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Technisches Gebiet
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Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich auf eine Texturerkennungsvorrichtung und eine Anzeigevorrichtung.
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Stand der Technik
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Aufgrund der Einzigartigkeit von Hauttexturen wie Finger- oder Handabdruckmustern wird die Technologie zur Erkennung von Texturen in Kombination mit optischer Bildgebung zunehmend in verschiedenen elektronischen Produkten für Funktionen wie Identitätsprüfung und elektronische Zahlung eingesetzt. Da sich aktuelle elektronische Produkte wie Mobiltelefone und Tablet-Computer in Richtung Großbildschirm und Vollbildschirm entwickeln, liegt das Hauptaugenmerk in diesem Bereich auf der Frage, wie eine optimierte Texturerkennungsvorrichtung entwickelt werden kann und wie der Benutzer die Texturerkennung besser erleben kann.
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Offenbarung der Erfindung
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Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt eine Texturerkennungsvorrichtung bereit, wobei die Texturerkennungsvorrichtung eine Vielzahl von Pixeleinheiten aufweist und Folgendes umfasst: ein Basissubstrat, eine Treiberschaltungsschicht, die auf dem Basissubstrat angeordnet ist, eine erste Elektrodenschicht, die auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der Treiberschaltungsschicht angeordnet ist, und eine lichtempfindliche Elementschicht, die auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Elektrodenschicht angeordnet ist, wobei mindestens eine der Vielzahl von Pixeleinheiten eine in der Treiberschaltungsschicht angeordnete Pixeltreiberschaltung, eine in der ersten Elektrodenschicht angeordnete erste Elektrode und eine Vielzahl von in der lichtempfindlichen Elementschicht voneinander beabstandet angeordneten lichtempfindlichen Elementen umfasst, wobei die Pixeltreiberschaltung mit der ersten Elektrode elektrisch verbunden ist, wobei die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Elektrode angeordnet ist und über die erste Elektrode mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden ist.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine isolierende Zwischenschicht, die zwischen der Treiberschaltungsschicht und der ersten Elektrodenschicht angeordnet ist, wobei die isolierende Zwischenschicht ein Durchgangsloch umfasst, über das die erste Elektrode mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden ist, wobei eine orthografische Projektion des Durchgangslochs auf das Basissubstrat nicht mit orthografischen Projektionen der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen auf das Basissubstrat überlappt.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise die erste Elektrode mindestens einen ersten hohlen Abschnitt, der zwischen zwei benachbarten lichtempfindlichen Elementen aus der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen angeordnet ist.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, weist beispielsweise jeder des mindestens einen ersten hohlen Abschnitts eine Länge im Bereich von 6 µm bis 40 µm und eine Breite im Bereich von 2,5 µm bis 10 µm auf.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, sind beispielsweise die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen, die in mindestens einer der Vielzahl von Pixeleinheiten enthalten sind, in einem Array von M*N angeordnet, wobei M eine positive ganze Zahl größer als oder gleich 1 ist und N eine positive ganze Zahl größer als 1 ist.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ist beispielsweise M gleich 2 und N ist gleich 2, wobei die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen in einem Array von 2*2 angeordnet sind.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine zweite Elektrodenschicht, die auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der lichtempfindlichen Elementschicht angeordnet ist, wobei die mindestens eine Pixeleinheit ferner eine Vielzahl von zweiten Elektroden umfasst, die in der zweiten Elektrodenschicht angeordnet sind, wobei die Vielzahl von zweiten Elektroden jeweils auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen angeordnet ist.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, überlappen beispielsweise orthographische Projektionen der Vielzahl von zweiten Elektroden auf das Basissubstrat nicht mit der orthographischen Projektion des Durchgangslochs auf das Basissubstrat.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine dritte Elektrodenschicht, die auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten Elektrodenschicht angeordnet ist, wobei die Vielzahl von zweiten Elektroden mit der dritten Elektrodenschicht elektrisch verbunden ist.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise die dritte Elektrodenschicht mindestens einen zweiten hohlen Abschnitt, der zwischen zwei benachbarten Pixeleinheiten aus der Vielzahl von Pixeleinheiten angeordnet ist.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise die Treiberschaltungsschicht ferner eine Signalabtastleitung, die mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden ist, wobei eine orthographische Projektion des mindestens einen zweiten hohlen Abschnitts auf das Basissubstrat zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Signalabtastleitung auf das Basissubstrat überlappt.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, weist beispielsweise der zweite hohle Abschnitt, der zumindest teilweise mit der Signalabtastleitung überlappt, eine Länge im Bereich von 20 µm bis 97 µm und eine Breite im Bereich von 6 µm bis 20 µm auf.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise die Treiberschaltungsschicht ferner eine Signalausleseleitung, die mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden ist, wobei die orthografische Projektion des mindestens einen zweiten hohlen Abschnitts auf das Basissubstrat zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion der Signalausleseleitung auf das Basissubstrat überlappt.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, weist beispielsweise der zweite hohle Abschnitt, der zumindest teilweise mit der Signalausleseleitung überlappt, eine Länge im Bereich von 8 µm bis 97 µm und eine Breite im Bereich von 2,5 µm bis 20 µm auf.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine elektrostatische Abschirmschicht umfasst, die auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der dritten Elektrodenschicht angeordnet ist, wobei sich eine orthographische Projektion der dritten Elektrodenschicht auf das Basissubstrat innerhalb einer orthographischen Projektion der elektrostatischen Abschirmschicht auf das Basissubstrat befindet.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine erste Blendenschicht umfasst, die auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der elektrostatischen Abschirmschicht angeordnet ist, wobei die erste Blendenschicht eine Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen umfasst, wobei in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats die Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen jeweils mit der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen korrespondiert und mit dieser überlappt.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine zweite Blendenschicht, die auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Blendenschicht angeordnet ist, wobei die zweite Blendenschicht eine Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen umfasst, wobei in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats die Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen jeweils mit der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen korrespondiert und mit dieser überlappt.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, weist beispielsweise jede der Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen in einer Richtung parallel zur Oberfläche des Basissubstrats einen Durchmesser D1 und jede der Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen einen Durchmesser D2 auf, wobei gilt: 2 µm ≤ D1 ≤ D2 ≤ 50 µm.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine Sichtfeldblendenschicht, die zwischen der elektrostatischen Abschirmschicht und der ersten Blendenschicht angeordnet ist, wobei die Sichtfeldblendenschicht eine Vielzahl von dritten lichtdurchlässigen Öffnungen umfasst, wobei in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats die Vielzahl von dritten lichtdurchlässigen Öffnungen jeweils mit der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen korrespondiert und mit dieser überlappt.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine Lichtfilterschicht, die zwischen der Sichtfeldblendenschicht und der ersten Blendenschicht angeordnet ist, wobei die Lichtfilterschicht so ausgebildet ist, dass sie Licht mit einer Wellenlänge von 580 nm bis 850 nm herausfiltert.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine Linsenschicht umfasst, die auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten Blendenschicht angeordnet ist, wobei die Linsenschicht eine Vielzahl von Linseneinheiten umfasst und die Vielzahl von Linseneinheiten in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats jeweils mit der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen korrespondiert und mit dieser überlappt.
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Die Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise ferner eine Planarisierungsschicht, die auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der Linsenschicht angeordnet ist, wobei das Material der Planarisierungsschicht einen Brechungsindex von 1,35 bis 1,45 aufweist.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst beispielsweise die Pixeltreiberschaltung einen ersten Dünnfilmtransistor, einen zweiten Dünnfilmtransistor und einen dritten Dünnfilmtransistor, wobei ein Steueranschluss des ersten Dünnfilmtransistors mit der Signalabtastleitung verbunden ist, wobei ein erster Source-Drain-Anschluss und ein zweiter Source-Drain-Anschluss des ersten Dünnfilmtransistors jeweils mit der Signalausleseleitung und einem ersten Source-Drain-Anschluss des zweiten Dünnfilmtransistors verbunden sind, wobei ein Steueranschluss des zweiten Dünnfilmtransistors mit einem ersten Source-Drain-Anschluss des dritten Dünnfilmtransistors verbunden ist, wobei ein zweiter Source-Drain-Anschluss D2 des zweiten Dünnfilmtransistors mit einer Stromversorgungsleitung verbunden ist, wobei ein Steueranschluss des dritten Dünnfilmtransistors mit einer Rücksetzsignalleitung verbunden ist, und wobei der zweite Source-Drain-Anschluss des dritten Dünnfilmtransistors mit der Stromversorgungsleitung verbunden ist.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, sind beispielsweise für die Pixeltreiberschaltung jeder der Vielzahl von Pixeleinheiten der erste Dünnfilmtransistor und der zweite Dünnfilmtransistor auf einer ersten Seite des Durchgangslochs angeordnet, das in der isolierenden Zwischenschicht enthalten ist, wobei der dritte Dünnfilmtransistor auf einer zweiten Seite angeordnet ist, wobei die erste Seite und die zweite Seite einander gegenüberliegen.
