DE1223060B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes

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DE1223060B DES93284A DES0093284A DE1223060B DE 1223060 B DE1223060 B DE 1223060B DE S93284 A DES93284 A DE S93284A DE S0093284 A DES0093284 A DE S0093284A DE 1223060 B DE1223060 B DE 1223060B
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Dr Hartmut Seiter
Dr Guenter Winstel
Dipl-Phys Karl-Heinz Zschauer
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE865160C (de) * 1951-03-07 1953-01-29 Western Electric Co Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper
DE1163891B (de) * 1961-09-29 1964-02-27 Siemens Ag Mechanisch wirkende Feststellbremse fuer eine kurzgekuppelte Doppellokomotive

Patent Citations (2)

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DE1163891B (de) * 1961-09-29 1964-02-27 Siemens Ag Mechanisch wirkende Feststellbremse fuer eine kurzgekuppelte Doppellokomotive

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