DE112017007998T5 - Optoelektronische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung - Google Patents

Optoelektronische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung Download PDF

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Abstract

Es wird eine optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) angegeben, die einen Träger (11) mit einer Haupterstreckungsebene und mindestens einen auf dem Träger (11) angeordneten Halbleiterchip (12) umfasst. Die optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) umfasst ferner einen Rahmen (13), der auf dem Träger (11) angeordnet ist und der den zumindest einen Halbleiterchip (12) in lateralen Richtungen (x, y) umgibt, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) sind, und eine Konversionsschicht (14), die den mindestens einen Halbleiterchip (12) und den Rahmen (13) bedeckt. Der mindestens eine Halbleiterchip (12) erstreckt sich in vertikaler Richtung (z) weiter als der Rahmen (13), wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) ist. Des Weiteren ist der zumindest eine Halbleiterchip (12) dazu eingerichtet, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung (10) elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und der Rahmen (13) und der zumindest eine Halbleiterchip (12) sind in lateralen Richtungen (x, y) durch einen Spalt (15) voneinander beabstandet. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung angegeben.

Description

  • Es werden eine optoelektronische Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, eine optoelektronische Halbleitervorrichtung mit verbesserten optischen Eigenschaften anzugeben. Eine weitere Aufgabe liegt darin, ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit verbesserten optischen Eigenschaften anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden durch die unabhängigen Ansprüche gelöst. Weitere Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • In mindestens einer Ausführungsform der optoelektronischen Halbleitervorrichtung umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung einen Träger mit einer Haupterstreckungsebene. Der Träger kann ein dreidimensionaler Körper mit der Form eines Quaders sein. Außerdem kann sich der Träger innerhalb der Haupterstreckungsebene weiter als in andere Richtungen erstrecken.
  • Der Träger kann eine Schaltplatte sein, d.h. eine Leiterplatte. Der Träger umfasst beispielsweise einen elektrisch isolierenden Grundkörper, auf und/oder in den elektrische Kontaktstellen und/oder Leiterbahnen aufgebracht sind. Der Träger kann zum Beispiel Silizium oder Aluminiumnitrid umfassen.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung mindestens einen auf dem Träger angeordneten Halbleiterchip. Der Halbleiterchip kann ein optoelektronischer Halbleiterchip sein. Der Halbleiterchip kann in direktem Kontakt mit dem Träger stehen.
  • Der Halbleiterchip kann eine dem Träger zugewandte Unterseite und einer vom Träger abgewandte Oberseite umfassen. Seitenflächen des Halbleiterchips können die Unterseite und die Oberseite verbinden. Die Seitenflächen können quer oder senkrecht oder annähernd senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verlaufen. Die Seitenflächen des Halbleiterchips können alle Flächen des Halbleiterchips umfassen, die weder auf einer dem Träger zugewandten noch auf einer vom Träger abgewandten Seite angeordnet sind.
  • Der Halbleiterchip kann mit einem Bonddraht elektrisch kontaktiert werden. Das heißt, dass der Halbleiterchip an einer Oberseite des Halbleiterchips, die vom Träger abgewandt ist, durch einen mit dem Träger verbundenen Bonddraht elektrisch kontaktiert werden kann. Außerdem kann der Halbleiterchip ein Flip-Chip oder ein anderer oberflächenmontierbarer Chip sein.
  • In mindestens einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip dazu eingerichtet, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der Halbleiterchip kann zum Beispiel eine Leuchtdiode oder ein Laser sein. Der Halbleiterchip kann dazu eingerichtet sein, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung elektromagnetische Strahlung innerhalb eines bestimmten Wellenlängenbereichs zu emittieren. So kann der Halbleiterchip beispielsweise Licht oder elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Bereich emittieren. Vorzugsweise verlässt die vom Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung den Halbleiterchip an der Oberseite. Es ist ferner möglich, dass die vom Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung den Halbleiterchip an den Seitenflächen oder an allen Oberflächen des Halbleiterchips, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, verlässt.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung einen Rahmen, der auf dem Träger angeordnet ist und der den Halbleiterchip in lateralen Richtungen, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers sind, umgibt. Der Rahmen kann den Halbleiterchip in allen lateralen Richtungen umgeben. Der Rahmen hat zum Beispiel die Form eines Rechtecks mit einer Aussparung, in der der Halbleiterchip angeordnet ist. Es ist auch möglich, dass der Rahmen eine andere Form hat als die eines Rechtecks mit einer Aussparung, in der der Halbleiterchip angeordnet ist.
  • Der Rahmen kann aus genau einem Teil gebildet werden. Das bedeutet, dass der Rahmen nur ein einziges Bauteil umfassen kann, das den Halbleiterchip in lateralen Richtungen vollständig umgibt. Es ist ferner möglich, dass der Rahmen aus mehreren Teilen gebildet ist. Der Rahmen kann zum Beispiel mehrere Bauteile umfassen, die die Form eines Rechtecks oder eines Streifens haben. Jedes der Bauteile kann sich in eine laterale Richtung erstrecken. Es ist auch möglich, dass die Bauteile eine andere Form als die eines Rechtecks haben. Die verschiedenen Bauteile können so verbunden werden, dass sie den Rahmen bilden. Das bedeutet, dass der Rahmen durch das Verbinden verschiedener Bauteile des Rahmens zusammengebaut werden kann.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Konversionsschicht, die den mindestens einen Halbleiterchip und den Rahmen bedeckt. Die Konversionsschicht kann auf der Oberseite des Halbleiterchips angeordnet sein. Darüber hinaus kann die Konversionsschicht auf der vom Träger abgewandten Seite des Rahmens angeordnet sein. Die Konversionsschicht kann den Halbleiterchip und den Rahmen an den Seiten, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, vollständig bedecken. Daher kann die Konversionsschicht die Kanten des Halbleiterchips vollständig bedecken, die durch die Seitenflächen und die vom Träger abgewandte Oberfläche des Halbleiterchips gebildet werden. Vorzugsweise hat die Konversionsschicht in vertikaler Richtung für die gesamte Halbleitervorrichtung die gleiche oder eine konstante Dicke, wobei die vertikale Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft.
