DE1170554B

DE1170554B - Method for installing a transistor or a semiconductor diode in a glass envelope

Info

Publication number: DE1170554B
Application number: DEN12901A
Authority: DE
Inventors: Norman John Chaplin
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1955-11-05
Filing date: 1956-11-02
Publication date: 1964-05-21
Also published as: BE542616A; NL105004C; GB810361A; NL211911A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND FEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Internat. Kl.: HOIlBoarding school Kl .: HOIl

Deutsche Kl.: 21g-11/02 German class: 21g -11/02

Nummer: 1 170 554Number: 1 170 554

Aktenzeichen: N 12901 VIII c / 21 gFile number: N 12901 VIII c / 21 g

Anmeldetag: 2. November 1956Filing date: November 2, 1956

Auslegetag: 21. Mai 1964Opening day: May 21, 1964

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einbau eines Transistors oder einer Halbleiterdiode in eine Glashülle, bei dem wenigstens ein metallischer Zuführungsdraht eingeschmolzen wird.The invention relates to a method for installing a transistor or a semiconductor diode in a Glass envelope in which at least one metallic lead wire is melted down.

Es ist bekannt, die dünnen metallischen Zuführungsdrähte, die einen gleichmäßigen Durchmesser haben, direkt in die Glashülle einzuschmelzen, deren Durchmesser viel größer als der Drahtdurchmesser ist. Dabei bildet sich an der Einschmelzstelle eine Verdickung in der Glaswand, die wesentlich stärker als die ursprüngliche Glaswand ist. Durch ungleichmäßige Abkühlung der verschiedenen Bezirke an dieser verdickten Stelle können sich Glasspannungen bilden, die häufig zu Sprüngen oder Rissen führen.It is known the thin metallic lead wires that have a uniform diameter have to melt directly into the glass envelope, the diameter of which is much larger than the diameter of the wire is. This creates a thickening in the glass wall at the melting point, which is much stronger than the original glass wall is. By uneven cooling of the different districts This thickened area can cause glass tension, which often leads to cracks or cracks.

Die Erfindung zielt nun darauf ab, ein Verfahren zu schaffen, bei dem diese Gefahr wesentlich herabgesetzt ist. Gemäß der Erfindung wird wenigstens ein metallischer Zuführangsdraht mit einer flanschartigen metallischen Verdickung verwendet und am Umfang der Verdickung in die Glashülle eingeschmolzen, für deren Innendurchmesser praktisch der Außendurchmesser der Verdickung gewählt ist.The invention now aims to create a method in which this risk is significantly reduced is. According to the invention, at least one metallic supply wire with a flange-like metallic thickening is used and melted into the glass envelope at the circumference of the thickening, for the inside diameter of which the outside diameter of the thickening is practically chosen.

Beim Einschmelzen bildet sich so keine Verdikkung des Glases an der Einschmelzstelle; infolgedessen können die Außen- und Innenbezirke an der Einschmelzstelle gleichmäßig abkühlen, und Risse oder Sprünge des Glases werden vermieden.When it is melted, no thickening of the glass is formed at the melting point; Consequently can cool the outer and inner areas at the melting point evenly, and cracks or cracks in the glass are avoided.

Es ist zwar eine Konstruktion von Stromdurchführungen für Ultrakurzwellenröhren bekannt, bei der Scheiben oder Teller aus nicht f erromagnetischem Material in die Glaswandung der Röhre eingeschmolzen sind. Durch diese Form und dieses Material wurden eine geringe Kapazität und geringe dielektrische Verluste der Stromdurchführungen und gleichzeitig eine genügende mechanische Festigkeit der Einschmelzstelle erreicht. Es lagen dabei jedoch keine glastechnischen Probleme vor.Although it is a construction of current feedthroughs for ultra-short wave tubes is known the disks or plates made of non-ferromagnetic material are melted into the glass wall of the tube are. This shape and material resulted in low capacitance and low dielectric Loss of current feedthroughs and, at the same time, sufficient mechanical strength of the melting point achieved. However, there were no technical glass problems.

In einer bekannten Ausführungsform für die Elektrodenanschlüsse von Transistoren oder Dioden, die in Glas- oder Metallhüllen angeordnet sind, wurden bereits Metallzylinder oder -rohre verwendet, die an der Durchführungsstelle in der Glashülle eingekittet bzw. in der Metallhülle eingelötet sind. Es wurden auch dünne metallische Flansche verwendet, die stirnseitig an die Glashülle angekittet sind. Beim Kitten tritt jedoch nicht die Schwierigkeit einer ungleichmäßigen Abkühlung und damit verbundener Glassprünge auf.In a known embodiment for the electrode connections of transistors or diodes, which are arranged in glass or metal shells, metal cylinders or tubes have already been used, the are cemented into the glass envelope at the point of entry or soldered into the metal envelope. There were thin metallic flanges are also used, which are cemented to the glass envelope at the front. At the However, kitten does not experience the problem of uneven cooling and associated cooling Glass cracks on.

