DE1764920A1 - Semiconductor bridge rectifier and method of manufacture - Google Patents
Semiconductor bridge rectifier and method of manufactureInfo
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Description
Halbleiter-Brückengleichrichter und Verfahren für Herstellung Die Erfindung bezieht sich auf einen Iialbleiter-Brückengleichrichter, der vorzugsweise mit Kunststoff umgeben ist.Semiconductor bridge rectifier and method for making die The invention relates to an Iialleitern bridge rectifier, which is preferably is surrounded with plastic.
In Kunststoff eingebettete Halbleiter-Brückengleichrichter sind an sich bekannt. Dabei sind die Brückengleichrichterelemente einzeln aus gleichmässig geformten Blechen hergestellt die kammartige Gestalt aufweisen und auf ihrer Oberfläche Dioden tragen, die miteinander hzw. ihren elektT4_ r -1 r.-achlüssen über Blechstreifen, Drähte ode, dergleichen verbunden sind, wobei jedes Gleichrichter-Element einzeln kontaktiert und anachliesqend mit Kunststoff. umgeben wird.Semiconductor bridge rectifiers embedded in plastic are on known. The bridge rectifier elements are individually uniform formed sheets are made to have the comb-like shape and on their surface Wear diodes that hzw together. your elektT4_ r -1 r.-connections via sheet metal strips, Wires or the like are connected, each rectifier element individually contacted and subsequently with plastic. is surrounded.
Derartig hergestellte Brückixgleichrichter sind aufwendig und nicht rationell herr"s@---llen, ausserdem weisen sie den erheblichen Nachteil schiechter Wärmeableitung auf.Bridge rectifiers produced in this way are expensive and not rational, and they also have the considerable disadvantage of poor heat dissipation.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Brückengleichrichter zu besitzen, der in grossen Stückzahlen aneinandergereiht herstellbar ist und gute Wärmeleiteigenschaften aufweist. Erfindungsgemäss wird dies dadurch erreicht, dass eine Vielzahl Trägerbleche für die Halbleiterdioden der BrÜckengleichrichter gemeinsam aus einem Blechstreifen hergestellt werden und nach dem Aufbringen der Dioden derart geprügt und gefalzt werden, dass die mit der Diode zu kontaktierenden Bleche direkt über der Diode zu liegen kommen. Die Erfindung ist nachstehend anhand einer in den Abbildungen dargestellten Ausführungsform näher erläutert. The invention is based on the object of having a bridge rectifier which can be produced in large numbers in a row and which has good thermal conductivity properties. According to the invention, this is achieved in that a large number of carrier sheets for the semiconductor diodes of the bridge rectifier are made together from a sheet metal strip and, after the diodes have been applied, are checked and folded in such a way that the sheets to be contacted with the diode come to lie directly above the diode. The invention is explained in more detail below with reference to an embodiment shown in the figures.
Es zeigt: Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Trägerblech, Fig. 2 eine Seitenansicht der Fig. 1, Fig. 3 die Fig. 1 und 2 nach dem Biegen und Falzen und Fig. 4 eine Seitenansicht der Fig. 3 Die Fig. 1 zeigt ein Trägerblech für einen Halbleiter-Brückengleichrichtera, das derart ausgebildet ist, dass von seiner Basis 1 aus ein T-förmigen Mittelstück 2, das von zwei ebenfalls von der Basis 1 ausgehenden Rechtecken 3 flankiert ist und in den zwischen diesen beiden Rechtecken und dem seitlich von der Basis 1 ausgehenden, die beiden Rechteckexl 3 und das T-förmige Mittelstück 2 umfassenden rahmenartigen Fortsatz verbleibenden Zwischenraum hineinragt. Der rahmen- artige Fortsatz 4 weist zwei kantenartige Ansätze 4a und 4b auf, berührt jedoch die beiden Rechtecke 3 und das T-förmige Mittelstück 2 nichts Die beiden Rechtecke 3 tragen an ihrem oberen freien Ende rechts und links je eine Diode 5, 6, ? und B. Nachdem die Dioden aufgebracht sind, wird das T-förmige Mittel- stück 2, sowie der rahmenartige Fortsatz 4 an der mit A bezeich;Neten Steile abgebogen und derart gefalzt, dann der Querbalken des T-förmigen Mittelstücken 2, sowie die kanten- artigen Knsätze 4+a und 4b des rahmenartigen Fortaatzes 4 auf die Dioden j= 6, 7 und 8 zu liegen kommt, sodann die Dioden kontaktiert werden können. Die Basis 1 wird derart ausgestanzt, dass die elektrischen Anschlüsse -, +,^'# - verbleiben. 1 shows a top view of a carrier plate, FIG. 2 shows a side view of FIG. 1, FIG. 3 shows FIGS. 1 and 2 after bending and folding, and FIG. 4 shows a side view of FIG. 3 FIG. 1 shows a carrier plate for a semiconductor bridge rectifier, which is designed in such a way that from its base 1 a T-shaped center piece 2, which is flanked by two rectangles 3 also starting from the base 1 and in the rectangles 3 between these two rectangles and the side protruding from the base 1 , the two rectangles 3 and the T-shaped center piece 2 comprehensive frame-like extension remaining space. The frame- like extension 4 has two edge- like extensions 4a and 4b, but does not touch the two rectangles 3 and the T-shaped center piece 2. The two rectangles 3 have a diode 5, 6,? and B. After the diodes have been applied, the T-shaped middle piece 2, as well as the frame-like extension 4 at the point marked with A , are bent and folded in this way, then the crossbar of the T-shaped middle piece 2 and the edges - like Knsätze 4 + a and 4b of the frame-like Fortaatzes 4 to the diodes j = 6, comes to rest 7 and 8, then the diodes can be contacted. The base 1 is punched out in such a way that the electrical connections -, +, ^ '# - remain.
Zur Herstellung des Brückengleichrichters gemäss der Erfindung können geätzte, mit Schutzschicht versehene Dioden mit dem Trägerblech verlötet und der solcherart hergestellte Brücken- gleichrichter mit Kunststoff umgeben werden, wobei eine beliebige Anzahl von Trägerblechen aneinandergereiht bearbeitet werden können. Anstelle der geätzter:, mit Schutzschicht versehenen Diodeng können auch ungeätzte Dioden verwendet werden, die anschliessend zusammen mit den Blechen geätzt und mit Schutzbedeckung versehen werden. Das Umgeben mit Kunststoff wird wieder anschliessend vorgenommen. Die Trägerbleche können sowohl mit normalen als auch mit Steckanschlüssen versehen werden. To produce the bridge rectifier according to the invention, etched diodes provided with a protective layer can be soldered to the carrier plate and the bridge rectifier produced in this way can be surrounded with plastic, with any number of carrier plates being machined in a row. Instead of the etched diodes provided with a protective layer, non-etched diodes can also be used, which are then etched together with the metal sheets and provided with a protective cover. The plastic is then surrounded again. The carrier plates can be provided with both normal and plug-in connections.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19681764920 DE1764920A1 (en) | 1968-09-04 | 1968-09-04 | Semiconductor bridge rectifier and method of manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19681764920 DE1764920A1 (en) | 1968-09-04 | 1968-09-04 | Semiconductor bridge rectifier and method of manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1764920A1 true DE1764920A1 (en) | 1971-12-02 |
Family
ID=5698196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681764920 Pending DE1764920A1 (en) | 1968-09-04 | 1968-09-04 | Semiconductor bridge rectifier and method of manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1764920A1 (en) |
-
1968
- 1968-09-04 DE DE19681764920 patent/DE1764920A1/en active Pending
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