DE1464711B2 - Diodenlaser - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Diodenlaser, dessen Elektroden zum Injizieren eines Stromes über den PN-Übergang eines Halbleiters mit direktem Übergang sich im wesentlichen parallel zur PN-Übergangsfläche erstrecken und der zwei einander parallel gegenüberliegende, optisch ebene und reflektierende bzw. teildurchlässige Begrenzungsflächen in einem Winkel von 90° zur PN-Übergangsfläche aufweist.

Die Wirkungsweise optischer Maser oder Laser beruht im allgemeinen auf der Herbeiführung einer künstlichen Verteilung der Elektronen mit Hilfe einer Pumpenenergie auf andere Energieniveaus als es bei einer natürlichen Verteilung der Fall ist. Dies führt zu einem größeren Anteil vollbesetzter Energiezustände auf höheren als bei niedrigeren Niveaus. Dieser Zustand ist als Inversion der Besetzung bekannt. Die im Material bei künstlicher Verteilung vorhandenen Elektronen geben schließlich unter Übergang zu einem niedrigeren Energieniveau ihre Energie wieder ab. Die hierbei freiwerdende Energie äußert sich in elektromagnetischer Strahlung, bei der es sich meistens um sichtbares oder infrarotes Licht handelt.
Bei bekannten Lasern wird entweder ein Gas, ζ. Β.

¹S eine Mischung aus Helium und Neon, oder ein Festkörper, z. B. aus Aluminiumoxyd oder Kalziumfluorid verwendet, in welche geeignete Störstellen, wie z.B. Chrom oder dreiwertiges Uran, eingebracht sind, die auf die Pumpenenergie ansprechen und die Inversion der Elektronenbesetzung zwischen einem angeregten Zustand und einem niedrigen Energieniveau der Störstellen gestatten. Bei strahlendem Übergang in das niedrigere Niveau geben die Elektronen Lichtquanten oder Photonen ab. Wenn die Photonen dicht genug sind, erhöht sich die Wahrscheinlichkeit eines strahlenden Überganges, so daß bei Bestehen einer Inversion Wellenmoden, in die die Photonen emittert werden, ihrerseits Emission induzieren. Dieser Vorgang ist als induzierte Strahlungsemission bekannt und hat eine Verringerung der Emissionslinienbreite des abgestrahlten Lichts zur Folge. In bekannten Lasern wird also elektrische Energie in optische Energie, Pumplicht oder elektrische Entladung umgesetzt, um diese ihrerseits dazu zu benutzen, die Inversion im Gas oder Festkörper herbeizuführen.

Es hat sich gezeigt, daß optische Laserwirkung oder induzierte Strahlungsemission in einem geeigneten Festkörpermaterial dadurch herbeigeführt werden kann, daß Ladungsträger mit ausreichender Geschwindigkeit injiziert werden, um anschließend Rekombination zu erhalten. Wird eine bestimmte Ladungsträger-Geschwindigkeit erreicht, dann erfolgt hierdurch eine Einengung der Emissionslinienbreite für die Ausgangsstrahlung. Die Strahlungsemission wird in einem Festkörper mit Bandabstand induziert, indem ein strahlender Energieübergang dann erfolgt, wenn infolge der Ladungsträgerinjektion mit einer Dichte, die groß genug ist, um Verluste im Festkörper ausgleichen zu können, durch Rekombination Energie frei wird.

So hat sich ergeben, daß ein Halbleiterbauelement dadurch zur induzierten Strahlungsemission veranlaßt werden kann, wenn ein in einem direkten Halbleiter enthaltener PN-Übergang in geeigneter Weise in Durchlaßrichtung vorgespannt wird und die Stromdichte für injizierte Ladungsträger einen vorgegebenen Schwellenwert überschreitet, um verschiedene nichtstrahlende Elektronenrekombinations- und sonstige Strahlungsverlustmechanismen im Halbleiter ausgleichen zu können. Sind diese Bedingungen erfüllt, dann zeigt sich im Spektrum der Ausgangsstrahlung als Ergebnis freiwerdender Energie infolge Rekombination der injizierten Ladungsträger eine einzige scharfe Emissionslinie, die alles andere überragt. Während in der Veröffentlichung von W. P. Dumke in »Physical Review«, Bd. 127, Heft 5, 1. September 1962, Seiten 1559 bis 1563 die theoretischen Voraussetzungen zum Betrieb eines Diodenla-

