DE1111672B - Gegentaktverstaerker mit zwei Transistoren, deren Emitter-Kollektor-Strecken vom Speisegleichstrom in Reihe durch-flossen werden - Google Patents
Gegentaktverstaerker mit zwei Transistoren, deren Emitter-Kollektor-Strecken vom Speisegleichstrom in Reihe durch-flossen werdenInfo
- Publication number
- DE1111672B DE1111672B DEG27751A DEG0027751A DE1111672B DE 1111672 B DE1111672 B DE 1111672B DE G27751 A DEG27751 A DE G27751A DE G0027751 A DEG0027751 A DE G0027751A DE 1111672 B DE1111672 B DE 1111672B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- collector
- transistors
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3083—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
- H03F3/3084—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type one of the power transistors being controlled by the output signal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Die bisher bekannten Transistoren haben manche wünschenswerten, aber auch manche nachteiligen
Eigenschaften. Sie sind vor allem temperaturabhängig. Diese Abhängigkeit kann zu Instabilitäten im
gesamten Gerät führen. Außerdem ändert sich die Stromverstärkung der Transistoren im allgemeinen
mit dem Kollektorstrom. Diese Abhängigkeit kann zu Verzerrungen des Signals führen, das verstärkt
werden soll. Infolge der durch die Transistoren verursachten Phasenverschiebungen ist es vielfach
schwierig, Gegenkopplung zur Verminderung der Verzerrungen und zur Erhöhung der Stabilität anzuwenden.
Schließlich besteht starke Streuung hinsichtlich der Stromverstärkung zwischen Transistoren der gleichen
Type. Es ist daher üblich, bei der Verwendung von Transistoren in Gegentaktverstärkern die Transistoren
paarweise auszuwählen und einander anzupassen.
Andererseits ist es für die Speisung von Lautsprechern in Tonverstärkeranlagen sehr erwünscht, eine
Kraftverstärkerstufe mit sehr niedriger Impedanz zu benutzen, um eine gute Anpassung für die Lautsprecher
zu erzielen. Soweit die üblichen Endverstärker einen verhältnismäßig hohen Ausgangswiderstand
haben, ist es daher notwendig, verhältnismäßig kostspielige Anpassungstransformatoren zu verwenden,
die aber die getreue Wiedergabe beeinträchtigen.
Das Ziel der Erfindung ist es daher, einen Gegentaktverstärker zu schaffen, in dem nicht ausgewählte
und nicht angepaßte Transistoren verwendet werden können und der nur verhältnismäßig kleine Verzerrungen
und schwaches Brummen auch bei großer Verstärkung aufweist. Sie geht dabei von der an sich bekannten
Gegentaktstufe mit zwei Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps aus, deren Emitter-Kollektor-Strecken
vom Speisegleichstrom in Reihe durchflossen werden, bei welcher der eine Transistor unmittelbar
und der zweite mittelbar gesteuert wird und bei der die Belastung an die Verbindung des Emitters des
einen mit dem Kollektor des zweiten Transistors angeschlossen ist.
Gemäß der Erfindung wird der Emitter eines dritten Transistors entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
vom Spannungsabfall am Kollektorwiderstand des ersten Transistors gesteuert, während die Steuerspannung
für den zweiten Transistor an einem Widerstand im Kollektorkreis des dritten Transistors abgegriffen
wird.
An Stelle des ersten und zweiten Transistors können auch an sich bekannte Tandemschaltungen zweier
gleichartiger Transistoren vorgesehen sein.
In den beiden Figuren sind Ausführungsbeispiele des Erfindungsgegenstandes dargestellt.
Gegentaktverstärker mit zwei Transistoren,
deren Emitter-Kollektor-Strecken
vom Speisegleichstrom in Reihe durchflossen werden
vom Speisegleichstrom in Reihe durchflossen werden
Anmelder:
General Electric Company,
Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. W. Reichel, Patentanwalt,
Frankfurt/M. 1, Parkstr. 13
Frankfurt/M. 1, Parkstr. 13
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 20. August 1958
V. St. v. Amerika vom 20. August 1958
Hugh Randolph Lowry, DeWitt, N. Y. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Fig. 1 zeigt einen einfachen Signalverstärker gemäß der Erfindung und
Fig. 2 einen Tonfrequenzausgangsverstärker hoher Wiedergabetreue gemäß einer Weiterbildung der Erfindung.