  • Die Konversionsschicht kann ein transparentes oder transluzentes Material umfassen. Das bedeutet, dass die Konversionsschicht zumindest teilweise transparent für elektromagnetische Strahlung sein kann, die während des Betriebs vom Halbleiterchip emittiert wird. Daher kann elektromagnetische Strahlung, die während des Betriebs vom Halbleiterchip emittiert wird, die Halbleitervorrichtung an einer Lichtaustrittsfläche der Konversionsschicht verlassen, wobei die Lichtaustrittsfläche vom Träger abgewandt ist.
  • Der Rahmen kann auf dem Träger befestigt werden, bevor der Halbleiterchip z.B. durch Drahtbonden elektrisch kontaktiert wird. Darüber hinaus kann die Konversionsschicht auf dem Halbleiterchip und dem Rahmen abgeschieden werden, nachdem der Halbleiterchip z.B. durch Drahtbonden elektrisch kontaktiert wurde.
  • In mindestens einer Ausführungsform erstreckt sich der mindestens eine Halbleiterchip in vertikaler Richtung weiter als der Rahmen, wobei die vertikale Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers ist. Dies bedeutet, dass der Halbleiterchip den Rahmen in vertikaler Richtung überragen kann. Der Halbleiterchip kann sich an allen Stellen in vertikaler Richtung weiter ausdehnen als der Rahmen.
  • In mindestens einer Ausführungsform sind der Rahmen und der Halbleiterchip in lateralen Richtungen durch einen Spalt voneinander beabstandet. Das heißt, der Rahmen und der Halbleiterchip stehen nicht in direktem Kontakt. Der Rahmen und der Halbleiterchip können nebeneinander in lateralen Richtungen auf dem Träger so angeordnet werden, dass der Spalt in lateralen Richtungen zwischen dem Rahmen und dem Halbleiterchip angeordnet ist. Das bedeutet, dass der Rahmen und der Halbleiterchip in lateralen Richtungen einen lateralen Abstand voneinander haben. Der laterale Abstand oder die laterale Ausdehnung des Spalts kann entlang der Seitenflächen des Halbleiterchips variieren. Der Spalt zwischen dem Rahmen und dem Halbleiterchip kann den Halbleiterchip in lateralen Richtungen vollständig umgeben. Daher kann der Halbleiterchip in einer Aussparung des Rahmens angeordnet werden, ohne in direkten Kontakt mit dem Rahmen zu kommen.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung einen Träger mit einer Haupterstreckungsebene und mindestens einen auf dem Träger angeordneten Halbleiterchip. Die optoelektronische Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin einen Rahmen, der auf dem Träger angeordnet ist und der den Halbleiterchip in lateralen Richtungen, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers sind, umgibt, und eine Konversionsschicht, die den mindestens einen Halbleiterchip und den Rahmen bedeckt. Der mindestens eine Halbleiterchip erstreckt sich in vertikaler Richtung weiter als der Rahmen, wobei die vertikale Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft. Darüber hinaus ist der Halbleiterchip dazu eingerichtet, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und der Rahmen und der Halbleiterchip sind in lateralen Richtungen durch einen Spalt voneinander beabstandet.
  • Da der Rahmen den Halbleiterchip umgibt, kann der Halbleiterchip an den Flächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, vollständig von der Konversionsschicht bedeckt sein. Ohne die Anordnung des Rahmens um den Halbleiterchip würde die Konversionsschicht die Oberfläche der Halbleitervorrichtung mit einer weniger homogenen Höhe bedecken. Das bedeutet, dass bei einer Ausdehnung des Halbleiterchips in vertikaler Richtung die Konversionsschicht in vertikaler Richtung so dick sein muss, dass sie den Halbleiterchip an den nicht mit dem Träger in Kontakt stehenden Flächen vollständig bedeckt. Eine geringere Dicke der Konversionsschicht kann jedoch vorteilhaft sein. Durch die Anordnung des Rahmens um den Halbleiterchip wird die Konversionsschicht auf dem Rahmen abgeschieden, der in vertikaler Richtung eine größere Ausdehnung hat als der Träger ohne Rahmen. Da die Ausdehnung des Rahmens in vertikaler Richtung kleiner ist als die Ausdehnung des Halbleiterchips in vertikaler Richtung, wird die Gesamtdicke der Halbleitervorrichtung durch die Anordnung des Rahmens um den Halbleiterchip nicht erhöht.