sers angegeben sind, wird in der USA.-Patentschrift 3 059117 die Verwendung einer Halbleiterdiode als Laser angeregt, die bei Injektion von Minoritätsträgern bzw. Elektronen über den PN-Übergang zwischen Zonen unterschiedlicher Störstellenkonzentration induzierte Emission herbeiführen soll; Maßnahmen jedoch, die hierzu dienlich sind, insbesondere hinsichtlich des erforderlichen Halbleiters und der Dichte des Injektionsstromes, sind nicht aufgeführt.

Die Aufgabe der Erfindung besteht nun darin, einen Diodenlaser der vorgenannten Art zu verbessern, daß der Schwellenwert der Stromdichte zum Herbeiführen der Inversion auf einen niedrigeren Wert herabgedrückt wird.

Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die Ausdehnung der PN-Übergangsfläche zwischen den reflektierenden bzw. teildurchlässigen Begrenzungsflächen zumindest zehnmal so groß ist wie die in hierzu senkrechter Richtung.

Es ist zwar aus der bereits genannten USA.-Patentschrift 3 059117 ein mit einer Lichtquelle gepumpter Halbleiterlaser bekannt, bei dem die Ausdehnung des Halbleiterkristalls zwischen den reflektierenden bzw. teildurchlässigen Begrenzungsflächen um das 2,5-fache größer ist als in hierzu senkrechter Richtung, jedoch ist dies dort nicht als Maßnahme, den zur Erzeugung von Laserstrahlung erforderlichen Schwellenwert der Pumpenergie herabzusetzen, vorgesehen; ganz abgesehen davon, daß mit einem solchen Größenverhältnis auch keine optimale Wirkung erzielt werden kann.

Der Diodenlaser gemäß der Erfindung besitzt nicht nur einen geringeren Schwellenwert als bisher erforderlich, sondern es läßt sich darüber hinaus auch dank der erfindungsgemäßen Maßnahmen eine erhöhte Linienverengung in der Ausgangsstrahlung herbeiführen. Insgesamt gesehen ergibt sich mit HiKe der Erfindung ein Diodenlaser, der einen niedrigeren Strombedarf für die Inversion aufweist, und bei dem damit zwangläufig die entstehende Verlustwärme herabge- *° setzt ist.

In vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung erstrecken sich die Elektroden über die gesamte Länge und Breite des quaderförmig ausgebildeten Halbleiters. Dies ist u. a. dadurch möglich, daß die reflektierenden bzw. teildurchlässigen Begrenzungsflächen jeweils durch ein geschichtetes Dielektrikum gebildet werden. Dies ergibt dann den weiteren Vorteil, daß ungeachtet des PN-Übergangs jeweils die gesamte Endfläche des Halbleiterquaders für die Reflexion zur Verfügung stehen kann; womit zusätzlich der ganz erhebliche Vorteil verbunden ist, der im übrigen allgemein bei Anwendung stark reflektierender Endflächen gilt, daß allein schon durch diese Maßnahme der Schwellenwert stark herabgedrückt wird. Die teilweise reflektierende Beschichtung der reflektierenden Endflächen eines Diodenlasers, nämlich jeweils für ein und dieselbe Halbleiterzone, ist bereits in der obengenannten USA.-Patentschrift 3 059117 vorgeschlagen. Dies hat offensichtlich jedoch den Nachteil, daß nicht jeweils die gesamte zur Verfügung stehende Endfläche zur Wirkung kommen kann.

Allgemein ist es außerdem besonders vorteilhaft, wenn alle Längsflächen des Quaders absorbierend oder stark lichtdurchlässig ausgebildet sind.

Werden zur Bildung reflektierender Endflächen des Halbleiterquaders metallische Beschichtungen verwendet, dann lassen sich bei nahezu sich gänzlich über die betreffenden Halbleiteroberflächen erstrekkenden Elektroden die oben beschriebenen Vorteile gemäß einem weiteren Erfindungsgedanken auch herbeiführen, und zwar wenn jeweils als Zwischenschicht ein Dielektrikum aufgebracht ist, dessen Brechungsindex zumindest von gleicher Größenordnung wie die des Halbleiter kristalle ist.