In Fig. 1 ist ein einfacher Gegentaktverstärker dargestellt, dem die Signale von einer Signalquelle 12 zugeführt
werden und welcher die verstärkten Signale an eine Belastung 14 abgibt. Der Gegentaktverstärker
enthält die vom Speisegleichstrom in Reihe durchflossenen Transistoren 16 und 18 sowie einen Transistor
20, der den Ausgang des Transistors 16 mit dem Eingang des Transistors 18 verbindet. Die
Signale der Signalquelle 12 werden dem Transistor 16 unmittelbar zugeführt und verursachen eine Änderung
des in diesem Transistor fließenden Stromes. Diese Stromänderung erzeugt eine Spannung an der
Belastung 14 und bewirkt ferner, daß ein phasenverschobenes Signal über den Transistor 20 dem Transistor
18 zugeführt wird. Dieses bewirkt einen Strom durch den Transistor 18, der jedoch eine Phasenverschiebung
gegenüber dem Strom im Transistor 16 hat und somit eine effektive Verstärkung des die Belastung
14 durchfließenden Stromes ergibt.
Der Kollektor des Transistors 16, z. B. eines PNP-Transistors, ist über einen Widerstand 22 mit der
109 649/270
einen Klemme Β— der Spannungsquelle verbunden,
seine Basis mit dem Punkt 24 und sein Emitter mit dem Punkt 26. Der Kollektor des Transistors 18 vom
gleichen Leitfähigkeitstyp ist ebenfalls an den Punkt 26 angeschlossen, seine Basis ist an den Punkt 28 und
sein Emitter über einen Widerstand 30 an die andere Klemme der Spannungsquelle angeschlossen. Diese
Klemme kann als Bezugspotential gelten und geerdet sein.
Der Kollektor des Transistors 20 (z. B. eines Komplementär- oder NPN-Transistors) ist über einen
Widerstand 32 an den Verbindungspunkt 28 angeschlossen, seine Basis an den Verbindungspunkt 34
und sein Emitter steht über einen Widerstand 36 mit dem Kollektor des Transistors 16 in Verbindung. Der
Widerstand 38 verbindet den Punkt 28 mit Erde, so daß ein Stromkreis für den Transistor 20 und ein
Spannungsteiler mit dem Widerstand 32 entsteht. Widerstände 40 α und 40 b sind in Reihe zwischen
dem Punkt B — der Spannungsquelle und Erde angeordnet, so daß eine Vorspannung für die Basis des
Transistors 20 geliefert wird. Widerstände 42 a und 42 b sind in gleicher Weise parallel zur Spannungsquelle angeordnet, um eine Vorspannung für die Basis
des Transistors 16 zu liefern.
Die Arbeitsweise des Gegentaktverstärkers wird zuerst im Ruhezustand beschrieben und dann während
der Signalverstärkung. Der Spannungsteiler 42, dessen Widerstände im allgemeinen gleiche Größe haben,
erzeugt ein Betriebspotential an der Basis des Transistors 16 und das gleiche Potential liegt auch am
Emitter. Der Spannungsteiler 40 liefert eine Vorspannung für die Basis des Transistors 20, so daß ein
kleiner Strom in seinem Kollektorkreis über die Widerstände 32 und 38 fließt. Dieser Strom liefert
die Betriebsvorspannung der Basis des Transistors 18. Diese Vorspannung und die Größe des Widerstandes
30 bestimmen zusammen die Größe des Gleichstroms, der den Transistor 18 durchfließt. Da der Speisegleichstrom
von der Klemme B — über den Transistor 16 fließt, wird auch der Transistor 16 vom selben
Gleichstrom durchsetzt.
