DE1054588B

DE1054588B - Verfahren zur Herstellung einer Trockengleichrichtereinheit

Info

Publication number: DE1054588B
Application number: DEL21099A
Authority: DE
Inventors: Heinrich Vossberg
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1955-02-08
Filing date: 1955-02-08
Publication date: 1959-04-09

Description

Verfahren zur Herstellung einer Trockengleichrichtereinheit Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Trockengleichrichtereinheit aus Gleichrichterscheiben mit Trägerelektrode, Halbleiterschicht und Gegenelektrode. Trockengleichrichtereinheiten können außer zur Gleichrichtung noch für viele andere Zwecke verwendet werden, beispielsweise als nichtlineare Widerstände zum Stabilisieren elektrischer Spannungen. Nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellte Trockengleichrichtereinheiten eignen sich vorzüglich zur Verwendung als nichtlineare Widerstände zur Spannungsstabilisierung, vorzugsweise für die Stabilisierung von Gleichspannungen. Insbesondere können diese Trockengleichrichtereinheiten vorteilhaft zur Spannungsstabilisierung in tragbaren und transportablen funktechnischen Geräten eingesetzt werden.
Trockengleichrichtereinheiten können bekanntlich aus Gleichrichterscheiben mit Selen als Halbleiter hergestellt werden. Diese Gleichricherscheiben sind mit einer zentralen Bohrung versehen und auf einen Bolzen oder eine Schraube aufgereiht und unter Feder- oder Schraubendruck zusammengehalten. Weiterhin wurden Gleichrichterscheiben mit Selen als Halbleiter ohne einen Bolzen oder eine Schraube zu Hilfe zu nehmen in einem Gehäuse unter Zwischenlage von federnden Scheiben aufgeschichtet und durch Federn zusammengedrückt und in dieser Art des Aufbaues einer Trockengleichrichtereinheit als nichtlinearer Widerstand' verwendet.
Derartige Trockengleichrichtereinheiten zeigten aber bei ihrer Verwendung als nichtlineare Widerstände eine hohe Empfindlichkeit gegen Erschütterungen und Temperaturerhöhungen, wie sie durch die Umgebungstemperatur bewirkt werden können so daß ihre Anwendbarkeit häufig in Frage gestellt war. Nach dem vorliegenden Verfahren hergestellte Trockenglieichrichtereinheiten sind dagegen von diesen Nachteilen frei.
Zur Herstellung von Trockengleichrichtereinheiten wird gemäß der Erfindung so verfahren, daß Gleichrichterscheiben und Lotträger, vorzugsweise ebene metallische und mit Lot überzogene Zwischenscheiben, abwechselnd aufeinandergeschichtet, durch Druck während einer Wärmeeinwirkung bei einer Temperatur über dem Schmelzpunkt des Lotes und unter der höchsten zulässigen Temperatur einer Wärmebehandlung :der Halbleiterschicht gegeneinandergepreßt und durch die Wärmeeinwirkung zu einer mechanisch festen Säule verlötet werden.
An sich ist bekannt, Widerstandskörper mit negativem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes, insbesondere aus Urandioxyd, durch Zusammensintern der dünnen Metallschichten der Widerstandsscheiben aus einem Material mit großem negativen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes herzustellen. Derartige Widerstandskörper werden im Betrieb bei hohen Temperaturen beansprucht. Die Widerstandsscheiben werden daher aus solchen Stoffen hergestellt, :die bei 'hohen Temperaturen stabil sind, und vermögen deshalb den zu ihrem Zusammensintern erforderlichen hohen Temperaturen ohne Beeinträchtigung zu widerstehen.