Die Verwendung möglichst ausgedehnter Elektroden ist im übrigen deshalb vorteilhaft, weil damit eine weitere Möglichkeit zur besseren Kühlung des Diodenlasers zur Hand gegeben ist, indem die Elektroden nämlich gleichzeitig als Wärmesenke Verwendung finden können.

Soll es vermieden werden, daß sich der PN-Übergang bis zu den reflektierenden Endflächen erstreckt, wobei aber trotzdem möglichst große Elektrodenflächen verwendet werden sollen, dann kann gemäß einem weiteren Erfindungsgedanken der PN-Übergang so ausgebildet sein, daß er kurz vor den eine metallische Beschichtung tragenden Begrenzungsflächen nach unten oder oben abgebogen ist. Dabei ist gewährleistet, daß die Elektrodenflächen noch in hinreichendem Maße die betreffenden Halbleiterflächen abdecken.

Um in vorteilhafter Weise eine noch schärfere Bündelung des Ausgangsstrahls herbeizuführen, ist in vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung vorgesehen, daß der Halbleiterquader an einem Ende in einen lichtdurchlässigen Stab übergeht, dessen Substanz eine Dielektrizitätskonstante besitzt, die mindestens nahezu gleich der des Halbleiters ist. Am freien Ende dieses Stabes befindet sich dann eine der reflektierenden bzw. teildurchlässigen Schichten.

Soll der Diodenlaser gemäß der Erfindung unter Einwirken eines Kühlmittels betrieben werden, dann ist in vorteilhafter Weise eine Elektrode durch mehrere Teilelektroden dargestellt, die jeweils am Boden von Ausnehmungen der zugeordneten Halbleiterzone derart untergebracht sind, daß sich dem Kühlmittel eine möglichst große Halbleiteroberfläche bietet.

Der erfindungsgemäße Diodenlaser läßt sich also vorteilhaft hinsichtlich der Wärmeabführung gestalten und unter wesentlich herabgesetzter Entwicklung von Verlustwärme betreiben.

Die Erfindung wird anschließend an Hand von Ausführungsbeispielen mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 in perspektivischer Ansicht eine Prinzipdarstellung des erfindungsgemäßen Diodenlasers,

Fig. 2 einen Schnitt durch den Diodenlaser nach Fig. 1 in der Ebene 2-2,

Fig. 3 ein Diagramm, in dem die Lichtintensität der Maximumslinie in Abhängigkeit von der Stromdichte der injizierten Ladungsträger für verschiedene Schwellenwerte aufgetragen ist,

Fig. 4 ein Diagramm zur Darstellung der Linienbreite der Ausgangsstrahlung in Abhängigkeit vom injizierten Strom,

Fig. 5,6,7,8 und 9 Ausführungsbeispiele des Diodenlasers gemäß der Erfindung.

Die Vorrichtung nach Fig. 1 besteht aus einem Halbleiterkristall 10, in dem ein PN-Übergang 12 eine P-Zone 14 von einer N-Zone 16 trennt. Eine erste Elektrode 18 ist auf der P-Zone 14 angebracht, und eine zweite Elektrode 20 befindet sich auf der N-Zone 16. Bei den Elektroden 18 und 20 handelt es sich vorzugsweise um Metallbleche, deren ebene Oberflächen parallel und poliert sind. Das Bauelement ist so auf ge-

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baut, daß die Ebene des PN-Übergangs im wesentlichen parallel zu den Elektroden 18 und 20 liegt und daß alle Oberflächen des Halbleiters 10 vorzugsweise in einem Winkel von 90° zueinander stehen. Die Endflächen 22 und 24 sowie die Seitenflächen 26 und 28 liegen also jeweils parallel zueinander, und sich darüber hinaus optisch eben. Die Elektroden 18 und 20 sind über eine veränderbare Reihenimpedanz 32 und einen Schalter 34 mit einer als Batterie 30 dargestellten Stromquelle verbunden, zu dem Zweck, wahlweise an den PN-Übergang 12 eine bestimmte Vorspannung in Durchlaßrichtung anzulegen, die eine über einem Schwellenwert liegende Stromdichte über den PN-Übergang hervorruft.

Fig. 2 zeigt die Fläche des PN-Ubergangs, welche die Breite W und die Länge L aufweist, wobei L mindestens lOmal so groß wie W ist.

