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Zur
Härtung
von elektrisch leitfähigen
Materialien werden diese häufig
mittels eines magnetischen Wechselfeldes induktiv erwärmt. Dabei
entsteht die Erwärmung
des Materials durch Verluste, die durch Wirbelströme hervorgerufen
werden, die das magnetische Wechselfeld in dem Material erzeugt.
Die Verwendung eines hochfrequenten Wechselfeldes führt zu einer
Erwärmung
der Oberfläche des
zu härtenden
Materials, während
niederfrequente Wechselfelder eine höhere Eindringtiefe besitzen. In
Abhängigkeit
vom Anwendungsfall besteht die Notwendigkeit, die verwendete Frequenz
des magnetischen Wechselfeldes anzupassen.
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Es
sind vielfältige
Vorrichtungen für
Umrichter bekannt. Die Umrichter umfassen Wechselrichter, die eine
Eingangsspannung in eine Ausgangswechselspannung mit einer gewünschten
Frequenz umwandeln.
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Zunehmend
werden IGBT's (Insulated
Gate Bipolar Transistor) in Wechselrichtern verwendet, die die bisher
eingesetzten MOSFET's
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) verdrängen. IGBT's sind robuster und
zeichnen sich durch ihre kurzen Schaltzeiten, einen geringen Spannungsabfall
im leitenden Zustand und hohe Stromtragfähigkeit aus, so dass sie bei
großen
Spannungs- oder Stromspitzen weniger häufig zerstört werden. Nachteilig bei der
Verwendung von IGBT's
ist jedoch ihre insbesondere bei Hochfrequenz nicht vernachlässigbare
Trägheit,
die insbesondere bei Hochfrequenz zu nicht vernachlässigbaren
Ein- und Ausschaltzeiten und ohne spezielle Schaltungsmaßnahmen
zu Schaltverlusten führt.
Um die Schaltverluste an den IGBT's zu minimieren, müssen die IGBT's genau im Nulldurchgang der
Lastkreisspannung bzw. des Lastkreisstromes schalten. Hohe Schaltverluste
führen
zu Erwärmung der
IGBT's, die daher
gekühlt
werden, beispielsweise durch Aufbringen auf eine Kühlplatte
und/oder durch Wasserkühlung.
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Durch
die induktive Behandlung des Materials werden seine Materialeigenschaften
teilweise erheblich verändert,
beispielsweise der ohmsche Widerstand oder die relative Permeabilität des Materials,
insbesondere wenn die Temperatur die Curie-Temperatur erreicht bzw. übersteigt,
bei der die ferromagnetischen Materialien paramagnetisch werden.
Zum Einen muss aufgrund der Veränderung
der Impedanz des Materials die Frequenz im Lastkreis nachgeregelt
werden. Zum Anderen führt
die erhebliche Veränderung
der Induktivität
zu Spannung- und Stromspitzen, die zum Ausfall des Umrichters und
zu Zerstörung
von Bauteilen führen
kann.
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Die
Offenlegungsschrift
DE
197 51 666 A1 betrifft eine Phasenregelungseinrichtung
für einen Wechselrichter,
an den ein Reihenschwingkreis angeschlossen ist. Der Wechselrichter
erhält
seine Steuerimpulse von einem spannungsgesteuerten Oszillator (VCO,
Voltage Control Oscillator). Zur Regelung der Phasengleichheit der
Wechselrichterausgangsspannung und des Wechselrichterausgangstroms
wird ein Phasendiskriminator eingesetzt. Die Verzögerung bildet
die Schaltzeiten im Wechselrichter nach, so dass die IGBT's im wesentlichen
optimal schalten. Die Ozillatorspannung wird verzögert, um die
Verzögerungszeit
des IGBTs nachzubilden.
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Die
Verwendung eines trägen
Reglers führt jedoch
bei schnellen Laständerungen
zu Phasendifferenzen, die sich über
die Perioden aufsummieren, durch den Regler nicht ausreichend ausgeregelt
werden und die zum Ausfall des Umrichters führen können.
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Bei
Verwendung einer Regelung mittels eines spannungsgesteuerten Oszillators
und eines Phasendiskriminators besteht daher folgender Kompromiss:
Da die Frequenz des Lastkreises nach dem Einschalten des Umrichters
zunächst
unbekannt ist, muss sich die Regelung an den idealen Arbeitspunkt über einige
Perioden herantasten.