Demgegenüber bezieht sich das vorliegende Verfahren auf die Herstellung von Trockengleichrichtereinheiten aus Gleichrichterscheiben, welche auf Grund ihres Aufbaues eine möglichst große Spannungsabhängigkeit und eine möglichst kleine Temperaturabhängigkeit ihres elektrischen Widerstandes aufweisen. Die zu verwendenden Gleichrichterscheiben besitzen an der Grenze der Halbleiterschicht gegen die Gegenelektrode eine gegen Druck sehr empfindliche Sperrschicht. Deshalb kann bei Trockengleichrichtereinheiten aus aufeinandergeschichteten Gleichrichterscheiben kein ausreichend hoher Druck angewandt werden, um einen gegen Erschütterungen festen Kontakt zwischen den einzelnen Gleichrichterscheiben zu erhalten. Diese Schwierigkeiten treten beim Aufbau von temperaturabhängigen Widerstandskörpern jedoch nicht auf.
Das vorliegende Verfahren ermöglicht eine vorteilhafte Herstellung einer Trockengleichrichtereinheit. wobei die Leitung der Gleichrichterscheiben und der Lotträgerscheiben bei einer günstigen Arbeitstemperatur, .die über dem Schmelzpunkt des Lotes und unter der höchsten Temperatur einer Wärmebehandlung der Halbleiterschicht liegt, vorgenommen werden. kann. Dieses Verfahren läßt außerdem eine größere mechanische Festigkeit und damit den Aufbau einer Trockengleichrichtereinheit aus Gleichrichterscheiben größeren Scheihendurchmessers erreichen, als: dies bei Sinterverbindungen der Fall sein könnte. Besondere Sicherheit gegen Erschütterungen und Temperatureinflüsse bieten nach dem vorliegenden Verfahren hergestellte Trockengleichrichtereinheiten, welche zur Stabilisierung von verhältnismäßig kleinen Spannungen pro Gleichrichterscheibe, beispielsweise von der Größe von etwa 0,5 V pro Selengleichrichterscheibe, verwendet werden.
Vorteilhaft werden zur Durchführung des vorliegenden Verfahrens Gleichrichterscheiben verwendet, deren Trägerelektrode mit Überzügen versehen werden.. Auf der Halbleiterseite der Trägerelektrode wird zweckmäßig ein Sperrschichtbildung verhindernder Überzug vorgesehen; auf der der Halbleiterschicht abgewandten Seite der Trägerelektrode kann. besonders vorteilhaft ein lötbarer Überzug aufgebracht werden. Als günstig erwies sich die Herstellung von Trockengleichrichtereinheiten aus Selengleichrichterscheiben mit einer Trägerelektrode aus Aluminium und einer Gegenelektrode aus eutektischer Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung. Dabei weist die Halbleiterschicht aus Selen kleine Mengen leitfähigkeitssteigender und kristallisationsbeeinflussender Zusätze auf. Außerdem kann für Selengleichrichterscheiben die Trägerelektrode aus Aluminium auf der Halbleiterseite mit einer Wismutschicht überzogen werden., während für den Überzug auf der der Halbleiterschicht abgewandten Seite vorteilhaft ein niedrigschmelzendes Lot, insbesondere eine eutektische Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung oder eine Legierung aus Cadmium-Wismut, Zinn-Cadmium oder Winn-Wismut vorgesehen werden kann.
Als Lotträger können zweckmäßig ebene metallische und mit niedrigschmelzendem Lot überzogene Zwischenscheiben verwendet werden.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung können vorteilhaft Gleichrichterscheiben und Folien aus niedrigschmelzendem Lot abwechselnd aufeinandergeschichtet, durch Druck, während einer Wärmeeinwirkung bei einer Temperatur über dem Schmelzpunkt des Lotes und unter der höchsten zulässigen Temperatur einer Wärmebehandlung der Halbleiterschicht gegeneinandergepreßt und durch die Wärmeeinwirkung zu einer mechanisch festen Säule verlötet werden. An Stelle von Folien aus niedrigschmelzendem Lot können auch Zwischenschichten aus Lotpaste von niedrigschmelzendem Lot verwendet werden.