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In der Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, überlappt beispielsweise eine orthografische Projektion der Stromversorgungsleitung auf das Basissubstrat teilweise mit orthografischen Projektionen von mindestens einem Teil der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen auf das Basissubstrat.
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Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ferner eine Anzeigevorrichtung bereit, die umfasst: eine Anzeigetafel, die eine Anzeigeseite und eine Nicht-Anzeigeseite aufweist und Licht von der Anzeigeseite zur Nicht-Anzeigeseite durchlässt, und eine Texturerkennungsvorrichtung, die durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird und die auf der Nicht-Anzeigeseite der Anzeigetafel angeordnet ist und so ausgebildet ist, dass sie Licht empfängt, das von der Anzeigeseite zu der Nicht-Anzeigeseite zur Texturerkennung übertragen wird, wobei sich die lichtempfindliche Elementschicht näher an der Anzeigetafel befindet als die Basissubstratschicht.
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Figurenliste
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Um die technischen Lösungen in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung deutlicher darzustellen, werden die Zeichnungen der Ausführungsformen nachstehend kurz beschrieben. Offensichtlich stellen die Zeichnungen in der folgenden Beschreibung lediglich einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dar und schränken die vorliegende Offenbarung nicht ein.
- 1 ist eine schematische Draufsicht auf eine Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
- 2 ist eine schematische Querschnittsansicht der Texturerkennungsvorrichtung in 1 entlang einer Linie N-N;
- 3 ist eine weitere schematische Draufsicht auf eine Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
- 4 ist ein Schaltplan einer Pixeltreiberschaltung und eines lichtempfindlichen Elements in einer Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
- 5 ist eine weitere schematische Draufsicht auf eine Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
- 6A-6K sind schematische Draufsichten auf verschiedene strukturelle Schichten in einer Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
- 7 ist eine schematische Draufsicht auf eine Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, und eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Linie M-M in der Draufsicht;
- 8 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.
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Ausführungsformen der Erfindung
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Um die Ziele, die technischen Lösungen und die Vorteile der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zu verdeutlichen, werden die technischen Lösungen der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung klar und vollständig beschrieben. Offensichtlich sind die beschriebenen Ausführungsformen einige der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung und nicht alle von ihnen. Ausgehend von den beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung fallen alle anderen Ausführungsformen, die vom Durchschnittsfachmann auf dem einschlägigen technischen Gebiet ohne erfinderisches Zutun erhalten werden können, in den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung.
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Sofern nicht anders definiert, haben die in der vorliegenden Offenbarung verwendeten technischen oder wissenschaftlichen Begriffe die übliche Bedeutung, die vom Fachmann auf dem Gebiet der vorliegenden Offenbarung verstanden wird. Die Begriffe „erste“, „zweite“ und dergleichen, die in der vorliegenden Offenlegung verwendet werden, geben keine Reihenfolge, Menge oder Bedeutung an, sondern dienen nur zur Unterscheidung verschiedener Bestandteile. Der Begriff „umfassen“ oder „einschließen“ und dergleichen bedeutet, dass die vor dem Begriff aufgeführten Elemente oder Gegenstände die nach dem Wort aufgeführten Elemente oder Gegenstände und deren Äquivalente einschließen, ohne andere Elemente oder Gegenstände auszuschließen. Die Begriffe „verbinden“, „anschließen“ und dergleichen sind nicht auf physische oder mechanische Verbindungen beschränkt, sondern können auch direkte oder indirekte elektrische Verbindungen umfassen. Die Begriffe „oben“, „unten“, „links“, „rechts“ und dergleichen werden nur zur Angabe der relativen Positionsbeziehung verwendet. Wenn sich die absolute Position des beschriebenen Objekts ändert, kann sich auch die relative Positionsbeziehung entsprechend ändern.
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In der Anzeigevorrichtung kann die Texturerkennungsvorrichtung auf der Nicht-Anzeigeseite der Anzeigetafel eingebaut werden und die Anzeigetafel ist zumindest teilweise lichtdurchlässig, so dass die Texturerkennungsvorrichtung Signallicht durch die Anzeigetafel empfangen kann, wodurch die Anzeigevorrichtung sowohl eine Anzeigefunktion als auch eine Texturerkennungsfunktion hat. In aktuellen Anzeigevorrichtungen verfügt die verwendete Texturerkennungsvorrichtung in der Regel über eine Vielzahl von Pixeleinheiten zum Erkennen von Signallicht und zum Zusammensetzen eines Texturbildes. Die Vielzahl von Pixeleinheiten kann jeweils einen Kollimationsfilm mit einer Mikrolinsenstruktur als optisches Pfadsystem verwenden, um das in die Texturerkennungsvorrichtung eingespeiste Licht zu kollimieren, so dass das kollimierte Licht leichter erkannt und die Lichtausnutzungsrate verbessert werden kann. Beispielsweise umfasst jede Pixeleinheit ein lichtempfindliches Element, dem eine Mikrolinsenstruktur zugeordnet ist, um das auf das lichtempfindliche Element einfallende Licht mit Hilfe der Mikrolinsenstruktur zu kollimieren.
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Die Erfinder der vorliegenden Offenbarung haben jedoch festgestellt, dass die herkömmliche Mikrolinsenstruktur nur schwer mit dem lichtempfindlichen Element in jeder Pixeleinheit zusammenpasst und somit das in jede Pixeleinheit eingespeiste Licht nicht effektiv kollimieren kann. Darüber hinaus verfügt jede Pixeleinheit über eine entsprechende Pixeltreiberschaltung, die unterhalb des lichtempfindlichen Elements angeordnet ist, um den Empfang von Signallicht durch das lichtempfindliche Element nicht zu stören. Die Pixeltreiberschaltung ist mit dem lichtempfindlichen Element elektrisch verbunden, um die Pixeltreiberschaltung anzusteuern. Die Pixeltreiberschaltung ist jedoch in der Regel nicht flach. Eine nicht flache Pixeltreiberschaltung, die unterhalb des lichtempfindlichen Elements angeordnet ist, kann die Struktur des lichtempfindlichen Elements verformen und somit die Eigenschaften des lichtempfindlichen Elements beeinträchtigen, was zu einer Reihe von Problemen, wie z.B. Dunkelstrom im lichtempfindlichen Element führt und den Erkennungseffekt der Texturerkennungsvorrichtung beeinträchtigt.
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Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt eine Texturerkennungsvorrichtung und eine Anzeigevorrichtung bereit, wobei die Texturerkennungsvorrichtung eine Vielzahl von Pixeleinheiten aufweist und ein Basissubstrat, eine Treiberschaltungsschicht, eine erste Elektrodenschicht und eine lichtempfindliche Elementschicht umfasst, wobei die Treiberschaltungsschicht auf dem Basissubstrat angeordnet ist und die erste Elektrodenschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der Treiberschaltungsschicht angeordnet ist und die lichtempfindliche Elementschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Elektrodenschicht angeordnet ist, wobei mindestens eine der Vielzahl von Pixeleinheiten eine in der Treiberschaltungsschicht angeordnete Pixeltreiberschaltung, eine in der ersten Elektrodenschicht angeordnete erste Elektrode und eine Vielzahl von in der lichtempfindlichen Elementschicht voneinander beabstandet angeordneten lichtempfindlichen Elementen umfasst, wobei die Pixeltreiberschaltung mit der ersten Elektrode elektrisch verbunden ist und die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Elektrode angeordnet ist und über die erste Elektrode mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden ist.