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Eine
träge Regelung
führt dazu,
dass bei extremer Laständerung,
beispielsweise bei Überschreiten
der Curie-Temperatur, Spannungspitzen auftreten, die einen Ausfall
des Umrichters zur Folge haben können.
Andererseits schalten die IGBT's
sehr genau im Nulldurchgang der Lastkreisspannung bzw. des Lastkreisstromes,
wodurch die Schaltverluste an den IGBT's sehr gering sind.
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Bei
Einsatz einer schnellen Regelung wird dagegen der spannungsgesteuerte
Oszillator ausreichend schnell angesteuert, um Spannungs- bzw. Stromspitzen
zu vermeiden. Jedoch führt
der Phasenjitter im Lastkreis dazu die IGBT's nicht genau im Nulldurchgang schalten
und daher hohe Schaltverluste an den IGBT's auftreten, was die Notwendigkeit der
Kühlung
erhöht
und ggf. den Einsatz von mehr IGBT's erforderlich macht, um die auftretenden
Verluste zu verteilen.
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Aufgabe
der Erfindung ist, einen Umrichter zur Erzeugung von Wirkleistung
für die
induktive Erwärmung
zu schaffen, der die oben angeführten
Probleme vermeidet, mit dem daher unabhängig von Schwankungen der Betriebsspannung
des Wechselrichters, unabhängig
von Änderungen
der Parameter eines an den Wechselrichter angeschlossenen Lastkreises,
Spannungs- und Stromspitzen vermieden werden, der Wechselrichter
so angesteuert ist, dass die am Wechselrichter auftretenden Verluste
minimiert sind und der kostengünstig
zu fertigen ist.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch einen Umrichter, insbesondere zur Erzeugung von Wirkleistung
für die
induktive Erwärmung,
dessen einziges frequenzbestimmendes Element die Frequenz des Lastkreises
ist. Die Frequenz der Schaltsignale des Umrichters sind durch die
Frequenz des Lastkreises bestimmt. Dadurch ist der Aufbau des Umrichters
einfach und kostengünstig.
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Bevorzugt
umfasst der Umrichter einen Wechselrichter, wobei der Wechselrichter
mindestens einen IGBT aufweist, wobei für den IGBT ein IGBT-Schaltsignal
vorgesehen ist, dessen Frequenz bevorzugt die Frequenz des Lastkreises
ist. Vorteilhafterweise sind IGBT's sehr robust. Hohe Spannungs- und Stromspitzen
führen
daher seltener zu einem Abschalten aufgrund von nicht definierten
Betriebsbedingungen oder einem Ausfall des Umrichters. Das ist auch
deshalb vorteilhaft, weil jede Unterbrechung der induktiven Erwärmung zu
einer Verschlechterung der Qualität oder Schrott des behandelten
Materials führt.
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Vorzugsweise
ist der an den Wechselrichter angeschlossene Lastkreis ein Reihenschwingkreis oder
ein Parallelschwingkreis. Bevorzugt wird der Schwingkreis mit Resonanzfrequenz
betrieben. Dadurch werden die Schaltverluste im Lastkreis reduziert,
unnötige
Blindleistungsverluste im wesentlichen vermieden und der Wirkungsgrad
des Umrichters optimiert. Im wesentlichen steht die maximal mögliche Wirkleistung
am Schwingkreis zur Verfügung.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
umfasst der Umrichter eine Steuerung zur Erzeugung des IGBT-Schaltsignals,
wobei der Steuerung ein Lastkreissignal zugeführt ist und wobei das Lastkreissignal
bei Anschluss eines Reihenschwingkreises ein Abbild des Schwingkreisstromes
oder bei Anschluss eines Parallelschwingkreises ein Abbild der Schwingkreisspannung
ist. Dadurch steht der Steuerung ein Lastkreissignal mit der Frequenz
des Lastkreises unmittelbar zur Verarbeitung zur Verfügung.
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Bevorzugt
eilt der IGBT-Schaltsignal dem Nulldurchgang des Lastkreissignals
um eine Zeit toff vor. Vorteilhafterweise
ist die Zeit toff so gewählt, dass durch das Voreilen
des IGBT-Schaltsignals vor dem Nulldurchgang des Lastkreissignals
die Trägheit
des IGBT's ausgeglichen
wird, so dass der IGBT im wesentlichen im Nulldurchgang des Lastkreissignals schaltet.
