DE1149059B - Transformatorloser Transistor-Leistungsverstaerker - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen transformatorlosen Transistor-Verstärker, der ausgezeichnete Betriebseigenschaften in Hochleistungsschaltungen aufweist. Die Schaltung gemäß der Erfindung ist geeignet zum Betrieb einer Zweiklemmen-Gegentakt-Belastung mit einer einzigen Leistungszuführung und ohne eine Verbindung mit der Belastung über einen Transformator oder eine Kapazität.

Bisher wurde immer dann, wenn ein im Gleichgewicht befindlicher Gegentaktzustand erwünscht war, eine Schaltung mit Mittelabgriff verwendet, und zwar bis vor kurzem gewöhnlich ein Transformator mit Mittelabgriff. Seit dem Aufkommen von Transistoren sind Transformatoren in gewissem Umfang zum Wegfall gekommen durch Verwendung einer Belastung mit Mittelabgriff oder eines Widerstands mit Mittelabgriff, an dessen äußerste Klemmen die Belastung angeschlossen ist. Diese Transistortechnik hat sich nicht als allzu zufriedenstellend erwiesen, weil sich der Strom auf der einen oder der anderen Seite infolge von Veränderungen der Eigenschaften der Steuertransistoren verändern kann. Solche Veränderungen haben Fehler zur Folge, infolge derer an der Belastung ein falsches Signal zur Anwendung kommt. In vielen Fällen ist der Fehler nicht linear. Außerdem setzen die Leistungsanforderungen solcher Schaltungen für den Bereitschaftszustand den Gesamtwirkungsgrad der Verstärker herab.

Die Schaltung gemäß der Erfindung ist eine Abwandlung der Transistor-Reihenschaltung nach der USA.-Patentanmeldung 837 696 vom 2. September 1959. In diesem Falle werden jedoch an Stelle einer einzigen Brücke zwei in Form eines symmetrischen Netzes angeordnete Brücken vorgesehen. Grundsätzlich können die auf die in Reihe geschalteten Transistoren anwendbaren technischen Maßnahmen hier Anwendung finden. Es war allerdings eine geringfügige Abwandlung vorzunehmen, um Linearität an den Ausgangsklemmen des Kreises zu gewährleisten. Im einzelnen wurde infolge der Notwendigkeit einer Speisung des Verstärkers in jeder Richtung der über eine Diode angeschlossene Emitter eines der Reihentransistoren, der normalerweise mit der Basiselektrode des Brückentransistors verbunden wäre, ersetzt durch einen Transistor, wie dies in der bereits genannten früheren Patentanmeldung beschrieben ist, entsprechend dem Verfahren nach dieser älteren Patentanmeldung.

Bei dem erfmdungsgemäßen Verfahren wird ein Paar von Brückennetzen verwendet, deren jedes einen ersten und einen zweiten Transistor enthält, die, Emitter des einen mit Kollektor des anderen ver-Transformatorloser
Transistor-Leistungsverstärker

Anmelder:

The Franklin Institute
of the State of Pennsylvania,
Philadelphia, Pa. (V. St. A.)

Vertreter: Dr. H.-H. Willrath

und Dipl.-Ing. H. Roever, Patentanwälte,

Wiesbaden, Hildastr. 32

John Stone, Moorestown, N. J. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden

bunden, in Reihe geschaltet sind, und ferner ein Paar von Widerständen, die miteinander in Reihe geschaltet sind, und deren Enden einerseits mit dem Emitter des ersten Transistors, andererseits mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden sind. Ein dritter Transistor wirkt als Brückentransistor, und seine Basis ist zwischen die Widerstände geschaltet, seine Sammelelektrode mit der Basis des ersten Reihentransistors und sein Emitter mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt zwischen dem ersten und zweiten Reihentransistor verbunden. Die Basiselektrode eines vierten Transistors ist zwischen die Widerstände geschaltet, sein Kollektor ist mit dem Kollektor des zweiten Reihentransistors und sein Emitter mit der Basis des zweiten Reihentransistors verbunden. Es ist ein Paar von Eingangsklemmen in der Weise vorgesehen, daß jede davon an einen der Brückenkreise zwischen den jeweiligen Reihenwiderständen angeschlossen ist. Außerdem ist ein Paar von Ausgangsklemmen vorgesehen, deren jede mit einer der Brückenkreise an der jeweiligen gemeinsamen Reihenverbindung der Reihentransistoren angeschlossen ist. Mit den Enden der Brücken an der Verbindungsstelle der Reihentransistoren und ihrer Widerstände sind Vorspannungsleitungen angeschlossen.
Um ein lineares Ansprechen des Verstärkers zu erhalten, ist der dem zweiten Transistor entgegengeschaltete Widerstand vorzugsweise in zwei Widerstände aufgeteilt, derart, daß ein kleiner Widerstand,