Zweckmäßig werden beim Aufschichten der Gleichrichterscheiben diese so gelegt, daß eine Zwischenscheibe bzw. Zwischenschicht die Gegenelektrode einer Gleichrichterscheibe mit der Trägerelektrode der nächstfolgenden Gleichrichterscheibe verbindet. Außerdem kann die Schichtung derart ausgeführt werden, daß an beiden Enden der aufgeschichteten Säule eine Zwischenscheibe zu liegen kommt. Mit gutem Erfolg können Zwischenscheiben aus Messing verwendet werden, welche vorteilhaft mit einem verhältnismäßig dünnen Überzug ans Material der Gegenelektrode versehen sind; insbesondere können beide Seiten der Zwischenscheiben einen Überzug erhalten. Für die Zwischenscheiben erwies sich als zweckmäßig, ihre Stärke zu etwa einem Fünftel bis der Hälfte der Stärke der Trägerelektrode zu bemessen. Die Stärke der Überzüge kann nach der Erfindung etwa ein Hundertstel bis zwei Zehntel, insbesondere etwa fünf bis sechs Hundertstel der Stärke der Trägerelektrode betragen.
Günstig ist, zur Durchführung des vorliegenden Verfahrens Zwischenscheiben oder Zwischenschichten zu verwenden, welche die Gegenelektrode bis auf einen verhältnismäßig kleinen freiblebibenden Rand bedecken. Weiterhin kann bei den Gleichrichterscheiben die Halbleiterschicht von der Trägerelektrode und die Gegenelektrode von der Halbleiterschicht einen kleinen Rand unbedeckt lassen, um der Möglichkeit eines Kurzschlusses der Gleichrichterscheiben, insbesondere bei der Wärmeeinwirkung, zu begegnen. Jedoch werden diese Ränder meist verhältnismäßig klein ausgeführt, damit die für die Gleichrichtung nutzbare Fläche nicht wesentlich verringert wird.
Der Druck, mit dem die zu einer Säule aufgeschichteten Gleichrichterscheiben und Zwischenscheiben bzw. Zwischenschichten gegeneinander gepreßt werden, kann zweckmäßig durch Federkräfte auf die Endscheiben der Säule erzeugt werden. Zur Ausführung des vorliegenden Verfahrens eignet sich ein verhältnismäßig kleiner Druck; vorzugsweise kann ein Druck von etwa 0,5 bis 1 kg/cm2 Anwendung finden.
Die Wärmeeinwirkung kann dadurch erzielt werden, daß die aufgeschichtete Säule in einem Ofen, dessen Temperatur regelbar ist, auf einer Temperatur über dem Schmelzpunkt des Lotes und unter der höchsten Temperatur einer Wärmebehandlung der Halbleiterschicht gehalten wird. Bei Verwendung von Gleichrichterscheiben mit Aluminium, Trägerelektrode, Wismut-Zwischenschicht, Selen-Halbleiterschicht und Zinn-Cadmium-Wismut-Gegenelektrode kann zur Wärmeeinwirkung die aufgeschichtete Säule zweckmäßig auf einer Temperatur unter 180° C, insbesondere unter 150° C, aber über dem Schmelzpunkt der eutektischen Zinn-Cadmium-Wismut-Gegenelektrode (103° C) gehalten werden. Als besonders vorteilhaft hat sich eine Temperatur erwiesen, welche einige Grad über dem Schmelzpunkt des Lotes Biegt. Die Konstanz der Ofentemperatur ist, solange die Grenzen der Temperatur eingehalten werden, nicht besonders kritisch; jedoch kann es von Vorteil sein, diese im Hinblick auf die Wirkung der Erwärmung auf die Selenschicht praktisch konstant zu halten.