Im Betriebszustand des in Fig. 1 prinzipiell dargestellten Bauelements werden beim Schließen des Schalters 34 infolge der Wirkung der injizierten Ladungsträger Photonen erzeugt. Die so erzeugten Photonen wandern in einem relativ dünnen Laser von ihrem jeweiligen Entstehungsort aus entlang des PN-Übergangs in viele verschiedene Richtungen, um das durch angeregte Strahlungsemission erzeugte Licht von den End- und Seitenflächen 22, 24, 26 und 28 des Halbleiterkristalls 10 abzustrahlen. Infolge der geometrischen Form des PN-Ubergangs 12 werden jedoch Lichtstrahlen, die sich parallel zur Ebene des PN-Übergangs 12 und senkrecht zu den optisch ebenen Endflächen 22 und 24 ausbreiten, begünstigt, was zur Folge hat, daß, wie durch die Pfeile 36 angedeutet, stark gebündelte Lichtstrahlen von den Endflächen 22 und 24 ausgesendet werden. Diese so ausgewählten Strahlungsarten werden mit Größerwerden des Verhältnisses von L zu W sowie dann, wenn alle Seitenflächen absorbiert oder stark lichtdurchlässig gemacht werden, immer mehr begünstigt. Da die Endflächen 22 und 24 optisch eben sind, wird ein beträchtlicher Anteil, nämlich 30 bis 40 %, der auf sie aus dem Halbleiter 10 gelangenden Strahlung an diesen Endflächen 22,23 reflektiert. Es wird also bei diesem Bauelement ein optischer Resonanz-Hohlraum mit stehenden Wellen gebildet, wenn er durch die im Diodenlaser induzierte Strahlungsemission angeregt wird.

Die Endflächen 22 und 24 und die Seitenflächen 26 und 28 können durch an sich bekannte Verfahren, z. B. durch Schleifen und Polieren, optisch eben und parallel zueinander gemacht werden; in vorteilhafter Weise jedoch kann dies mittels eines an anderer Stelle bereits vorgeschlagenen Abspaltungsverfahrens durchgeführt werden. Bei diesem Abspaltungsverfahren ergeben sich kristalline Gebilde mit hochpräzisen, optisch flachen Seiten von bestimmter Form und mit festgelegten Abmessungen, indem der Kristall auf einen möglichst großen Bereich einer kristallographischen Fläche, die senkrecht zu einer kristallographischen Ebene mit minimaler Bindung steht, aufgelegt wird und dann anschließend eine Spaltungskraft entlang der kristallographischen Ebene mit minimaler Bindung zur Anwendung gebracht wird. Soll z. B. ein rechtwinkliger Parallelepiped-Kristallkörper aus Galliumarsenid hergestellt werden, dann wird der Ursprungs-Kristallkörper parallel zu seiner kristallographischen [100]-Fläche gehaltert, und die Abspaltungskraft wird senkrecht zur kristallographischen [100]-Fläche entlang der kristallographischen [HO]-Ebene des ursprünglichen Galliumarsenidkristalls ausgeübt.

Die zwischen den zwei Endflächen 22 und 24 sich ausbildende Strahlungsart wird nicht nur deswegen begünstigt, weil die optisch ebenen Endflächen 22 und 24 für diese Strahlungsart einen optischen Resonanz-Hohlraum bilden, sondern auch, weil die sich senkrecht zu den Endflächen 22 und 24 ausbreitende Strahlung in einem relativ großen Zeitintervall eine weitere Photonen-Emission induzieren kann, wenn diese wiederholt zwischen den Endflächen 22 und 24 hin- und herwandern. Es ergibt sich also, daß diese so bevorzugte Strahlungsart zu einer induzierten Emission bei relativ niedrigen Stromdichteschwellen führt, da der größte Teil der durch die injizierten La-

^X5 dungsträger zugeführten Energie diesen Vorgang nur noch fördert.

