DE1041601B - Selenium rectifier element with pressure trapping layer and process for its manufacture - Google Patents
Selenium rectifier element with pressure trapping layer and process for its manufactureInfo
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Description
Selengleichrichterelement mit Druckauffangschicht und Verfahren zu dessen Herstellung Die Erfindung bezieht sich auf ein Selengleichrichterelement, bei dem an den Stellen, an denen z. B. innerhalb einer Säule ein Druck ausgeübt werden sohl, eine isolierende Zwischenschicht in den Schichtenaufba.u eingelagert ist.Selenium rectifier element with pressure trapping layer and process too its manufacture The invention relates to a selenium rectifier element, in the places where z. B. exerted pressure within a column an insulating intermediate layer is embedded in the layer structure is.
Es ist bekannt, Gleichrichterelemente mit einer isolierenden Zwischenschicht zu versehen, die den beim Zusammenbau zu einer Gleichrichtersäule od. dgl. notwendigen Kontaktdruck von Gleichrichterelement zu Gleichrichterelement aufnimmt. Die isolierende Zwischenschicht wird zu, diesem Zweck an solchen Stellen innerhalb des Schichtenaufbaues des Gleichrichterelementes .eingelagert, an denen. in der Säule der Kontaktdruck entsteht. Auf diese Weise wird vermieden, daß durch die Druckeinwirkung die Sperrschicht ungünstig b;eeinfl:ußt oder sogar derart verletzt wird, daß ein elektrischer Kurzschluß zwischen. Deckelelektrode und Grundplatte zustande kommt. Als Material für die Zwischenschicht, die zum Auffangen des Druckes dienen soll, hat man bisher Lack, Papier, Kunststoff od.dgl. gewählt. Vorzugsweise ist die isolierende Zwischenschicht in Form eines Ringes um die zentrale Bohrung des Gleichrichterelementes herum aufgebracht worden. Ein solcher Ring wurde beispielsweise du,rc'h Lackieren hergestellt. Bei gewähltem festem Material wurde zunächst ein Ring ausgestanzt und dieser dann z. B. auf die Trägerplatte des Gleichrichterelementes aufgelegt bzw. aufgeklebt.It is known to have rectifier elements with an insulating intermediate layer to provide the od when assembling to a rectifier column. Like. Necessary Picks up contact pressure from rectifier element to rectifier element. The insulating Interlayer is used for this purpose at such locations within the layer structure of the rectifier element. in the column the contact pressure arises. In this way it is avoided that the barrier layer is damaged by the action of pressure unfavorably influences or is even injured in such a way that an electrical short circuit between. Cover electrode and base plate comes about. As a material for the intermediate layer, which should serve to absorb the pressure, one has so far lacquer, paper, plastic or the like. chosen. Preferably the interlayer insulating layer is in the form of a Ring has been applied around the central bore of the rectifier element. Such a ring was made, for example, by varnishing. With selected solid material was first punched out a ring and then this z. B. on the Support plate of the rectifier element placed or glued on.
Es ist auch schon vorgeschlagen worden, an Stelle von Lack-, Papier- oder Kunststoffringen eine Zwischenschicht aus einem lockeren isolierenden Gewebe, z. B. ein Glasgewebe. zu benutzen., das den Vorteil hat, daß es sich bei den etwa.. im Betrieb entstehenden Temperaturen nicht zersetzt. Ein solches Glasgewebe besitzt gleichzeitig eine gewisse Elastizität, so daß es auch etwaigen mechanischen Beanspruchungen gewachsen ist.It has also been suggested that instead of paint, paper or plastic rings an intermediate layer made of a loose insulating fabric, z. B. a glass fabric. to use., which has the advantage that the approximately .. temperatures generated during operation are not decomposed. Such a glass fabric possesses at the same time a certain elasticity, so that there is also any mechanical stresses has grown.