Die Dauer der Wärmeeinwirkung kann im Einzelfall zweckmäßig durch eine Versuchsreihe ermittelt werden. Sie ergibt sich lediglich aus dem Erfordernis der Herstellung einer festen Lötverbindung von Gleichrichterscheiben und Zwischenscheiben bzw. Zwischenschichten und hängt von der Wärmekapazität der aufgeschichteten Säule, also vorzugsweise der Zahl der Gleichrichterscheiben und der Größe der Fläche der einzelnen Gleichrichterscheiben, sowie von der Leistungsfähigkeit des Heizofens ab.
Zum Schutz gegen mehanische Beschädigung können die zu einer festen Säule vereinigten Gleichrichterscheiben in Gießharz gebettet oder in ein Preßstoffgehäuse bzw. einen verschließbaren isolierten Metallbecher gebracht werden.
Werden zur Verwendung für eine Trockengleichrichtereinheit Gleichrichterscheiben vorgesehen, welche unter eine der thermischen Formierung dienenden Wärmebehandlung unterworfen werden, so kann diese darauf abgestellt werden, daß durch die Wärmeeinwirkung beim Zusammenlöten der Gleichrichterscheiben nach dem vorliegenden Verfahren eine weitere Beeinflussung der Gleichrichterscheiben bzw. der Halbleiterschicht bewirkt werden kann. Eine solche Beeinflussung kann. besonders in einer Verbesserung der Alterungsbeständ'igkeit bestehen.
Eine Figur zeigt zur Erläuterwng eines Durchführungsbeis.pieles des Verfahrens gemäß der Erfindung in zum Teil schematischer Darstellung einen Schnitt einer Trockengleichrichtereinheit aus Gleichrichterscheiben. Es wird darauf hingewiesen, daß vor allem die gezeichneten Stärken der Gleichrichterscheiben und Zwischenscheiben. oder Zwischenschichten in der Figur nicht- die tatsächlichen Größenverhältnisse wiedergeben.
Die Gleichrichterscheiben 1 bis 3 bestehen beispielsweise aus rechteckigen Scheiben 1 aus Aluminium und tragen auf einer Seite einen Überzug 2 aus einem lötbaren Material, vorzugsweise eine verhältnismäßig dünne Schicht aus eutektischer Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung. Auf der anderen, nämlich auf der Halbleiterseite der Trägerelektrode 1 wird diese mit einer Zwischenschicht aus Wismut, einer Halbleiterschicht aus Selen mit kleinen leitfähigkeitserhöhenden und kristallisationsbeeinflussenden Zusätzen und einer Gegenelektrode aus eutektischer Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung versehen. Diese Schichten sind nicht einzelm gezeichnet, sondern zusammengefaßt, und werden durch die Schicht 2 dargestellt. Die verhältnismäßig kleinen frei bleibenden Ränder der einzelnen Teilschichten dieser Schicht 2 werden durch eine abnehmende Ausdehnung der Schicht 2 angedeutet.
Statt aus einer eutektischen Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung kann die Gegenelektrode auch aus einer Legierung aus Zinn-Cadmium oder Cadmium-Wismut bestehen. Die zur Verwendung gelangenden Gleichrichterscheiben können. auch quadratische, runde oder Scheiben anderer Abmessung sein. Außerdem kann das erfindungsgemäße Verfahren mit Gleichrichterscheiben aller Größen durchgeführt werden.
Die Lotträger können z. B. mit eutektischer Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung überzogene Zwischenscheiben aus Messing sein. Diese werden beim Aufschichten zwischen die Gleichrichterscheiben 1-3 gelegt. Die Höhe des Lötschmelzpunktes ist hierbei im Hinblick auf den Schmelzpunkt des Halbleiters: bzw. auf die Temperatur einer Wärmebehandlung des Halbleiters zu. wählen.