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In der oben erwähnten Texturerkennungsvorrichtung, die durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst mindestens eine Pixeleinheit eine Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen, die über dieselbe erste Elektrode mit derselben Pixeltreiberschaltung verbunden und angesteuert sind. Dabei kann die erste Elektrode über ein Durchgangsloch mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden sein, um die elektrische Verbindung zwischen der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen und derselben Pixeltreiberschaltung zu realisieren, wodurch die Anzahl von Löchern für die elektrische Verbindung reduziert wird und die Auswahl der Position für das Durchgangsloch erleichtert wird und außerdem die Flachheit der Pixeltreiberschaltung verbessert wird. Andererseits ist die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen, die mindestens eine Pixeleinheit umfasst, durch dieselbe Pixeltreiberschaltung angesteuert, so dass sie sich im selben Betriebszustand befinden und die Pixeleinheit ausreichendes Signallicht durch die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen empfangen und ein Texturbild zusammensetzen kann.
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Im Folgenden werden die Texturerkennungsvorrichtung und die Anzeigevorrichtung, die durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt werden, anhand einiger spezifischer Ausführungsformen ausführlich beschrieben.
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1 ist eine schematische Draufsicht auf eine Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. 2 ist eine schematische Querschnittsansicht der Texturerkennungsvorrichtung in 1 entlang einer Linie N-N.
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Wie in 1 und 2 gezeigt, weist die Texturerkennungsvorrichtung eine Vielzahl von Pixeleinheiten PX auf, die beispielsweise in einem Array angeordnet sind. Eine Pixeleinheit PX ist in 1 als Beispiel dargestellt. Wie in 2 gezeigt, umfasst die Texturerkennungsvorrichtung ein Basissubstrat 10, eine Treiberschaltungsschicht 20, eine erste Elektrodenschicht und eine lichtempfindliche Elementschicht. Die Treiberschaltungsschicht 20 ist auf dem Basissubstrat 10 angeordnet und die erste Elektrodenschicht ist auf einer von dem Basissubstrat 10 abgewandten Seite der Treiberschaltungsschicht 20 angeordnet und umfasst eine Vielzahl von ersten Elektroden E1 für eine Vielzahl von Pixeleinheiten PX, und die lichtempfindliche Elementschicht ist auf einer von dem Basissubstrat 10 abgewandten Seite der ersten Elektrodenschicht angeordnet und umfasst eine Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen für eine Vielzahl von Pixeleinheiten PX.
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Beispielsweise umfasst mindestens eine der Vielzahl von Pixeleinheiten PX eine in der Treiberschaltungsschicht 20 angeordnete Pixeltreiberschaltung, eine in der ersten Elektrodenschicht angeordnete erste Elektrode E1 und eine Vielzahl von in der lichtempfindlichen Elementschicht voneinander beabstandet angeordneten lichtempfindlichen Elementen P. 1 zeigt als Beispiel vier lichtempfindliche Elemente P, die in einem Array von 2*2 angeordnet sind, wobei die Pixeltreiberschaltung mit der ersten Elektrode E1 elektrisch verbunden ist und eine Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P auf einer vom Basissubstrat 10 abgewandten Seite der ersten Elektrode E1 angeordnet und über die erste Elektrode E1 mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden ist.
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Somit ist die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P, die mindestens eine Pixeleinheit PX umfasst, über dieselbe erste Elektrode E1 mit derselben Pixeltreiberschaltung verbunden und angesteuert. Dabei kann die erste Elektrode E1 über ein Durchgangsloch (nämlich Durchgangsloch V1 in der Figur) mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden sein, um die elektrische Verbindung zwischen der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P und derselben Pixeltreiberschaltung zu realisieren, wodurch die Anzahl von Löchern V1 für die elektrische Verbindung reduziert wird und die Auswahl der Position für das Durchgangsloch V1 erleichtert wird und außerdem die Flachheit der Pixeltreiberschaltung verbessert wird. Andererseits ist die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P, die mindestens eine Pixeleinheit PX umfasst, durch dieselbe Pixeltreiberschaltung angesteuert, so dass sie sich im selben Betriebszustand befinden und die Pixeleinheit PX ausreichendes Signallicht durch die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P empfangen und ein Texturbild zusammensetzen kann.
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Beispielsweise kann in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P, die in mindestens einer der Vielzahl von Pixeleinheiten enthalten sind, in einem Array von M*N angeordnet sein, wobei M eine positive ganze Zahl größer oder gleich 1 und N eine positive ganze Zahl größer als 1 ist. 3 zeigt beispielsweise ein schematisches Diagramm der Anordnung einer Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P, die in einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt werden. Wie in 3 gezeigt, kann in einigen Beispielen eine Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P in einem Array aus M Zeilen und N Spalten angeordnet sein, wie z.B. in einem Array aus 2 Zeilen und 3 Spalten (2*3), einem Array aus 3 Zeilen und 3 Spalten (3*3) oder einem Array aus 4 Zeilen und 4 Spalten (4*4) usw., was in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht spezifisch eingeschränkt ist.
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In einigen Ausführungsformen umfasst die Pixeltreiberschaltung jeder Pixeleinheit PX beispielsweise mindestens einen Dünnfilmtransistor und kann auch Strukturen wie Kondensator umfassen. 4 zeigt beispielsweise einen Schaltplan für die Verbindung einer Pixeltreiberschaltung mit einem lichtempfindlichen Element P, der durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 4 gezeigt, umfasst die Pixeltreiberschaltung in diesem Beispiel einen ersten Dünnfilmtransistor T1, einen zweiten Dünnfilmtransistor T2, einen dritten Dünnfilmtransistor T3 und einen Kondensator C.
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Wie in 4 gezeigt, fungiert der erste Dünnfilmtransistor T1 beispielsweise als Schalttransistor, dessen Steueranschluss mit einer Signalabtastleitung Vr verbunden ist, wobei ein erster Source-Drain-Anschluss S1 und ein zweiter Source-Drain-Anschluss D1 jeweils mit einer Signalausleseleitung Vout und einem ersten Source-Drain-Anschluss S2 des zweiten Dünnfilmtransistors T2 verbunden sind. Der zweite Dünnfilmtransistor T2 fungiert als Treibertransistor, dessen Steueranschluss mit einem ersten Source-Drain-Anschluss S3 des dritten Dünnfilmtransistors T3 und mit einer ersten kapazitive Polplatte C1 des Kondensators C und einer ersten Elektrode E1 des lichtempfindlichen Elements P verbunden ist, wobei ein zweiter Source-Drain-Anschluss D2 mit einer Stromversorgungsleitung Vdd verbunden ist. Der dritte Dünnfilmtransistor T3 fungiert als Rücksetztransistor, dessen Steueranschluss mit einer Rücksetzsignalleitung Vrst verbunden ist, wobei ein zweiter Source-Drain-Anschluss D3 mit der Stromversorgungsleitung Vdd verbunden ist. Eine zweite kapazitive Polplatte C2 des Kondensators C und eine zweite Elektrode E2 des lichtempfindlichen Elements P sind mit einer Vorspannungsleitung Vb verbunden. In 4 ist nur ein lichtempfindliches Element P als Beispiel dargestellt. In der Tat kann hier eine Vielzahl von parallel geschalteten lichtempfindlichen Elementen P vorgesehen sein.
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Bei der in 4 gezeigten Schaltung umfasst der Arbeitsprozess des lichtempfindlichen Elements P beispielsweise Folgendes: Zunächst wird in einer Rücksetzphase ein Rücksetzsignal über die Rücksetzsignalleitung Vrst in den Steueranschluss des dritten Dünnfilmtransistors T3 eingegeben, um den dritten Dünnfilmtransistor T3 einzuschalten. Das Rücksetzsignal wird in die erste Elektrode E1 des lichtempfindlichen Elements P und in den Steueranschluss des zweiten Dünnfilmtransistors T2 geschrieben. Dann erzeugt das lichtempfindliche Element P in einer Bestrahlungsphase unter der Bestrahlung mit Signallicht photoinduzierte Ladungsträger, um einen photoinduzierten Leckstrom zu erzeugen, und der Kondensator C wird aufgeladen, so dass der Kondensator C ein elektrisches Signal erzeugt und speichert. Schließlich wird in einer Erfassungsstufe ein Abtastsignal über die Signalabtastleitung Vr in den Steueranschluss des ersten Dünnfilmtransistors T1 eingegeben, um den ersten Dünnfilmtransistor T1 einzuschalten. Der Texturerkennungschip liest das vom Kondensator C gespeicherte elektrische Signal aus dem ersten Dünnfilmtransistor T1 und dem zweiten Dünnfilmtransistor T2 über die Signalleseleitung Vout aus und erzeugt dann ein Texturbild.