Erfindungsgemäß wird die isolierende Zwischenschicht aus einzelnen ihrer Zahl und Größe nach geeignet bemessenen und entsprechend den jeweiligen Erfordernissen geordneten oder aus statistisch verteilten isolierendenTeilchen hergestellt. Beispielsweise kann die Erfindung dadurch praktisch ausgeführt werden, daß man in die Halbleiterschicht, und zwar vorzugsweise in den druckbelastetenGebieten,einzelne isolierende Teilchen in geeigneter Weise verteilt einbettet. Als isolierende Teilchen dienen vorzugsweise kleinste Glaslzügelchen, deren Durchmesser etwa der Dicke der Selenschicb.t entspricht. Drei solcher Kügelchen können als Dreipunktauflage genügen, um den Druck in: der Säule aufzufangen. Es können aber auch eine größere Anzahl von Kügelchen in statistischer Verteilung zur Anwendung kommen.According to the invention, the insulating intermediate layer is made of individual appropriately sized according to their number and size and according to the respective requirements ordered or made up of randomly distributed insulating particles. For example the invention can be practiced by inserting into the semiconductor layer, preferably in the pressurized areas, individual insulating particles embedded in a suitable manner distributed. The insulating particles are preferably used smallest glass reins, the diameter of which corresponds approximately to the thickness of the selenium. Three such spheres can be sufficient as a three-point contact to ensure the pressure in: the To catch the column. But it can also be a larger number of beads in statistical Distribution are used.
Im Sinne der Erfindung liegt es, auch anderes Material als Glas für die Herstellung der isolierenden Teilchen zum Auffangen des Druckes zu benutzen.In the context of the invention, it is also for other materials than glass to use the production of the insulating particles to absorb the pressure.
Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, daß die aktive Gleichrichterfläche. d. h. die am Gl,eichrich.terefekt teilnehmende Fläche des Gleichrichterelementes vergrößert wird, da, wie schon erwähnt, eine kleine Anzahl von isolierendenTeilchen genügt, um d-enKontaktdru.ck aufzufangen. Nach der Erfindung ist es ferner möglich, die Teilchen über die gesamte Gleichric'hterfläche zu verteilen, so daß der Säulendruck auf das ganze Gleichrichterelement wirken kann. Eine solche Anordnung ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn es sich um die Stapelung von kleinflächigen Gleichrichtern zu einer Säule, z. B. innerhalb einer Hülse, eines Rohres,, Rahmens od. dgl., handelt.The invention has the advantage that the active rectifier surface. d. H. the surface of the rectifier element participating in the equation, eichrich.terefekt is increased because, as mentioned, a small number of insulating particles is sufficient to absorb the contact pressure. According to the invention it is also possible to distribute the particles over the entire equilibrium surface, so that the column pressure can act on the whole rectifier element. Such an arrangement is particular advantageous when it comes to stacking rectifiers with a small area to a column, e.g. B. od within a sleeve, a pipe ,, frame. Like. Acts.
Die isolierenden. Teilchen, z. B. Glaskügelchen, können nach der Erfindung innerhalb der Halbleiterschicht eingebettet liegen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß die isolierenden Teilchen auf die Oberfläche des Selens verteilt aufgelegt und dann mit dem Deckelel.ektrodenmaterial überspritzt werden. Schließlich können sich die isolierenden Teilchen auch an der Grenze zwischen der Grundplatte und der Halbleiterschicht befinden., wenn ihre Stärl.-e, z. B. der Durchmesser eines Glaskügelchens, kleiner gewählt wird als die Dicke der Selenschicht. Entscheidend ist bei der Erfindung allein der Umstand, daß die Teilchen. Kiigelchen, Körnchen od. dgl. so eingelagert bzw. angeordnet sind, daß der Kontaktdruck aufgefangen wird. Die Erfindung erstreckt sieh auch auf ein Verfahren zur Herstellung einer Druckauffangschicht aus isolierenden Teilchen:. Hierbei tritt ein weiterer technischer Fortschritt. der durch die Erfindung erzielt wird, in Erscheinung. ' Gemäß der Erfindung werden die isolierenden Teilchen gemeinsam oder einzeln aufgespritzt, z. B. auf die Grundplatte des Gleichrichterelementes oder auf die Selenschicht vor Aufbringen der Deckelektrode. Im Sinne der Erfindung liegt es auch,- die Teilchen in die Selenschicht einzeln hineinzuschießen. Für dieses Spritz- oder Schießverfahren können fertige Teilehen benutzt werden, z. B. kleine Glaskügelchen, die etwa mit Hilfe von Druckluft in die Selenschicht hineingeschleudert