DE1110231B - Anordnung zum UEberlastungsschutz eines als Verstaerker oder Schalter arbeitenden Leistungstransistors - Google Patents

Anordnung zum UEberlastungsschutz eines als Verstaerker oder Schalter arbeitenden Leistungstransistors

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DE1110231B
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DE
Germany
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transistor
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voltage
power transistor
switch
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DEI16688A
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English (en)
Inventor
Bendt Jorgen Nielsen
Jens Erik Bronnum Scavenius
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International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0826Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Anordnung zum Überlastungsschutz eines als Verstärker oder Schalter arbeitenden Leistungstransistors Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zum überlastungsschutz von Leistungstransistoren, die als Verstärker oder Schalter arbeiten.
  • Mit den üblichen Sicherungen können Transistoren nicht gegen überlastung geschützt werden, einerseits gen nicht schnell genug abschalten, weil diese Sicherung andererseits weil der Strom im Transistor, der bei einem Kurzschluß der Last entsteht, nicht viel größer ist als der normale Arbeitsstrom. Die letztgenannte Eigenschaft resultiert aus der Tatsache, daß Transistoren eine ziemlich konstante Stromverstärkung besitzen und deshalb der Kollektorstrom nicht viel höher ansteigen kann, als durch den Basisstrom vorgegeben wird. Bei Kurzschluß der Last steigt deshalb der Kollektorstrom nur vergleichsweise wenig über den Arbeitsstrom, jedoch liegt zur gleichen Zeit die gesamte Speisespannung an dem Transistor. Aus diesem Grunde wird die normalerweise in der Last umgesetzte Leistung im Transistor verbraucht.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, als Verstärker oder Schalter arbeitende Leistungstransistoren in Emitterschaltung bei Kurzschluß der Last im Kollektorkreis wirkungsvoll gegen überlastung zu schützen. Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe in der Weise gelöst, daß die Emitter-Kollektor-Strecke eines Schutztransistors zwischen den Emitter des Leistungstransistors und seine Basis bzw. die Basis eines Steuertransistors geschaltet ist, während die Basis des Schutztransistors an einen Spannungsteiler zwischen Kollektor des Leistungstransistors und Erde gelegt ist, so daß bei Kurzschluß der Last der Schutztransistor geöffnet und die, Basis des Leistungstransistors bzw. die des Steuertransistors mit Erde verbunden wird.
  • Es sind zwar bereits Transistorverstärkerschaltungen bekannt, bei denen ein Hilfstransistor eine Regel oder Schutzaufgabe übernimmt. Dabei wird im wesentlichen eine Temperaturkompensation und damit eine Stabilisierung des Arbeitspunktes dadurch erzielt, daß mittels des Hilfstransistors der Arbeitspunkt bei Temperaturänderungen entsprechend verlegt wird. Dies geschieht beispielsweise so, daß dem Hilfstransistor eine Differenzspannung zugeführt wird, die aus einer dem Strom durch den Leistungstransistor proportionalen Spannung und einer dem Strom durch den Transistor der Vorstufe proportionalen Spannung gebildet wird. Der Hilfstransistor erzeugt eine Korrekturspannung, durch welche die Vorstufe stabilisiert wird.
  • Bei einer anderen bekannten Anordnung wird der Spannungsabfall an einer Impedanz im Emitterkreis des Transistors verglichen mit der Emitterspannung eines Hilfstransistors, an dessen Emitter ein Spannungsnormal liegt. Auf diese Weise soll der Emitterstrom des Leistungstransistors bei Änderungen der Umgebungstemperatur und der Schaltungstemperatur konstant gehalten werden.
  • Schließlich ist eine Anordnung bekannt, bei der die Temperaturkompensation mit lElfe eines Hilfstransistors vorgenommen wird, dessen Eingangsspannung von temperaturabhängigen Widerständen bestimmt wird. Man hat auch bereits die Temperaturabhängigkeit eines Leistungstransistors dadurch zu kompensieren versucht, daß der Arbeitspunkt dieses Transistors von einem zweiten, in der Schaltung vorhandenen Transistor mit gleicher Temperaturabhängigkeit gesteuert wird.