Daher werden Schaltverluste an dem IGBT im wesentlichen vermieden.
Vorteilhafterweise kann die Kühlung
des IGBT's daher
relativ zu einem IGBT, das nicht im Nulldurchgang des Lastkreissignals schaltet,
vereinfacht werden. Der Fachmann weiß, dass IGBT's entsprechend dem
Anwendungsfall ggf. aufwendig gekühlt werden, beispielsweise
mittels Kühlplatten
und/oder Wasserkühlung.
Eine Reduzierung der notwendigen Kühlung ist daher kostengünstig. Die
auftretenden Verluste werden durch Parallelschalten von IGBT's auf diese verteilt.
Durch die Reduzierung der Schaltverluste kann die Anzahl der IGBT's reduziert sein,
wodurch der Bauteilbedarf und der Fertigungsaufwand verringert ist
und was daher kostengünstig
ist.
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Vorzugsweise
umfasst der Umrichter ein Mittel zum Ermitteln der Periodendauer,
das die Periodendauer des Lastkreissignals in weniger als der Zeitdifferenz
zweier aufeinanderfolgender Nulldurchgänge des Lastkreissignals bestimmt.
Im Normalfall ist die Laständerung
so langsam bzw. die Frequenz im Lastkreis so hoch, dass sie innerhalb
der ersten Hälfte
der aktuellen Halbwelle detektiert wird. Spannungs- und Stromspitzen,
die bei starken Laständerungen
auftreten und durch eine träge
Regelung zum Ausfall des Umrichters führen können, werden daher vorteilhafterweise
vermieden. Selbst wenn eine Laständerung
erst in der zweiten Hälfte
der aktuellen Halbwelle des Lastkreissignals durch eine Phasenverschiebung
erkennbar ist, wird sie bereits in der folgenden Halbwelle des Lastkreissignals
ausgeglichen. Insbesondere bei Hochfrequenz schaltet der IGBT daher
im wesentlichen exakt im Nulldurchgang des Lastkreissignals. Die
Schaltverluste an den IGBT's
sind daher minimiert.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
umfasst die Steuerung ein Zeitglied, wobei das Zeitglied im Nulldurchgang
des Lastkreissignals mit der Zeit toff angestoßen wird,
wobei sich der Schaltzeitpunkt des IGBT-Schaltsignals durch Spiegelung
der Zeit toff an einer imaginären Achse,
die im Maximum der Halbwelle liegt, ergibt. Durch Laständerung
oder Änderung
der Betriebsspannung des Umrichters ändert sich die Periodendauer
ständig
und ist daher unbekannt. Durch die Spiegelung der Zeit toff an einer imaginären Achse besteht dennoch nicht
die Notwendigkeit, die Periodendauer zu bestimmen. Sondern der Schaltzeitpunkt
des IGBT-Schaltsignals ist durch die Spiegelung der Zeit toff an der imaginären Achse so bestimmt, dass
der IGBT im wesentlichen im Nulldurchgang des Lastkreissignals schaltet.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
wird während
der Zeit toff ein Speicher auf den Wert
des Lastkreissignals bis zum Ablauf der Zeit toff aufgeladen
und der nächstfolgende
Schnittpunkt des Speichersignals mit dem Wert des Lastkreissignals bestimmt
einen Schaltzeitpunkt des IGBT-Schaltsignals. Der Fachmann erkennt,
dass ein geeigneter Speicher insbesondere ein Kondensator ist, dass eine
mögliche
Realisierung durch eine Sample and Hold-Schaltung sowie einem Komparator
erfolgt, wobei die Eingangssignale des Komparators das Lastkreissignal
sowie das Ausgangssignal der Sample and Hold-Schaltung sind und
der Komparator den Schnittpunkt der beiden Signale detektiert. Vorteilhafterweise
ist diese Bereitstellung des IGBT-Schaltsignals sehr einfach und
kostengünstig
möglich.
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Vorteilhafterweise
ist der IGBT-Schaltsignal aus der Periodendauer und der Zeit toff bestimmt. Die Ansprüche 9 – 14 beschreiben Realisierungen
weiterer bevorzugter Ausführungsformen
zur Bereitstellung des IGBT-Schaltsignals.
