DE1259860B - Verfahren zur Herstellung von Xenon- und Kryptonfluoriden - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Xenon- und KryptonfluoridenInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
COIb
Deutsche Kl.: 12 i- 23/00
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
1259 860
V 29628IV a/12 i
30. Oktober 1965
1. Februar 1968
V 29628IV a/12 i
30. Oktober 1965
1. Februar 1968
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Xenon- und Kryptonfluoriden aus Xenon
beziehungsweise Krypton und Fluorchlorkohlenstoffen durch Energieeinwirkung.
Es ist bekannt, daß sich Xenon und Krypton mit elementarem Fluor durch Energieeinwirkung zu
Xenon- bzw. Kryptonfluoriden umsetzen lassen. Von besonderem Nachteil ist hierbei jedoch die Notwendigkeit,
das so schwierig darzustellende und zu handhabende elementare Fluor verwenden zu müssen.
Aus dem gleichen Grund kommt auch die Anwendung des Sauerstoffdifluorids (OF2), das zudem nur
über das elementare Fluor zugänglich ist, sowie des FSO3F praktisch nicht in Betracht.
Die bekannte Verwendung perfluorierter Kohlen-Stoffverbindungen,
etwa von CF4, ist nicht ratsam, da wegen der hohen thermischen Stabilität und der infolgedessen
ungenügenden Abspaltung reaktionsfähiger Radikale nur sehr niedrige Ausbeuten an Edelgasfluoriden
erhalten werden.
Aufgabe der Erfindung war es daher, Xenon- und Kryptonfluoride aus leichter zugänglichen und anwendbaren
sowie zu möglichst hohen Ausbeuten führenden fluorhaltigen Substanzen herzustellen.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß zur Herstellung von Xenon- und Kryptonfluoriden Xenon
bzw. Krypton mit Fluorchlorkohlenstoffen, etwa CF0Cl2, durch Energieeinwirkung zur Reaktion gebracht'wird.
Diese Reaktion kann in der Gasentladung erfolgen. Solchen Fluorchlorkohlenstoffen sind
gut zugängliche, unter Normalbedingungen beständige und leicht zu handhabende Gase oder Flüssigkeiten,
die bei Einwirkung höherer thermischer Energien in Radikale zerfallen. Die sich bildenden Fluorradikale reagieren mit Xenon bzw. mit Krypton zu
Xenon- bzw. Kryptonfluoriden mit einem je nach den angewandten Bedingungen unterschiedlich hohen
Fluorgehalt. Die Nebenprodukte, wie gasförmige und flüssige Chlorkohlenstoffverbindungen sowie Chlorfluorkohlenstoffe
mit geringem Fluorgehalt, stören weder die Reaktion noch die Gewinnung der Edelgasfluoride.
Vorzugsweise erfolgt die Energieeinwirkung durch hochfrequente elektrische Entladungen
mittels Außenelektroden. Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird das nicht umgesetzte
Reaktionsgemisch im Kreislauf dem Reaktionsraum zugeführt. Die Xenonfluoride, die bei Normaltemperatur
als farblose Kristalle vorliegen, zersetzen sich erst bei Temperaturen über 100° C. Sie sind leicht
durch Umsublimieren zu reinigen. Die Kryptonfluoride bilden ebenfalls farblose Kristalle, die jedoch
nur zwischen —40 und -1O0C beständig sind.
Verfahren zur Herstellung von Xenon- und
Kryptonfluoriden
Kryptonfluoriden
Anmelder:
VEB Technische Gase-Werke Berlin,
Berlin-Niederschöneweide, Schneller Str. 6-13
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Chem. Dr. Hasso Meinert,
Gerhard Gnauck, Berlin
Dipl.-Chem. Dr. Hasso Meinert,
Gerhard Gnauck, Berlin
Die erfindungsgemäß gewonnenen Edelgasfluoride können unter geeigneten Bedingungen zur Speicherung
von Xenon bzw. Krypton und/oder Fluor sowie in der präparativen Chemie als vorzügliche Fluorierungs-
bzw. Oxydationsmittel verwendet werden. Da die Edelgase sich um so leichter mit Fluor umsetzen,
je höher ihr Atomgewicht ist, bietet das erfindungsgemäße Verfahren auch eine Möglichkeit zur Trennung
von Edelgasen auf chemischem Weg.
Nachstehendes Beispiel erläutert das erfindungsgemäße Verfahren.
Xenon bzw. Krypton wird mit CF2Cl2 in einem
Quarzgefäß mittels Außenelektroden einer Hochfrequenzentladung unterworfen; die Stromstärke beträgt
150 bis 200 mA. Bildet sich Xenon- bzw. Kryptonfluorid, so entsteht im Reaktionsgefäß ein Druckabfall,
den ein angeschlossenes Manometer anzeigt und der durch entsprechende Zugabe des Reaktionsgemisches wieder ausgeglichen wird. Die entstandenen
Edelgasfluoride werden in einer im Reaktionssystem eingebauten Kühlfalle gesammelt.
Die Umsetzung erfolgt zweckmäßigerweise unter Außenkühlung. Wird das Reaktionsgemisch, soweit
seine Komponenten noch nicht miteinander reagiert haben, wieder im Kreislauf dem Reaktionsraum zugeführt,
so erhält man eine fast quantitative Ausbeute.
Claims (1)
1. Verfahren zur Herstellung von Xenon- und Kryptonfluoriden, dadurch gekenn-
709 747/528
3 4
zeichnet, daß Xenon bzw. Krypton mit hochfrequente elektrische Entladungen mittels
Fluorchlorkohlenstoff, etwa mit CF2Cl2, durch Außenelektroden erfolgt.
Energieeinwirkung zur Reaktion gebracht 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gewird,
kennzeichnet, daß das nicht umgesetzte Reak-2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 5 tionsgemisch im Kreislauf dem Reaktionsraum
kennzeichnet, daß die Energieeinwirkung durch zugeführt wird.
709 747/528 1.68 © Bundesdruckerei Berlin
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