  • Bei allen diesen bekannten Anordnungen wird in gewissem Maße die Temperaturabhängigkeit der Transistoren kompensiert, jedoch kann damit kein wirksamer Schutz gegen plötzliche Überlastungen erzielt werden. Bei der Anordnung gemäß der Erfindung hängt die Vorspannung des Schutztransistors nicht nur von dem durch den Leistungstransistor fließenden Strom, sondern auch vom Spannungsabfall am Leistungstransistor ab, so daß der Schutztransistor den Leistungstransistor augenblicklich sperrt, wenn seine Vorspanifung einen bestimmten Wert übersteigt. Wenn der Leistungstransistor als Vertärker entweder in A- oder B-Betrieb arbeitet, kann der Wirkungsgrad etwa 509/o erreichen, d.h. daß höchstens eine Leistung der gleichen Größe wie die zulässige Kollektorverlustleistung im Verbraucher umgesetzt werden kann. Wenn jedoch der Transistor als Schalter verwendet wird, kann er beträchtlich größere Leistungen beherrschen als die Kollektorverlustleistung, da in dem einen Schaltzustand die volle Spannung an dem Transistor liegt, aber kein Strom durch ihn fließt, während in dem anderen Schaltzustand der volle Strom über den Transistor fließt, aber nur ein geringer Spannungsabfall an ihm entsteht. In beiden Fällen ist die im Transistor umgesetzte Leistung im Verhältnis zu der geschalteten Leistung sehr gering. Nur im Kurzschlußfall der Last, wenn der Transistor vom einen Zustand in den anderen schalten muß, wird eine wesentliche Leistung im Transistor umgesetzt, da im Schaltaugenblick eine Spannung am Transistor herrscht, während ihn gleichzeitig Strom durchfließt.
  • Wenn der Leistungstransistor durch einen oder mehrere vorausgehende Transistoren gesteuert wird, kann die Anordnung gemäß der Erfindung so ausgebildet werden, daß der Schutztransistor eine Spannung an dem steuernden Transistor verursacht, wenn seine Vorspannung einen bestimmten Wert überschreitet, so daß der Leistungstransistor gesperrt wird.
  • Für das Wiederinbetriebsetzen des Gerätes, nachdem es als Folge eines Kurzschlusses der Last gesperrt wurde, sind gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung Mittel vorgesehen worden, durch die eine sperrende Spannung an den Schutztransistor gelegt wird. Um sicherzustellen, daß das Wiederinbetriebsetzen erfolgt, bevor der Kurzschluß behoben ist, ist es zweckmäßig, die Wiedereinschaltspannung pulsförmig auszugestalten. Dadurch wird erreicht, daß der Leistungstransistor, sobald der Wiedereinschaltimpuls zu Ende ist, sofort wieder gesperrt wird, falls der Kurzschluß noch besteht.
  • An Hand der Zeichnung, in der ein Ausführungsbeispiel dargestellt ist, soll im einzelnen die Erfindung beschrieben werden. Das Ausführungsbeispiel stellt ein Gerät dar, das den Strom einer Last L schließt und unterbricht, gesteuert durch ein Steuergerät S. L kann z. B. aus einer Reihe von Lampen bestehen, die in einem bestimmten Rhythmus aufleuchten sollen. In diesem Fall kann S ein Multivibrator sein.
  • Die Ausgangsleitung 11 vom Gerät S ist an die Basis eines Steuertransistors Tri angeschlossen, der seine Vorspannung von einem Spannungsteiler aus zwei Widerständen Ri und R, erhält, die an die Batterie B angeschlossen sind. Der Kollektor des Transistors Tri ist über einen strombegrenzenden Widerstand R, mit dem negativen Pol der Batterie verbunden, u#d sein Emitter ist sowohl unmittelbar mit der Basis des Leistungstransistors Tr. als auch über den verhältnismäßig kleinen Widerstand R4 mit dem geerdeten positiven Pol der Batterie verbunden. Damit wird einerseits erreicht, daß der Transistor Tri als Emitter-Folger arbeitet, der einen geringen Ausgangswiderstand hat, andererseits daß ein Nebenschluß für die Basis des Leistungstransistors Tr2 besteht. Der Kollektor dieses Transistors ist an den negativen Pol der Batterie über die Last L angeschlossen und sein Emitter ist über den Widerstand R., der zur Stabilisierung dient und etwa 0,5 Ohm hat, mit Erde verbunden.
