DE1054180B - Selenium dry rectifier element with one or more insulating layers - Google Patents

Selenium dry rectifier element with one or more insulating layers

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DE1054180B
DE1054180B DES57040A DES0057040A DE1054180B DE 1054180 B DE1054180 B DE 1054180B DE S57040 A DES57040 A DE S57040A DE S0057040 A DES0057040 A DE S0057040A DE 1054180 B DE1054180 B DE 1054180B
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Germany
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Werner Goetze
Georg Hoppe
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Siemens AG
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Siemens AG
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Description

Es ist bei Selen-Trockengleichrichterelemeiiten bereits bekanntgeworden, an den betriebsmäßig auf Kontakt- und Montagedruck beanspruchten Stellen in dem Gleichrichterelemente-Schiclitenaufbau eine Isoliereinlage vorzusehen, um elektrische Schäden für das Gleichrichterelement durch die Druckbeanspruchung auszuschließen. Für solche Isolierschichten sind als Werkstoffe unter anderem. Polystyrol, Lack, Glimmer, Papier oder eine Gewebeeinlage vorgeschlagen worden.It has already become known to the operationally based on selenium dry rectifier elements Contact and assembly pressure stress points in the rectifier element structure of an insulating insert provide to avoid electrical damage to the rectifier element from the compressive stress to exclude. Materials for such insulating layers are among others. Polystyrene, lacquer, Mica, paper, or a fabric insert has been suggested.

Eine Lackschicht läßt sich sehr leicht unter Anpassung an die benachbarten Grenzflächen der Schichten des Gleichrichterelementes aufbringen. Unter dem Einfluß der Wärme kann sie aber zu Zersetzungen oder Zerfallserscheinungen neigen, die dann die Güte der erwünschten Isolationsschicht nachteilig beeinflussen können. Beim Anbringen fester Isolationskörper als Schicht muß eine genaue Anpassung an die benachbarte Grenzfläche des Gleichrichterschichtenaufbaues stattfinden oder ein Eindrücken in eine darunterliegende Halbleiterschicht, solange diese verformungsfähig ist. Außerdem muß bei solchen Isolationsschich'ten aus festem Werkstoff, wenn sie, auf die Halbleiterschicht aufgebracht, mit ihrem Rand eine scharfe Stufe bilden, ein sehr vorsorgliches Aufbringen der Deckelektrode stattfinden, damit an der Stelle dieser Stufe in der Deckelektrode ein genügender Querschnitt für die Stromführung zu der Kontaktstelle über dem Gleichrichterschichtenaufbau an der Stelle bestehenbleibt, wo die Druckkontaktvermittlung insbesondere zu einem benachbarten Gleichrichterelement in einer Säule aus einer Vielzahl von Gleichrichterelementen stattfindet. In jedem dieser Fälle der Anwendung einer Isoliermaterialschicht aus einem einheitlichen festen Körper besteht außerdem der Mangel, daß unter dem Einfluß der Betriebswärme eine selbsttätige Verformung dieses Isoliermaterialkörpers stattfinden kann, die zu Abhebungserscheinungen desselben, von seiner Unterlage und damit gegebenenfalls zu einer mechanischen Beanspruchung der ihn übergreifenden Schicht, z. B. der Deckelektrode, führen kann.A lacquer layer can be very easily adapted to the adjacent boundary surfaces of the layers of the rectifier element. However, under the influence of heat it can decompose or tend to disintegrate, which then adversely affect the quality of the desired insulation layer can. When attaching solid insulation bodies as a layer, an exact adaptation to the Adjacent boundary surface of the rectifier layer structure take place or an impression into an underlying one Semiconductor layer as long as it is deformable. In addition, in the case of such insulation layers made of solid material, if they applied to the semiconductor layer, forming a sharp step with its edge, a very precautionary one Applying the top electrode take place so at the point of this step in the top electrode a sufficient cross-section for the current conduction to the contact point above the rectifier layer structure remains at the point where the pressure contact switching in particular to an adjacent one Rectifier element takes place in a column of a plurality of rectifier elements. In each of these cases of using a layer of insulating material from a unitary solid body there is also the shortcoming that an automatic deformation of this under the influence of the operating heat Isolating material body can take place, leading to the same lifting phenomena, from its base and thus, if necessary, to mechanical stress on the layer overlying it, e.g. B. the Cover electrode.