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dessen Widerstandswert einen sehr kleinen Teil des Gesamtwiderstands ausmacht, zwischen dem größeren Widerstand des Gesamtwiderstands und dem anderen Widerstand liegt. In diesem Falle führt der Anschluß der Basis des vierten Transistors statt zu dem Punkt zwischen den Reihenwiderständen zu dem Punkt zwischen den beiden Teilen des zweiten, aufgeteilten Widerstandes. Die Wirkung dieser Abwandlung besteht in der Erzeugung eines Spannungsabfalls, der bewirkt, daß die Kreischarakteristik im Bereich des Null-Durchgangs linearisiert wird und somit eine praktisch lineare Ansprechcharakteristik im gesamten Bereich der Betriebskennlinie des Verstärkers gewährleistet wird.

Zur näheren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen.

Fig. 1 ist ein schematischer Schaltplan eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Schaltung;

Fig. 2 ist eine Transistor-Betriebskennlinie, die ein bestimmtes Verstärkerproblem darstellt.

Fig. 1 zeigt ein Netzwerk aus zwei Brücken, deren jede eine Serienschaltung von Transistoren enthält, wie dies in der obenerwähnten älteren Patentanmeldung beschrieben ist. Diese Brückenkreise sind insgesamt mit 10 und 11 bezeichnet. Da die Brückenkreise in jeder Beziehung einander entsprechen, sind die einzelnen Bestandteile des Brückenkreises 11 mit den gleichen Bezugsziffern wie diejenigen des Brückenkreises 10, lediglich unter Hinzusetzung eines Hochstriches, bezeichnet. Die folgende Beschreibung des Brückenkreises 10 gilt daher auch für den Brükkenkreis 11.

Im Brückenkreis 10 ist ein Paar von Transistoren

12 und 13, die als erster bzw. zweiter Transistor bezeichnet werden, so in Reihe geschaltet, daß der Kollektor des einen, 12, mit demEmitter des anderen verbunden ist. Gegenüber den Transistoren 12 und

13 liegen in dem Brückenkreis die Widerstände 14 und 15. Der Widerstand 15 ist aufgeteilt in einen Teilwiderstand 16, der den Hauptteil des gesamten Widerstandes ausmacht, und einen verhältnismäßig kleinen Teilwiderstand 17; der Zweck dieser Aufteilung wird weiter unten noch näher erläutert.

Die Basis eines dritten Transistors 18 ist mit der Reihenverbindung zwischen den Widerständen 14 und 15 verbunden, während sein Kollektor mit der Basis des Transistors 12 und sein Emitter mit der Kollektor-Emitterelektroden-Verbindung zwischen den Transistoren 12 und 13 verbunden ist. Falls die Transistoren 12 und 13 vom Pyp PNP sind, so ist der Transistor 18 vom Typ NPN. Falls dagegen die Transistoren 12 und 13 vom Typ NPN sind, so wird als Transistor 18 ein solcher vom Typ PNP verwendet.

Die Basis eines vierten Transistors 19 ist mit dem Punkt zwischen den Teilwiderständen 16 und 17 verbunden, kann jedoch im bereiteren Sinne als mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 14 und 15 verbunden betrachtet werden, weil der Teilwiderstand 17 verhältnismäßig klein ist. Falls der Widerstand 15 nicht in zwei Teile aufgeteilt ist, so erfolgt der Anschluß der Basis zwischen den Widerständen 14 und 15. Der Emitter des Transistors 19 ist mit der Basis des Transistors 13, sein Kollektor mit dem Kollektor des Transistors 13 verbunden, der außerdem an den Widerstand 16 angeschlossen ist. Der Transistor 19 ist vom gleichen Typ wie die Transistoren 12 und 13, vorzugsweise also vom Typ PNP.