Relative Stromdichteschwellenwerte für an anderer Stelle vorgeschlagene Diodenlaser und für die gemäß der Erfindung lassen sich der Fig. 3 entnehmen. Die hier gezeigte Kurve 38 stellt die Intensität des Linienmaximums in der Ausgangsstrahlung in Abhängigkeit von der Stromdichte der injizierten Ladungsträger bei Diodenlasern ohne Resonanzeffekt dar. Diese Kurve 38 ist nahezu linear bei niedrigen Stromdichten, aber bei höheren Stromdichten wird der Verlauf plötzlich äußerst steil, so daß sich hiermit ein Schwellenwert für induzierte Strahlungsemission ergibt. Bei diesem Schwellenwert wird die Linienbreite plötzlich enger, und bei weiterer Stromzunahme herrscht dann diese schmale Emissionslinie gegenüber allen anderen Linien vor. Die Verschmälerung der Emissionslinienbreite bei Diodenlasern ohne Resonanzwirkung ist auch der Kurve 40 in F i g. 4 zu entnehmen, wo generell die Emissionslinienbreite in halber Höhe einer Linie dargestellt und mit AE bezeichnet ist. Der steile Abfall der Kurve 40 liegt bei Stromdichten in der Größenordnung von 10⁴bis 10⁵ A/cm². Bei Diodenlasern gemäß vorliegender Erfindung wird dieser Schwellenwert für induzierte Strahlungsemission beträchtlich reduziert, wie der Kurve 42 in Fig. 3 zu entnehmen ist. Die plötzliche Verringerung der Emissionslinienbreite wird hier schon bei Stromdichten erreicht, die wesentlich unter 10⁴ A/cm² liegen (Kurve 44 in Fig. 4).

Es ist schon erwähnt worden, daß die Seitenflächen 26 und 28 optisch eben und parallel zueinander sein können; dies hat aber dann zur Folge, daß ein entsprechender Wellentyp zwischen den Seitenflächen 26 und 28 erzeugt wird. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß so zwar ein Wellentyp zwischen den Seitenflächen 26 und 28 entsteht, daß aber der Schwellenwert für induzierte Strahlungsemission, oberhalb dessen sich ein relativ intensives Licht durch die Seitenflächen 26 und 28 ausbreiten kann, hierbei beträchtlich höher ist als der Schwellenwert von Diodenlasern ohne Resonanzeffekt, wie Kurve 46 in F i g. 3 und Kurve 48 in F i g. 4 zeigen. Dieser höhere Schwellenwert ist verständlich, da ein großer Anteil der durch die injizierten Ladungsträger erzeugten Energie zur Begünstigung der Strahlungsart zwischen den Endflächen 22 und 24 dient.

Das in Fig. 5 gezeigte Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Diodenlasers ist gegenüber Fig. 1 zusätzlich mit einem auf die Endflächen 22 und 24 aufgebrachten ersten und zweiten reflektierenden Film oder schichtartigen Überzug 50 und 52 versehen. Die Schicht 50 ist so beschaffen, daß 1 bis 10 % der sich aus dem Kristall 10 ausbreitenden Strahlung

durchgelassen wird, während der Rest reflektiert wird. Die Schicht 52 soll möglichst vollständig reflektierend sein. Die Schichten 50 und 52 dürfen natürlich keine elektrisch leitenden Überzüge sein, da sonst ein Kurzschluß über den Halbleiter herbeigeführt würde. Ein inhomogener geschichteter dielektrischer Film erfüllt z. B. die Bedingungen. Durch die zusätzlichen reflektierenden Überzüge wird natürlich die Güte Q des Resonanz-Hohlraumes zwischen den Endflächen 22 und 24 vergrößert.

Fig. 6 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Lasers, bei dem die metallischen, reflektierenden Schichten 54 und 56 durch geeignete Isolierschichten 58 bzw. 60 vom Halbleiterkörper elektrisch isoliert sind, deren Brechungsindex vor- ¹S zugsweise mindestens annähernd gleich dem des Halbleiters 10 ist. Die Schicht 54 ist wiederum so beschaffen, daß sie für einen kleinen Anteil der sich im Kristall ausbreitenden Strahlung durchlässig ist, während die Schicht 56 nahezu die gesamte Strahlung reflektieren soll. Dieses Ausführungsbeispiel besitzt relativ hohes Q, etwa von der gleichen Größenordnung wie das beim Diodenlaser nach Fig. 5.

