DE1079330B - Verfahren zum Abdichten der Korngrenzen in einem aus Kupferguss bestehenden Werkstueck - Google Patents
Verfahren zum Abdichten der Korngrenzen in einem aus Kupferguss bestehenden WerkstueckInfo
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Description
DEUTSCHES
Es ist bekannt, daß beim Gießen von Kupfer unter Vakuum sich zwischen den Kristallen des Metalls
winzige Risse entwickeln, die Undichtigkeiten gegenüber einem Vakuum verursachen können. Diese Grenzlinien
werden weiter geschwächt, wenn das Metall in erhitztem Zustand einer oxydierenden Atmosphäre
ausgesetzt und anschließend in einer reduzierenden Atmosphäre behandelt wird. Die erwähnten Risse oder
Sprünge ergeben sich aus der Oxydation an den Grenzen der Kristalle sowie aus der nachfolgenden
Reduktion des auf diese Weise gebildeten Oxyds während des Erhitzens in der reduzierenden Atmosphäre.
Diese Behandlung kann jedoch einen wesentlichen Teil eines Herstellungsverfahrens zur Fertigung von
Teilen aus einem Block gegossenen Kupfers darstellen. Ferner werden durch die Korngrenzen schwache
mechanische Bindeglieder in der Struktur des Werkstücks gebildet.
Es wurde bereits vorgeschlagen, die Mikrolunker in aus Kupferlegierungen bestehenden Gußstücken zu beseitigen,
indem das Gußstück mit einem Metall, das mit dem darunterliegenden Metall des Gußstücks
Mischkristalle zu bilden vermag, überzogen und alsdann das mit dem Überzug versehene Gußstück einer
Diffusionisglühung unterworfen wird. In diesem alteren
Verfahren werden Kupfer, Zink, Zinn und Aluminium zur Verwendung vorgeschlagen, wobei die Erhitzung
des Gußstücks bei einer Temperatur zwischen 700 und 850° C während eines Zeitraums von 1 bis
3 Stunden erfolgte. Man hielt es nicht für ratsam, bei Durchführung dieses älteren Verfahrens eine reduzierende
Atmosphäre zu benutzen, da das Reduktionsgas, z.B. Wasserstoff, sich bei · hoher Temperatur
leicht in dem "Metall auflöst.
Entgegen allen Erwartungen wurde nun gefunden, daß es selbst mit einer relativ sehr kurzen Erhitzungszeit, die bei einigen Minuten liegt, möglich ist, derartige
Risse wirksam; abzudichten, wenn als Dichtungsmetall eine eutektische^Kitpfer-Silber-Legierung- verwandt
und das Werkstück unter Vakuum oder in einer reduzierenden Atmosphäre erhitzt wird. .
Die Erfindung betrifft demgemäß ein Verfahren zürn
Abdichten der Korngrenzen in einem aus Kupferguß bestehenden Werkstück durch Überziehen des Werkstücks
mit einem Metall sowie anschließende Erhitzung, die dazu dient, um ein Legieren des Überzugsmetalls mit dem Werkstück zu bewirken.
Dies Verfahren ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß das Kupferguß-Werkstück mit einer
eutektische!! Kupfer-Silber-Legierung überzogen wird und daß die Erhitzung unter Vakuum oder in einer
reduzierenden Atmosphäre während nur weniger Minuten bis zu einer über dem Schmelzpunkt liegenden
Temperatur erfolgt, um das Eindringen der Le-
der Korngrenzen in einem aus Kupferguß
bestehenden Werkstück
Anmelder:
Metropolitan-Vickers Electrical Company
Limited,
London
London
Vertreter: Dr. M. Herzfeld, Patentanwalt,
Düsseldorf, Kreuzstr. 32
Düsseldorf, Kreuzstr. 32
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 6. Mai 1955
Großbritannien vom 6. Mai 1955
Thomas Raine, Bramhall, Cheshire (Großbritannien), ist als Erfinder genannt worden
gierung· in die Korngrenzen des Kupfers zu bewirken.
■ ■ .
Die durch die ■ Verwendung der eutektischen KtLpfer-Silber-Legierung bewirkte Zeitersparnis hat
somit eine beträchtliche Verbilligung des durch die Erfindung vorgeschlagenen Abdichtverfahrens - zur
Folge. - -
Das. Überziehen des Kupferstücks -mit der eutektischen
Legierung erfolgt vorzugsweise durch Aufspritzen ; und· die ■ Erhitzung ■ in einer reduzierenden
Atmosphäre kann bei · einer Temperatur von etwa SOO0 C stattfinden, wobei Wasserstoff das· vorzugsweise
zu verwendende Gas ist. .„ ....