  • Der Rahmen bewirkt, dass die Konversionsschicht den Halbleiterchip an den Flächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt stehen, vollständig bedecken kann, auch an den Kanten, die von den Seitenflächen und der vom Träger abgewandten Fläche gebildet werden. Daher ist es nicht notwendig, die Dicke der Konversionsschicht in vertikaler Richtung zu erhöhen, um den Halbleiterchip an den Oberflächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, vollständig zu bedecken. Darüber hinaus ist die Oberfläche der Konversionsschicht, die vom Halbleiterchip und dem Rahmen abgewandt ist, in der Höhe gleichmäßiger, wenn der Rahmen den Halbleiterchip umgibt. Daher dient der Rahmen als Puffer für die Konversionsschicht, so dass die Konversionsschicht in vertikaler Richtung eine einheitlichere Höhe hat.
  • Vorteilhaft ist, dass durch die vollständige Abdeckung des Halbleiterchips an den Oberflächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, mit der Konversionsschicht der Farbeindruck der von der Halbleitervorrichtung während des Betriebs emittierten elektromagnetischen Strahlung homogen ist. Das bedeutet, dass der Farbeindruck der von der Halbleitervorrichtung während des Betriebs emittierten elektromagnetischen Strahlung für die meisten oder alle Emissionswinkel homogen sein kann. Der Emissionswinkel ist der Winkel, unter dem elektromagnetische Strahlung von der Halbleitervorrichtung in Bezug auf die vertikale Richtung emittiert wird. Wenn z.B. die Kanten nicht vollständig mit der Konversionsschicht bedeckt sind oder die Konversionsschicht an den Kanten viel dünner ist als an anderen Stellen, kann der Farbeindruck inhomogen sein. Dies liegt daran, dass an den Kanten mehr von der elektromagnetischen Strahlung, die der Halbleiterchip emittiert, sichtbar wäre. Darüber hinaus kann durch die vollständige Abdeckung des Halbleiterchips an den Oberflächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, die Helligkeit der von der Halbleitervorrichtung während des Betriebs emittierten elektromagnetischen Strahlung für die meisten oder alle Emissionswinkel homogen sein.
  • Da der Rahmen ein transparentes Material umfassen kann, wird die Helligkeit der elektromagnetischen Strahlung, die während des Betriebs von der Halbleitervorrichtung emittiert wird, durch den Rahmen nicht vermindert.
  • In mindestens einer Ausführungsform ist die Wärmeleitfähigkeit des Rahmens größer als die Wärmeleitfähigkeit der Konversionsschicht. Das bedeutet, dass die Wärmeleitfähigkeit des Materials des Rahmens größer ist als die Wärmeleitfähigkeit des Materials der Konversionsschicht. Daher kann die im Halbleiterchip oder in der Konversionsschicht erzeugte Wärme durch den Rahmen abgeführt werden. Dadurch kann eine wärmebedingte optische Degradierung der Konversionsschicht vermindert werden. Dadurch kann die Lebensdauer der Halbleitervorrichtung erhöht werden.
  • In mindestens einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip an allen vom Träger unbedeckten Flächen mit der Konversionsschicht bedeckt. Das bedeutet, dass der Halbleiterchip an allen Flächen, die nicht dem Träger zugewandt sind, von der Konversionsschicht bedeckt ist. Auf diese Weise kann die Gleichmäßigkeit des Farbeindrucks der elektromagnetischen Strahlung, die von der Halbleitervorrichtung während des Betriebs emittiert wird, verbessert werden. Darüber hinaus kann die Gleichmäßigkeit der Helligkeit des Farbeindrucks der elektromagnetischen Strahlung, die während des Betriebs von der Halbleitervorrichtung emittiert wird, verbessert werden.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst der Rahmen ein Glas. Vorzugsweise ist das Glas transparent für die elektromagnetische Strahlung, die der Halbleiterchip während des Betriebs abgibt. Das Glas kann jedes beliebige Glas sein, zum Beispiel Saphirglas. Somit wird die Helligkeit der elektromagnetischen Strahlung, die von der Halbleitervorrichtung während des Betriebs emittiert wird, nicht durch die Anordnung des Rahmens um den Halbleiterchip vermindert. Außerdem kann das Glas eine Wärmeleitfähigkeit haben, die größer ist als die Wärmeleitfähigkeit der Konversionsschicht.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst der Rahmen Borosilikatglas. Borosilikatglas ist lichtdurchlässig und seine Wärmeleitfähigkeit ist größer als die Wärmeleitfähigkeit von Materialien der Konversionsschicht.
  • In mindestens einer Ausführungsform beträgt die laterale Breite des Spalts mindestens 25 µm und höchstens 50 µm. Die laterale Breite des Spalts kann der Abstand vom Rahmen zum Halbleiterchip in lateraler Richtung sein. Die laterale Breite des Spalts kann für verschiedene Seitenflächen des Halbleiterchips unterschiedlich sein. Der Rahmen und der Halbleiterchip stehen nicht in direktem Kontakt und sind durch den Spalt voneinander beabstandet, um eine Verarbeitungstoleranz für die Platzierung des Halbleiterchips innerhalb des Rahmens zu ermöglichen. Das bedeutet, dass der Halbleiterchip nicht an einer exakten Position platziert werden muss, sondern nur an einer Position mit einer Toleranz von mindestens 25 µm und höchstens 50 µm. Darüber hinaus erlaubt die laterale Breite des Spalts eine Verarbeitungstoleranz für die Größe des Halbleiterchips. Das bedeutet, dass der Halbleiterchip keine genaue Größe haben muss, sondern nur eine Größe mit einer Toleranz von mindestens 25 µm und höchstens 50 µm.
  • Es ist auch möglich, dass die laterale Breite des Spalts weniger als 25 µm oder mehr als 50 µm beträgt.