Ein in Fig. 7 gezeigtes weiteres Ausführungsbeispiel gleicht dem nach Fig. 6 mit der Ausnahme, daß der PN-Übergang 12' nicht bis zu den Endflächen durchgeht, sondern nach oben abbiegt, so daß die Endflächen des Halbleiterkörpers alle in derselben Zone liegen. Daher können metallische, reflektierende Überzüge 54 und 56 direkt auf dem Kristall aufgebracht werden, ohne daß Gefahr besteht, den PN-Übergang kurzzuschließen.

Fig. 8 zeigt einen Diodenlaser, der zur Verwendung in einem Kühlgefäß vorgesehen ist, und dessen Form so gestaltet ist, daß die Beibehaltung einer möglichst niedrigen Temperatur im Halbleiter 10 begünstigt wird. Dieser Laser hat eine P-Zone 14' mit mehreren Ausnehmungen 62, auf deren Böden jeweils eine Elektrode 18' an die P-Zone 14' angeschlossen ist. Infolge dieser Gestaltung steht ein relativ großer Oberflächenbereich zur Wärmeableitung aus dem Kristall zur Verfügung, indem aber außerdem noch ein relativ niedriger Widerstand zwischen den Elektroden 18' und 20 erzielt wird.

Ein letztes Ausführungsbeispiel ist in Fig. 9 gezeigt. Dort ist der reflektierende Überzug 52 von der Schicht 50 durch einen Abstand getrennt, der größer als die Länge des Kristalls 10 ist. An einem Ende des Kristalls 10 ist ein lichtdurchlässiger Stab 64 angebracht, dessen Brechungsindex mindestens annähernd gleich dem des Kristalls 10 ist, und dessen freies Ende dann die reflektierende Schicht 52 trägt. Durch eine so herbeigeführte Vergrößerung des Abstandes zwischen den reflektierenden Schichten 50 und 52 entsteht ein relativ stärker gerichteter bzw. gebündelter Ausgangsstrahl des Diodenlasers.

Falls noch geringere Emissionslinienbreiten gefordert werden, kann der Diodenlaser ohne weiteres bei sehr tiefen Temperaturen betrieben werden, wie z. B. bei der Temperatur des flüssigen Stickstoffs.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 309 534/141

Claims (7)

χ -ir u** /11 Patentansprüche:

1. Diodenlaser, dessen Elektroden zum Injizieren eines Stromes über den PN-Übergang eines Halbleiters mit direktem Übergang sich im wesentlichen parallel zur PN-Übergangsfläche erstrecken und der zwei einander parallel gegenüberliegende, optisch ebene und reflektierende bzw. teildurchlässige Begrenzungsflächen in einem Winkel von 90° zur PN-Übergangsfläche aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausdehnung der PN-Übergangsfläche (12) zwischen den reflektierenden bzw. teildurchlässigen Begrenzungsflächen (22, 24) zumindest zehnmal so groß ist wie die in hierzu senkrechter Richtung.

2. Diodenlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Elektroden (18, 20) über die gesamte Länge (L) und Breite (W) des Diodenlasers erstrecken.

3. Diodenlaser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierenden bzw. teildurchlässigen Begrenzungsflächen (22, 24) jeweils durch ein geschichtetes Dielektrikum (50, 52) abgeschlossen sind.

4. Diodenlaser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierenden Begrenzungsflächen aus metallischen Beschichtungen (54, 56) bestehen, die jeweils auf eine dielektrische Zwischenschicht (58, 60) aufgebracht sind, deren Dielektrizitätskonstante zumindest von gleicher Größenordnung wie die des Halbleiterkristalls ist.

5. Diodenlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die PN-Übergangsfläche (12') nicht bis zu den reflektierenden metallische Beschichtung tragenden (54, 56) Begrenzungsflächen verläuft, sondern jeweils kurz vorher nach unten oder oben abgebogen ist.

6. Diodenlaser nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle einer der reflektierenden bzw. teildurchlässigen Begrenzungsflächen an den Halbleiterkristall ein dielektrischer lichtdurchlässiger Stab (64) angebracht ist, dessen Brechungsindex mindestens nahezu gleich der des Halbleiterkristalls ist und dessen freie Endfläche die reflektierende bzw. teildurchlässige Schicht (52) trägt.

7. Diodenlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine der Elektroden durch mehrere Teilelektroden (18') gebildet ist, die jeweils am Boden von Ausnehmungen (62) der zugeordneten Halbleiterzone (P) angeordnet sind.