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Da
die Frequenz des Lastkreises die Frequenz des Umrichters bestimmt,
besteht nicht die Notwendigkeit, mehrere schwingende Systeme, beispielsweise
einen spannungsgesteuerten Oszillator und ein Lastkreissignal, mittels
einer Regelung in Übereinstimmung
zu bringen. Der sich aus den Eigenschaften einer solchen Regelung
ergebende Kompromiss zwischen einer trägen Regelung und einer schnellen
Regelung wird daher vermieden. Mit dem erfindungsgemäßen Umrichter
werden auch bei erheblichen Änderungen
der Last Spannungs- und Stromspitzen im wesentlichen vermieden.
Trotz des durch die Welligkeit der Betriebsspannung hervorgerufenen
Phasenjitters schaltet der Umrichter im wesentlichen in den Nulldurchgängen des
Lastkreissignals, so dass die Schaltverluste an den IGBT's minimiert sind.
Aufgrund der minimierten Schaltverluste der IGBT's sowie dem einfach zu realisierenden
Aufbau der Steuerung ist die Fertigung des Umrichters kostengünstig möglich.
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Im
folgenden wird die Erfindung anhand der 1 – 9 beschrieben.
Die Beschreibungen sind lediglich beispielhaft und schränken den
allgemeinen Erfindungsgedanken nicht ein.
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1 zeigt
eine Ausführungsform
eines Umrichters entsprechend dem Stand der Technik
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2 zeigt
den Phasenjitter einer in der Mitte liegenden idealen Lastkreisspannung.
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3 zeigt
sich aufsummierende Phasendifferenzen einer realen Schwingung im
Lastkreis im Vergleich zu einem Vorgabesignal (3) eines
spannungsgesteuerten Oszillators.
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4 zeigt
eine Ausführungsform
eines erfindungsgemäßen Umrichters.
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5 zeigt
schematisch eine Halbwelle eines Lastkreissignals und verdeutlicht
den Schaltzeitpunkt eines IGBT-Schaltsignals.
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6 zeigt
schematisch eine Halbwelle eines Lastkreissignals und verdeutlicht
die Bestimmung des Schaltzeitpunktes eines IGBT-Schaltsignals.
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7 zeigt
schematisch eine Halbwelle eines Lastkreissignals und verdeutlicht
eine mögliche Ausführungsform
zur Generierung des Schaltzeitpunktes eines IGBT-Schaltsignals.
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8 zeigt
ein Blockschaltbild eine mögliche Ausführungsform
der Steuerung eines Wechselrichters eines erfindungsgemäßen Umrichters.
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9 zeigt
schematisch eine Halbwelle eines Lastkreissignals und verdeutlicht
eine mögliche Ausführungsform
zur Generierung des Schaltzeitpunktes eines IGBT-Schaltsignals.
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1 zeigt
eine Ausführungsform
eines Umrichters entsprechend dem Stand der Technik. Der Umrichter
weist einen frequenzbestimmenden spannungsgesteuerten Oszillator 15,
einen Wechselrichter 16 ein zusätzliches Zeitglied 17,
einen Phasendiskriminator 18 sowie einen Tiefpass 14 auf.
Das Ausgangssignal des spannungsgesteuerten Oszillators 15 wird
nicht nur dem Wechselrichter 16, sondern auch dem Zeitglied 17 zugeführt, welches
die Schaltzeiten im Wechselrichter 16 nachbildet. So kann über den
Phasendiskriminator 18 eine Regelspannung erzeugt werden,
die über
den Tiefpass 14 den spannungsgesteuerten Oszillator 15 nachregelt.
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2 zeigt
den Phasenjitter einer in der Mitte liegenden idealen Lastkreisspannung
bzw. des Lastkreisstromes 1. Bei einer Amplitude 19 von
beispielsweise 565V beträgt
die durch den Phasenjitter hervorgerufene mögliche Spannungsungenauigkeit 20 im
Vergleich zum Nulldurchgang der idealen Lastkreisspannung bereits
+/- 45V.
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3 zeigt
sich aufsummierende Phasendifferenzen einer realen Schwingung im
Lastkreis im Vergleich zu einem Vorgabesignal 3 eines spannungsgesteuerten
Oszillators. Während
bei einer Periodendauer 21 von 2500ns nach einer halben
Periode die Phasendifferenz 22 zwischen dem Vorgabesignal 3 und
der realen Schwingung im Lastkreis 2 zum Beispiel nur 62,5ns
beträgt,
ist die Phasendifferenz 22 eine Periode später bereis
auf das Dreifache (187,5ns) angestiegen.