Die Erfindung hat eine neue Lösung des Problems der Schaffung eines sicheren Aufbaues eines SelenTrockengleichrichterelementes mit einer oder mehreren Isolierschichten in reinem Schichtenaufbau an den. betriebsmäßig auf Kontakt- und Montagedruck beanspruchten Stellen unter Vermeidung der Mängel der bekannten Anordnungen zum Gegenstand, deren AVesen darin besteht, daß die Isolierschicht aus einem Lack mit einem fein in ihm. verteilten faserigen oder blätterförmigen elektrischen Isoliermaterial-Füllstoff hergestellt ist.The invention has a novel solution to the problem of providing a safe construction of a dry selenium rectifying element with one or more insulating layers in a pure layer structure on the. operationally on contact and assembly pressure claimed places while avoiding the shortcomings of the known arrangements to the subject, their Aesen consists in that the insulating layer consists of a varnish with a fine in it. distributed fibrous or sheet-shaped electrical insulation material filler is made.

Eine solche Isolierschicht bildet selbsttätig einen Selen-Trockengleichrichterelement
mit einer oder mehreren IsolierschichtenSuch an insulating layer automatically forms a selenium dry rectifier element
with one or more insulating layers

Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke
Aktienges ells chaf t,
ίο Berlin und Erlangen,Applicant:
Siemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,
ίο Berlin and Erlangen,

Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Georg Hoppe, Berlin-Siemensstadt1 Georg Hoppe, Berlin-Siemensstadt 1

und Werner Götze, Berlin-Spandau,
sind als Erfinder genannt wordenand Werner Götze, Berlin-Spandau,
have been named as inventors

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guten allmählichen Übergang an ihren Randzonen, also* unter Vermeidung einer scharfen Stufenbildung. Die Isolierschicht paßt sich jederzeit einem benachharten Rand einer oder mehrerer anderer Schichten des Gleichridhterelementeaufbaues leicht an, ohne eine besondere mechanische Anpassungsa.rbeit zu bedingen. Treten in einer solchen Isolierschicht unter dem Wärmeeinfluß Zersetzungs- oder Zerfallserscheinungen auf, die sonst zu einer \"erschlechterung des Isolierwertes der Schicht führen würden, so ist in der Schicht dodh jederzeit noch der Füllstoff in der Weise in wesentlichem Maße wirksam, daß er für sich sonst direkt zwischen den Oberflächen, der Isolierschicht entwickelnde Bahnen besserer elektrischer Leitfähigkeit auf jeden Fall nur Labyrinthwege von großer Länge zwischen der Vielzahl unregelmäßig gelagerter und einander überdeckender Füllmaterialteilchen entstehen läßt, die in der Mehrzahl der Fälle, wie sich ergeben hat, einen ausreichenden elektrischen Widerstand vom Charakter eines Isolationswiderstandes gewährleisten. Als geeigneter Füllstoff faserigen Charakters hat sich z. B. fein unterteilter Asbest erwiesen,. Als blätterförmiger Füllstoff erweist sich insbesondere Glimmer als geeignet, der ja die Eigenart hat, stets unter Blättchenbildung aufzuspalten bei hohem elektrischen Isolationswert des einzelnen dünnen Blättchens. Außerdem hat Glimmer die Eigenart, nicht saugfähig zu sein, so daß auch im Falle einer Behandlung der Oberfläche eines Selengleichrichterelementes, z. B. mit einer zusätzlichen flüssigen Isoliermasse, wie z. B. öl oder einer flüssigen Fettsubstanz, keine Neigung zu einem Einsaugen dieses Materials in die vorliegende Isolier-good gradual transition at their edge zones, i.e. * avoiding sharp step formation. The insulating layer conforms to an adjacent edge of one or more other layers at any time of the equidistant element structure easily without requiring any special mechanical adaptation work. If such an insulating layer occurs under the influence of heat, decomposition or disintegration phenomena occur which would otherwise lead to a deterioration in the insulation value of the layer, see above is in the layer dodh at any time still the filler in such a way to a significant extent that it is effective for Otherwise better electrical paths developing directly between the surfaces, the insulating layer Conductivity in any case only maze paths of great length between the multitude of irregular stored and overlapping filler material particles can arise, which in the majority of Cases, as has been shown, a sufficient electrical resistance of the character of an insulation resistance guarantee. As a suitable filler of fibrous character, for. B. finely divided Proven asbestos. Mica in particular proves to be suitable as a sheet-like filler, which is the case Has a peculiarity to always split up with the formation of flakes, with a high electrical insulation value of the individual thin leaflet. In addition, mica has the peculiarity of not being absorbent, so that im In the case of treatment of the surface of a selenium rectifier element, e.g. B. with an additional liquid insulating compound, such as. B. oil or a liquid fatty substance, no tendency to suck in this material into the present insulation

809 788/283809 788/283

Claims (3)

schicht besteht und sonst eventuell noch denkbare Ouellerscheinungen der Isolationsschicht auf jeden Fall ausgeschlossen werden. Die vorliegende Isolierschicht kann an den bereits geläufigen Stellen eines Trockengleichrichterelementes aufgebracht werden. So kann sie am inneren oder/und äußeren Rand der Gleichrichterplatten auf der Selenschicht oder auf der Trägerplatte unter der Deckelektrode oder einer mit dieser zusammenwirkenden steiferen Elektrodenplatte oder auch innerhalb' des Gleichrichterelementeaufbaues zwischen einer Stelle der Halbleiterschicht und der Trägerplatte oder auch zwischen verschiedenen Schichten des eigentlichen Halbleiterkörpers bei dessen mehrschichtigem Aufbau an den entsprechenden betriebsmäßig auf Kontaktoder Montagedruck beanspruchten Stellen des Gleichrichterelementes angeordnet werden. Zur Erläuterung eines Ausführungsbeispiels wird nunmehr auf die Zeichnung Bezug genommen. In dieser ist in einem zur Veranschaulichung gewählten vergrößerten Maßstab ein solcher Teil einer Selengleichrichterplatte dargestellt, an weichem eine solche Isoliermaterialeinlage eingearbeitet ist. 1 bezeichnet den Trägerplattenteil, der z. B. aus Eisen mit einem Xickelüberzug besteht. Auf diesen ist die Selenhalbleiterschicht 2 aufgebracht. Auf diese Halbleiterschicht 2 ist zunächst unter Benutzung einer Scha- blone, die einen zentralen Ringteil der Fläche der Halbleiterschiclhit 2 für die nachfolgende Anordnung der Isolierschicht abdeckt, die Gegenelektrode 3 aufgespritzt. Anschließend wird in der frei gehaltenen zentralen Zone auf die Halbleiterschicht 2 die Isolierschicht 4 aufgebracht, welche aus einem Lack gemäß der Erfindung besteht. Nach dem Trocknen bzw. Durchhärten der Isolierschicht 4 wird auf diese und einen sie umschließenden Randteil des Deckelektrodenkörpers 3 eine Abnahmeelektrode 5 aufgebracht. Patentansprüche:layer exists and any other possible source phenomena of the insulation layer can be excluded in any case. The present insulating layer can be applied to the already familiar locations of a dry rectifier element. So it can be on the inner and / or outer edge of the rectifier plates on the selenium layer or on the carrier plate under the cover electrode or a stiffer electrode plate interacting with this or within the rectifier element structure between a point of the semiconductor layer and the carrier plate or between different layers of the actual Semiconductor body can be arranged in its multilayer structure at the corresponding operationally stressed contact or assembly pressure points of the rectifier element. Reference is now made to the drawing to explain an exemplary embodiment. In this, on an enlarged scale chosen for illustration, such a part of a selenium rectifier plate is shown, on which such an insulating material insert is incorporated. 1 denotes the carrier plate part, the z. B. consists of iron with a nickel coating. The selenium semiconductor layer 2 is applied to this. The counter electrode 3 is first sprayed onto this semiconductor layer 2 using a template which covers a central ring part of the surface of the semiconductor layer 2 for the subsequent arrangement of the insulating layer. The insulating layer 4, which consists of a lacquer according to the invention, is then applied to the semiconductor layer 2 in the central zone that is kept free. After the insulating layer 4 has dried or fully cured, a pick-up electrode 5 is applied to it and to an edge part of the cover electrode body 3 surrounding it. Patent claims: 1. Selen-Trockengleichrichterelement mit einer oder mehreren Isolierschichten in seinem Schichtenaufbau an den betriebsmäßig auf Kontakt- und Montagedruck beanspruchten Stellen, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht aus einem Lack mit einem fein in ihm verteilten faserigen oder blätterförmigen elektrischen Isoliermaterial-Füllstoff hergestellt ist.1. Selenium dry rectifier element with one or more insulating layers in its layer structure at the points exposed to contact and assembly pressure during operation, thereby characterized in that the insulating layer consists of a varnish with a finely distributed in it fibrous or sheet-shaped electrical insulating material filler is made. 2. Selen-Trockengleichrichterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Füllstoff Asbest benutzt ist.2. Selenium dry rectifier element according to claim 1, characterized in that as a filler Asbestos is used. 3. Selen-Trockengleichrichterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Füllstoff Glimmer benutzt ist.3. Selenium dry rectifier element according to claim 1, characterized in that mica is used as filler. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1108331B (en) * 1960-02-24 1961-06-08 Licentia Gmbh Selenium rectifier plate for assembly under pressure
DE1178112B (en) * 1959-08-03 1964-09-17 Gen Precision Inc Bistable toggle switch
DE1260030B (en) * 1962-03-16 1968-02-01 Gen Electric Semiconductor diode with a PN junction with a small cross section

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