Die Eingangsverbindung von den Eingangsklemmen 20 und 20' führen zu den zugehörigen Brücken, und zwar zu den Punkten zwischen den Widerständen 14 und 17 in der Brücke 10 bzw. zwischen den Widerständen 14' und 17' in der Brücke 11. Zwischen die gemeinsame Kollektor-Emitter-Verbindung zwischen den Transistoren 12 und 13 bzw. 12' und 13' ίο ist über dieKlemmen21,2reinAusgangs-Belastungswiderstand 22 geschaltet. Diese Belastung muß kein reiner Ohmscher Widerstand sein. Den Enden beider Brücken wird über gemeinsame Vorspannungsleitungen 23 und 24 eine Vorspannung zugeleitet.

Die Basiswiderstände 25 und 26 sollen eine Herabsetzung des Ruhestroms bewirken und bewirken eine Vorspannung der Transistoren. Die Emitterwiderstände 27 und 28 gewährleisten eine ausreichende negative Rückkopplung, damit der Kreis stabil arbeitet. Der Widerstandswert des Widerstands 14 wird vorzugsweise gleich demjenigen der Widerstände 16 und 17, d. h. also des Gesamtwiderstands 15, gemacht. Der Widerstand 17 ist wesentlich kleiner als der Widerstand 16, und er ist derart gewählt, daß der Spannungsunterschied zwischen den Punkten P₁ und P₂ gleich der Spannung am Widerstand 26 ist.

Wenn der Gesamtwiderstand 15 kleiner gemacht wird als der Widerstand 14, so wird die Spannung am Transistor 13 kleiner als am Transistor 12, und der Punkt P₂ gelangt auf ein negativeres Potential als der Emitter des Transistors 19. Der Transistor 19 wird deshalb stärker leitend, wodurch wiederum der Transistor 13 eine niedrigere scheinbare Impedanz annimmt. Dadurch wiederum wird die Spannung des Punktes P₃ herabgesetzt, so daß der Transistor 18 stärker leitend wird und die Impedanz des Transistors 12 herabgesetzt wird. Mit anderen Worten gelangt das System auf eine unterschiedliche Vorspannungshöhe, und die Spannungsabfälle werden für ähnliehe Transistoren im Verhältnis nach Maßgabe der relativen Spannungsabfälle an den Widerständen 14 und 15 gehalten. Wenn jedoch nicht die optimalen Vorspannungsbedingungen ausgewählt werden, so wird der Gesamt-Stromabfluß des Systems höher, so daß die Vorspannbedingung von der Betriebsklasse B zum Betrieb AB wechselt.

Indem man die Widerstände 14, 16 und 17 in ihren genauen relativen Größen vorsieht, kann man gewährleisten, daß die Spannung am Transistor 12 gleich der Spannung am Transistor 13 gehalten wird. Wenn die Spannung am Transistor 13 geringer ist als die Spannung am Transistor 12, so gelangt der PunktPj^ auf ein positiveres Potential als derPunktP₃, und der Transistor 18 leitet, bis P₃ und P₁ auf etwa gleiche Spannung kommen. Wenn die Spannung am Transistor 12 kleiner ist als die Spannung am Transistor 13, so wird das Potential des Punktes P₃ positiver als dasjenige des Punktes P₂, und der Transistor 19 leitet, bis die Punkte P₃ und P₁ wieder auf etwa glei-

chem Potential sind. Unabhängig von sich ändernden Betriebseigenschaften der Transistoren und von Veränderungen der Leitungsspannung wird der Punkt P₃ immer auf ungefähr der gleichen Spannungshöhe gehalten wie der Punkt P₁. Da dies für beide Brücken 10

und 11 zutrifft, bleibt die Spannung am Belastungswiderstand 22 gleich Null, und zwar unabhängig von Veränderungen der Transistoreigenschaften oder der Leitungsspannungen.