Wenn die Widerstände 22 und 30 im wesentlichen einander gleich sind und der Widerstand 36 gleich
dem Widerstand 38 ist, dann ist der Verstärkungsfaktor in dem Stromkreis, der die Transistoren 16,18
und 20 hält, gleich Eins. Eine kleine Änderung des Gleichstroms durch den Transistor 16, die sich durch
Streuströme, Wärme oder andere Einwirkungen ergibt, verursacht eine Änderung in der Arbeitsvorspannung
der Basis des Transistors 18 in einem solchen Sinn, daß der Gleichstrom auf den ursprünglichen
Wert zurückkehrt. Wenn daher der Widerstand 30 auch nur 1 Ohm beträgt, dann ist die Gleichstromstabilität
des Gegentaktverstärkers außerordentlich gut.
Wenn ein Wechselstromsignal von der Signalquelle 12 über einen Kondensator der Basis des Transistors
16 zugeführt wird und ein Wechselstrom diesen Transistor durchfließt, wird eine Wechselspannung
der gleichen Phasenlage an der Belastung 14 erzeugt, weil der Transistor 16 in Emitterschaltung arbeitet.
Gleichzeitig erzeugt der Wechselstrom, der den Transistor 16 durchfließt, eine Wechselspannung an dem
Widerstand 22. Diese Wechselspannung, die über den Widerstand 36 dem Emitter des Transistors 20 zugeführt
wird, hat eine Phasenverschiebung von 180° gegenüber der Wechselspannung an der Belastung 14.
Diese Wechselspannung wird ohne Phasenverschiebung über den Widerstand 32 der Basis des Transistors
18 zugeführt. Sie bewirkt, daß ein Wechselstrom durch den Transistor 18 fließt, der eine Wechselspannung
an der Belastung 14 erzeugt, die in Phase mit der Wechselspannung ist, welche durch den
Wechselstrom im Transistor 16 erzeugt wird. Jeder Transistor liefert somit etwa die Hälfte des Stromes
für die Belastung 14.
ίο Es sei bemerkt, daß eine lOO°/oige Spannungsrückkopplung zwischen den Transistoren 16 und 18
vorliegt, so daß, wenn die Signalquelle 12 einen niedrigen Widerstand gegenüber dem Eingangswiderstand
des Transistors 16 hat, die von dem Gegentaktverstärker eingeführte Verzerrung sehr gering ist.
Zwar könnte auch ein Kondensator benutzt werden, um die Kopplung zwischen dem Kollektor des
Transistors 16 und der Basis des Transistors 18 herzustellen; jedoch hat die Verwendung des Transistors
20 erhebliche Vorteile. Wenn ein Kondensator verwendet würde, dann würde eine Wechselspannungskomponente
an der Klemme B- ohne Dämpfung über den Widerstand 22 und den Kopplungskondensator
auf die Basis des Transistors 18 gekoppelt. Diese Spannungsschwankung würde verstärkt und der
Belastung 14 zugeführt. Der Transistor 20 jedoch verstärkt nur Spannungsdifferenzen zwischen dem
Punkt 34 und dem Verbindungspunkt der beiden Widerstände 22 und 36. Da die Widerstände 22 und
40 α verhältnismäßig klein sind, ist die Brummspannung im wesentlichen gleich derjenigen an diesen
beiden Verbindungspunkten und wird von dem Transistor 20 nicht verstärkt. Der Transistor 20 dient also
zur Unterdrückung der Brummspannung. Fig. 2 zeigt einen erweiterten Tonverstärker hoher
Widergabetreue gemäß der Erfindung. Er enthält eine Signalquelle 50 (einen üblichen Vorverstärker),
die eine Spannungsverstärkerstufe (einen üblichen Transistorverstärker in Emitterschaltung) steuert, die
ihrerseits einen Gegentaktverstärker (der dem gemäß der Fig. 1 ähnelt) speist, um den Lautsprecher 70
anzutreiben. Die Rückkopplungsanordnung 82, 84 zwischen dem Lautsprecher 70 und der Spannungsverstärkerstufe
liefert eine Gegenkopplung für die ganze Schaltung, um die Linearität der Verstärkung
zu verbessern und die Stabilität der Schaltung zu erhöhen.
