DE1094886B - Semiconductor arrangement with collector electrode, especially transistor for high frequencies and high power dissipation - Google Patents

Semiconductor arrangement with collector electrode, especially transistor for high frequencies and high power dissipation

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DE1094886B DES59587A DES0059587A DE1094886B DE 1094886 B DE1094886 B DE 1094886B DE S59587 A DES59587 A DE S59587A DE S0059587 A DES0059587 A DE S0059587A DE 1094886 B DE1094886 B DE 1094886B
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Description

DEUTSCHESGERMAN

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit Kollektorelektrode, insbesondere einen Transistor für hohe Frequenzen und große Verlustleistungen, bei der zwischen Kollektor- und Basiselektrode eine Zone aus intrinsic-leitendetn Halbleitermaterial liegt.The invention relates to a semiconductor arrangement with a collector electrode, in particular a transistor for high frequencies and large power losses, with a zone between the collector and base electrode made of intrinsic conductive semiconductor material.

Es ist bekannt, daß der Frequenzbereich eines Flächentransistors zu höheren Frequenzen hin erweitert werden kann, wenn man zwischen Kollektor- und Basiselektrode eine intrinsic-leitende Zone schaltet und damit einen Transistor mit pnip- bzw. npin-Zonenfolge erhält. Die Raumladungszone am Kollektorübergang breitet sich dann im wesentlichen in der i-Zone aus. Damit kann die Basiszone sehr dünn gemacht und so die Laufzeit der Ladungsträger verringert werden, ohne daß ein Kurzschluß durch die mit der Kollektorspannung wachsende Raumladungszone zwischen Kollektor und Emitter auftritt. Außerdem kann man den Basiswiderstand gering machen, ohne die Kollektordurchbruchspannung zu beeinflussen, da diese nun allein durch den elektrischen Durchbruch der i-Zone bestimmt wird. Weiter wird durch die i-Zone der »Plattenabstand«, der für die Kollektorkapazität und damit für die obere Grenzfrequenz bestimmend ist, vergrößert.It is known that the frequency range of a junction transistor expands towards higher frequencies can be achieved if an intrinsic conductive zone is connected between the collector and base electrodes and thus receives a transistor with a pnip or npin zone sequence. The space charge zone at the collector junction then essentially spreads in the i-zone. With this, the base zone can be made very thin and so the running time of the charge carriers can be reduced without causing a short circuit through the with The space charge zone between the collector and the emitter, which increases with the collector voltage. aside from that you can make the base resistance low without affecting the collector breakdown voltage, because this is now determined solely by the electrical breakdown of the i-zone. Further through the i-zone is the »plate spacing«, which determines the collector capacity and thus the upper limit frequency is enlarged.

Eine weitere Verringerung der Kollektorkapazität kann durch die Verminderung der Kollektorfläche erzielt werden. Andererseits ist aber die zulässige Verlustleistung bei Leitungstransistoren um so größer, je größer die Kollektorfläche ist, da die durch die Verlustleistung hervorgerufene Wärme über den Kollektor abgeführt wird.A further reduction in the collector capacity can be achieved by reducing the collector area will. On the other hand, however, the permissible power loss in line transistors is greater, the more the collector surface is larger, as the heat generated by the power dissipation passes through the collector is discharged.

Offensichtlich widersprechen sich beide Forderungen nach gutem Hochfrequenzverhalten und großer Verlustleistung eines Transistors bei den bekannten Anordnungen, und es ist bei diesen daher nur ein Kornpromiß möglich.Obviously, both claims contradict each other good high-frequency behavior and high power dissipation of a transistor in the known arrangements, and therefore only one compromise is possible with these.

Durch die Erfindung wird eine Halbleiteranordnung ermöglicht, die es erlaubt, große Verlustleistungen mit gutem Hochfrequenzverhalten, insbesondere kleiner Kollektorkapazität, zu kombinieren. Die Erfindung bezieht sich daher auf einen Transistor, insbesondere für hohe Frequenzen und große Verlustleistung, bei dem zwischen Kollektor- und Basiselektrode eine Zone aus etwa intrinsic-leitendem Halbleitermaterial liegt. Erfindungsgemäß nimmt der Querschnitt der etwa intrinsic-leitenden Zone mit zunehmender Entfernung vom Kollektor so ab, daß die Fläche der etwa intrinsic-leitenden Zone am Kollektorübergang größer als die gegenüberliegende Fläche am Übergang an der dem Kollektor abgewandten Seite ist.The invention enables a semiconductor arrangement which allows large power losses to combine with good high frequency behavior, especially small collector capacitance. The invention therefore refers to a transistor, especially for high frequencies and high power dissipation between the collector and base electrodes there is a zone made of approximately intrinsic conductive semiconductor material. According to the invention, the cross section of the approximately intrinsic conductive zone increases with increasing distance from the collector so that the area of the approximately intrinsic conductive zone at the collector junction is greater than the opposite surface is at the transition on the side facing away from the collector.