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In 2 ist beispielsweise nur ein Dünnfilmtransistor dargestellt, der beispielsweise der oben erwähnte zweite Dünnfilmtransistor T2 ist und Strukturen wie eine aktive Schicht AT, eine Gate-Elektrode G, eine Source-Elektrode S und eine Drain-Elektrode D aufweist. Beispielsweise dient die Gate-Elektrode G als Steueranschluss des zweiten Dünnfilmtransistors T2, die Source-Elektrode S als erster Source-Drain-Anschluss des zweiten Dünnfilmtransistors T2 und die Drain-Elektrode D als zweiter Source-Drain-Anschluss des zweiten Dünnfilmtransistors T2. In 2 ist beispielsweise eine weitere Gate-Elektrode G2 dargestellt, welche die Gate-Elektrode des ersten Dünnfilmtransistors T1 ist. Die anderen Strukturen des ersten Dünnfilmtransistors T1 und des dritten Dünnfilmtransistor T3 sind nicht in 2 dargestellt. Beispielsweise haben der erste Dünnfilmtransistor T1 und der dritte Dünnfilmtransistor T3 eine ähnliche Struktur wie der zweite Dünnfilmtransistor T2, und Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung schränken die spezifische Struktur des ersten Dünnfilmtransistors T1, des zweiten Dünnfilmtransistors T2 und des dritten Dünnfilmtransistors T3 nicht ein.
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In einigen Ausführungsformen umfasst die Texturerkennungsvorrichtung, wie in 2 gezeigt, beispielsweise ferner eine isolierende Zwischenschicht IL, die zwischen der Treiberschaltungsschicht 20 und der ersten Elektrodenschicht angeordnet ist, wobei die isolierende Zwischenschicht IL ein Durchgangsloch V1 umfasst, durch das die erste Elektrode E1 mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden ist, beispielsweise mit der Gate-Elektrode G des zweiten Dünnfilmtransistors T2 in der Pixeltreiberschaltung. Eine orthografische Projektion des Durchgangslochs V1 auf das Basissubstrat 10 überlappt beispielsweise nicht mit einer orthografischen Projektion der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P auf das Basissubstrat 10.
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Da der Bereich, in dem sich das Durchgangsloch V1 befindet, relativ uneben ist, sind das Durchgangsloch V1 und die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P derart angeordnet, dass sie sich in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats 10 nicht überlappen. Dadurch kann vermieden werden, dass der unebene Bereich sich unterhalb der lichtempfindlichen Elemente P befindet und die Struktur der lichtempfindlichen Elemente verformt, wodurch die strukturelle Genauigkeit der lichtempfindlichen Elemente gewährleistet und die lichtempfindliche Wirkung der lichtempfindlichen Elemente verbessert wird.
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In einigen Ausführungsformen ist die isolierende Zwischenschicht beispielsweise eine Planarisierungsschicht, die zur Planarisierung der Pixeltreiberschaltung für die Anordnung der ersten Elektrodenschicht darauf dient. Beispielsweise kann die isolierende Zwischenschicht in einigen Ausführungsformen, wie in 2 gezeigt, einen Stapel aus mehreren isolierenden Unterschichten, beispielsweise eine Planarisierungsschicht IL1 und eine erste Passivierungsschicht IL2 umfassen. In der Planarisierungsschicht IL1 ist ein Durchgangsloch V10 ausgebildet. In der ersten Passivierungsschicht IL2 ist ein Durchgangsloch V11 ausgebildet.
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Das Durchgangsloch V10 und das Durchgangsloch V11 sind verbunden, um das Durchgangsloch V1 in der isolierenden Zwischenschicht IL zu bilden. In weiteren Ausführungsformen kann die isolierende Zwischenschicht beispielsweise auch einen Stapel aus mehr isolierenden Unterschichten umfassen, und Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung schränkt die spezifische Form der isolierenden Zwischenschicht IL nicht ein.
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Beispielsweise ist die erste Elektrode E1 jeder Pixeleinheit PX in einigen Ausführungsformen eine monolithische Struktur, die unterhalb einer Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen angeordnet ist. Alternativ umfasst die erste Elektrode E1 in anderen Ausführungsformen, wie in 1 gezeigt, mindestens einen ersten hohlen Abschnitt E10, der zwischen zwei benachbarten lichtempfindlichen Elementen P aus der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P angeordnet ist. Beispielsweise umfasst die erste Elektrode E1 eine Vielzahl von ersten hohlen Abschnitten E10, die zwischen jeweils zwei benachbarten lichtempfindlichen Elementen P aus der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P angeordnet sind. Der erste hohle Abschnitt E10 kann Erzeugung der Kopplungskapazitäten zwischen der ersten Elektrode E1 und der darüber oder darunter liegenden Schaltung verhindern, wodurch unerwünschte Phänomene wie das Übersprechen von Signalen usw. vermieden werden.
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Beispielsweise umfasst die Texturerkennungsvorrichtung in einigen Ausführungsformen, wie in 2 gezeigt, ferner eine zweite Elektrodenschicht, die auf einer vom Basissubstrat 10 entfernten Seite der lichtempfindlichen Elementschicht angeordnet ist. Beispielsweise umfasst die mindestens eine Pixeleinheit PX ferner eine Vielzahl von zweiten Elektroden E2, die in der zweiten Elektrodenschicht angeordnet sind, wobei die Vielzahl von zweiten Elektroden E2 jeweils auf einer vom Substrat 10 abgewandten Seite der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P angeordnet ist. Die erste Elektrode E1 und die Vielzahl von zweiten Elektroden E2 treiben gemeinsam die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P an. Andererseits kann die erste Elektrode E1 auch zusammen mit der Vielzahl von zweiten Elektroden E2 den oben erwähnten Kondensator C bilden.
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In einigen Ausführungsformen überlappen beispielsweise orthografische Projektionen der Vielzahl von zweiten Elektroden E2 auf das Basissubstrat 10 nicht mit der orthografischen Projektion des Durchgangslochs V1 auf das Basissubstrat 10. Beispielsweise ist die Vielzahl von zweiten Elektroden E2 voneinander beabstandet in der zweiten Elektrodenschicht angeordnet, wobei sich die orthographische Projektion der auf jedem lichtempfindlichen Element P angeordneten zweiten Elektrode E2 auf das Basissubstrat 10 innerhalb der orthographischen Projektion des lichtempfindlichen Elements P auf das Basissubstrat 10 befindet, um die Ebenheit der zweiten Elektrode E2 zu gewährleisten und dadurch die Genauigkeit des von der zweiten Elektrode E2 übertragenen elektrischen Signals sicherzustellen.
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In einigen Ausführungsformen kann die Texturerkennungsvorrichtung, wie in 2 gezeigt, beispielsweise ferner eine dritte Elektrodenschicht E3 umfassen, die auf einer vom Basissubstrat 10 abgewandten Seite der zweiten Elektrodenschicht angeordnet ist, wobei die Vielzahl von zweiten Elektroden E2 mit der dritten Elektrodenschicht E3 elektrisch verbunden ist. Beispielsweise ist die dritte Elektrodenschicht E3 mit der Vorspannungsleitung Vb verbunden, so dass jede zweite Elektrode E2 über die dritte Elektrodenschicht E3 das gleiche elektrische Signal von der Vorspannungsleitung Vb erhält.
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In einigen Ausführungsformen umfasst die dritte Elektrodenschicht E3 beispielsweise mindestens einen zweiten hohlen Abschnitt E30, der zwischen zwei benachbarten Pixeleinheiten PX aus der Vielzahl von Pixeleinheiten PX angeordnet ist. Beispielsweise umfasst die dritte Elektrodenschicht E3 eine Vielzahl von zweiten hohlen Abschnitten E30, die zwischen jeweils zwei benachbarten Pixeleinheiten PX aus der Vielzahl von Pixeleinheiten PX angeordnet sind. Der zweite hohle Abschnitt E30 kann Erzeugung der Kopplungskapazitäten zwischen der dritten Elektrodenschicht E3 und der darüber oder darunter liegenden Schaltung verhindern, wodurch unerwünschte Phänomene wie das Übersprechen von Signalen usw. vermieden werden.
