DE1084955B - Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicher- oder Schaltmatrix - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicher- oder SchaltmatrixInfo
- Publication number
- DE1084955B DE1084955B DET16199A DET0016199A DE1084955B DE 1084955 B DE1084955 B DE 1084955B DE T16199 A DET16199 A DE T16199A DE T0016199 A DET0016199 A DE T0016199A DE 1084955 B DE1084955 B DE 1084955B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- magnetic layer
- magnetic
- layers
- wires
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/0302—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity characterised by unspecified or heterogeneous hardness or specially adapted for magnetic hardness transitions
- H01F1/0311—Compounds
- H01F1/0313—Oxidic compounds
- H01F1/0315—Ferrites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
- C04B35/2666—Other ferrites containing nickel, copper or cobalt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/06—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the coupling or physical contact with connecting or interacting conductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicher-oder Schaltmatrix Zusatz zum Patent 1062 036 Im Hauptpatent 1062 036 ist ein Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicher- oder Schaltmatrix angegeben, bei dem auf ein vorgefertigtes Verdrahtungssystem in Form eines Gewebes oder Netzes aus isolierten Drähten eine magnetische Schicht aus dem geschmolzenen Zustand aufgesprüht oder aus der Gasphase aufgedampft wird, derart, daß mindestens die speichernden oder schaltenden Kreuzungspunkte der Drähte allseitig von der aufgebrachten magnetischen Schicht umhüllt werden.
- Die Erfindung betrifft eine Verbesserung dieses Verfahrens und geht von der Überlegung aus, daß die Dicke der aufgebrachten magnetischen Schicht für die Schaltzeit der Matrix von wesentlicher Bedeutung ist.
- Es ist bekannt, daß der Prozeß der Ummagnetisierung aufgedampfter magnetischer Schichten bei Unterschreitung gewisser sehr kleiner Schichtdicken, z. B. solcher von einigen Zehntel Mikron (1 Mikron = 10-3 mm), um mehrere Größenordnungen schneller als normal ablaufen kann, z. B. in 10-9 sec. Die physikalische Ursache für diese Erscheinung ist wohl darin zu suchen, daß die elementaren Magnetisierungsvektoren bei solchen geringen Schichtdicken im wesentlichen parallel zur Schichtebene liegen und unter der Wirkung äußerer Magnetfelder hauptsächlich durch kohärente Drehprozesse ihre Richtung ändern.
- Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß das Verfahren nach dem Hauptpatent für die praktische Anwendung derartiger, sehr dünner, magnetischer Schichten besonders geeignet ist und hierdurch weitgehend verbessert werden kann. Erfindungsgemäß wird daher vorgeschlagen, daß die magnetische Schicht in so geringer Dicke aufgebracht wird, daß die Ummagnetisierung im wesentlichen nur durch ; kohärente Drehprozesse parallel zur Schichtfläche erfolgt.
- Es ist ferner bekannt, daß der Ummagnetisierungsprozeß solcher extrem dünnen Schichten aus geeigneten magnetischen Werkstoffen, z. B. aus bestimmten Eisen-Nickel-Legierungen, nach Durchführung einer Magnetfeldtemperung, d. h. nach vorübergehender Einwirkung von magnetischen Gleichfeldern bei gleichzeitiger mäßiger Erwärmung (z. B. auf mehrere hundert ° C), in Form einer nahezu rechteckförmigen Hys.tereschleife abläuft. Da dieser Ummagnetisierungsprozeß, wie bereits erwähnt, gleichzeitig außerordentlich rasch ablaufen kann, ist es für die Speicherung oder Weiterschaltung von sehr schnell zu verarbeitenden Informationen besonders zweckmäßig, die auf die vorgefertigte Drahtmatrix aufgebrachte, extrem dünne magnetische Schicht zusätzlich noch einer Magnetfeldtemperung zu unterziehen.
- Die Magnetfeldtemperung kann während oder nach dem Aufbringen der magnetischen Schicht erfolgen. Das hierfür erforderliche Magnetfeld kann z. B. mit Hilfe einer oder mehrerer der Matrixwicklungen selbst erzeugt werden. Hierdurch kann man der die Kreuzungspunkte umhüllenden Schicht eine magnetische Vorzugsrichtung einprägen, die der späteren Funktion der Matrix genau angepaßt ist.
- Um die im allgemeinen sehr schwachen Ummagnetisierungssignale solcher dünner Schichten zu vergrößern, können diese durch Übereinanderaufbringen mehrerer sehr dünner Teilschichten gebildet werden, wobei gegebenenfalls zwischen den einzelnen Teilschichten noch Isolationsschichten eingebracht werden können.
- Die Aufbringung der extrem dünnen magnetischen Schicht bzw. Teilschichten kann zweckmäßigerweise dadurch erfolgen, daß das magnetische Material, z. B. ein Ferrit oder eine Eisen-Nickel-Legierung, auf das Drahtnetz der Matrix aus der Gasphase aufgedampft oder aus einer Lösung hierauf niedergeschlagen wird. Das Niederschlagen kann dabei stromlos erfolgen, z. B. ähnlich dem bekannten Canegan-Verfahren für die Aufbringung von Nickelschichten.