Für das Aufeinanderschichten. von Gleichrichterscheiben und Zwischenscheiben kann bei einer verhältnismäßig kleinen Scheibenzahl eine senkrechte und frei stehende Anordnung vorgesehen werden, während bei größerer Scheibenzahl zweckmäßig eine seitliche Halterung, z. B. mittels eines magazinartigen Rahmens, vorgenommen wird. Die Gleichrichterscheiben 1-3 und die Zwischenscheiben 4 werden abwechselnd so aufgeschichtet, daß eine Zwischenscheibe 4 mit einer Fläche die Gegenelektrode, also die Schicht 3, einer Gleichrichterscheibe 1-3 und mit der anderen Fläche die mit dem Überzug 2 versehene Trägerelektrode 1 der nächstfolgenden Gleichrichterscheibe 1-3 berührt. Vorzugsweise kann hierbei ein Tropfen eines neutralen, insbesondere säurefreien, Floßmittels sowohl zwischen die Gegenelektrode einer Gleichrichterscheibe 1-3 und die Zwischenscheibe 4 als auch zwischen die Zwischenscheibe 4 und die Trägerelektrode der nächstfolgenden Gleichrichterscheibe 1-3 gebracht werden.. Wird die Schichtung derart vorgenommen, daß an beiden Enden der aufgeschichteten Säule eine Zwischenscheibe 4 zu liegen kommt, dann können an diese Zuführungsdrähte 5 z. B. durch Punktschweißung angebracht werden.
Nachdem mittels einer beispielsweise auf eine Endscheibe angedrückten Feder auf eine in einen Rahmen geschichtete Säule aus Gleichrichter- und Zwischenscheiben ein: leichter Anpreßdruck von z. B. 0,5 bis 1 kg/cm2 ausgeübt wird, kann die aufgeschichtete Säule in einen Ofen getrockneter Luft oder einen Vakuumofen gebracht werden, dessen Temperatur beispielsweiseeinige Grad über 103° C, vorzugsweise auf etwa 110° C, aber unter 150° C gehalten wird. Nach einer insbesondere durch Vorversuche ermittelten Dauer der Wärmeeinwirkung wird die nun mechanisch. feste Säule dem Ofen entnommen, der Federdruck aufgehoben sowie gegebenenfalls .diese aus dem Rahmen .genommen und die fertige Gleichrichtersäule z. B. mit einem schützenden Gießharzüberzug versehen.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung einer Trockengleichrichtereinheit aus Gleichrichterscheiben mit Trägerelektrode, Halbleiterschicht und Gegenelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß Gleichrichterscheiben und Lotträger, vorzugsweise ebene metallische und mit Lot überzogene Zwischenscheiben, abwechselnd aufeinandergeschichtet, durch Druck während einer Wärmeeinwirkung bei einer Temperatur über dem Schmelzpunkt des Lotes und unter der höchsten zulässigen Temperatur einer Wärmebehandlung der Halbleiterschicht gegeneinandergepreßt und durch die Wärmeeinwirkung zu einer mechanisch festen Säule verlötet werden.
2. Verfahren zur Herstellung einer Trockengleichrichterein:heit aus Gleichrichterscheiben mit Trägerelektrode, Halbleiterschicht und Gegenelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß Gleichrichterscheiben und Folien aus niedrigschmelzendem Lot abwechselnd aufeinandergeschichtet, durch Druck während einer Wärmeeinwirkung bei einer Temperatur über dem Schmelzpunkt des Lotes und unter der höchsten zulässigen Temperatur einer Wärmebehandlung der Halbleiterschicht gegeneinandergepreßt und durch die Wärmeeinwirkung zu einer mechanisch festen Säule verlötet werden.