Die Spannungsverstärkerstufe enthält einen Transistor 62 (einen PNP-Transistor), dessen Kollektor
über den Widerstand 61 und einen Widerstand 65 mit der Klemme B— der Spannungsquelle verbunden ist;
seine Basis steht mit der Signalquelle 50 und der Gegenkopplungsanordnung in Verbindung; sein Emitter
liegt an Erde. Ein Widerstand 67 zur Erzeugung eines Spannungsabfalls liegt zwischen Kollektor und
Basis und liefert eine Vorspannung für die Basis. Ein Kondensator 66 liegt zwischen dem Verbindungspunkt der Widerstände 61 und 65 und Erde.
Der Transistor 16 der Fig. 1 ist hier durch eine Tandemschaltung ersetzt, welche zwei Transistoren
116 und 216 enthält. Die Basis des Transistors 116 liegt am Kollektor des Transistors 62 (Eingangsklemme des Gegentaktverstärkers). Die Kollektoren
der Transistoren 116 und 216 sind miteinander verbunden und an den Widerstand 22' angeschlossen.
Der Emitter des Transistors 116 liegt an der Basis des Transistors 216. In manchen Fällen kann es erwünscht
sein, diesen Punkt über einen Widerstand
zu erden. Der Emitter von 216 ist mit dem Punkt 26' verbunden (Ausgangsklemme des Gegentaktverstärker).
In gleicher Weise ist der Transistor 18 der Fig. 1 durch eine Tandemschaltung ersetzt, welche
die beiden Transistoren 118 und 218 enthält. Die Basis des Transistors 118 liegt an dem Verbindungspunkt 28'. Die beiden Kollektoren sind mit dem
Punkt 26' verbunden. Der Emitter des Transistors 118 ist an die Basis des Transistors 218 angeschlossen.
Es sei bemerkt, daß es in manchen Fällen erwünscht ist, diese Stelle über einen Widerstand zu
erden. Der Emitter des Transistors 218 ist über einen Widerstand 30' geerdet. Diese Änderungen der Schaltung
erhöhen die Stromverstärkung und liefern eine höhere Eingangsimpedanz sowie eine niedrigere Ausgangsimpedanz
für den Gegentaktverstärker.
Der Lautsprecher 70 kann ein hochqualifizierter Lautsprecher sein, der einen sehr niedrigen Eingangswiderstand
hat. Das eine Ende der Schwingspule 72 ist über einen Kondensator 46' an den Punkt 26' angeschlossen.
Das andere Ende der Schwingspule 72 ist geerdet. Der Gegenkopplungsweg enthält die Parallelschaltung
eines Kondensators 82 und eines Widerstandes 84, die zwischen der Schwingspule und dem
Signaleingang liegen.
Die Transistoren 16 und 18 der Fig. 1 und die Transistoren 116, 216, 118 und 218 der Fig. 2 sind
als PNP-Transistoren dargestellt. Diese Transistoren ebenso wie der Transistor 62 können aber auch
NPN-Transistoren sein. In diesem Fall wurden die komplementären Transistoren 20 der Fig. 1 und 20'
der Fig. 2 PNP-Transistoren sein, und die Polarität der Spannungsquelle müßte umgekehrt werden.
Die folgenden Werte für die einzelnen Schaltungselemente sollen als Beispiel für einen Tonverstärker
dienen:
Widerstand 61 4 300 0hm
Widerstand 66 180 000 0hm
Widerstand 84 10 000 Ohm
Widerstand 42«' 470 0hm
Widerstand 42 b' 15 000 0hm
Widerstand 32' .
Widerstand 38' .
Widerstand 36' .
Widerstand 22' .
Widerstand 30' .
Widerstand 65 .