Es ist zwar eine Halbleiteranordnung bekannt, bei der sich der Querschnitt der Intrinsic-Zone ändert. Bei dieser bekannten Halbleiteranordnung ist aber die intrinsic-leitende Zone sperrfrei mit der Kollektor-Halbleiteranordnung A semiconductor arrangement is known in which the cross section of the intrinsic zone changes. In this known semiconductor arrangement, however, the intrinsic conductive zone is non-blocking with the collector semiconductor arrangement

mit Kollektorelektrode,with collector electrode,

insbesondere Transistor für hoheespecially transistor for high

Frequenzen und große VerlustleistungFrequencies and large power dissipation

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,Applicant:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2Berlin and Munich,
Munich 2, Wittelsbacherplatz 2

Dr. Adolf Götzberger, Palo Alto, Calif. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt wordenDr. Adolf Götzberger, Palo Alto, Calif. (V. St. Α.),
has been named as the inventor

elektrode kontaktiert und bildet damit also selbst die Kollektorzone. Das hat zur Folge, daß die Kollektordurchbruchepannung sehr stark von der Dicke bzw. der Dotierung der Basisschicht abhängt. Außerdem ist die Querschnittsabnahme der intrinsic-leitenden Zone gerade umgekehrt wie bei der Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung. Die Kollektorfläche ist also klein und somit die Anordnung nicht für große Verlustleistungen geeignet.electrode makes contact and thus forms the collector zone itself. This has the consequence that the collector breakdown voltage depends very much on the thickness or the doping of the base layer. In addition, the cross-sectional decrease is intrinsic-conductive Zone just the opposite of that in the case of the semiconductor device according to the invention. The collector area is so small and thus the arrangement is not suitable for large power losses.

Eine nähere Erläuterung der Erfindung wird durch die folgende Beschreibung der Figuren gegeben:A more detailed explanation of the invention is given by the following description of the figures:

In Fig. 1 ist als Ausführungsbeispiel ein pnip-Transistor dargestellt, bei dem gemäß der Erfindung der Querschnitt der intrinsic-leitenden oder nahezu intrinsic-leitenden Zone 4 vom p-dotierten Kollektor 5 bis zur Basiszone 3 hin stetig abnimmt. 6 ist die Kollektorpille. In dieser Anordnung ist der Kollektor 5 großflächig ausgebildet, und damit ist die Wärmeableitung, d. h. die mögliche Verlustleistung, groß. Die Kapazität kann trotzdem sehr klein gehalten werden, da die für die Kollektorkapazität maßgebende Fläche durch die der Basiszone 3 zugewandte Begrenzungsfläche der vom Kollektor ausgehenden Raumladungszone bestimmt ist, deren Querschnitt kleiner ist als der Kollektorquerschnitt. Wenn insbesondere die Raumladungszone bis zur hochdotierten und damit einen kleinen Basiswiderstand aufweisenden n-Zone 3 durchgreift, ist nur die Fläche F der Basiszone 3 für die Kollektorkapazität maßgebend. Die Verlustleistung fällt in der felderfüllten i-Zone an, also in den nahe am Kollektor gelegenen Gebieten, die in enge Verbindung mit einem gut wärmeleitenden Metall gebracht werden können. In die η-leitende Basiszone 31 shows an exemplary embodiment of a pnip transistor in which, according to the invention, the cross section of the intrinsic-conducting or almost intrinsic-conducting zone 4 decreases steadily from the p-doped collector 5 to the base zone 3. 6 is the collector pill. In this arrangement, the collector 5 is formed over a large area, and thus the heat dissipation, ie the possible power loss, is large. The capacitance can nevertheless be kept very small, since the area decisive for the collector capacitance is determined by the boundary surface of the space charge zone, which faces the base zone 3 and which emanates from the collector and whose cross-section is smaller than the collector cross-section. If, in particular, the space charge zone reaches through to the highly doped n-zone 3, which therefore has a small base resistance, only the area F of the base zone 3 is decisive for the collector capacitance. The power loss occurs in the field-filled i-zone, i.e. in the areas close to the collector that can be brought into close contact with a metal that conducts heat well. In the η-conductive base zone 3

