DE1177745B - Verfahren zum Anlegieren einer Dotierungspille an eine Halbleiterplatte - Google Patents

Verfahren zum Anlegieren einer Dotierungspille an eine Halbleiterplatte

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DE1177745B
DE1177745B DES76499A DES0076499A DE1177745B DE 1177745 B DE1177745 B DE 1177745B DE S76499 A DES76499 A DE S76499A DE S0076499 A DES0076499 A DE S0076499A DE 1177745 B DE1177745 B DE 1177745B
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Germany
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plate
cooling
heated
gas
pill
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DES76499A
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German (de)
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Yoshiyuki Kawana
Akihiko Nakagawa
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Original Assignee
Sony Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C2/34—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the shape of the material to be treated
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1165567A (fr) * 1956-11-29 1958-10-27 Thomson Houston Comp Francaise Perfectionnements aux transistrons à jonctions
DE1063870B (de) * 1956-06-28 1959-08-20 Gustav Weissenberg Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zuechten von Einkristallen aus hochreinem Silicium oder Germanium

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1063870B (de) * 1956-06-28 1959-08-20 Gustav Weissenberg Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zuechten von Einkristallen aus hochreinem Silicium oder Germanium
FR1165567A (fr) * 1956-11-29 1958-10-27 Thomson Houston Comp Francaise Perfectionnements aux transistrons à jonctions

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