Claims (6)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicher- oder Schaltmatrix nach Patent 1062 036, bei dem auf ein vorgefertigtes Verdrahtungssystem in Form eines Gewebes oder Netzes aus isolierten Drähten eine magnetische Schicht aufgebracht wird, derart, daß mindestens die speichernden oder schaltenden Kreuzungspunkte der Drähte allseitig von der aufgebrachten, magnetischen Schicht umhüllt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetische Schicht in so geringer Dicke aufgebracht wird, daß die Ummagnetisierung im wesentlichen nur durch kohärente Drehprozesse parallel zur Schichtfläche erfolgt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetische Schicht während und/oder nach dem Aufbringen zusätzlich einer Magnetfeldtemperung unterworfen wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetfeldtemperung mit Hilfe eines oder mehrerer der Matrixdrähte selbst durchgeführt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetische Schicht durch Übereinanderaufbringen mehrerer sehr dünner Teilschichten gebildet wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die einzelnen Teilschichten noch Isolationsschichten eingebracht werden.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufbringung der magnetischen Schicht durch Aufdampfen aus der Gasphase oder Niederschlagen aus einer Lösung erfolgt.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET16199A DE1084955B (de) | 1959-01-30 | 1959-01-30 | Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicher- oder Schaltmatrix |
NL247893A NL113905C (de) | 1959-01-30 | 1960-01-29 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET16199A DE1084955B (de) | 1959-01-30 | 1959-01-30 | Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicher- oder Schaltmatrix |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1084955B true DE1084955B (de) | 1960-07-07 |
Family
ID=7548158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DET16199A Pending DE1084955B (de) | 1959-01-30 | 1959-01-30 | Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicher- oder Schaltmatrix |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1084955B (de) |
NL (1) | NL113905C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1246814B (de) * | 1961-11-30 | 1967-08-10 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung einer Anordnung magnetischer Elemente |
DE1290971B (de) * | 1962-06-11 | 1969-03-20 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung eines Magnetspeichers |
DE1299038B (de) * | 1963-08-22 | 1969-07-10 | Rca Corp | Speicherplatte fuer Magnetspeicher |
-
1959
- 1959-01-30 DE DET16199A patent/DE1084955B/de active Pending
-
1960
- 1960-01-29 NL NL247893A patent/NL113905C/xx active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1246814B (de) * | 1961-11-30 | 1967-08-10 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung einer Anordnung magnetischer Elemente |
DE1290971B (de) * | 1962-06-11 | 1969-03-20 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung eines Magnetspeichers |
DE1299038B (de) * | 1963-08-22 | 1969-07-10 | Rca Corp | Speicherplatte fuer Magnetspeicher |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL113905C (de) | 1967-12-15 |
NL247893A (de) | 1967-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1284502B (de) | Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Drahtes | |
DE1256507B (de) | Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Schichten | |
DE1084955B (de) | Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicher- oder Schaltmatrix | |
DE1640200B1 (de) | Supraleitendes material und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3243265T1 (de) | Supraleitende materialien und verfahren zu deren herstellung | |
EP0659901A1 (de) | Target für Magnetron-Kathodenzerstäubungsanlage aus einer Kobalt-Basislegierung | |
DE3247286A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer amorphen magnetlegierung | |
DE1771572A1 (de) | Verfahren zum Niederschlagen einer aus Niob und Zinn bestehenden kristallinen Schicht | |
DE2011581B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines niob titan supraleiters | |
DE2541689A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines supraleiters | |
DE1521102A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Koerpers | |
DE2534414A1 (de) | Magneto-widerstand und verfahren zu dessen herstellung | |
DE2248705C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters | |
DE812806C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
DE2413447C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters | |
DE2011581C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Niob Titan Supraleiters | |
DE2222214A1 (de) | Supraleiter aus Verbundmaterial und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1458558C (de) | Verfahren zur Verbesserung der Supra leitungseigenschaften von mit starken Sto rungen des Kristallbaus behafteten, durch Abscheiden hergestellten supraleitenden in termetallischen Verbindungen vom A tief 3 B Typ | |
DE2163250B2 (de) | Verfahren zur Vermeidung von Buckelbildungen beim Niederschlagen von dünnschichtigen Belegungsschichten auf die Substratplatte einer Dünnschichtanordnung und Vielschichtenvorrichtung | |
DE1765987C (de) | ||
DE833228C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters | |
DE2355008C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Supraleiters mit einer Schicht der A15-Phase des Systems Nb-Al bzw. Nb-Al-Ge | |
DE1272263B (de) | Anwendung des Verfahrens zur Herstellung duenner Draehte durch Ausziehen bei der Herstellung von Supraleitern | |
DE1458558B1 (de) | Verfahren zur Verbesserung der Supraleitungseigenschaften von mit starken Stoerungen des Kristallbaus behafteten,durch Abscheiden hergestellten supraleitenden intermetallischen Verbindungen vom A3B-Typ | |
DE2759631C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters |