt,
oder es muß die Gesamtkontaktfiäohe und damit auch das Bmittergebiet so groß gewählt
werden, daß ungünstige Wirkungen auf andere Transistoreigenschaften, z.B. die Kollektorkapazität,
folgen, Auch Yrd bei solchen Anordnungen entweder die auf die Ausdehnung des Emittergebietes
bezogene Kantenlänge zu klein, oder die Strompfade im Kontaktgebiet werden unzweckmäßig
lang was zu ungünstigem Stromverstärkungaverhalten oder erhöhten Bahnwiderständen
im Transistor führt. Aufgabe der Erfindung ist es nun, das kammförmige Bmittergebiet
und die entsprechenden kammförmigen Emitter- und Basiskontaktgebiete so zu gestalten,
daß bei möglichst klein zu haltendem Emittergebiet und großer auf das Emittergebiet
bezogener Kantenlänge sowie möglichst kurzen Strompfaden im jeweiligen Kontaktgebiet
die Kontaktgebiete jeweils ein für das Anbringen der Stromzuführungen genügend großflächiges
und günstig geformtes Teilgebiet aufweisen, Erfindungsgemäß wird daher vorgeschlagen,
vorwiegend rechteokige Teilgebiete des Emitter- bzw. Bmitterkontaktgebietes und
des Basiskontaktgebietes symmetrisch zur Flächendiagonalen der Transistoeoberfläche
anzuordnen, wie es beispielsweise aus der Figur erdiohtlich ist. Eine derartige
Anordnung bietet den Vorteil, Stromzuleitungen großflächig, z.B, durch Löten, anbringen
zu können, wobei außerdem die Strompfade im Kontaktgebiet kurz und weiterhin
die Gesmtfläohe bei großer Kantenlänge verhältnismäßig klein gehalten werden. Die
Erfindung soll an einem Ausführungsbeihpiel gemäß der Figur näher erläutert werden,
Die Figur zeigt die Draufsicht auf einen Transistor gemäß der Erfindung. Das das
Emittergebiet nahezu bedeckende Emitterkontaktgebiet 1 ist von dem Basiskontaktgebiet
2 umgeben. Die Struktur ineinandergreifender Kämme ist so ausgebildet, daß symmetrisch
zur Flächendiagonale der Transistoroberfläohe liegende rechteckige Flächen 3 entstehen,
die für das
Anbringen großfläohiger StromzußUhrungen gut geeignet sind.
Die Strompfade wie z.B. # sind kurz, die Kantenlänge auf
die
Ylgohe bezogen groß,
Die Herstellung von Transistoren mit der erfindungsgemäßen
Ausbildung der Imitter- und Basiskontaktgebiete kann
teohno-
logisoh in itblioher Weise erfolgeng s.B. duroh Vakuumbe--
dampfen oder auoh duroh elektroohemisohes Absoheiden unter
Be-.
nutsung von Banken.
In order not to have to provide several separate EmUer and base contact areas with power leads, it has also already been proposed to combine several such strips in a comb shape, with the emitter and Baoio contact each creating a coherent area on which a power lead can be attached as cheaply as possible, This is necessary to achieve small track resistances in the transistor. In particular, comb and double comb arrangements are known which are symmetrical about a bisector of the rectangular surface of the transistor. In such arrangements, however, the areas provided for the large-area attachment of power leads are unfavorably shaped, or the total contact area and thus also the transmitter area must be selected so large that adverse effects on other transistor properties, e.g. the collector capacitance, follow, including Yrd in such arrangements either the edge length related to the extent of the emitter area is too small, or the current paths in the contact area are inexpediently long, which leads to unfavorable current amplification behavior or increased sheet resistances in the transistor. The object of the invention is to design the comb-shaped emitter area and the corresponding comb-shaped emitter and base contact areas in such a way that with the emitter area to be kept as small as possible and with a large edge length related to the emitter area and the shortest possible current paths in the respective contact area, the contact areas each have one for attachment the power supply lines have sufficiently large and favorably shaped subareas, according to the invention it is therefore proposed that predominantly rectangular subareas of the emitter or emitter contact area and the base contact area be arranged symmetrically to the diagonal of the transistor surface, as can be seen from the figure, for example. To be able to attach by brazing, such an arrangement offers the advantage of current leads over a large area, for example, in which also the current paths in the contact region further, the Gesmtfläohe be kept relatively small at a large edge length and short. The invention will be explained in more detail using an exemplary embodiment according to the figure. The figure shows the top view of a transistor according to the invention. The emitter contact region 1, which almost covers the emitter region, is surrounded by the base contact region 2. The structure of interlocking combs is designed so that symmetrical to the diagonal of the transistor surface lying rectangular surfaces 3 arise, which for the Attaching large-area power supply clocks are well suited.
The current paths such as # are short, the edge length to the
Ylgohe covered large,
The manufacture of transistors with the inventive
Training of the central and basic contact areas can teohno-
logisoh done in an Italian wayg sB duroh vacuum
steam or auoh duroh electroohemisohes Absoheiden under loading.
nutsung of banks.