DE1266883B - Betriebsschaltung eines Thyristors - Google Patents

Betriebsschaltung eines Thyristors

Info

Publication number
DE1266883B
DE1266883B DEL47365A DEL0047365A DE1266883B DE 1266883 B DE1266883 B DE 1266883B DE L47365 A DEL47365 A DE L47365A DE L0047365 A DEL0047365 A DE L0047365A DE 1266883 B DE1266883 B DE 1266883B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ignition
operating circuit
control
thyristor
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL47365A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dr Phil Enno Arends
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to GB1095469D priority Critical patent/GB1095469A/en
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL47365A priority patent/DE1266883B/de
Priority to US441217A priority patent/US3381186A/en
Priority to FR10196A priority patent/FR1431293A/fr
Publication of DE1266883B publication Critical patent/DE1266883B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/291—Gate electrodes for thyristors

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Adjustable Resistors (AREA)
DEL47365A 1964-03-21 1964-03-21 Betriebsschaltung eines Thyristors Pending DE1266883B (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1095469D GB1095469A (enExample) 1964-03-21
DEL47365A DE1266883B (de) 1964-03-21 1964-03-21 Betriebsschaltung eines Thyristors
US441217A US3381186A (en) 1964-03-21 1965-03-19 Balanced multiple contact control electrode
FR10196A FR1431293A (fr) 1964-03-21 1965-03-22 Thyristor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL47365A DE1266883B (de) 1964-03-21 1964-03-21 Betriebsschaltung eines Thyristors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1266883B true DE1266883B (de) 1968-04-25

Family

ID=7272000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL47365A Pending DE1266883B (de) 1964-03-21 1964-03-21 Betriebsschaltung eines Thyristors

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3381186A (enExample)
DE (1) DE1266883B (enExample)
GB (1) GB1095469A (enExample)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3489962A (en) * 1966-12-19 1970-01-13 Gen Electric Semiconductor switching device with emitter gate
US3440501A (en) * 1967-02-02 1969-04-22 Gen Electric Double-triggering semiconductor controlled rectifier
SE338363B (enExample) * 1967-03-16 1971-09-06 Asea Ab
US3577042A (en) * 1967-06-19 1971-05-04 Int Rectifier Corp Gate connection for controlled rectifiers
SE318654B (enExample) * 1967-06-30 1969-12-15 Asea Ab
US3704398A (en) * 1970-02-14 1972-11-28 Nippon Electric Co Multi-emitter power transistor having emitter region arrangement for achieving substantially uniform emitter-base junction temperatures
US3740584A (en) * 1971-06-08 1973-06-19 Gen Electric High arrangement frequency scr gating

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1103389B (de) * 1959-10-14 1961-03-30 Siemens Ag Schaltanordnung mit einer Vierschichthalbleiteranordnung
FR1306004A (fr) * 1961-08-01 1962-10-13 Ibm France Procédé de fabrication d'éléments semi-conducteurs composites et utilisation logique de ces éléments
DE1156508B (de) * 1959-09-30 1963-10-31 Siemens Ag Steuerbares und schaltendes Vierschichthalbleiterbauelement
FR1342994A (fr) * 1961-10-06 1963-11-15 Westinghouse Electric Corp Commutateurs à semiconducteurs

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3040196A (en) * 1959-07-22 1962-06-19 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor pulse translating system
BE624012A (enExample) * 1961-10-27
US3277310A (en) * 1962-11-13 1966-10-04 Texas Instruments Inc Isolated base four-layer semiconductor system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1156508B (de) * 1959-09-30 1963-10-31 Siemens Ag Steuerbares und schaltendes Vierschichthalbleiterbauelement
DE1103389B (de) * 1959-10-14 1961-03-30 Siemens Ag Schaltanordnung mit einer Vierschichthalbleiteranordnung
FR1306004A (fr) * 1961-08-01 1962-10-13 Ibm France Procédé de fabrication d'éléments semi-conducteurs composites et utilisation logique de ces éléments
FR1342994A (fr) * 1961-10-06 1963-11-15 Westinghouse Electric Corp Commutateurs à semiconducteurs

Also Published As

Publication number Publication date
GB1095469A (enExample)
US3381186A (en) 1968-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1789193C3 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter
DE1238574B (de) Steuerbares und schaltbares Halbleiterbauelement
EP0106059B1 (de) Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren Thyristor
DE1266883B (de) Betriebsschaltung eines Thyristors
DE2654419A1 (de) Schaltungsanordnung zur spannungsbegrenzung
DE2146178C3 (de) Thyristor mit Steuerstromverstärkung
DE2238564C3 (de) Thyristor
DE1213920B (de) Halbleiterbauelement mit fuenf Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps
DE1800137A1 (de) Steuerschaltung fuer einen aus Widerstandselementen bestehenden Thermodrucker
DE2534703C3 (de) Abschaltbarer Thyristor
DE1615110C3 (de) SIVEN Bearbeitung eines Werkstückes
DE1514593B1 (de) Steuerbares Halbleiterbauelement
CH617536A5 (enExample)
DE3328407A1 (de) Halbleiterschaltanordnung
DE1295695B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement mit vier aufeinanderfolgenden Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps
DE2607678A1 (de) Anordnung zum herabsetzen der freiwerdezeit eines thyristors
DE1816023A1 (de) Baustein mit elektronischer Schaltung
DE3007378A1 (de) Darlingtonhaltetransistor mit hoher verstaerkung
DE1186554B (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit vier oder mehreren Halbleiterschichten und Verfahren zum Herstellen
DE1242699B (de) Verstaerker mit zwei stark leitenden Halbleiterdioden im Laststromkreis
DE2329872A1 (de) Thyristor
DE1539630C (de) Steuerbare Halbleiteranordnung
EP0061046A1 (de) Rückwärts nicht sperrender Thyristor
DE2215168A1 (de) Photoempfindliche Halbleitervorrichtung
DE2100394C3 (de) Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstückes durch Funkenerosion