Wenn man die Widerstände 14 und 14' und die Widerstände 16 und 16' gleichhält, so ist die Spannung zwischen den Punkten P₃ und P₃' gleich Null, so daß durch die mit der Belastung 22, die zwischen die Punkte P₃ und P₃' geschaltet ist, verbundene Belastung im Ruhezustand der Strom Null fließt. Wenn jedoch ein Impuls eingeleitet wird, so gelangt beispielsweise P₁ auf ein positiveres Potential, während P₁' mehr negativ wird. Da die Basis des Transistors 18 mit dem Punkt P₁ verbunden ist, bewirkt der positive Impuls am Punkt P₁, das der Transistor 18 stärker leitend wird. Da der Kollektor des Transistors 18 mit der Basis des Transistors 12 verbunden ist, gelangt dann, wenn der Transistor 18 stärker leitend wird, der Sockel des Transistors 12 auf eine weniger positive Spannung, so daß der Transistor 12 stärker leitend wird oder eine scheinbar geringere Impedanz annimmt. Hierdurch gelangt der Punkt P₃ auf ein positiveres Potential, bis der Spanungsunterschied zwischen P₁ und P₃ genau auf denjenigen Wert kommt, der den durch den Impuls eingestellten Betriebsbedingungen entspricht. Die Basis des Transistors 19 ist mit dem Punkt P₂ und über den Widerstand 17 mit dem Punkt P₁ verbunden und gelangt infolgedessen durch diesen Impuls auf ein positiveres Potential. Der positivere Impuls an der Basis des Transistors 19 bewirkt, daß dieser weniger leitend wird. Da der Emitter des Transistors 19 mit der Basis des Transistors 13 verbunden ist, wird dann, wenn der Transistor 19 weniger leitend wird, der Transistor 13 nichtleitend oder nimmt eine hohe Impedanz an und muß deshalb eine solche Durchschlagsfestigkeit haben, daß er der Gesamt-Leitungsspannung zwischen den Leitungen 23 und 24 widerstehen kann, wenn der Transistor 12 völlig gesättigt ist.

In der Brücke 11 tritt infolge des negativen Impulses genau die entgegengesetzte Wirkung ein; P₁' wird durch diesen Impuls auf ein negativeres Potential gebracht, so daß die Basis des Transistors 18', der mit dem Punkt P₁' verbunden ist, auf ein weniger positives Potential gelangt und der Transistor 18' weniger leitend wird. Der Kollektor des Transistors 18' ist mit der Basis des Transistors 12' verbunden und bewirkt infolgedessen, daß der Transistor 12' nichtleitend wird oder eine hohe Impedanz annimmt. Der Punkt P₂' ist über den Widerstand 17, der verhältnismäßig klein ist, verglichen mit der Eingangsimpedanz der Basis des Transistors 19', mit dem Punkt P₁' verbunden, so daß Veränderungen des Basisstromes das Signal zwischen den Klemmen 20, 20' nicht wesentlieh verändern, und daß der Punkt P₂' bestrebt ist, auf ein genauso stark herabgesetztes positives Potential zu gelangen wie der Punkt P₁'. Dadurch wird der Transistor 19' stärker leitend. Da der Emitter des Transistors 19' mit der Basis des Transistors 13' verbunden ist, wird dadurch der Transistor 13' stärker leitend, nimmt also eine niedrigere Impedanz an. Ein Ausgleich wird dann erreicht, wenn die Basis des Transistors 13' so stark negativ geworden ist, daß der Unterschied zwischen ihm und dem Punkt PJ genau auf demjenigen Wert ist, der gerade dem durch den Impuls hergestellten Betriebszustand entspricht. Es entsteht infolgedessen zwischen den Punkten P₃ und P₃' eine Spannung, die dem aufgeprägten Impuls proportional ist. Der Lastwiderstand 22 ist deshalb über die Klemmen 21 und 21' mit diesen Punkten verbunden und wird mit maximaler Leistung gespeist, wenn seine Impedanz gleich dem Widerstand der Emitterwiderstände 27 und 28' zuzüglich des Sättigungswiderstandes der Transistoren 12 und 13' ist. Ein für die Widerstände 27 und 28' besonders geeigneter Widerstandswert ist 1 Ohm. Der Sättigungswiderstand der verwendeten Transistoren hat ungefähr 1,5 Ohm für jeden Transistor betragen, so daß der Gesamt-Belastungswiderstand entsprechend der Maximalleistungstheorie 5 Ohm betragen hat.