009 678/431009 678/431

Claims (8)

3 43 4 ist die Emitterpille 1 einlegiert, durch die eine p- größere elektrische Feldstärke wirksam ist und damitthe emitter pill 1 is alloyed, through which a p- greater electrical field strength is effective and thus dotierte Rekristallisationszone gebildet wird. 2 ist der die Laufzeiten der vom Emitter zum Kollektor flie-doped recrystallization zone is formed. 2 is the transit times that flow from the emitter to the collector Basiskontakt. ßenden Minoritätsträger verkürzt und somit dieBasic contact. ßenden minority carrier shortened and thus the Ein weiterer Vorteil der Halbleiteranordnung ge- Grenzfrequenz des Transistors erhöht wird. Außer-Another advantage of the semiconductor arrangement is that the limit frequency of the transistor is increased. Except- mäß der Erfindung ist außerdem, daß der Sperrstrom 5 dem tritt eine weitere Verringerung des SperrstromsAccording to the invention is also that the reverse current 5 occurs a further reduction in the reverse current geringer ist als bei dem bekannten pnip- bzw. npin- auf, da dieser auch vom spezifischen Widerstand deris lower than with the well-known pnip or npin on, since this also depends on the specific resistance of the Transistor. Zone 4 abhängt.Transistor. Zone 4 depends. Zur näheren Erläuterung dienen die Fig. 2 und 2 a. In den Fig. 3,4 und 5 sind einige besonders günstigeFIGS. 2 and 2a serve for a more detailed explanation. In Figs. 3, 4 and 5 some are particularly favorable In Fig. 2 ist der bekannte pnip-Transistor im Quer- Ausführungen eines Transistors gemäß der ErfindungIn Fig. 2 the known pnip transistor is in the transverse version of a transistor according to the invention schnitt dargestellt. 1 ist die Emitterpille und 3 die io dargestellt. Der Transistor in Fig. 3 weist eine stufen-section shown. 1 shows the emitter pill and 3 shows the io. The transistor in Fig. 3 has a stepped Basiszone, die durch die ringförmige Basiselektrode 2 weise Abnahme der Zone 4 auf. In Fig. 4 ist eine HaIb-Base zone, which has a decrease in zone 4 due to the ring-shaped base electrode 2. In Fig. 4 is a half kontaktiert ist, 4 ist die intrinsic-Zone und 6 die KoI- leiteranordnung gemäß der Erfindung dargestellt, beiis contacted, 4 the intrinsic zone and 6 the KoI- conductor arrangement according to the invention is shown, at lektorpille. Die Breite der Zone 4 zwischen Kollektor der die ringförmige Basiselektrode 2' die Emitterelek-editor pill. The width of the zone 4 between the collector of the ring-shaped base electrode 2 'the Emitterelek- und Basis, also ihre Ausdehnung senkrecht zur KoI- trode 1' konzentrisch umschließt. Bei dem in Fig. 5and base, that is, concentrically encloses its extension perpendicular to the electrode 1 '. In the case of the one shown in FIG lektorfläche, ist bei beiden in den Fig. 2 und 2 a dar- 15 dargestellten Transistor sind die Emitterelektrode 1"lektor area, is in both of the transistors shown in FIGS. 2 and 2a, the emitter electrode 1 " gestellten Anordnungen kleiner oder gleich der effek- und die Basiselektrode 2" linienförmig ausgebildet,provided arrangements smaller than or equal to the effec- and the base electrode 2 "formed linearly, tiven Diffusionslänge der den Sperrstrom bestimmen- Im folgenden soll nun noch kurz auf ein besonderstive diffusion length of the reverse current determine- The following should now briefly on a special den Ladungsträger. Der vom Kollektor zur Basis günstiges Verfahren zur Herstellung eines Transistorsthe load carrier. The favorable process for producing a transistor from the collector to the base fließende Sperrstrom setzt sich ganz allgemein aus gemäß der Erfindung eingegangen werden,flowing reverse current is generally made up according to the invention, einem Volumen- und einem Oberflächenanteil zusam- ao Die Herstellung der pnip- bzw. npin-Zonenfolge desa volume part and a surface part together. The production of the pnip or npin zone sequence of the men. Dabei entsteht dieser Oberflächenanteil an den Transistors kann z. B. so erfolgen, daß man in einemen. This creates this surface portion of the transistor can, for. B. be done so that one in a Bereichen der Oberfläche, die vom Kollektor etwa eine intrinsic- oder schwach mit Störstellen, die den glei-Areas of the surface that are intrinsically or weakly affected by the collector effektive Diffusionslänge D entfernt