  • Der bisher beschriebene Teil des Gerätes ist an sich bekannt und arbeitet auf folgende Art: Wenn das Steuergerät S eine geeignete Spannung liefert, wird der Transistor Tr, gesperrt, und kein Strom fließt durch den Emitter-Kollektor-Kreis. Die Basis des Leistungstransistors Ti#, liegt dann auf Erdpotential, so daß dieser Transistor ebenfalls gesperrt ist. Durch die LastL fließt dann kein Strom. Wenn sich die Ausgangsspannung von S auf einen negativen Wert ändert, dann wird der Transistor Tr, leitend, wodurch an dem Widerstand R4 ein Spannungsabfall entsteht. An die Basis des Leistungstransistors Tr., gelangt auf diese Weise eine negative Spannung, die diesen Transistor öffnet, so daß jetzt ein Strom durch die Last L fließt.
  • Um den verhältnismäßig teueren Leistungstransistor im Falle eines Kurzschlusses der Last L gegen überlastung zu schützen, wird gemäß der Erfindung ein weiterer Transistor Tr. verwendet, dessen Emitter mit dem Emitter des Leistungstransistors und dessen Kollektor mit der Basis des Steuertransistors verbunden ist. Durch den Spannungsteiler R6 und R7 erhält die Basis des Schutztransistors Tr3 einen bestimmten Teil der Kollektorspannung des Leistungstransistors. In dem Ausführungsbeispiel wird zusätzlich der Schutztransistor an einen geeigneten Punkt des Steuergerätes S über einen Kondensator C und die Leitung 1, gelegt.
  • Solange der Leistungstransistor Tr. geöffnet ist, besitzt sein Emitter eine kleine negative Spannung, die an den Emitter des Schutztransistors gelangt. Wegen des geringen Spannungsabfalls des Leistungstransistors bei normalem Arbeitsstrom hat seine Kollektorspannung praktisch den gleichen kleinen negativen Wert. Ein Teil dieser Spannung gelangt an die Basis des Schutztransistors, die dadurch im Verhältnis zu dem Emitter ein wenig positiv wird, so daß der Schutztransistor in diesem Falle gesperrt ist und keinen Einfluß auf den Kreis ausübt.
  • Sobald die Last L kurzgeschlossen wird, liegt an dem Leistungstransistor fast die gesamte Batteriespannung, so daß die negative Spannung, die nun zu der Basis des Schutztransistors gelangt, wesentlich größer wird als die negative Spannung an seinem Emitter. Dadurch wird der Schutztransistor geöffnet und verbindet die Basis des Steuertransistors Tr, mit Erde, wodurch dieser Transistor und damit auch der Leistungstransistor gesperrt werden.
  • Diese Sperrung findet praktisch sofort statt und dauert an, auch wenn der Kurzschluß am Verbraucher L vorüber ist. Sie kann dadurch aufgehoben werden, daß eine positive Spannung an die Basis des Schutztransistors angelegt wird. Wenn eine solche Spannung angelegt wird, bevor der Kurzschluß behoben ist, und sie nicht unmittelbar darauf wieder entfernt wird, wird der Leistungstransistor überlastet. Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung wird deshalb die Wiedereinschaltspannung in Form eines kurzen positiven Impulses erzeugt. Wenn es gewünscht wird, die Wiedereinschaltung von Hand durchzuführen, z. B. durch einen Druckknopfschalter, kann eine feste Spannung über einen Kondensator angelegt werden, so daß an die Basis des Schutztransistors lediglich ein Impuls gelangt, der der Ladespannung des Kondensators entspricht. Wenn die zur Verfügung stehende feste Spannung eine für diesen Zweck falsche Polarität hat, kann der Wiedereinschaltimpuls durch Entladung eines Kondensators erzeugt werden, der zuvor geladen wurde.
  • Die Sperrung der Transistoren Tr, und Tr2 durch die positive Spannung an der Ausgangsleitung 1, des Steuergerätes S hat die gleiche Wirkung wie ein Kurzschluß der Last L. Auch in diesem Falle liegt nämlich die gesamte Batteriespannung an der Strecke Ernitter-Kollektor des Leistungstransistors, so daß der Schutztransistor geöffnet wird und den oben beschriebenen Kurzschluß herstellt. Jedesmal, wenn die Transistoren Tri und Tr. geöffnet werden sollen, ist es deshalb notwendig, auch einen Einschaltimpuls an die Basis des Schutztransistors zu führen. Dieser Impuls kann von dem Steuergerät S über die Ausgangsleitung 1, und den Kondensator C abgeleitet werden. Wenn das Gerät S ein Multivibrator ist, wird 11 an eine Hälfte und 12 an die andere Hälfte des Vibrators angeschlossen. Wenn als Folge des Schaltens des Multivibrators von dem einen in den anderen Zustand die Spannung am Ausgang 11 vom Positiven zum Negativen wechselt, wechselt die Spannung am Ausgang 1, vom Negativen zum Positiven, so daß die Basis des Schutztransistors Tr. einen positiven Impuls erhält. Beim umgekehrten Wechsel des Multivibrators erhält der Schutztransistor einen negativen Impuls. In diesem Augenblick ist jedoch seine Basis infolge der Sperrung des Leistungstransistors negativ, so daß der negative Impuls sich nicht auswirken kann. Andererseits kann dieser Impuls natürlich leicht daran gehindert werden, den Schutztransistor zu erreichen.
  • Das Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet den Leistungstransistor als Schalter, um den Laststrom zu steuern. Aber die Anordnung zum Schutz eines Leistungstransistors gegen Überlastung kann auch verwendet werden, wenn ein Transistor als Verstärker geschaltet ist. Wenn der Verstärker voll ausgesteuert wird, so daß der Emitter-Kollektor-Strom zeitweise den Wert Null erreicht, ist es notwendig, um unerwünschtes öffnen des Schutztransistors und damit Sperren des Leistungstransistors zu vermeiden, die Steuerspannungen, die zum Schutztransistor gelangen, zu glätten, was durch Kondensatoren in einfacher und bekannter Weise erreicht werden kann.
  • Der Schutztransistor kann auch an die Basis des Leistungstransistors angeschlossen werden statt, wie es beschrieben wurde, an die Basis des Steuertransistors. In diesem Falle muß er jedoch eine etwas größere Leistung schalten können.

Claims (2)

  1. PATENTANSPROCHE: 1. Anordnung zum überlastungsschutz eines als Verstärker oder Schalter arbeitenden Leistungstransistors in Emitterschaltung bei Kurzschluß der Last im Kollektorkreis, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-Kollektor-Strecke eines Schutztransistors (Tr.) zwischen den Ernitter des Leistungstransistors (Tr2) und seine Basis bzw. die Basis eines Steuertransistors (Tr,) geschaltet ist, während die Basis des Schutztransistors an einen Spannungsteiler (R6, R,) zwischen Kollektor des Leistungstransistors und Erde gelegt ist, so daß bei Kurzschluß der Last (L) der Schutztransistor -eöffnet und die Basis des Leistungstransistors mit Erde verbunden wird.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Wiedereinschaltung der Transistoren (Trl, Tr2) Mittel vorgesehen sind, durch die an den Schutztransistor eine sperrende Spannung geliefert wird. 3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wiedereinschaltspannung pulsfönnig ist. 4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wiedereinschaltung mittels eines Schalters erfolgt, der die Basis des Schutztransistors über einen Kondensator an eine konstante Spannung legt. 5. Anordnung nach Ansprach 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wiedereinschaltung mittels eines Schalters erfolgt, der die Basis des Schutztransistors mit einem geladenen Kondensator verbindet. 6. Anordnung nach Ansprach 3, bei welcher der Leistungstransistor als Schalter arbeitet und durch einen Multivibrator gesteuert wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Schutztransistor die Wiedereinschaltimpulse von dem Multivibrator erhält. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschriften Nr. 2 761917, 2 816 964; französische Patentschriften Nr. 1119 869, - 1131188.
DEI16688A 1958-07-05 1959-07-03 Anordnung zum UEberlastungsschutz eines als Verstaerker oder Schalter arbeitenden Leistungstransistors Pending DE1110231B (de)

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