  • In mindestens einer Ausführungsform steht der Rahmen in direktem Kontakt mit dem Träger. Das heißt, der Rahmen wird direkt auf dem Träger angeordnet. Der Rahmen kann an einer Fläche des Rahmens, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers liegt, in direktem Kontakt mit dem Träger stehen. Durch die Anordnung des Rahmens auf dem Träger neben dem Halbleiterchip ist es möglich, dass der Halbleiterchip an allen vom Träger unbedeckten Flächen von der Konversionsschicht bedeckt ist. Auf diese Weise kann die Gleichmäßigkeit des Farbeindrucks der elektromagnetischen Strahlung, die während des Betriebs von der Halbleitervorrichtung emittiert wird, verbessert werden. Darüber hinaus kann die Gleichmäßigkeit der Helligkeit oder der Farbeindruck der elektromagnetischen Strahlung, die während des Betriebs von der Halbleitervorrichtung emittiert wird, verbessert werden.
  • In mindestens einer Ausführungsform steht der Rahmen in direktem Kontakt mit der Konversionsschicht. Daher ist es nicht notwendig, die Dicke der Konversionsschicht in vertikaler Richtung zu erhöhen, um den Halbleiterchip an den Oberflächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, vollständig zu bedecken. Darüber hinaus ist die Oberfläche der Konversionsschicht, die vom Halbleiterchip und dem Rahmen abgewandt ist, in der Höhe homogener, wenn der Rahmen den Halbleiterchip umgibt. Daher dient der Rahmen als Puffer für die Konversionsschicht, so dass die Konversionsschicht in vertikaler Richtung eine einheitlichere Höhe hat.
  • In mindestens einer Ausführungsform ist die Konversionsschicht dazu eingerichtet, eine Wellenlänge der vom Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung umzuwandeln. Das bedeutet, dass eine Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung, die die Konversionsschicht in einer vom Träger abgewandten Richtung verlässt, sich von der Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung unterscheiden kann, die der Halbleiterchip im Betrieb emittiert. Es ist ferner möglich, dass die Konversionsschicht dazu eingerichtet ist, einen Bereich von Wellenlängen der vom Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung umzuwandeln. Das bedeutet zum Beispiel, dass der Halbleiterchip elektromagnetische Strahlung einer ersten Farbe emittieren kann, die durch die Konversionsschicht in eine zweite Farbe umgewandelt wird. Auf diese Weise verlässt elektromagnetische Strahlung der zweiten Farbe oder einer Mischfarbe aus der ersten und der zweiten Farbe die Halbleitervorrichtung an der Lichtaustrittsfläche. Daher kann durch den Einsatz der Konversionsschicht die Wellenlänge oder die Farbe der von der Halbleitervorrichtung emittierten elektromagnetischen Strahlung eingestellt werden.
  • In mindestens einer Ausführungsform sind Konversionspartikel in einem Matrixmaterial der Konversionsschicht dispergiert. Das heißt, die Konversionsschicht kann ein Matrixmaterial und Konversionspartikel umfassen. Das Matrixmaterial ist vorzugsweise transparent für die elektromagnetische Strahlung, die der Halbleiterchip im Betrieb aussendet. Die Konversionspartikel sind so angeordnet, dass sie eine Wellenlänge der vom Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung umwandeln. Daher kann durch den Einsatz der Konversionsschicht die Wellenlänge oder die Farbe der von der Halbleitervorrichtung emittierten elektromagnetischen Strahlung eingestellt werden.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Matrixmaterial Silikon. Es ist auch möglich, dass das Matrixmaterial ein Epoxidharz oder ein Glasmaterial umfasst. Vorzugsweise ist das Matrixmaterial für die elektromagnetische Strahlung, die der Halbleiterchip im Betrieb emittiert, transparent.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung mindestens zwei Halbleiterchips, und der Rahmen umgibt jeden der Halbleiterchips in lateralen Richtungen. Daher kann der Rahmen die Form eines Rechtecks mit zwei oder mehr Aussparungen haben, wobei in jeder Aussparung ein Halbleiterchip angeordnet ist. Es ist auch möglich, dass die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Vielzahl von Halbleiterchips umfasst und dass der Rahmen jeden der Halbleiterchips in lateralen Richtungen umgibt. Daher kann der Rahmen eine Vielzahl von Aussparungen umfassen, wobei in jeder Aussparung ein Halbleiterchip angeordnet ist. Die Anordnung der Vielzahl von Halbleiterchips kann in einer regelmäßigen oder unregelmäßigen Anordnung erfolgen. So können ein Rahmen und eine Konversionsschicht für eine Vielzahl von Halbleiterchips verwendet werden.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung mindestens zwei Halbleiterchips und der Rahmen mindestens zwei Teilrahmen, wobei jeder Teilrahmen mindestens einen Halbleiterchip in lateralen Richtungen umgibt. Die Teilrahmen können miteinander verbunden sein. Es ist ferner möglich, dass die Teilrahmen nicht miteinander verbunden sind. Es ist auch möglich, dass die Halbleitervorrichtung eine Vielzahl von Halbleiterchips umfasst und der Rahmen mindestens zwei Teilrahmen umfasst, wobei jeder Teilrahmen mindestens einen Halbleiterchip in lateralen Richtungen umgibt. Auf diese Weise kann eine Konversionsschicht für eine Vielzahl von Halbleiterchips verwendet werden.
  • Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Vorzugsweise kann mit den beschriebenen Verfahren eine optoelektronische Halbleitervorrichtung wie oben beschrieben hergestellt werden. Dies bedeutet, dass alle Merkmale, die für die optoelektronische Halbleitervorrichtung offenbart werden, auch für das Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung offenbart werden und umgekehrt.
  • Gemäß mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung umfasst das Verfahren den Schritt der Bereitstellung eines Trägers mit einer Haupterstreckungsebene. Der Träger kann eine Leiterplatte sein.
  • Gemäß mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren den Schritt des Anbringens mindestens eines Halbleiterchips auf dem Träger. Vorzugsweise wird eine Vielzahl von Halbleiterchips auf dem Träger angeordnet. Die Anordnung der Vielzahl von Halbleiterchips kann in einer regelmäßigen oder unregelmäßigen Anordnung erfolgen.
  • Gemäß mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren den Schritt des Anbringens eines Rahmens auf dem Träger, wobei der Rahmen den Halbleiterchip in lateralen Richtungen, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers sind, umgibt. Der Rahmen kann ein transparentes oder transluzentes Material umfassen. Der Rahmen kann rechteckig sein. Das heißt, der Rahmen kann den Halbleiterchip in allen lateralen Richtungen umgeben, so dass der Rahmen die Form eines Rechtecks mit einer Aussparung hat, in der der Halbleiterchip angeordnet ist.
  • Gemäß mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren den Schritt des Abscheidens einer Konversionsschicht, die den Halbleiterchip und den Rahmen bedeckt. Die Konversionsschicht kann auf einer Oberseite des Halbleiterchips angeordnet werden, wobei die Oberseite vom Träger abgewandt ist. Darüber hinaus kann die Konversionsschicht auf der dem Träger abgewandten Seite des Rahmens angeordnet werden. Die Konversionsschicht kann den Halbleiterchip und den Rahmen an den Seiten, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, vollständig bedecken. Somit kann die Konversionsschicht die Kanten des Halbleiterchips vollständig bedecken, die durch die Seitenflächen und die vom Träger abgewandte Oberfläche des Halbleiterchips gebildet werden. Vorzugsweise hat die Konversionsschicht für die gesamte Halbleitervorrichtung die gleiche oder eine konstante Dicke in vertikaler Richtung, wobei die vertikale Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers ist.
  • Gemäß mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens erstreckt sich der Halbleiterchip in vertikaler Richtung weiter als der Rahmen, wobei die vertikale Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft. Dies bedeutet, dass der Halbleiterchip den Rahmen in vertikaler Richtung überragen kann. Der Halbleiterchip kann sich in vertikaler Richtung vollständig weiter erstrecken als der Rahmen.
  • Gemäß mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Halbleiterchip dazu eingerichtet, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der Halbleiterchip kann zum Beispiel eine Leuchtdiode oder ein Laser sein. Der Halbleiterchip kann dazu eingerichtet sein, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung elektromagnetische Strahlung innerhalb eines bestimmten Wellenlängenbereichs zu emittieren. Vorzugsweise verlässt die vom Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung den Halbleiterchip an der Oberseite.
  • Gemäß mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens sind der Rahmen und der Halbleiterchip in lateralen Richtungen durch einen Spalt voneinander beabstandet. Das heißt, der Rahmen und der Halbleiterchip stehen nicht in direktem Kontakt. Der Rahmen und der Halbleiterchip können nebeneinander in lateralen Richtungen auf dem Träger so angeordnet werden, dass der Spalt zwischen dem Rahmen und dem Halbleiterchip in lateralen Richtungen angeordnet ist. Das bedeutet, dass der Rahmen und der Halbleiterchip in lateralen Richtungen einen lateralen Abstand voneinander haben. Der laterale Abstand oder die laterale Ausdehnung des Spalts kann entlang der Seitenflächen des Halbleiterchips variieren. Der Spalt zwischen dem Rahmen und dem Halbleiterchip kann den Halbleiterchip in lateralen Richtungen vollständig umgeben. Daher kann der Halbleiterchip in einer Aussparung des Rahmens angeordnet werden, ohne in direkten Kontakt mit dem Rahmen zu kommen.
  • Da die Konversionsschicht auf dem Halbleiterchip und auf der Oberseite des Rahmens abgeschieden wird, ist es möglich, dass der Halbleiterchip an den Seitenflächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, vollständig von der Konversionsschicht bedeckt werden kann. Daher können auch die Kanten des Halbleiterchips, die durch die Seitenflächen und die vom Träger abgewandte Fläche gebildet werden, vollständig mit der Konversionsschicht bedeckt werden. Außerdem kann durch die Anordnung des Rahmens auf dem Träger die Dicke der Konversionsschicht, die den Halbleiterchip bedeckt, gleichmäßiger sein. Daher ist es nicht notwendig, die Dicke der Konversionsschicht in vertikaler Richtung zu erhöhen, um den Halbleiterchip an den Oberflächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, vollständig zu bedecken.
  • Vorteilhafterweise ist durch die vollständige Abdeckung des Halbleiterchips mit der Konversionsschicht an den nicht mit dem Träger in Kontakt stehenden Oberflächen der Farbeindruck der von der Halbleitervorrichtung während des Betriebs emittierten elektromagnetischen Strahlung homogen. Das bedeutet, dass der Farbeindruck der von der Halbleitervorrichtung während des Betriebs emittierten elektromagnetischen Strahlung für die meisten oder alle Emissionswinkel homogen sein kann. Darüber hinaus kann durch die vollständige Abdeckung des Halbleiterchips an den Oberflächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, die Helligkeit der von der Halbleitervorrichtung während des Betriebs emittierten elektromagnetischen Strahlung für die meisten oder alle Emissionswinkel homogen sein.