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4 zeigt
eine Ausführungsform
eines erfindungsgemäßen Umrichters.
Ein Gleichrichter 6, beispielsweise ein Einphasengleichrichter
oder ein Dreiphasengleichrichter, beliefert einen Wechselrichter 7,
bestehend aus einer Wechselrichterbrücke mit vier IGBT's 24 und
zugehörigen
Treiberschaltungen 8, mit einer pulsierenden Gleichspannung.
Ein Lastkreis 11, der aus einem Induktor L und einer Blindleistungskompensation
C sowie einem Wirkanteil R besteht, ist über einen Transformator 23 mit
den Ausgängen
der Wechselrichterbrücke
gekoppelt. Der Umrichter weist eine Steuerung 10 auf, die
für die
IGBT's 24 der
Wechselrichterbrücke
IGBT-Schaltsignale zur Verfügung
stellt. Ihr wird ein Abbild des sinusförmigen Lastkreisstroms über einen
geeigneten Sensor 9 zugeführt.
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5 zeigt
schematisch eine Halbwelle eines Lastkreissignals 13 und
verdeutlicht den Schaltzeitpunkt t2 eines
IGBT-Schaltsignals. Der IGBT-Schaltsignal muss sich bereits im Schaltzeitpunkt t2 ändern,
damit der IGBT im Zeitpunkt t3 schaltet.
Die Zeit toff entspricht bevorzugt der Ausschaltzeit
des IGBT's.
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6 zeigt
schematisch eine Halbwelle eines Lastkreissignals 13 und
verdeutlicht die Bestimmung des Schaltzeitpunktes t2 eines
IGBT-Schaltsignals. Das dargestellte Lastkreissignal 13 führt eine
sinusförmige
Schwingung mit der Frequenz f aus. Trägt man nach einem Nulldurchgang
t0 sowie vor dem nächstfolgenden Nulldurchgang
t3 einer Halbwelle 1/2f die Zeit toff auf der Zeitachse auf, so wird deutlich,
dass der Schaltzeitpunkt t2 des IGBT-Schaltsignals
sich aus der Spiegelung des Zeitpunktes t1 =
t0 + toff an einer
imaginären
Achse 4, die senkrecht zur Zeitachse steht und durch das
Maximum des Lastkreissignal 13, ergibt.
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7 zeigt
schematisch eine Halbwelle eines Lastkreissignals 13 und
verdeutlicht eine mögliche
Ausführungsform
zur Generierung des Schaltzeitpunktes t2 eines
IGBT-Schaltsignals. Nach dem Nulldurchgang t0 wird
während
der Zeit toff bis zum Zeitpunkt t1 ein Speicher, insbesondere ein Kondensator,
aufgeladen, dessen Ladezustand bis über den Zeitpunkt t2 hinaus gehalten wird, so dass der Schnittpunkt 12 des
Lastkreissignals 13 mit dem Speichersignal 5,
beispielsweise der Ladespannung des Kondensators, mittels Komparator
detektiert werden kann. Der analoge Vorgang erfolgt während der
negativen Halbwelle des Lastkreissignals ab dem folgenden Nulldurchgang
t3 des Lastkreissignals.
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8 zeigt
ein Blockschaltbild eine mögliche Ausführungsform
der Steuerung 10 des Wechselrichters 7 eines erfindungsgemäßen Umrichters.
Zunächst
generiert eine erste monostabile Kippstufe, die einem Komparator
nachgeschaltet ist, A1 die Zeit toff, die
nach jedem Nulldurchgang t1, t3 des
Lastkreissignals gestartet wird. Der Ausgang dieser ersten monostabilen
Kippstufe A1 steuert einen Sample And Hold-Verstärker A2, welcher einen Kondensators
auflädt
und die Ladespannung 5 über
den Zeitpunkt t1 hinaus beibehält. Ein
weiterer Komparator mit einer zweiten nachgeschalteten monostabilen Kippstufe
A3 schaltet in den Schnittpunkten des Lastkreissignals mit dem Ausgangssignal
des Sample And Hold-Verstärkers
A2 und liefert an den Ausgängen
ON und OFF die Schaltzeitpunkte t2, t2 in Form von Ein- und Ausschaltflanken für die IGBT-Schaltsignale
IGBT 1/3, IGBT 2/4 der IGBT's
der Wechselrichterbrücke.
