DE1169589B - Gegen UEberspannung sich selbst schuetzendes Halbleiterbauelement, sowie Verfahren zum Herstellen und Schaltung eines solchen Halbleiterbauelements - Google Patents

Gegen UEberspannung sich selbst schuetzendes Halbleiterbauelement, sowie Verfahren zum Herstellen und Schaltung eines solchen Halbleiterbauelements

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DE1169589B
DE1169589B DEC24530A DEC0024530A DE1169589B DE 1169589 B DE1169589 B DE 1169589B DE C24530 A DEC24530 A DE C24530A DE C0024530 A DEC0024530 A DE C0024530A DE 1169589 B DE1169589 B DE 1169589B
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metal coating
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DEC24530A
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German (de)
English (en)
Inventor
Jakob Luescher
Dr Bogdan Zega
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Alcatel Lucent SAS
Original Assignee
Compagnie Generale dElectricite SA
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    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3427515A (en) * 1966-06-27 1969-02-11 Rca Corp High voltage semiconductor transistor
JPS4812397B1 (enExample) * 1968-09-09 1973-04-20
US3666967A (en) * 1971-05-12 1972-05-30 Us Navy Self-destruct aluminum-tungstic oxide films
FR2737343B1 (fr) * 1995-07-28 1997-10-24 Ferraz Composant limiteur de courant et procede de realisation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE565109A (enExample) * 1957-02-27 1900-01-01
US2980810A (en) * 1957-12-30 1961-04-18 Bell Telephone Labor Inc Two-terminal semiconductive switch having five successive zones

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2895109A (en) * 1955-06-20 1959-07-14 Bell Telephone Labor Inc Negative resistance semiconductive element
US2914715A (en) * 1956-07-02 1959-11-24 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor diode
US3141119A (en) * 1957-03-28 1964-07-14 Westinghouse Electric Corp Hyperconductive transistor switches
US2966434A (en) * 1958-11-20 1960-12-27 British Thomson Houston Co Ltd Semi-conductor devices
US3208887A (en) * 1961-06-23 1965-09-28 Ibm Fast switching diodes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE565109A (enExample) * 1957-02-27 1900-01-01
FR1205271A (fr) * 1957-02-27 1960-02-02 Westinghouse Electric Corp Interrupteurs à transistor à semi-conducteur
US2980810A (en) * 1957-12-30 1961-04-18 Bell Telephone Labor Inc Two-terminal semiconductive switch having five successive zones

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