  • Gemäß mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Abscheiden der Konversionsschicht mindestens ein elektrischer Kontakt des Halbleiterchips über Drahtbonden hergestellt. Der Halbleiterchip kann an der Oberseite über einen Bonddraht elektrisch kontaktiert werden. So kann der Halbleiterchip z.B. mit einem weiteren Halbleiterchip über Drahtbonden oder mit einem elektrischen Kontakt, der auf dem Träger angeordnet ist, elektrisch verbunden werden.
  • Vorzugsweise wird der Rahmen auf dem Träger befestigt, bevor der elektrische Kontakt des Halbleiterchips hergestellt wird. So kann der elektrische Kontakt während der Befestigung des Rahmens nicht beeinträchtigt werden. In einem späteren Schritt wird die Konversionsschicht auf den Rahmen und den Halbleiterchip mit dem elektrischen Kontakt abgeschieden. Auf diese Weise kann der Halbleiterchip an den Oberflächen, die nicht mit dem Träger in Kontakt sind, vollständig von der Konversionsschicht bedeckt werden.
  • Gemäß mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Wärmeleitfähigkeit des Rahmens größer als die Wärmeleitfähigkeit der Konversionsschicht. Daher kann die im Halbleiterchip oder in der Konversionsschicht erzeugte Wärme durch den Rahmen abgeführt werden. Dadurch kann eine wärmebedingte optische Degradierung der Konversionsschicht vermindert werden. Auf diese Weise kann die Lebensdauer der Halbleitervorrichtung erhöht werden.
  • Die folgende Beschreibung der Figuren kann Ausführungsbeispiele weiter veranschaulichen und erläutern. Bauteile, die in ihrer Funktion identisch sind oder die gleiche Wirkung erzielen, werden durch identische Bezugszeichen gekennzeichnet. Gleiche oder wirkungsgleiche Bauteile können nur in Bezug auf die Figuren beschrieben sein, wo sie das erste Mal auftreten. Ihre Beschreibung wird in nachfolgenden Figuren nicht unbedingt wiederholt.
    • 1 zeigt eine Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels der optoelektronischen Halbleitervorrichtung.
    • 2 zeigt eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels der optoelektronischen Halbleitervorrichtung.
    • In 3 ist eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Chips gezeigt.
    • Mit 4 werden Schritte des Verfahrens zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung erläutert.
    • In 5 ist eine Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispiels der optoelektronischen Halbleitervorrichtung gezeigt.
  • In 1 ist eine Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 10 dargestellt. Die optoelektronische Halbleitervorrichtung 10 umfasst einen Träger 11, der eine Leiterplatte oder ein Substrat sein kann.
  • Eine laterale Richtung x ist parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers 11. Auf dem Träger 11 sind zwei Halbleiterchips 12 angeordnet. Die beiden Halbleiterchips 12 sind in lateraler Richtung x voneinander beabstandet. Die beiden Halbleiterchips 12 können dazu eingerichtet sein, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung 10 elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Bei jedem Halbleiterchip 12 ist eine Oberseite 16 an einer Seite des Halbleiterchips 12 angeordnet, die vom Träger 11 abgewandt ist. Darüber hinaus umfasst jeder Halbleiterchip 12 Seitenflächen 19, die senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers 11 stehen.
  • Die Halbleitervorrichtung 10 umfasst ferner einen Rahmen 13. Der Rahmen 13 umgibt jeden Halbleiterchip 12 in lateralen Richtungen x, y. In 1 ist nur ein Ausschnitt des Rahmens 13 abgebildet. Der Rahmen 13 steht in direktem Kontakt mit dem Träger 11. Außerdem sind der Rahmen 13 und jeder Halbleiterchip 12 in lateraler Richtung x durch einen Spalt 15 voneinander beabstandet. Dies bedeutet, dass in lateraler Richtung x ein Spalt 15 zwischen dem Halbleiterchip 12 und dem Rahmen 13 angeordnet ist. Der Rahmen 13 kann für elektromagnetische Strahlung, die während des Betriebs von den Halbleiterchips 12 emittiert wird, transparent sein, und der Rahmen 13 kann beispielsweise Borosilikatglas umfassen. Darüber hinaus erstrecken sich die Halbleiterchips 12 in vertikaler Richtung z weiter als der Rahmen 13, wobei die vertikale Richtung z senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers 11 verläuft.
  • Die Halbleitervorrichtung 10 umfasst ferner eine Konversionsschicht 14. Die Konversionsschicht 14 bedeckt die Halbleiterchips 12 und den Rahmen 13, und die Konversionsschicht 14 steht in direktem Kontakt mit den Halbleiterchips 12 und dem Rahmen 13. Die Konversionsschicht 14 ist an einer Seite der Halbleiterchips 12 und des Rahmens 13 angeordnet, die vom Träger 11 abgewandt ist. Die Konversionsschicht 14 kann ein Matrixmaterial und Konversionspartikel umfassen. Somit kann die Konversionsschicht 14 dazu eingerichtet sein, eine Wellenlänge der vom Halbleiterchip 12 emittierten elektromagnetischen Strahlung umzuwandeln. Das Matrixmaterial kann Silikon umfassen. Die Wärmeleitfähigkeit des Rahmens 13 kann größer sein als die Wärmeleitfähigkeit der Konversionsschicht 14.