Kondensator 82
Kondensator 46'
Kondensator 66
Widerstand 38' .
Widerstand 36' .
Widerstand 22' .
Widerstand 30' .
Widerstand 65 .
Kondensator 82
Kondensator 46'
Kondensator 66
5 600 Ohm
1 000 Ohm
220 Ohm
lOhm
lOhm
680 Ohm
001 Mikrofarad
1 000 Mikrofarad
50 Mikrofarad
1 000 Ohm
220 Ohm
lOhm
lOhm
680 Ohm
001 Mikrofarad
1 000 Mikrofarad
50 Mikrofarad
40
45
Transistor 20' G.E. 2N169A
Transistor 116 G.E. 2 N188 A
Transistor 216 DELCO 2 N174
Transistor 118 G.E. 2N188A
Transistor 218 DELCO 2 N174
Potentialquelle B- .... 30 Volt
Claims (5)
1. Gegentaktverstärker mit zwei Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps, deren Emitter-Kollektor-Strecken
vom Speisegleichstrom in Reihe durchflossen werden, bei der die Basis des einen Transistors unmittelbar und die des zweiten
mittelbar gesteuert wird und bei der die Belastung an die Verbindung des Emitters des einen mit
dem Kollektor des zweiten Transistors angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter
eines dritten Transistors (20) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps vom Spannungsabfall am Kollektorwiderstand
(22) des ersten Transistors (16) gesteuert wird, während die Steuerspannung für den zweiten Transistor (18) an einem Widerstand
(32, 38) im Kollektorkreis des dritten Transistors abgegriffen wird (Fig. 1).
2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mittels eines an der Speisespannung
liegenden Spannungsteilers (40) der Basis des dritten Transistors eine feste Spannung
zugeführt wird.
3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände (32, 36), die
den Kollektor bzw. den Emitter des dritten Transistors mit dem zweiten bzw. dem ersten Transistor
verbinden, im wesentlichen gleich groß sind.
4. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des zweiten und
der Kollektor des ersten Transistors über sehr niedrige Widerstände gleicher Größe an der
Speisespannungsquelle liegen.
5. Abwandlung des Verstärkers nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle
des ersten und zweiten Transistors an sich bekannte Tandemschaltungen zweier gleichartiger
Transistoren (116, 216 bzw. 118, 218) vorgesehen sind (Fig. 2).
Transistor 62 G.E. 2N188A
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 026 361;
USA.-Patentschriften Nr. 2743 321, 2761 917;
britische Patentschrift Nr. 798 523;
französische Patentschrift Nr. 1147 700;
Electronics, 1956, Septemberheft, S. 174.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 026 361;
USA.-Patentschriften Nr. 2743 321, 2761 917;
britische Patentschrift Nr. 798 523;
französische Patentschrift Nr. 1147 700;
Electronics, 1956, Septemberheft, S. 174.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
109 649/270 7.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US857643XA | 1958-08-20 | 1958-08-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1111672B true DE1111672B (de) | 1961-07-27 |
Family
ID=22193783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG27751A Pending DE1111672B (de) | 1958-08-20 | 1959-08-19 | Gegentaktverstaerker mit zwei Transistoren, deren Emitter-Kollektor-Strecken vom Speisegleichstrom in Reihe durch-flossen werden |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1111672B (de) |
FR (1) | FR1232857A (de) |
GB (1) | GB857643A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3239772A (en) * | 1963-02-06 | 1966-03-08 | Westinghouse Electric Corp | Highly efficient semiconductor switching amplifier |
FR2206626A1 (de) * | 1972-11-13 | 1974-06-07 | Rca Corp |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2743321A (en) * | 1952-03-21 | 1956-04-24 | Wallace H Coulter | Amplifier having series-connected output tubes |