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Wie in 2 gezeigt, kann die Texturerkennungsvorrichtung beispielsweise ferner Strukturen wie eine erste Pufferschicht 101 auf dem Basissubstrat 10, eine erste Gate-Isolierschicht 102 auf der aktiven Schicht AT, eine zweite Gate-Isolierschicht 103 auf der Gate-Elektrode G, eine zweite Pufferschicht 104 auf der zweiten Elektrodenschicht, eine organische Isolierschicht 105 auf der zweiten Pufferschicht 104, eine zweite Passivierungsschicht 106 auf der organischen Isolierschicht 105 und eine dritte Passivierungsschicht 107 auf der dritten Elektrodenschicht E3. Beispielsweise weisen die zweite Pufferschicht 104, die organische Isolierschicht 105 und die zweite Passivierungsschicht 106 eine Vielzahl von Löchern V2 auf, über die die Vielzahl von zweiten Elektroden E2 jeweils mit der dritten Elektrodenschicht E3 verbunden ist.
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In einigen Ausführungsformen kann die Texturerkennungsvorrichtung, wie in 2 gezeigt, beispielsweise ferner eine elektrostatische Abschirmschicht 108 umfassen, die auf einer vom Basissubstrat 10 abgewandten Seite der dritten Elektrodenschicht E3 angeordnet ist, wobei sich eine orthografische Projektion der dritten Elektrodenschicht E3 auf das Basissubstrat 10 innerhalb einer orthografischen Projektion der elektrostatischen Abschirmschicht 108 auf das Basissubstrat 10 befindet. Die elektrostatische Abschirmschicht 108 kann eine elektrostatische Abschirmung für die dritte Elektrodenschicht E3 und die darunter liegende Schaltung bieten.
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In einigen Ausführungsformen kann die elektrostatische Abschirmschicht 108, wie in 2 gezeigt, beispielsweise auf der gesamten Oberfläche der dritten Elektrodenschicht E3 ausgebildet sein oder das gleiche Muster wie die dritte Elektrodenschicht E3 aufweisen. Beispielsweise kann die elektrostatische Abschirmschicht 108 dritte hohle Abschnitte zwischen benachbarten Pixeleinheiten PX aufweisen, die in den Figuren nicht dargestellt sind.
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Beispielsweise zeigt 5 eine schematische Draufsicht auf eine Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 5 gezeigt, umfasst die Treiberschaltungsschicht eine Pixeltreiberschaltung und Signalleitungen wie eine Signalabtastleitung Vr und eine Signalausleseleitung Vout, die mit der Pixeltreiberschaltung elektrisch verbunden sind. Der durch den gestrichelten Kasten dargestellte Bereich ist eine Pixeleinheit und die Signalabtastleitung Vr und die Signalausleseleitung Vout sind nicht im Bereich einer Pixeleinheit enthalten. Beispielsweise erstreckt sich die Signalabtastleitung Vr horizontal zwischen benachbarten Pixeleinheiten, und die Signalausleseleitung Vout erstreckt sich vertikal zwischen benachbarten Pixeleinheiten. Beispielsweise überlappt eine orthografische Projektion des mindestens einen zweiten hohlen Abschnitts E30 auf das Basissubstrat 10 zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion der Signalabtastleitung Vr auf das Basissubstrat 10, und die orthografische Projektion des mindestens einen zweiten hohlen Abschnitts E30 auf das Basissubstrat 10 überlappt zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion der Signalausleseleitung Vout auf das Basissubstrat 10. Auf diese Weise können große parasitäre Kapazitäten zwischen der dritten Elektrodenschicht E3 und Signalleitungen wie der Signalabtastleitung Vr und der Signalausleseleitung Vout vermieden werden, wodurch unerwünschte Phänomene wie das Übersprechen von Signalen usw. vermieden werden.
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Wie in 5 gezeigt, haben der erste Dünnfilmtransistor T1, der zweite Dünnfilmtransistor T2 und der dritte Dünnfilmtransistor T3 für die Pixeltreiberschaltung jeder Pixeleinheit beispielsweise die in der Figur gezeigte Anordnung, d.h. der erste Dünnfilmtransistor T1 und der zweite Dünnfilmtransistor T2 sind auf einer ersten Seite (untere Seite in der Figur) des Durchgangslochs V1 angeordnet, das in der isolierenden Zwischenschicht enthalten ist, wobei der dritte Dünnfilmtransistor T3 auf einer zweiten Seite (obere Seite in der Figur) angeordnet ist, wobei die erste Seite und die zweite Seite einander gegenüberliegen.
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Beispielsweise überlappt die orthografische Projektion der Stromversorgungsleitung Vdd auf das Basissubstrat teilweise mit orthografischen Projektionen von mindestens einem Teil der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen auf das Basissubstrat. In dem in 5 dargestellten Beispiel überschneidet sich die Stromversorgungsleitung Vdd beispielsweise mit den beiden lichtempfindlichen Elementen P auf der rechten Seite der Pixeleinheit.
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6A-6L zeigen beispielsweise schematische Draufsichten auf verschiedene Funktionsschichten der Texturerkennungsvorrichtung in 5.
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6A ist beispielsweise eine schematische Darstellung der Struktur der Halbleiterschicht, in der sich die aktiven Schichten des ersten Dünnfilmtransistors T1, des zweiten Dünnfilmtransistors T2 und des dritten Dünnfilmtransistors T3 in der Pixeltreiberschaltung befinden.
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6B ist eine schematische Darstellung der Struktur der Gate-Metallschicht, in der sich die Gate-Elektroden des ersten Dünnfilmtransistors T1, des zweiten Dünnfilmtransistors T2 und des dritten Dünnfilmtransistors T3 befinden. Beispielsweise bildet der Teil der Gate-Metallschicht, der mit der Halbleiterschicht überlappt, die Gate-Elektroden des ersten Dünnfilmtransistors T1, des zweiten Dünnfilmtransistors T2 und des dritten Dünnfilmtransistors T3. Die Gate-Metallschicht umfasst beispielsweise auch Signalleitungen wie die Signalabtastleitung Vr und die Rücksetzsignalleitung Vrst, wobei sich die Signalleitungen wie die Signalabtastleitung Vr und die Rücksetzsignalleitung Vrst in der Querrichtung erstrecken.
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6C ist beispielsweise eine schematische Darstellung der Struktur der Source-Drain-Metallschicht, in der sich die Source-Elektroden und die Drain-Elektroden des ersten Dünnfilmtransistors T1, des zweiten Dünnfilmtransistors T2 und des dritten Dünnfilmtransistors T3 befinden. Die Source-Drain-Metallschicht umfasst beispielsweise auch Signalleitungen wie z.B. die Signalausleseleitung Vout. Die Signalausleseleitung Vout erstreckt sich beispielsweise in einer Richtung, die die Erstreckungsrichtung der Signalabtastleitung Vr und der Rücksetzsignalleitung Vrst schneidet, z. B. vertikal, d. h. in der Längsrichtung in 6C.
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6D ist beispielsweise eine schematische Draufsicht auf die Planarisierungsschicht IL1, in der ein Durchgangsloch V10 ausgebildet ist. 6E ist eine schematische Draufsicht auf die erste Passivierungsschicht IL2, in der ein Durchgangsloch V11 ausgebildet ist. Beispielsweise bilden die Planarisierungsschicht IL1 und die erste Passivierungsschicht IL2 die isolierende Zwischenschicht IL zwischen der Pixeltreiberschaltung und der ersten Elektrodenschicht, wobei das Durchgangsloch V10 mit dem Durchgangsloch V11 in Verbindung steht, um ein Durchgangsloch V1 in der isolierenden Zwischenschicht IL zu bilden.