  • Die während des Betriebs von den Halbleiterchips 12 emittierte elektromagnetische Strahlung kann die Konversionsschicht 14 passieren und die Halbleitervorrichtung 10 über eine Lichtaustrittsfläche 17 verlassen, wobei die Lichtaustrittsfläche 17 an einer vom Träger 11 abgewandten Seite der Konversionsschicht 14 angeordnet ist.
  • Da der Rahmen 13 die Halbleiterchips 12 in lateralen Richtungen x, y umgibt, bedeckt die Konversionsschicht 14 die Halbleiterchips 12 an den Seiten der Halbleiterchips 12, die vom Träger 11 unbedeckt sind oder nicht dem Träger 11 zugewandt sind, vollständig. Daher werden auch die Kanten 18 der Halbleiterchips 12, die von den Seitenflächen 19 und der vom Träger 11 abgewandten Fläche gebildet werden, von der Konversionsschicht 14 bedeckt.
  • In 2 ist eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 10 dargestellt. Die optoelektronische Halbleitervorrichtung 10 umfasst eine Vielzahl von Halbleiterchips 12, die in einer regelmäßigen Anordnung auf dem Träger 11 angeordnet sind. Jeder Halbleiterchip 12 ist in allen lateralen Richtungen x, y von dem Spalt 15 umgeben. Außerdem ist jeder Halbleiterchip 12 von dem Rahmen 13 umgeben. Der Rahmen 13 und die Halbleiterchips 12 stehen nicht in direktem Kontakt, da sie durch den Spalt 15 voneinander beabstandet sind. Der Rahmen 13 weist daher rechteckige Aussparungen auf, in denen jeweils ein Halbleiterchip 12 angeordnet ist.
  • In 3 ist eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterchips 12 dargestellt. Der Halbleiterchip 12 erstreckt sich in lateralen Richtungen x, y. Der Halbleiterchip 12 ist in lateralen Richtungen x, y vollständig von dem Spalt 15 umgeben. Der Spalt 15 kann in lateralen Richtungen x, y vollständig von dem Rahmen 13 umgeben sein, der in 3 nicht dargestellt ist. Die laterale Breite oder die laterale Ausdehnung des Spalts 15 ist durch den Abstand zwischen dem Halbleiterchip 12 und dem Rahmen 13 in lateraler Richtung x, y gegeben. Die laterale Breite des Spalts 15 ist durch zwei Pfeile gekennzeichnet. Wie in 3 gezeigt, kann die laterale Breite des Spalts 15 in x-Richtung von der lateralen Breite des Spalts 15 in y-Richtung abweichen, wobei die x-Richtung und die y-Richtung zwei laterale Richtungen x, y sind.
  • Mit 4 werden Schritte des Verfahrens zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung 10 erläutert. In einem ersten Schritt S1 des Verfahrens wird ein Träger 11 mit einer Haupterstreckungsebene bereitgestellt.
  • Als nächstes wird in einem zweiten Schritt S2 mindestens ein Halbleiterchip 12 auf dem Träger 11 angebracht. Der Halbleiterchip 12 ist dazu eingerichtet, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung 10 elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Vorzugsweise wird eine Vielzahl von Halbleiterchips 12 so auf dem Träger 11 angebracht, dass die Halbleiterchips 12 in einer regelmäßigen Anordnung angeordnet sind.
  • In einem dritten Schritt S3 wird der Rahmen 13 so auf dem Träger 11 angebracht, dass der Rahmen 13 den Halbleiterchip 12 in lateralen Richtungen x, y umgibt. Darüber hinaus wird der Rahmen 13 so auf dem Träger 11 angebracht, dass der Rahmen 13 nicht in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip 12 steht und dass der Rahmen 13 und der Halbleiterchip 12 in lateralen Richtungen x, y durch den Spalt 15 voneinander beabstandet sind. Daher kann der Rahmen 13 beispielsweise Aussparungen aufweisen, so dass jeweils ein Halbleiterchip 12 in einer Aussparung des Rahmens 13 angeordnet ist. Außerdem erstreckt sich der Halbleiterchip 12 in vertikaler Richtung z weiter als der Rahmen 13. Da der Rahmen 13 und der Halbleiterchip 12 in lateralen Richtungen x, y durch den Spalt 15 voneinander beabstandet sind, ist bei der Größe der Halbleiterchips 12 eine Abweichung oder eine Toleranz in der Größenordnung des Spalts 15 zulässig. Darüber hinaus ist eine Abweichung oder eine Toleranz bei der Platzierung des Halbleiterchips 12 an einer bestimmten Stelle auf dem Träger 11 in der Größenordnung des Spalts 15 zulässig. Die laterale Breite des Spalts 15 kann mindestens 25 µm und höchstens 50 µm betragen.
  • Als nächstes wird in einem vierten Schritt S4 mindestens ein elektrischer Kontakt des Halbleiterchips 12 über Drahtbonden hergestellt. Beispielsweise können die Vielzahl von Halbleiterchips 12 über Drahtbonden miteinander verbunden werden. Es ist auch möglich, dass der Halbleiterchip 12 mit einem elektrischen Kontakt des Trägers 11 über Drahtbonden elektrisch verbunden wird. Vorzugsweise wird der elektrische Kontakt des Halbleiterchips 12 auf der Oberseite 16 des Halbleiterchips 12 gebildet.