Der Zweck der Aufteilung des Widerstands 15 in einen kleinen Teilwiderstand 17 und einen großen Teilwiderstand 16 wird nun verständlich. Fig. 2 zeigt für einen bestimmten, typischen Transistor den Basisstrom, aufgetragen über der Kollektor-Emitter-Spannung. Diese Betriebskennlinie ist für einen einzigen Transistor über hohe Basisstrombereiche praktisch linear. Das Schaltungsnetz ist derart angeordnet, daß eine zusammengesetzte Betriebskennlinie einer typischen Gegentakteigenschaft entspricht, die sich sowohl in die negativen wie auch in die positiven Strombereiche erstreckt. Die ungesättigte Kurve, die in ausgezogenen Linien dargestellt ist, kann durch Einstellung der Vorspannungsstärke korrigiert werden. Wenn die Vorspannungshöhe auf den Punkten X₁ und X₂ ist, so werden die Nichtlinearitäten ausgeschaltet, und es ergibt sich die gestrichelt dargestellte geradlinige Betriebscharakteristik. Dies wird gewährleistet durch Zwischenschaltung des Widerstandes 17 zwischen die Punkte P₁ und P₂, wodurch ein ausgleichender Spannungsabfall am Widerstand 17 entsteht, der die gesamte Kennlinie so verschiebt, daß sie durch Null hindurch und auf der gesamten Länge geradlinig verläuft.

Der Fachmann erkennt, daß das System gesteuert werden kann durch getrennte Aufgabe eines Impulses entweder am Punkt P₁ oder am PUrUCtP₁'. Wenn der Impuls P₁ aufgegeben wird, so ist der Punkt P₁' nicht mit der Impulsquelle, sondern vielmehr mit dem zwischen die Ausgangsklemmen geschalteten Belastungswiderstand verbunden, der somit in Wirklichkeit zwischen den Punkten P₃ und P₃' liegt. Wenn der Punkt P₃ auf ein höheres positives Potential gelangt als P₃', so ist der Punkt P₃' bestrebt, um ein der Spannung am Punkt P₃ abzüglich des Spannungsabfalls am Belastungswiderstand 22 entsprechendes Maß stärker positiv zu werden. Wenn der Punkt P₃ stärker positiv wird, so gelangt der Emitter des Transistors 19' auf ein positiveres Potential als die Basis des Transistors 19', so daß der Transistor 19' stärker leitend und infolgedessen auch der Transistor 13' stärker leitend wird. Die Folgen sind ähnlich wie diejenigen des weiter oben beschriebenen Gegentakteinganges mit der Ausnahme, daß das Emitterpotential verändert wird an Stelle des Basispotentials. Die Spannungsverstärkung wird jedoch herabgesetzt, da der Punkt P₂' auf der ursprünglichen Höhe und der Punkt P₃' auf ungefähr der gleichen Höhe verbleibt, obgleich die Impedanz des Transistors 13' sich etwas verringert. Der Transistor 13' wird in Wirklichkeit zu einer konstanten Spannungsquelle und die Spannung am Ausgang wird ungefähr gleich der Hälfte der Spannung, die für den Zustand des Gegentakt-Eingangssignals, das weiter oben beschrieben wurde, erzielt wird.

Die Frequenzwiedergabe oder der Frequenzgang eines nach dieser Lehre ausgebildeten Verstärkers verlief vom Gleichstrom bis zur Grenzfrequenz der Transistoren. Die in mindestens zwei Verstärkern verwendeten Transistoren erzeugten eine obere Fre-

quenzgrenze von 30 Kilohertz mit einem Abfall von — 6 db bei 120 Kilohertz. Die Höhe der Eingangsimpedanz lag in der Größenordnung von 150000hm. Die maximale Spitzenleistung vor der Verzerrung mit einer 18-Volt-Leitungsspannung wurde mit 25 Watt in 6 Ohm hinein ermittelt. Bei Verwendung eines dieser Leistungsstufe vorgeschalteten Alltransistor-Wechselstromverstärkers, wobei der Verstärker aus einer Impedanzanpaßstufe zur Erzeugung einer Eingangsimpedanz von ungefähr 170 000 Ohm bestand, wurde eine Spannungsverstärkungsstufe mit einer Verstärkung von ungefähr 10 erzielt.

Eine Phasenumkehrstufe zum Antrieb der Leistungsstufe kann vorgesehen werden, um dieses System in einem Hifi-Tonsystem verwendbar zu machen. Ein derartiger Verstärker wurde mit einem ebenen Ansprechen von 8 Hertz bis 100 Kilohertz entwickelt. Der Verstärker hat jedoch weite Anwendungsmöglichkeiten. Beispielsweise kann er zur Steuerung von Servo-Systemen Verwendung finden, in welchem Falle verhältnismäßig größere Transistoren verwendet würden, um höhere Belastungsströme zu gestatten. Es ist möglich, mittels eines transformatorlosen Verstärkers mehrere hundert Watt in Gegentaktsteuerung zu verarbeiten.