sind. Dies ent- chen Leitungstypus erzeugen, wie ihn die Basiszone 3effective diffusion length D are removed. This creates the type of line that is used in base zone 3 spricht in Fig. 2 einem im Schnitt durch die ge- hat, dotierte Halbleiterscheibe 4 den Emitter und KoI-speaks in FIG. 2 a section through the doped semiconductor wafer 4, the emitter and KoI- strichelten Linien angedeuteten Kreisring, der 25 lektor, insbesondere nach dem bekannten Pulverlegie-dashed lines indicated circular ring, the 25 lektor, especially after the well-known powder alloy Breite D und in Fig. 2 a einen ebenfalls im Schnitt längsverfahren, einlegiert. Dabei soll z. B. die Emit-Width D and in Fig. 2a also a longitudinal process in section, inlaid. It should z. B. the issuer durch die gestrichelten Linien angedeuteten Kegel- terpille n- und p-Störstellen gleichzeitig enthalten,Contain n and p defects at the same time, indicated by the dashed lines, mantel mit der Mantellinie der Länge D. Da der an wobei als dotierende Stoffe solche gewählt werden,jacket with the jacket line of length D. Since the an whereby such doping substances are selected, den genannten Bereichen der Oberfläche entstehende deren Störstellen mit verschiedener Geschwindigkeitthe areas of the surface that are affected by their defects at different speeds Anteil des Sperrstroms wesentlich größer als sein 30 in die Halbleiterscheibe 4 eindiffundieren. Will manPart of the reverse current diffuse into the semiconductor wafer 4, which is significantly greater than its 30. Do you want Volumenanteil ist, so ist der vom Kollektor zur Basis also z. B. einen p-dotierten Emitter herstellen, soVolume fraction is, so that from the collector to the base is z. B. produce a p-doped emitter so fließende Sperrstrom also praktisch diesen Ober- nimmt man als Emitterpille 1 ein Gemisch von GaI-flowing reverse current practically this takes over as emitter pill 1 a mixture of GaI- rlächenbereichen proportional. lium und Arsen oder Aluminium und Antimon. Arsensurface areas proportional. lium and arsenic or aluminum and antimony. arsenic Durch Vergleich der Fig. 2 und 2 a ist zu erkennen, bzw. Antimon diffundiert schneller in das Germanium daß der Sperrstrom bei der erfindungsgemäßen An- 35 bzw. Silizium als Gallium bzw. Aluminium. Außerordnung wesentlich verringert wird. Da bei der in dem soll die Emitterpille an Gewichtsprozenten GaI-Fig. 2 a dargestellten Anordnung der Sperrstrom auf lium bzw. Aluminium mehr enthalten als anGewichtsder Mantelfläche eines Kegelstumpfs entsteht, dessen prozenten Arsen bzw. Antimon. Beim Einlegieren die-Mantellinie höchstens gleich der effektiven Diffusions- ser Emitterpillen bildet sich dann eine überwiegend länge ist, in Fig. 2 aber auf der Oberfläche eines 40 p-dotierte Rekristallisationszone 7 aus. Nach dem Ein-Kreisrings, dessen Dicke D gleich der effektiven Dif- legieren wird die den Emitter umgebende Oberfläche fusionslänge ist. Da die Mantelfläche in jedem Fall der Halbleiterscheibe 4 mit einer Folie aus n-dotierenkleiner ist als die Fläche des Kreisrings, so ist auch dem Metall, die zugleich die Basiselektrode bildet, der Sperrstrom des in Fig. 2 a dargestellten Tran- belegt und das ganze System einer Diffusion untersistors der kleinere. 45 worfen. Die in der Emitterpille enthaltenen n-Stör-By comparing FIGS. 2 and 2a, it can be seen or antimony diffuses faster into the germanium that the reverse current in the inventive an 35 or silicon than gallium or aluminum. Disorder is reduced significantly. Since in that the emitter pill should be weight percent GaI-Fig. 2 a the arrangement of the reverse current on lium or aluminum contains more than arises from the weight of the outer surface of a truncated cone, the percentage of which is arsenic or antimony. When alloying the surface line at most equal to the effective diffusion emitter pills then a predominantly long one is formed, but in FIG. 2 on the surface of a p-doped recrystallization zone 7. After the one circular ring, the thickness D of which is equal to the effective diffusion, the surface surrounding the emitter is the fusion length. Since the outer surface of the semiconductor wafer 4 with a film of n-doping is smaller than the surface of the circular ring in each case, the reverse current of the tran shown in FIG System of a diffusion under the transistor the smaller. 