3. Verfahren zur Herstellung einer Trockengleichrichtereinheit aus Gleichrichterscheiben mit Trägerelektrode, Halbleiterschicht und Gegenelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß Gleichrichterscheiben und Zwischenschichten aus Lotpaste von niedrigschmelzendem Lot abwechselnd aufeinandergeschichtet, durch Druck während einer Wärmeeinwirkung bei einer Temperatur über dem Schmelzpunkt des Lotes und unter der höchsten zulässigen Temperatur einer Wärmebehandlung der Halbleiterschicht gegeneinandergepreßt und durch die Wärmeeinwirkung zu einer mechanisch festen Säule verlötet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Halbleiterseite der Trägerelektrode ein Sperrschichtbildung verhindernder Überzug vorgesehen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf der der Halbleiterschicht abgewandten Seite der Trägerelektrode ein lötbarer Überzug aufgebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß Gleichrichterschei.ben mit einer Trägerelektrode aus Aluminium, auf deren der Halbleiterschicht abgewandten Seite ein Überzug aus einem niedrigschmelzenden Lot, vorzugsweise eine eutektische Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung, und auf deren Halbleiterseite ein Überzug aus Wismut angeordnet ist, mit einer Halbleiterschicht aus Selen und mit einer Gegenelektrode aus eutektischer Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung verwendet werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß Gleichrichterscheiben mit einer Gegenelektrode, die anstatt aus einer eutektischen Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung aus Zinn-Cadmium oder Cadmium-Wismut besteht, verwendet werden. B.
Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrichterscheiben beim Aufschichten so gelegt werden, daß ein Lotträger bzw. eine Zwischenschicht die Gegenelektrode einer Gleichrichterscheibe mit der Trägerelektrode der nächstfolgenden Gleichrich.tersche.ibe verbindet.
9. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß Gleichrichterscheiben und Lotträger bzw. Zwischenschichten so aufeinandergeschichtet werden, daß an beiden Enden der aufgeschichteten Säule eine Zwischenscheibe zu liegen kommt.
10. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß Zwischenscheiben. bzw. Zwischenschichten verwendet werden. welche die Gegenelektrode bis auf einen, verhältnismäßig kleinen frei bleibenden Rand bedecken.
11. Verfahren nach Anspruch 1, 4 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß Zwischenscheiben aus Messing verwendet werden.
12. Verfahren nach Anspruch 1, 4 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß Zwischenscheiben mit einem Überzug aus Material der Gegenelektrode verwendet werden.
13. Verfahren nach Anspruch 1, 4 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenscheiben mit einer Stärke von etwa einem Fünftel bis der Hälfte der Stärke der Trägerelektrode der Gleichrichterscheiben verwendet werden.
14. Verfahren nach Anspruch 1, 4 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß Zwischenscheiben verwendet werden, welche beiderseits mit Lot überzogen sind.
15. Verfahren nach Anspruch 1, 4 oder einem folgenden. dadurch gekennzeichnet, daß für die Stärke der Überzüge jeweils etwa ein Hundertstel bis zwei Zehntel, insbesondere etwa fünf bis, sechs Hundertstel, der Stärke der Trägerelektrode gewählt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden., dadurch gekennzeichnet, daß der Druck durch Federkräfte auf die Endscheiben der aufgeschichteten Säule erzeugt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß ein Druck von etwa 0,5 bis 1 kg/cm2 angewandt wird.
18. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeeinwirkung durch Einbringen der aufgeschichteten Säule in einem Ofen vorgenommen wird.
19. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeeinwirkung durch Halten auf einer Temperatur unter 180° C, insbesondere unter 150° C, und vorzugsweise einige Grade über .dem Schmelzpunkt der Gegenelektrode aus eutektischer Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung vorgenommen wird.
20. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die mechanisch festen Säulen in Gießharz eingebettet oder in Preßstoffgehäuse bzw. in einen verschließbaren isolierten Metallbecher gebracht werden.
21. Nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden hergestellte Trockengleicbrichtereinheit, gekennzeichnet durch deren Verwendung- zur Stabilisierung elektrischer Spannungen, vorzugsweise von Gleichspannungen.
22. Nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1, 2, 3 oder einem folgenden hergestellte Trockengleichrichtereinheit, gekennzeichnet durch deren Verwendung für die Spannungsstabilisierung in funktechnischen Geräten, vorzugsweise in tragbaren oder transportablen Geräten. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 623 235.