Die Erfindung wird an Hand eines durch eine Zeichnung verdeutlichten Ausführungsbeispiels näher erläutert.The invention is explained in more detail using an exemplary embodiment illustrated by a drawing explained.

Die Figur zeigt, teilweise im Schnitt, eine Diode, Verfahren zum Einbau eines Transistors oder
einer Halbleiterdiode in eine GlashülleThe figure shows, partly in section, a diode, method for installing a transistor or
a semiconductor diode in a glass envelope

Anmelder:Applicant:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,

Eindhoven (Niederlande)Eindhoven (Netherlands)

Vertreter:Representative:

Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,Dr. rer. nat. P. Roßbach, patent attorney,

Hamburg 1, Mönckebergstr. 7Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Norman John Chaplin, Hellertown, Pa. (V. St. A.)Norman John Chaplin, Hellertown, Pa. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

Belgien vom 5. November 1955 (426 887)Belgium of November 5, 1955 (426 887)

die nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt ist. Die Diode besteht aus einer Glashülle 1, die mit den flanschartigen Verdickungen 2 der Zuleitungsdrähte 3 und 4 verschmolzen worden ist. Auf dem Zuleitungsdraht 3 ist ein halbleitender Körper 5 festgelötet, auf den ein Spitzenkontakt 6 aufsitzt, der mit dem Zuleitungsdraht 4 verbunden ist. Ferner sind die Zuleitungsdrähte 3 und 4 vor dem Einschmelzen mit je einer Einkerbung 7 versehen. Wie aus der Figur ersichtlich, ist der Außendurchmesser der Verdickung nahezu gleich dem Innendurchmesser der Glashülle. Während der Einschmelzung werden die langen Enden der Zuleitungsdrähte dazu verwendet, die beiden Metallteile der Diode in Flucht miteinander zu bringen. Nach der Einschmelzung können sie an der Stelle der Einkerbung leicht abgebrochen werden. Gewünschtenfalls kann dann an den verbleibenden Drahtenden ein Zuleitungsdraht geschweißt werden. Diese Drahtenden können verhältnismäßig starr sein, während die angeschweißten Zuleitungsdrähte biegsam sein können. Wenn der Transistor oder die Diode dazu bestimmt ist, in auswechselbarer Weise in eine Fassung eingesetzt zu werden, können die biegsamen Zuleitungsdrähte weggelassen werden.which is produced by the method according to the invention. The diode consists of a glass envelope 1 which has been fused to the flange-like thickenings 2 of the lead wires 3 and 4. A semiconducting body 5 is soldered to the lead wire 3, on which a tip contact 6 rests, which is connected to the lead wire 4. Furthermore, the lead wires 3 and 4 are each provided with a notch 7 before being melted down. As can be seen from the figure, the outside diameter of the thickening is almost equal to the inside diameter of the glass envelope. During the meltdown, the long ends of the lead wires are used to align the two metal parts of the diode. After they have been melted down, they can easily be broken off at the point of the notch. If desired, a lead wire can then be welded to the remaining wire ends. These wire ends can be relatively rigid, while the welded-on lead wires can be flexible. If the transistor or the diode is intended to be inserted in a replaceable manner in a socket, the flexible lead wires can be omitted.

Claims

Patent claims:

1. Method for installing a transistor or a semiconductor diode in a glass envelope, at at least one metallic lead wire is melted down, characterized in that, that at least one metallic accessory

. : ■. ■-.... 409 590/335. : ■. ■ -.... 409 590/335

Guide wire with a flange-like metallic thickening used and on the circumference the thickening is melted into the glass envelope, for the inner diameter of which is practically the Outside diameter of the thickening is selected.

2. The method according to claim 1, characterized in that that during the melting down the metal parts by means of the long ends of the lead wires are centered with each other and with respect to the shell.

3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that at least one of the lead wires provided with a notch at a short distance outside the shell and broken off at this point after melting will.

Considered publications:
British Patent No. 696 904.

1 sheet of drawings

409 590/335 5.64409 590/335 5.64

ι Bundesdruckerei Berlinι Bundesdruckerei Berlin