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6F ist beispielsweise eine schematische Draufsicht auf die erste Elektrodenschicht. Die erste Elektrodenschicht umfasst eine Vielzahl von ersten Elektroden E1 für eine Vielzahl von Pixeleinheiten PX, wobei eine Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P auf den ersten Elektroden E1 jeder Pixeleinheit PX angeordnet ist. Jede erste Elektrode E1 umfasst einen ersten hohlen Abschnitt E10, der sich zwischen der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P befindet. Beispielsweise beträgt die Länge L des ersten hohlen Abschnitts E10 6 µm bis 40 µm, wie z.B. 10 µm, 20 µm oder 30 µm usw. und die Breite W beträgt 2,5 µm bis 10 µm, wie z.B. 3 µm, 5 µm oder 7 µm usw..
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6G ist eine schematische Draufsicht auf eine Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P, die voneinander beabstandet auf der ersten Elektrode E1 angeordnet sind.
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6H ist eine schematische Draufsicht auf die zweite Elektrodenschicht. Die zweite Elektrodenschicht umfasst eine Vielzahl von zweiten Elektroden E2, die jeweils auf einer Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P angeordnet ist, um die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P zusammen mit den ersten Elektroden E1 anzusteuern. Andererseits kann die Vielzahl von zweiten Elektroden E2 auch zusammen mit den ersten Elektroden E1 den oben erwähnten Kondensator C bilden.
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6I ist beispielsweise eine schematische Draufsicht auf die zweite Pufferschicht 104, die organische Isolierschicht 105 und die zweite Passivierungsschicht 106, in denen eine Vielzahl von Durchgangslöchern V2 ausgebildet ist.
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6J ist eine schematische Draufsicht auf die dritte Elektrodenschicht E3, wobei die Vielzahl von zweiten Elektroden E2 jeweils über die Vielzahl von Durchgangslöchern V2 mit der dritten Elektrodenschicht E3 verbunden ist, und wobei die dritte Elektrodenschicht E3 eine Vielzahl von zweiten hohlen Abschnitten E30 umfasst, die zwischen benachbarten Pixeleinheiten PX angeordnet sind. Beispielsweise überlappt der zweite hohle Abschnitt E30, der sich in 6J in der Querrichtung erstreckt, zumindest teilweise mit der Signalabtastleitung Vr, und die Länge L2 des zweiten hohlen Abschnitts beträgt 20 µm bis 97 µm, wie z.B. 30 µm, 40 µm oder 50 µm usw. und die Breite beträgt 6 µm bis 20 um, wie z.B. 8 µm, 10 µm oder 15 µm usw. Der zweite hohle Abschnitt E30, der sich in 6J in der Längsrichtung erstreckt, überlappt teilweise mit der Signalausleseleitung Vout, und die Länge L1 des zweiten hohlen Abschnitts beträgt 8 µm bis 97 µm, wie z.B. 10 µm, 20 µm oder 50 µm usw., und die Breite W1 beträgt 2,5 µm bis 20 µm, wie z.B. 5 µm, 10 µm oder 15 µm usw..
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7K ist eine schematische Draufsicht auf die elektrostatische Abschirmschicht 108. In diesem Beispiel hat die elektrostatische Abschirmschicht 108 ein ähnliches Muster wie die dritte Elektrodenschicht E3 und weist beispielsweise eine Vielzahl von dritten hohlen Abschnitten 1081 zwischen benachbarten Pixeleinheiten PX. In einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats 10 korrespondiert die Vielzahl von dritten hohlen Abschnitten 1081 jeweils mit der Vielzahl von zweiten hohlen Abschnitten E30 und überlappt mit dieser.
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In einigen Ausführungsformen ist 7 beispielsweise eine schematische Draufsicht auf eine Texturerkennungsvorrichtung, die durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, und eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Linie M-M in der Draufsicht. Wie in 7 gezeigt, kann die Texturerkennungsvorrichtung auch eine erste Blendenschicht 20 umfassen, die auf einer vom Substrat 10 abgewandten Seite der elektrostatischen Abschirmschicht 108 angeordnet ist. Klarheitshalber ist die Struktur zwischen den lichtempfindlichen Elementen P und der elektrostatischen Abschirmschicht 108 (einschließlich der elektrostatischen Abschirmschicht 108) in 7 ausgelassen. Wie in 7 gezeigt, umfasst die erste Blendenschicht 50 eine Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen 501. In einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats 10 korrespondiert die Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen 501 jeweils mit der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P und überlappt mit dieser. Die Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen 501 dient jeweils dazu, das auf die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P auftreffende Signallicht durchzulassen und unerwünschtes Licht, wie z.B. Licht in einem bestimmten Winkel (einem bestimmten großen Winkel zur Oberfläche des Basissubstrats 10) und Signallicht für benachbarte lichtempfindliche Elemente P usw., wie z.B. das durch die gestrichelten Linien in 7 angezeigte Licht, zu blockieren. Dadurch können unerwünschte Phänomene, wie das Übersprechen von Signalen usw., weiter verhindert werden.
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Beispielsweise weist jede erste lichtdurchlässige Öffnung 501 in einigen Ausführungsformen, wie in 7 gezeigt, in einer Richtung parallel zur Oberfläche des Basissubstrats 10 einen Durchmesser D1 auf, wobei gilt: 2 µm ≤ D1 ≤ 50 µm. Beispielsweise beträgt D1 10 µm, 20 µm oder 30 µm usw..
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Beispielsweise kann die Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen 501 in einer Richtung parallel zur Oberfläche des Basissubstrats 10 rechteckig, quadratisch oder kreisförmig usw. ausgebildet sein. Wenn die Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen 501 beispielsweise quadratisch ausgebildet ist, kann D1 die Seitenlänge des Quadrats sein. Wenn die Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen 501 rechteckig ausgebildet ist, kann D1 die Länge der Diagonale des Rechtecks sein. Wenn die Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen 501 kreisförmig ausgebildet ist, kann D1 der Durchmesser des Kreises sein.
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In einigen Ausführungsformen kann das Material der ersten Blendenschicht 50 beispielsweise ein lichtabsorbierendes Material sein, wie z.B. ein schwarzes Matrixmaterial, wie z. B. ein schwarzes lichtabsorbierendes Material, das durch Hinzufügen von schwarzem Farbstoff zu einem Harzmaterial gebildet wird, usw., wodurch die Reflexion von Licht durch die erste Blendenschicht 50 reduziert oder sogar eliminiert wird und somit die negativen Auswirkungen des reflektierten Lichts auf die Texturerkennung vermieden werden. Beispielsweise ist die Vielzahl von ersten lichtdurchlässigen Öffnungen 501 mit einem transparenten Harzmaterial gefüllt, um unerwünschte Phänomene wie Verformungen im Inneren der Texturerkennungsvorrichtung aufgrund von Luftspalten in der Texturerkennungsvorrichtung usw. zu verhindern.
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Beispielsweise beträgt eine Dicke H1 der ersten Blendenschicht 50 in einigen Ausführungsformen, wie in 7 gezeigt, in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats 10 1 µm bis 3 µm, wie z.B. 1,5 µm, 2 µm oder 2,5 µm usw., und der Abstand zwischen der ersten Blendenschicht 50 und der lichtempfindlichen Elementschicht 30 beträgt 5 µm bis 20 µm, d.h. der Abstand zwischen der unteren Oberfläche der ersten Blendenschicht 50 und der oberen Oberfläche der lichtempfindlichen Elementschicht 30 beträgt 5 µm bis 20 µm, wie z.B. 10 µm, 15 µm oder 18 µm usw.. Durch diese Ausgestaltung kann die erste Blendenschicht 50 das Übersprechen von Signalen effektiv verhindern.
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In einigen Ausführungsformen umfasst die Texturerkennungsvorrichtung, wie in 7 gezeigt, ferner eine zweite Blendenschicht 60, die auf einer vom Basissubstrat 10 abgewandten Seite der ersten Blendenschicht 50 angeordnet ist. Die zweite Blendenschicht 60 umfasst eine Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen 601, die in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats 10 jeweils mit der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P korrespondiert und mit dieser überlappt. Die Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen 601 dient jeweils dazu, das auf die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P auftreffende Signallicht durchzulassen und unerwünschtes Licht, wie z.B. Licht in einem bestimmten Winkel (einem bestimmten großen Winkel zur Oberfläche des Basissubstrats) und Signallicht für benachbarte lichtempfindliche Elemente usw., wie z.B. das durch die gestrichelten Linien in 1 angezeigte Licht, zu blockieren. Dadurch können unerwünschte Phänomene, wie das Übersprechen von Signalen usw., weiter verhindert werden.