Die Erfindung ist insbesondere bei der Erzeugung von flüssigkeitsgekühlten Anoden für Röntgenröhren
verwendbar; sie kann ferner z. B. bei der Behandlung von Kupfergliedern verwandt werden, die bestimmt
sind, einen Teil der Umhüllung eines evakuierten Hohlkörpers zu bilden.
In der Zeichnung ist beispielsweise eine Röntgenröhre mit einer Anode aus Kupferguß dargestellt,
deren Korngrenzen gemäß dem Verfahren der Erfindung abgedichtet sind.
Fig. 1 ist eine Ansicht, teilweise im Querschnitt, einer Röntgenröhre, wobei die Anode der Röhre dargestellt
ist.
Fig. 2 ist eine Teilansicht der Anode im Querschnitt.
■; 909 769/474
Gemäß der Zeichnung ist die Röntgenröhre mit einem Metallmantel 1 versehen, der aus einem sauerstofffreien,
nahtlos gezogenen Kupferrohr gebildet sein kann. Am Ende dieses Mantels ist mit Hilfe eines
Bundes 2 und der Abdichtungsmuffe 3 ein aus Glas bestehender röhrenförmiger Teil 4 befestigt, der dazu
dient, die Elektronenröhre 5 isolierend zu tragen, welche auf einem flexiblen Metallring 6 aufruht. Die
Elektronenröhre 5 umfaßt eine direkt beheizte Kathode 7 und ein umgebendes Steuergitter 8, welches
dazu dient, die von der Kathode ausgesandten Elektronen in einen Strahl zusammenzufassen, der auf die
Prallplatte 8 α auftrifft, welch letztere einen Teil der unter Vakuum gegossenen Kupferanode 9 bildet. Die
Anode ist dicht mit dem Mantelrohr 1 verschmolzen und bildet den Abschluß des einen Endes dieses
Rohres. Röntgenstrahlen, die von der Anode — als Ergebnis ihres Beschüsses durch den Kathodenstrahl —
ausgesandt werden, gehen durch ein in dem Rohr 1 befindliches Fenster 10. a°
Die Anode 9 ist hohl ausgebildet, so> daß sie flüssigkeitsgekühlt
werden kann. In Fig. 2 ist ein Teil derselben veranschaulicht, um die vorzugsweise anzubringenden
Überzüge anzudeuten. Die eutektische Kupfer-Silber-Legierung, mit welcher die Außenseite
der Anode — ausgenommen die Prallplatte 8 a — verkleidet ist, ist mit 11 bezeichnet.
Bei der Ausführung des Verfahrens gemäß der Erfindung wird bei einem hohlen Kupferwerkstück 9 die
üblicherweise aus Wolfram bestehende Scheibe oder 3<>
Platte 8 a, die als Ziel für den Elektronenstrahl in der Röhre dient, in die Anode eingegliedert. Zu diesem
Zweck kann die Herstellung der Anode in der Weise erfolgen, daß das Kupfer unter Vakuum in eine Form
gegossen wird, in welche die Scheibe 8 α eingelassen ist, worauf man das Gußstück langsam und fortschreitend
vom unteren Ende aus, wo die Scheibe sich befindet, abkühlen läßt. Diese fortschreitende Abkühlung
hat eine grobe Korngröße im Kupfer zur Folge. Um die Grenzlinien zwischen den Körnern oder Kristallen
abzudichten und um zu verhindern, daß sie während der zur Herstellung einer Röntgenröhre gehörigen
Erhitzungs- und Abkühlungsprozesse Undichtigkeiten gegenüber einem Vakuum entwickeln, kann der innere
hohle Teil des gegossenen Anodenkörpers 9 — wie bei 12 angedeutet — vernickelt werden, und zwar durch
einen elektrolytischen Niederschlag in einer Stärke, die im Bereich von 0,001" bis 0,005" (0,0254 bis
0,127 mm) liegt. Der mit dem Überzug versehene Körper wird dann — wie vorstehend erwähnt — erhitzt,
um das Nickel durch Diffusion an das Kupfer zu binden. Anschließend wird das Gußstück bearbeitet,
bis es die erforderliche Größe besitzt, und um gegebenenfalls anhaftendes Kupfer von der Stirnfläche
der Scheibe zu entfernen, worauf die bearbeitete Fläche z. B. mittels eines Kugelstrahlgebläses gerauht
wird. Während dieses Vorgangs wird die Scheibe 8 a durch eine aus Neopren oder ähnlichem
Material bestehende Platte geschützt. Darauf kommt die Anode 15 Minuten lang in siedendes Wasser, um
etwa vom Kugelstrahlen verbliebenen Schrot zu lösen und zu entfernen.