45 thrown. The n-interference contained in the emitter pill In Fig. 2b ist außerdem die Raumladungszone 8 im stellen, z. B. Arsen bzw. Antimon, diffundieren dann Querschnitt angedeutet, wie sie in einer bekannten wegen ihrer, gegenüber dem Gallium und Aluminium Anordnung durch die Kollektorsperrschicht 5 hervor- großen Diffusionsgeschwindigkeit weiter in die Halbgerufen wird. Da die Teile der Raumladungszone 8, leiterscheibe 4 ein als die p-Störstellen, und es bildet die im Querschnitt der Fig. 2 b durch die gekrümmten 50 sich um die p-leitende Rekristallisationszone 7 eine Flächen 9 und 10 dargestellt sind und die einen kon- η-leitende Halbleiterzone aus. Aus der Folie diffunstanten, vom spezifischen Widerstand der Zone 4 ab- dieren ebenfalls n-Störstellen in die Halbleiterhängigen Teil der Kollektorkapazität liefern, bei der scheibe 4 ein, so daß sich die Basiszone 3 ausbildet. Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung nicht mehr Während des Diffundierens kann die Basiszone gevorhanden sind, ist es nicht unbedingt erforderlich, 55 gebenenfalls auch kontaktiert werden, man erhält so als Ausgangsmaterial für die Zone 4 ein möglichst eine pnip-Zonenfolge. Nun werden die Elektroden abhochohmiges Material zu verwenden. Man kann jetzt gedeckt und die Querschnittabnahme der Zone 4 durch den spezifischen Widerstand der Zone 4 sowie ihre geeignete Maßnahmen, z. B. durch Ätzen, erzielt. Das Dicke so wählen, daß bei der Betriebsspannung die Wesentliche bei diesem Verfahren ist, daß die Quer-Raumladungszone der Kollektorgrenzschicht gerade 60 Schnittverminderung erst an dem mit Elektroden verbis zur Basiszone 3 hin reicht, und die Kollektor- sehenen, also fertigen System, vorgenommen wird. Basis-Kapazität dabei einen durch dieBetriebsfrequen- Das Einlegieren der Elektroden nach der Querschnittzen festgelegten Wert nicht überschreitet. In weiterer verminderung wäre wegen der kleinen Abmessungen, Ausbildung der Erfindung kann man also die Zone 4 die die Halbleiterscheibe dann aufweist, sehr unschwach mit Störstellen dotieren, die insbesondere den 65 günstig,
gleichen Leitfähigkeitstypus erzeugen, wie ihn dieIn Fig. 2b also the space charge zone 8 is in place, for. B. arsenic or antimony, then diffuse cross-section indicated, as it is called in a known because of its, compared to the gallium and aluminum arrangement through the collector barrier layer 5 through the high diffusion speed further into the half. Since the parts of the space charge zone 8, conductor disc 4 as the p-type impurities, and it forms the surfaces 9 and 10 shown in the cross section of FIG - η-conductive semiconductor zone. Diffuse n-type impurities from the film, also deviating from the specific resistance of zone 4, deliver into the semiconductor-dependent part of the collector capacitance, in the case of the disk 4, so that the base zone 3 is formed. Semiconductor arrangement according to the invention is no longer present During diffusion, the base zone can be present, it is not absolutely necessary, 55 if necessary also to be contacted, thus a pnip zone sequence is obtained as starting material for zone 4. Now the electrodes will use high-resistance material. You can now covered and the decrease in cross-section of zone 4 by the resistivity of zone 4 and their appropriate measures, e.g. B. by etching achieved. Choose the thickness in such a way that the operating voltage is essential in this process that the transverse space charge zone of the collector boundary layer is only cut at the point where the electrodes are connected to the base zone 3 and the collector, i.e. the finished system, is made . The base capacitance does not exceed a value determined by the operating frequency. In a further reduction, because of the small dimensions, design of the invention, the zone 4, which then has the semiconductor wafer, would be very poorly doped with impurities, which are particularly favorable for the 65,
generate the same conductivity type as the Basiszone 3 besitzt. Die Dotierung der Zone4 soll da- Patentansprüche·.Base zone 3 owns. The doping of zone4 is intended to be. bei schwach gegenüber der angrenzenden p- bzw. n- 1. Halbleiteranordnung mit Kollektorelektrode,with weak compared to the adjacent p- or n- 1st semiconductor arrangement with collector electrode, Zone sein. Das hat den Vorteil, daß in der früher i-, insbesondere Transistor für hohe Frequenzen undBe zone. This has the advantage that in the earlier i, especially transistor for high frequencies and jetzt schwach η-leitenden Raumladungszone eine 70 große Verlustleistung, bei dem zwischen Kollektor-now weak η-conducting space charge zone a large power loss, in which between the collector i 094 886i 094 886 und Basiselektrode eine Zone aus etwa intrinsicleitendem Halbleitermaterial liegt, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt der etwa intrinsicleitenden Zone (4) mit zunehmender Entfernung vom Kollektor (6) so abnimmt, daß die Fläche (5) der etwa intrinsic-leitenden Zone am Kollektorübergang größer als die gegenüberliegende Fläche am Übergang an der dem Kollektor abgewandten Seite ist.and the base electrode is a zone made of approximately intrinsically conductive semiconductor material, characterized in that that the cross section of the approximately intrinsic conductive zone (4) with increasing distance from the collector (6) decreases so that the surface (5) of the approximately intrinsic conductive zone at the collector junction larger than the opposite surface at the transition to the one facing away from the collector Side is. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt der etwa intrinsic-leitenden Zone (4) stetig abnimmt.2. Semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in that the cross section of the approximately intrinsic conductive zone (4) decreases steadily. 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt der etwa intrinsic-leitenden Zone (4) stufenweise abnimmt. 3. Semiconductor arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the cross section of the approximately intrinsic conductive zone (4) gradually decreases. 4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die etwa intrinsic-leitende Zone (4) mit Störstellen des gleichen Leitfähigkeitstyps wie die Zone (3) an der Basiselektrode schwach dotiert ist.4. Semiconductor arrangement according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the approximately intrinsic-conductive Zone (4) with imperfections of the same conductivity type as zone (3) on the base electrode is weakly doped. 5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der spezifische Widerstand der etwa intrinsic-leitenden Zone (4) sowie ihre Dicke so gewählt ist, daß bei der Betriebsspannung die Raumladungszone am Kollektorübergang gerade bis zu der an der Basiselektrode liegenden Zone (3) reicht.5. Semiconductor arrangement according to one of claims 1 to 4, characterized in that the specific resistance of the approximately intrinsic conductive zone (4) and its thickness is chosen so that at the operating voltage the space charge zone at the collector junction just up to the one at the Zone (3) lying on the base electrode is sufficient. 6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige Basiselektrode (2') die Emitterelektrode (1') konzentrisch umschließt.6. Semiconductor arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that the ring-shaped base electrode (2 ') concentrically surrounds the emitter electrode (1'). 7. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode (1") und die Basiselektrode (2") linienförmig ausgebildet sind.7. Semiconductor arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that the Emitter electrode (1 ") and the base electrode (2") are linear. 8. Verfahren zum Herstellen eines Transistors nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen der drei Elektroden und der Bildung der Übergänge durch Einlegieren oder EindifFundieren des Störstellenmaterials in eine Halbleiterscheibe die Elektroden abgedeckt und die Querschnittsabnahme der etwa intrinsic-leitenden Zone, insbesondere durch Ätzen, erzielt wird.8. The method for producing a transistor according to any one of claims 1 to 7, characterized in that that after the application of the three electrodes and the formation of the junctions by alloying or diffusing in the impurity material in a semiconductor wafer, the electrodes are covered and the decrease in cross section of the approx intrinsic conductive zone, in particular by etching, is achieved. In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 035 780, 1 035 787.Considered publications:
German Auslegeschriften No. 1 035 780, 1 035 787. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings © 009 678/431 12.60© 009 678/431 12.60
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