US2761917A (en) * | 1955-09-30 | 1956-09-04 | Rca Corp | Class b signal amplifier circuits |
FR1147700A (fr) * | 1955-04-16 | 1957-11-28 | Philips Nv | Amplificateur à transistrons |
DE1026361B (de) * | 1956-03-17 | 1958-03-20 | Philips Nv | Transistor-Verstaerker mit Arbeitsstromstabiliserung |
GB798523A (en) * | 1954-08-27 | 1958-07-23 | Gen Electric | Improvements relating to transistor amplifier circuits |
-
1959
- 1959-08-18 GB GB28177/59A patent/GB857643A/en not_active Expired
- 1959-08-19 DE DEG27751A patent/DE1111672B/de active Pending
- 1959-08-20 FR FR803177A patent/FR1232857A/fr not_active Expired
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2743321A (en) * | 1952-03-21 | 1956-04-24 | Wallace H Coulter | Amplifier having series-connected output tubes |
GB798523A (en) * | 1954-08-27 | 1958-07-23 | Gen Electric | Improvements relating to transistor amplifier circuits |
FR1147700A (fr) * | 1955-04-16 | 1957-11-28 | Philips Nv | Amplificateur à transistrons |
US2761917A (en) * | 1955-09-30 | 1956-09-04 | Rca Corp | Class b signal amplifier circuits |
DE1026361B (de) * | 1956-03-17 | 1958-03-20 | Philips Nv | Transistor-Verstaerker mit Arbeitsstromstabiliserung |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3239772A (en) * | 1963-02-06 | 1966-03-08 | Westinghouse Electric Corp | Highly efficient semiconductor switching amplifier |
FR2206626A1 (de) * | 1972-11-13 | 1974-06-07 | Rca Corp |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1232857A (fr) | 1960-10-12 |
GB857643A (en) | 1961-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3850289T2 (de) | Automatische Lautstärkeregelungsschaltung. | |
DE2718491C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Verstärkung der Signale eines elektromagnetischen Wandlers und zur Vorspannungserzeugung für den Wandler | |
DE2249024B2 (de) | Integrierter Differenzverstärker | |
DE2432867B2 (de) | Verstärkerschaltung | |
DE3108617A1 (de) | "verstaerkungssteuerschaltung" | |
DE3043952A1 (de) | Gegentakt-ab-verstaerker | |
DE2213484C3 (de) | Hochfrequenter Breitbandverstärker | |
DE1109739B (de) | Zwei- bzw. dreistufiger, galvanisch gekoppelter Transistorverstaerker | |
DE69122820T2 (de) | Verstärkerschaltung | |
DE2647916C3 (de) | NF-Leistungsverstärker | |
DE3138751A1 (de) | Vollweggleichrichterschaltung und einen solchen verwendender pegelmesser | |
DE2438883C3 (de) | Durch Rückkopplung stabilisierte Verstärkeranordnung | |
DE69010916T2 (de) | Differenzverstärker mit eingangsdämpfungsglied. | |
DE2607456A1 (de) | Differenzverstaerker | |
DE3034940C2 (de) | ||
DE1111672B (de) | Gegentaktverstaerker mit zwei Transistoren, deren Emitter-Kollektor-Strecken vom Speisegleichstrom in Reihe durch-flossen werden | |
DE2312086C3 (de) | Signalübertragungsvorrichtung mit einer amplituden- und frequenzabhängigen Übertragungsfunktion | |
DE69124076T2 (de) | CMOS-Hochgeschwindigkeitsverstärker mit niedrigem Offset und Entstörung der Stromversorgung | |
DE2739669C2 (de) | Multiplex-Stereo-Dekoder | |
DE1787002A1 (de) | Verstaerkerschaltung zum erzeugen zweier gegenphasiger ausgangssignale aus einem eingangssignal | |
DE1240939B (de) | Verstaerkerschaltung, die zwei fuer Gleichstrom in Reihe geschaltete Roehren enthaelt | |
DE2711520C3 (de) | Belastungsschaltung für eine Signalquelle | |
DE69214189T2 (de) | Transistorverstärker mit direkter Kopplung | |
DE69114949T2 (de) | Gegentakt-Leistungsverstärker. | |
DE3228785A1 (de) | Verstaerkerschaltung |