Abschließend wird die Anode in einem geeigneten Lösungsmittel, z. B. Trichloräthylen, abgefettet. Die
Oberfläche der Anode wird daraufhin mittels einer Spritzpistole mit (eutektischer) Ktipfer-Silber-Legierung
gespritzt, wobei eine Schicht von ungefähr 0,005" (0,127 mm) Stärke, die bei 11 angedeutet ist,
aufgetragen wird. Da diese Legierung an der aus Wolfram bestehenden Scheibe 8 a nicht haftet, ist es
nicht erforderlich, die Scheibe während dieses Vorgangs abzuschirmen, was jedoch bei Verwendung
anderer Materialien wahrscheinlich nötig sein würde. Die mit dem Überzug versehene Anode wird nunmehr
in einem Vakuum oder in einer reduzierenden Atmosphäre, wie z. B. Wasserstoff1, bis zu einer Temperatur
von 800!° C erhitzt und dieser Temperatur nur
1 Minute lang ausgesetzt. Diese Behandlung ist gerade ausreichend, um zu bewirken, daß die (eutektische)
Kupfer-Silber-Legierung schmilzt, die Oberfläche des Kupfers benetzt und in die Korngrenzen zwischen den
Kristallen eindringt.
Anoden für Röntgenröhren, die in dieser Weise behandelt wurden, haben sich als vollständig frei von
Undichtigkeiten gegenüber einem Vakuum erwiesen.
Claims (3)
1. Verfahren zum Abdichten der Korngrenzen in einem aus Kupferguß bestehenden Werkstück
durch Überziehen des Werkstücks mit einem Metall sowie anschließende Erhitzung, um ein Legieren
des Überzugsmetalls mit dem Werkstück zu bewirken, dadurch gekennzeichnet, daß das
Kupferguß-Werkstück mit einer eutektischen Kupfer-Silber-Legierung überzogen wird und daß
die Erhitzung unter Vakuum oder in einer reduzierenden Atmosphäre während nur weniger
Minuten bis zu einer über dem Schmelzpunkt der Legierung liegenden Temperatur erfolgt, um das
Eindringen der Legierung in die Korngrenzen des Kupfers zu bewirken.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung bis auf eine Temperatur
von 800° C in Wasserstoff durchgeführt wird.
3. Anwendung der Verfahrens nach Anspruch 1 zur Herstellung einer für eine Röntgenröhre bestimmten
Anode.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Schweizerische Patentschrift Nr. 227 140.
Schweizerische Patentschrift Nr. 227 140.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
©909 765/47Ψ3.60
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1079330X | 1955-05-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1079330B true DE1079330B (de) | 1960-04-07 |
Family
ID=10872455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEM30408A Pending DE1079330B (de) | 1955-05-06 | 1956-05-02 | Verfahren zum Abdichten der Korngrenzen in einem aus Kupferguss bestehenden Werkstueck |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1079330B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3115494A1 (de) * | 1981-04-16 | 1982-11-04 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur verbesserung der vakuumdichtigkeit von metallteilen |
EP0503169A1 (de) * | 1991-03-08 | 1992-09-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronenröhre mit direkt kühlbarer Anode |
EP1791159A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Absorber für rückgestreute Elektronen einer Röntgenquelle mit Drehtarget |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH227140A (de) * | 1941-01-21 | 1943-05-31 | Meinecke Metallurg G M B H | Verfahren zur Beseitigung der Mikrolunker in aus Kupferlegierungen bestehenden Formgussstücken. |
-
1956
- 1956-05-02 DE DEM30408A patent/DE1079330B/de active Pending
Patent Citations (1)
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CH227140A (de) * | 1941-01-21 | 1943-05-31 | Meinecke Metallurg G M B H | Verfahren zur Beseitigung der Mikrolunker in aus Kupferlegierungen bestehenden Formgussstücken. |
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US7983395B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-07-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rotation anode X-ray tube |
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