Es wurde ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben, jedoch ist erkennbar, daß für den Fachmann viele Abwandlungen desselben möglich sind. Beispielsweise können Maßnahmen gemäß der eingangs erwähnten älteren Patentanmeldung auch hier angewendet werden, indem Transistoren parallel geschaltet werden, um höhere Stromstärken zu ermöglichen, oder auch in Darlington-Schaltung zwecks stärkerer Steuerung mit kleineren Strömen. Auch andere Abwandlungen sind dem Fachmann möglich; jedoch sollen alle Abwandlungen, die unter den Schutzumfang der Patentansprüche fallen, innerhalb des allgemeinen Gedankens der Erfindung liegen.

Claims (9)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Transformatorloser Transistor-Verstärker, gekennzeichnet durch ein Paar von Brückennetzwerken (10 und 11), deren jedes einen ersten und einen zweiten Transistor desselben Typs (12, 13 bzw. 12', 13') aufweist, die in der Weise in Reihe geschaltet sind, daß der Emitter des zweiten Transistors (13) mit dem Kollektor des ersten Transistors (12) verbunden ist, durch ein Paar miteinander in Reihe geschalteten Widerständen (14,15 bzw. 14', 150, deren Enden einerseits mit den Emittern der ersten Transistoren (14, 140 und andererseits mit den Kollektoren der zweiten Transistoren (13, 13') verbunden sind, durch einen dritten Brückentransistor des dem ersten und zweiten Transistortyp entgegengesetzten Typs (18 bzw. 18'), dessen Basis zwischen die Widerstände geschaltet, dessen Kollektor mit der Basis des ersten Reihentransistors und dessen Emitter mit der gemeinsamen Emitter-Kollektor-Verbindung des ersten und zweiten Reihentransistors verbunden ist, und durch einen vierten Transistor (19 bzw. 19'), dessen Basis zwischen die Widerstände geschaltet ist, dessen Kollektor mit dem Kollektor des zweiten Reihentransistors und dessen Emitter mit der Basis des zweiten Reihentransistors verbunden ist, ferner durch ein Paar von Eingangsklemmen (20, 20'), deren jede zwischen den Reihenwiderständen (14, 15 bzw. 14', 15') jedes der Brückennetzwerke angeschlossen ist, durch ein Paar von Ausgangsklemmen (21, 21'), deren jede am gemeinsamen Verbindungspunkt der Reihentransistoren angeschlossen ist, und durch gemeinsame Vorspannungsleitungen (23, 24) für jedes Brückennetzwerk an den entsprechenden Enden der Brücken.

2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Widerstand (17 bzw. 17') zwischen die Basiselektroden des dritten und vierten Transistors (18 und 19 bzw. 18' und 19') geschaltet ist und daß die Eingangsklemme (20 bzw. 20') auf derselben Seite dieses Widerstandes liegt wie der dritte Transistor (18 bzw. 18').

3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Transistoren von demselben Typ sind, mit Ausnahme des genannten Brückentransistors, der vom entgegengesetzten Typ ist.

4. Verstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste, zweite und vierte Transistor jeder Brücke vom Typ PNP und der dritte Transistor jeder Brücke vom Typ NPN ist.

5. Verstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß Emitterwiderstände (27, 28 und 27', 28') für jeden Reihentransistor in beiden Brückenkreisen vorgesehen sind.

6. Verstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß für jeden der Reihentransistoren in beiden Brückenkreisen Basiswiderstände (25, 26 bzw. 25', 26') vorgesehen sind, um den Ruhestrom herabzusetzen und eine Vorspannung zu gewährleisten.

7. Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Widerstand (17 bzw. 17') derart gewählt ist, daß er ungefähr die gleiche Spannung an seinen beiden Enden aufweist wie die Basiswiderstände (26 bzw. 26') des zweiten Transistors.

8. Verstärker nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch geeignete Bemessung des Widerstandswertes des dritten Widerstands in bezug auf den in Reihe geschalteten Widerstand, so daß eine Linearisierung der Ausgangs-Kennlinie des Verstärkers erzielt wird.

9. Verstärker nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (15) bzw. die Summe der Widerstände (16 und 17) auf der einen Seite der Eingangsklemme ungefähr gleich sind dem Reihenwiderstand (15') bzw. die Summe der Widerstände (16' und 17') auf der anderen Seite der Eingangsklemme.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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