werden. Dies kann vor, während oder nach der Formierung der Selenschicht, gegebenenfalls auch durch die Deckelektrode hindurch, geschehen. Das Verfahren nach der Erfindung soll aber auch den Fall umfassen, daß die Teilchen sich erst während des Aufspritzens oder nach dem Aufspritzen oder Hineinschießen verfestigen, was der Fall ist, wenn man einen zunächst flüssigen Kunststoff. Lack od. dgl., zum Beispiel mit Hilfe einer Art Spritzpistole in hoch aufgelockerter Form aufspritzt und die entstehenden Teilchen anschließend, gegebenenfalls durch Anwendung von Wärme, erhärten läßt.The insulating. Particles, e.g. B. glass beads, according to the invention are embedded within the semiconductor layer. There is another possibility in that the insulating particles are placed on the surface of the selenium in a distributed manner and then overmolded with the cover electrode material. Finally you can the insulating particles are also located at the boundary between the base plate and the Semiconductor layer are. If their strength-e, z. B. the diameter of a glass bead, is chosen to be smaller than the thickness of the selenium layer. It is crucial in the invention just the fact that the particles. Pebbles, granules or the like stored in this way or are arranged that the contact pressure is absorbed. the The invention also extends to a method of making a pressure trapping layer from insulating particles :. Another technical advance occurs here. achieved by the invention, in appearance. 'Be according to the invention the insulating particles sprayed on together or individually, e.g. B. on the base plate of the rectifier element or on the selenium layer before the cover electrode is applied. It is also within the meaning of the invention - the particles in the selenium layer individually shoot in. Finished parts can be used for this spraying or shooting process be used, e.g. B. small glass spheres, which with the help of compressed air in the selenium layer are thrown into it. This can be done before, during or after Formation of the selenium layer, possibly also through the cover electrode, happen. The method according to the invention should also include the case that the particles only move during spraying or after spraying or shooting in solidify, which is the case when you have an initially liquid plastic. paint or the like, for example with the help of a kind of spray gun in a highly loosened up Mold and then the resulting particles, if necessary through Application of heat, hardened.
Im Sinne der Erfindung liegt es auch, beim Aufspritzen oder Hineinschießen der Teilchen zu deren Dosierung, Verteilung usw. Schablonen zu benutzen und die Halbleiterschicht bzw. das Gleichrichterelement zu erwärmen, um das Halbleitermaterial zu erweichen.It is also within the meaning of the invention when spraying on or shooting in of the particles to use templates for their dosage, distribution, etc. and the Semiconductor layer or the rectifier element to heat the semiconductor material to soften.
Das Verfahren nach der Erfindung ist besonders für die Serienfertigung geeignet, da bisher erforderliche Verfahrensschritte, wie z. B. das Ausstanzen der Isolierringe. deren Aufbringen und'Aufkleben, nicht mehr notwendig sind.The method according to the invention is particularly suitable for series production suitable because previously required process steps such. B. punching out the Insulating rings. the application and sticking of which are no longer necessary.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEST12761A DE1041601B (en) | 1957-07-12 | 1957-07-12 | Selenium rectifier element with pressure trapping layer and process for its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DEST12761A DE1041601B (en) | 1957-07-12 | 1957-07-12 | Selenium rectifier element with pressure trapping layer and process for its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| DE1041601B true DE1041601B (en) | 1958-10-23 |
Family
ID=7455819
Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1041601B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1281582B (en) * | 1964-08-27 | 1968-10-31 | Bosch Gmbh Robert | Arrangement of a semiconductor component accommodated in an electrically conductive capsule on a component used to hold it and dissipate heat |
-
1957
- 1957-07-12 DE DEST12761A patent/DE1041601B/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1281582B (en) * | 1964-08-27 | 1968-10-31 | Bosch Gmbh Robert | Arrangement of a semiconductor component accommodated in an electrically conductive capsule on a component used to hold it and dissipate heat |
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