Diese Flanken werden von der nachfolgenden Logik A4 in die endgültigen IGBT-Schaltsignale
geformt. Während
der Zeit toff und etwas darüber hinaus
wird der Vergleichsvorgang in der zweiten monostabilen Kippstufe
A3 unterdrückt.
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Der
erfindungsgemäße Umrichter
ist zur Frequenzumrichtung in einer Vielzahl verschiedener Anwendungen
geeignet, insbesondere als Umrichter für die induktive Erwärmung. Er
ist sowohl für
den Einsatz im Nieder- als auch im Hochfrequenzbereich, vorzugsweise
100 Hz – 500
kHz, geeignet.
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9 zeigt
schematisch eine Halbwelle eines Lastkreissignals 13 und
verdeutlicht eine mögliche
Ausführungsform
zur Generierung des Schaltzeitpunktes t2 eines
IGBT-Schaltsignals. Das Lastkreissignal wird einem Spitzenwertspeicher
zugeführt,
der den Spitzenwert über
das Maximum des Lastkreissignals hinaus hält. Der Ausgang des Spitzenwertspeichers
ist an einen Spannungsteiler angeschlossen, der die Spannungen U1 und U2 abgreifbar macht.
Der Teiler ist so ausgelegt, dass bei der Projektion der Spannungen
U1 und U2 auf eine
Zeitachse die Zeitdifferenz zwischen tU1 und
tU2 gleich der Zeitdifferenz zwischen tU2 und tU3 ist und
dass die Lastkreisspannung mittels Komparatoren mit den Spannungen
U1 und U2 verglichen werden
und dass vor und nach der Zeit tU2 ein Zähler, der
bei tU1 gestartet wird, gegensinnig zählt und
ein bestimmter Zählerstand
nach tU2 den Schaltzeitpunkt t2 des
IGBT-Schaltsignals betimmt.
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- 1
- Phasenjitter
einer in der Mitte liegenden idealen
-
- Lastkreisspannung
- 2
- reale
Schwingung eines Lastkreissignals mit Phasenunterschied
-
- nach
schneller Laständerung und
träger
Reglung
- 3
- Durch
einen VCO vorgegebenes ideales Lastkreissignal
- 4
- imaginäre Spiegelungsachse
zur Bestimmung des
-
- Schaltzeitpunktes
eines IGBT-Schaltsignals
- 5
- Sample
and Hold – Signal
eines Kondensators zur Generierung
-
- des
Schaltzeitpunktes eines IGBT-Schaltsignals
- 6
- Gleichrichter
- 7
- Wechselrichter
- 8
- Treiber
für ein
IGBT
- 9
- Sensor
- 10
- Steuerung
des Wechselrichters
- 11
- Lastkreis
in Form eines Reihenschwingkreises
- 12
- Schnittpunkt
des Lastkreissignals mit einem durch eine Sample
-
- and
Hold-Schaltung erzeugten Speichersignal
- 13
- Lastkreissignal
- 14
- Tiefpass
- 15
- Spannungsgesteuerter
Oszillator
- 16
- Wechselrichterbrücke
- 17
- Zeitglied
- 18
- Phasendiskriminator
- 19
- Amplitude
der idealen Lastkreisspannung
- 20
- durch
den Phasenjitter hervorgerufene mögliche
-
- Spannungsungenauigkeit
- 21
- Periodendauer
eines durch einen spannungsgesteuerten
-
- Oszillator
vorgegebenen Signals
- 22
- Phasendifferenz
- 23
- Transformator
- 24
- IGBT's in einer Wechselrichtrbrücke
- toff
- Schaltzeit
eines IGBT's
- t0
- Nulldurchgang
des Lastkreissignals, Startzeitpunkt zur
-
- Bestimmung
des Schaltzeitpunktes des IGBT-Schaltsignals
- t1
- t0 + toff
- t2
- Schaltzeitpunkt
des IGBT-Steuersignals
- t3
- Schaltzeitpunkt
des IGBT's
- f
- Frequenz
eines Signals
- L
- Induktor
im Lastkreis
- R
- Wirkanteil
im Lastkreises
- C
- Blindleistungskompensation
im Lastkreis
- I
- Strom
- IGBT1 – IGBT4
- IGBT's in einer Wechselrichterbrücke