DE1213537C2 - Germaniumdiode - Google Patents

Germaniumdiode

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DE1213537C2
DE1213537C2 DE1956N0012774 DEN0012774A DE1213537C2 DE 1213537 C2 DE1213537 C2 DE 1213537C2 DE 1956N0012774 DE1956N0012774 DE 1956N0012774 DE N0012774 A DEN0012774 A DE N0012774A DE 1213537 C2 DE1213537 C2 DE 1213537C2
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DE
Germany
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gallium
indium
diode
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germanium diode
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DE1956N0012774
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German (de)
English (en)
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DE1213537B (de
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Hans Karl Becherer
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/40—Resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
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DE1213537B DE1213537B (de) 1966-03-31
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FR (1) FR1157699A (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB793417A (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (2) NL99588C (cg-RX-API-DMAC10.html)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2689930A (en) * 1952-12-30 1954-09-21 Gen Electric Semiconductor current control device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE906955C (de) * 1952-03-28 1954-02-04 Licentia Gmbh Verfahren zur Erzeugung groesserer zusammenhaengender defektleitender Bereiche in den Aussenschichten von ueberschussleitenden Germaniumkristallen

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2689930A (en) * 1952-12-30 1954-09-21 Gen Electric Semiconductor current control device

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FR1157699A (fr) 1958-06-02
GB793417A (en) 1958-04-16
DE1213537B (de) 1966-03-31
NL99588C (cg-RX-API-DMAC10.html)
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