  • In einem fünften Schritt S5 wird eine Konversionsschicht 14 auf den Halbleiterchip 12 und den Rahmen 13 abgeschieden. Die Konversionsschicht 14 kann den Halbleiterchip 12 und den Rahmen 13 an allen Flächen, die nicht mit dem Träger 11 in Kontakt stehen, bedecken. Vorteilhaft ist, dass durch die Anordnung des Rahmens 13 um den Halbleiterchip 12 der Halbleiterchip 12 an den nicht mit dem Träger 11 in Kontakt stehenden Flächen vollständig von der Konversionsschicht 14 bedeckt werden kann.
  • In 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 10 in Draufsicht dargestellt. Der Aufbau ist ähnlich dem in 2 gezeigten Aufbau. Auf dem Träger 11 ist eine Vielzahl von Halbleiterchips 12 angeordnet. Die Halbleiterchips 12 sind über Drähte 20 elektrisch miteinander verbunden.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbespiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal und jede Kombination von Merkmalen, wozu insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen gehört, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht ausdrücklich in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 10:
    optoelektronische Halbleitervorrichtung
    11:
    Träger
    12:
    Halbleiterchip
    13:
    Rahmen
    14:
    Konversionsschicht
    15:
    Spalt
    16:
    Oberseite
    17:
    Lichtaustrittsfläche
    18:
    Kante
    19:
    Seitenfläche
    20:
    Draht
    S1:
    erster Schritt
    S2:
    zweiter Schritt
    S3:
    dritter Schritt
    S4:
    vierter Schritt
    S5:
    fünfter Schritt
    x:
    laterale Richtung
    y:
    laterale Richtung
    z:
    vertikale Richtung

Claims (16)

  1. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10), umfassend: - einen Träger (11) mit einer Haupterstreckungsebene, - mindestens einen Halbleiterchip (12), der auf dem Träger (11) angeordnet ist, - einen Rahmen (13), der auf dem Träger (11) angeordnet ist und der den Halbleiterchip (12) in lateralen Richtungen (x, y) umgibt, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) sind, - eine Konversionsschicht (14), die den mindestens einen Halbleiterchip (12) und den Rahmen (13) bedeckt, wobei - der mindestens eine Halbleiterchip (12) sich in vertikaler Richtung (z) weiter erstreckt als der Rahmen (13), wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) ist, - der Halbleiterchip (12) dazu eingerichtet ist, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung (10) elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und - der Rahmen (13) und der Halbleiterchip (12) in lateralen Richtungen (x, y) durch einen Spalt (15) voneinander beabstandet sind.
  2. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach Anspruch 1, wobei die Wärmeleitfähigkeit des Rahmens (13) größer ist als die Wärmeleitfähigkeit der Konversionsschicht (14).
  3. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (12) an allen durch den Träger (11) unbedeckten Oberflächen mit der Konversionsschicht (14) bedeckt ist.
  4. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Rahmen (13) ein Glas umfasst.
  5. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Rahmen (13) Borosilikatglas umfasst.
  6. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die laterale Breite des Spalts (15) mindestens 25 µm und höchstens 50 µm beträgt.
  7. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Rahmen (13) in direktem Kontakt mit dem Träger (11) steht.
  8. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Rahmen (13) in direktem Kontakt mit der Konversionsschicht (14) steht.
  9. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Konversionsschicht (14) dazu eingerichtet ist, eine Wellenlänge der vom Halbleiterchip (12) emittierten elektromagnetischen Strahlung umzuwandeln.
  10. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Konversionspartikel in einem Matrixmaterial der Konversionsschicht (14) dispergiert sind.
  11. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Matrixmaterial Silikon umfasst.
  12. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) mindestens zwei Halbleiterchips (12) umfasst und wobei der Rahmen (13) jeden der Halbleiterchips (12) in lateralen Richtungen (x, y) umgibt.
  13. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) mindestens zwei Halbleiterchips (12) umfasst und der Rahmen (13) mindestens zwei Teilrahmen umfasst, wobei jeder Teilrahmen mindestens einen Halbleiterchip (12) in lateralen Richtungen (x, y) umgibt.
  14. Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung (10), wobei das Verfahren umfasst: - Bereitstellen eines Trägers (11) mit einer Haupterstreckungsebene, - Anbringen von mindestens einem Halbleiterchip (12) auf dem Träger (11), - Anbringen eines Rahmens (13) auf dem Träger (11), wobei der Rahmen (13) den Halbleiterchip (12) in lateralen Richtungen (x, y) umgibt, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) sind, - Abscheiden einer Konversionsschicht (14), die den Halbleiterchip (12) und den Rahmen (13) bedeckt, wobei - der Halbleiterchip (12) sich in vertikaler Richtung (z) weiter erstreckt als der Rahmen (13), wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) ist, - der Halbleiterchip (12) dazu eingerichtet ist, während des Betriebs der Halbleitervorrichtung (10) elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und - der Rahmen (13) und der Halbleiterchip (12) in lateralen Richtungen (x, y) durch einen Spalt (15) voneinander beabstandet sind.
  15. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei mindestens ein elektrischer Kontakt des Halbleiterchips (12) über Drahtbonden gebildet wird, bevor die Konversionsschicht (14) abgeschieden wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 15, wobei die Wärmeleitfähigkeit des Rahmens (13) größer ist als die Wärmeleitfähigkeit der Konversionsschicht (14).
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