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Beispielsweise weist jede zweite lichtdurchlässige Öffnung 601 in einer Richtung parallel zur Oberfläche des Basissubstrats 10 einen Durchmesser D2 auf, wobei gilt: 2 µm ≤ D1 ≤ D2 ≤ 50 µm. Beispielsweise kann D2 20 µm, 30 µm oder 40 µm usw. betragen.
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In ähnlicher Weise kann die Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen 601 in einer Richtung parallel zur Oberfläche des Basissubstrats 10 rechteckig, quadratisch oder kreisförmig usw. ausgebildet sein. Wenn die Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen 601 beispielsweise quadratisch ausgebildet ist, kann D2 die Seitenlänge des Quadrats sein. Wenn die Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen 601 rechteckig ausgebildet ist, kann D2 die Länge der Diagonale des Rechtecks sein. Wenn die Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen 601 kreisförmig ausgebildet ist, kann D2 der Durchmesser des Kreises sein.
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In einigen Ausführungsformen kann das Material der zweiten Blendenschicht 60 beispielsweise ein lichtabsorbierendes Material sein, wie z.B. ein schwarzes Matrixmaterial, wie z. B. ein schwarzes lichtabsorbierendes Material, das durch Hinzufügen von schwarzem Farbstoff zu einem Harzmaterial gebildet wird, usw., wodurch die Reflexion von Licht durch die zweite Blendenschicht 60 reduziert oder sogar eliminiert wird und somint die negativen Auswirkungen des reflektierten Lichts auf die Texturerkennung vermieden werden. Beispielsweise ist die Vielzahl von zweiten lichtdurchlässigen Öffnungen 601 mit einem transparenten Harzmaterial gefüllt, um unerwünschte Phänomene wie Verformungen im Inneren der Texturerkennungsvorrichtung aufgrund von Luftspalten in der Texturerkennungsvorrichtung usw. zu verhindern.
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In einigen Ausführungsformen beträgt beispielsweise eine Dicke H2 der zweiten Blendenschicht 60 in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats 10 1 µm bis 3 µm, wie z.B. 1,5 µm, 2 µm oder 2,5 µm usw., wobei der Abstand zwischen der zweiten Blendenschicht 60 und der ersten Blendenschicht 50 5 µm bis 20 µm, wie z.B. 10 µm, 15 µm oder 18 µm usw. beträgt.
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In einigen Ausführungsformen kann die Texturerkennungsvorrichtung, wie in 7 gezeigt, beispielsweise ferner eine Sichtfeldblendenschicht 80 umfassen, die zwischen der elektrostatischen Abschirmschicht 108 und der ersten Blendenschicht 50 angeordnet ist, wobei die Sichtfeldblendenschicht 80 eine Vielzahl von dritten lichtdurchlässigen Öffnungen 801 umfasst, die in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats 10 mit der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P korrespondiert und mit dieser überlappt. Die Vielzahl von dritten lichtdurchlässigen Öffnungen 801 dient jeweils dazu, das auf die Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P auftreffende Signallicht durchzulassen und unerwünschtes Licht, wie z.B. Licht in einem bestimmten Winkel (einem bestimmten großen Winkel zur Oberfläche des Basissubstrats) und Signallicht für benachbarte lichtempfindliche Elemente usw., wie z.B. das durch die gestrichelten Linien in 7 angezeigte Licht, zu blockieren. Dadurch können unerwünschte Phänomene, wie das Übersprechen von Signalen usw., weiter verhindert werden.
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Beispielsweise weist jede dritte lichtdurchlässige Öffnung 801 in einer Richtung parallel zur Oberfläche des Basissubstrats 10 einen Durchmesser D3 auf, wobei gilt: 2 µm ≤ D3 ≤ 10 µm. Beispielsweise beträgt D3 5 µm, 7 µm oder 9 µm usw..
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In einigen Ausführungsformen beträgt die Dicke H3 der Sichtfeldblendenschicht 80 in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats 10 beispielsweise 300 nm bis 500 nm, wie z.B. 350nm, 400nm oder 450nm usw..
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In einigen Ausführungsformen besteht das Material der Sichtfeldblendenschicht 80 beispielsweise aus einem metallischen Material, wie einem metallischen Material aus Molybdän, Aluminium, Titan oder einer Legierung davon. In diesem Fall kann die Sichtfeldblendenschicht 80 während der Herstellung der Texturerkennungsvorrichtung zusammen mit der Treiberschaltungsschicht 20 und der lichtempfindlichen Elementschicht 30 erzeugt werden, wodurch der Herstellungsprozess der Texturerkennungsvorrichtung vereinfacht wird.
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Bei der Texturerkennung können die lichtempfindlichen Elemente P nicht nur das für die Texturerkennung verwendete Signallicht, sondern auch das durch den Finger einfallende Umgebungslicht wahrnehmen. Da die lichtempfindlichen Elemente P Licht passiv empfangen und das Signallicht nicht aktiv vom Umgebungslicht unterscheiden, kann das Umgebungslicht die Texturerkennung der lichtempfindlichen Elemente P beeinträchtigen. Wird beispielsweise das Umgebungslicht direkt über dem Finger eingestrahlt, kann das Umgebungslicht den Finger durchdringen und das biologische Gewebe im Finger zur Emission von Pigmentlicht anregen, das die Erkennung von Fingerabdrücken beeinträchtigen kann. Es wird festgestellt, dass das Pigmentlicht hauptsächlich Licht im Wellenlängenbereich von 580 nm bis 850 nm umfasst.
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In einigen Ausführungsformen umfasst die Texturerkennungsvorrichtung, wie in 7 gezeigt, ferner eine Lichtfilterschicht 70, die zwischen der Sichtfeldblendenschicht 80 und der ersten Blendenschicht 50 angeordnet ist und die so ausgebildet ist, dass sie Licht mit einer Wellenlänge von 580 nm bis 850 nm herausfiltert, d.h. Licht mit einer Wellenlänge von 580 nm bis 850 nm nicht durchlässt, um zu verhindern, dass das oben erwähnte Pigmentlicht die Texturerkennung beeinträchtigt, und die Verwendung in starken Lichtverhältnissen wie z.B. im Freien zu ermöglichen. Die Lichtfilterschicht 70 kann beispielsweise eine höhere Durchlässigkeit für das für die Texturerkennung verwendete Signallicht haben. Beispielsweise kann die Lichtfilterschicht 70 eine höhere Durchlässigkeit für sichtbares Licht mit einer Wellenlänge von 400 nm bis 560 nm haben, so dass die lichtempfindlichen Elemente P das Signallicht ausreichend empfangen. In einigen Ausführungsformen ist die Lichtfilterschicht 70 beispielsweise eine grüne Photoresistschicht.
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In einigen Ausführungsformen umfasst die Texturerkennungsvorrichtung, wie in 7 gezeigt, ferner eine Linsenschicht 40, die auf einer vom Basissubstrat 10 abgewandten Seite der zweiten Blendenschicht 60 angeordnet ist. Die Linsenschicht 40 umfasst eine Vielzahl von Linseneinheiten 401, die in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Basissubstrats 10 jeweils mit der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P korrespondiert und mit dieser überlappt. Daher ist jedem der Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen P eine Linseneinheit 401 zugeordnet, so dass jede Linseneinheit 401 besser an ein zugeordnetes lichtempfindliches Element P angepasst werden kann, um eine präzisere Lichtkollimation zu ermöglichen und dadurch die Ausbreitungsrichtung des auf jedes lichtempfindliche Element einfallenden Signallichts genauer zu steuern, wodurch unerwünschte Phänomene wie Übersprechen zwischen benachbarten Pixeleinheiten PX usw. vermieden werden und der Texturerkennungseffekt der Texturerkennungsvorrichtung verbessert wird.
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In einigen Ausführungsformen kann die planare Form der Vielzahl von Linseneinheiten 401, wie in 7 gezeigt, beispielsweise kreisförmig sein, wobei der Krümmungsradius R jeder Linseneinheit 401 5 µm bis 20 µm, wie z.B. 7 µm, 10 µm oder 15 µm, usw., und der Durchmesser D0 jeder Linseneinheit 401 25 µm bis 35 µm, wie z.B. 27 µm, 30 µm oder 32 µm, usw., betragen kann. In anderen Ausführungsformen kann die planare Form der Vielzahl von Linseneinheiten 401 beispielsweise auch rechteckig oder quadratisch sein. Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung schränken die spezifische Form der Vielzahl von Linseneinheiten 401 nicht ein.
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In einigen Ausführungsformen hat das Material der Linsenschicht 40 beispielsweise einen Brechungsindex von 1,6 bis 1,7, wie z.B. 1,65 usw.. Auf diese Weise kann die Vielzahl von Linseneinheiten 401 das darin einfallende Licht vollständig brechen, wodurch ein effektiver Kollimationseffekt erzielt und die Ausnutzungsrate des einfallenden Lichts verbessert wird.
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In einigen Ausführungsformen kann die Texturerkennungsvorrichtung, wie in 7 gezeigt, beispielsweise ferner eine Planarisierungsschicht 90 umfassen, die auf einer vom Basissubstrat 10 abgewandten Seite der Linsenschicht 40 angeordnet ist. Die Planarisierungsschicht 90 kann die durch die Linsenschicht 30 verursachten Unebenheiten abflachen und die Verbindung der Texturerkennungsvorrichtung mit anderen Vorrichtungen, wie z. B. mit einer Anzeigetafel usw., mittels der Planarisierungsschicht 90 erleichtern. In einigen Beispielen kann die Planarisierungsschicht 90 beispielsweise mittels eines optisch transparenten Klebstoffs mit der Anzeigetafel verbunden werden. Da die Planarisierungsschicht 90 relativ flach ist, haftet der optisch transparente Klebstoff stärker an der Planarisierungsschicht 90 und der Anzeigetafel.
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Beispielsweise beträgt der Brechungsindex des Materials der Planarisierungsschicht 90 1,35 bis 1,45, wie z.B. 1,40 usw.. Die Planarisierungsschicht 90 umfasst beispielsweise ein organisches Material mit einem Brechungsindex von 1,35 bis 1,45. In den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist es durch die Verwendung eines Materials mit einem niedrigen Brechungsindex zur Bildung der Planarisierungsschicht 90 möglich, nachteilige Auswirkungen der Planarisierungsschicht 90 auf die Ausbreitung des Signallichts, beispielsweise unnötige Brechung und Reflexion des Signallichts usw. zu vermeiden.
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In den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist jedes lichtempfindliche Element P beispielsweise in Form einer Insel ausgebildet und seine planare Form kann ein Quadrat, ein Rechteck oder dergleichen sein. Wenn die planare Form des lichtempfindlichen Elements P beispielsweise ein Quadrat ist, kann die Seitenlänge des Quadrats 10 µm bis 20 µm betragen, wie z.B. 12 µm, 15 µm oder 18 µm usw..
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Das lichtempfindliche Element P kann beispielsweise eine Fotodiode sein. Beispielsweise kann die Fotodiode vom PN-Typ oder PIN-Typ sein. Wenn die Fotodiode beispielsweise vom PN-Typ ist, umfasst das lichtempfindliche Element P eine Halbleiterschicht vom P-Typ und eine Halbleiterschicht vom N-Typ, die übereinander gestapelt sind. Wenn die Fotodiode vom PIN-Typ ist, umfasst das lichtempfindliche Element P eine Halbleiterschicht vom P-Typ, eine intrinsische Halbleiterschicht und eine Halbleiterschicht vom N-Typ, die übereinander gestapelt sind. Das für das lichtempfindliche Element P verwendete Halbleitermaterial kann beispielsweise Silizium, Germanium, Selen, Galliumarsenid usw. sein und wird in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht eingeschränkt.
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In den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das Basissubstrat 10 beispielsweise flexible Isoliermaterialien wie Polyimid (PI) usw. oder starre Isoliermaterialien wie Glassubstrate usw. enthalten. Die erste Pufferschicht 101 und die zweite Pufferschicht 104 können beispielsweise anorganische Materialien wie Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Siliziumoxynitrid usw. enthalten. Die aktive Schicht AT kann aus Materialien wie Polysilizium und Metalloxid usw. bestehen. Die erste Gate-Isolierschicht 102 und die zweite Gate-Isolierschicht 103 können aus anorganischen Isoliermaterialien wie Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid usw. hergestellt werden. Die Gate-Elektrode G kann aus metallischen Werkstoffen wie Kupfer, Aluminium, Titan, Kobalt usw. bestehen und als Einschicht- oder Mehrschichtstruktur, z. B. als Mehrschichtstruktur von Titan/Aluminium/Titan, Molybdän/Aluminium/Molybdän usw. ausgebildet sein. Die erste Passivierungsschicht IL2, die zweite Passivierungsschicht 106 und die dritte Passivierungsschicht 107 können aus anorganischen Isoliermaterialien wie Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid usw. bestehen. Die Source-Drain-Elektrode S/D kann aus metallischen Werkstoffen wie Kupfer, Aluminium, Titan, Kobalt usw. bestehen und als Einschicht- oder Mehrschichtstruktur, z. B. als Mehrschichtstruktur von Titan/Aluminium/Titan, Molybdän/Aluminium/Molybdän usw. ausgebildet sein. Die erste Elektrodenschicht enthält beispielsweise Metalloxide wie ITO, IZO, usw. oder Metalle wie Ag, Al, Mo usw. oder deren Legierungen. Die zweite Elektrodenschicht, die zweite Elektrodenschicht und die elektrostatische Abschirmschicht 108 enthalten beispielsweise transparente Metalloxide wie ITO, IZO usw.. Die Planarisierungsschicht IL1 kann aus organischen Isoliermaterialien wie Polyimid usw. bestehen. Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung schränken das Material der einzelnen Funktionsschichten nicht spezifisch ein.
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Beispielsweise kann die Texturerkennungsvorrichtung, die durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, auch andere Strukturen aufweisen, auf die im einschlägigen Stand der Technik Bezug genommen werden kann und die hier nicht näher beschrieben werden.
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Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt auch eine Anzeigevorrichtung bereit. 8 zeigt eine schematische Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung. Wie in 8 gezeigt, umfasst die Anzeigevorrichtung eine Anzeigetafel 200 und eine Texturerkennungsvorrichtung umfasst, die durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, wobei die Anzeigetafel 200 eine Anzeigeseite 201 und eine Nicht-Anzeigeseite 202 aufweist und Licht von der Anzeigeseite 201 zu der Nicht-Anzeigeseite 202 durchlässt. Die Texturerkennungsvorrichtung ist auf der Nicht-Anzeigeseite 202 der Anzeigetafel 200 angeordnet und ist so ausgebildet, dass sie Licht empfängen kann, das von der Anzeigeseite 201 zu der Nicht-Anzeigeseite 202 zur Texturerkennung übertragen wird. Bei der Anordnung der Texturerkennungsvorrichtung befindet sich die lichtempfindliche Elementschicht 30 näher an der Anzeigetafel 200 als das Basissubstrat 10.
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In der Anzeigevorrichtung, die durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, wird die Texturerkennungsvorrichtung, die durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, zur Texturerkennung eingesetzt, so dass ein besserer Texturerkennungseffekt, wie z.B. eine höhere Texturerkennungsgeschwindigkeit und Texturerkennungsgenauigkeit erzielt wird.
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Es sei noch auf Folgendes hingewiesen:
- (1) Die Zeichnungen der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich nur auf Strukturen, die in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten sind. In Bezug auf andere Strukturen kann auf die übliche Ausgestaltung verwiesen werden.
- (2) Aus Gründen der Klarheit sind in den Zeichnungen, die zur Darstellung der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendet werden, die Dicken von Schichten oder Bereichen übertrieben oder verkleinert dargestellt, d.h. die Zeichnungen sind nicht maßstabsgetreu gezeichnet. Es versteht sich, wenn ein Element wie eine Schicht, ein Film, ein Bereich oder ein Substrat als „auf“ oder „unter“ einem anderen Element liegend bezeichnet wird, kann es sich direkt auf oder unter dem anderen Element befinden, oder es können Zwischenelemente vorhanden sein.
- (3) Sofern kein Konflikt besteht, können die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung und die Merkmale der Ausführungsformen miteinander kombiniert werden, um neue Ausführungsformen zu erhalten.
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Die obigen Ausführungen sind nur spezifische Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt und sollte auf dem Schutzumfang der Ansprüche basieren.